用于等離子體腔室的充電格柵的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了用于操作腔室的等離子體處理器腔室和方法。示例性的腔室包括用于接收襯底的靜電夾盤以及與腔室的頂部連接的電介質(zhì)窗。電介質(zhì)窗的內(nèi)側(cè)面向位于靜電夾盤的上方的等離子體處理區(qū)域，電介質(zhì)窗的外側(cè)位于等離子體處理區(qū)域的外部。內(nèi)側(cè)和外側(cè)線圈被設(shè)置在電介質(zhì)窗的外側(cè)，并且內(nèi)側(cè)和外側(cè)線圈與第一RF功率源相連。充電格柵被設(shè)置在電介質(zhì)窗的外側(cè)以及內(nèi)側(cè)和外側(cè)線圈之間。充電格柵與第二RF功率源相連，該第二功率源獨立于第一RF功率源。
【專利說明】用于等離子體腔室的充電格柵
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明通常涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種裝置，其包含保持電感耦合等離子體蝕刻裝置的電介質(zhì)窗的狀態(tài)的充電格柵。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體制造過程中，需要經(jīng)常且重復(fù)地進(jìn)行蝕刻處理。本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的蝕刻處理有兩種:濕式蝕刻和干式蝕刻。干式蝕刻中的一種是利用電感耦合等離子體蝕刻裝置進(jìn)行的等離子體蝕刻。
[0003]等離子體包含各種類型的自由基、電子以及正、負(fù)離子。利用各種自由基、正離子和負(fù)離子的化學(xué)反應(yīng)來蝕刻晶片的特征、表面以及材料。在蝕刻處理期間，腔室線圈執(zhí)行類似于變壓器中的初級線圈的功能，而等離子體則執(zhí)行類似于變壓器中的次級線圈的功能。
[0004]由蝕刻處理所生成的反應(yīng)產(chǎn)物是揮發(fā)性或非揮發(fā)性的。揮發(fā)性的反應(yīng)產(chǎn)物與使用過的反應(yīng)氣體通過排氣口一起被排出。然而，非揮發(fā)性的反應(yīng)產(chǎn)物則通常會在反應(yīng)腔室中殘留一定的量。非揮發(fā)性的反應(yīng)產(chǎn)物可黏著在腔室壁和電介質(zhì)窗上。非揮發(fā)性反應(yīng)產(chǎn)物在窗的黏著會干擾蝕刻處理。過量的沉積會導(dǎo)致微粒從窗上脫落到晶片上，從而干擾蝕刻處理。因此，過量的沉積則需要更頻繁地清洗腔室壁以及窗，這會不利于晶片的吞吐量。此外，如果窗變成覆蓋有導(dǎo)電性的蝕刻副產(chǎn)物的話，那么腔室將足夠的磁通量傳遞到等離子體的能力則會變?nèi)酰@會接著造成蝕刻操作的方向性的控制能力的降低，而這些在處理高深寬比輪廓(profile)特征時是非常關(guān)鍵的。
[0005]基于前述內(nèi)容，需要一種用于保護(hù)處理腔室的電介質(zhì)窗的裝置和方法，同時保持將足夠水平的磁通量傳遞到等離子體的能力。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明公開了一種在半導(dǎo)體裝置制造期間用于對半導(dǎo)體襯底以及形成在其上的各層進(jìn)行蝕刻的裝置。該裝置由在其中進(jìn)行的蝕刻的腔室來定義。該裝置包括用于支撐要被蝕刻的襯底的夾盤，到RF功率及接地端的連接部，位于腔室的上層頂部的電介質(zhì)窗，以及設(shè)置在電介質(zhì)窗上方的射頻(RF)線圈。
[0007]進(jìn)一步設(shè)置在腔室中的是充電格柵。該充電格柵是這樣一種結(jié)構(gòu)，其從設(shè)置于該腔室外部并與獨立于提供給線圈的功率的RF功率相連。在一個實施方式中，充電格柵是形成在襯底上的金屬層。該襯底設(shè)置在窗的上方并且RF線圈設(shè)置在充電格柵的上方。
[0008]本發(fā)明提供了等離子體處理腔室。該腔室包括用于接收襯底的靜電夾盤以及連接到腔室頂部的電介質(zhì)窗。電介質(zhì)窗的內(nèi)側(cè)面向靜電夾盤上方的等離子處理區(qū)域，電介質(zhì)窗的外側(cè)位于等離子體處理區(qū)域的外部。內(nèi)側(cè)和外側(cè)線圈被設(shè)置在電介質(zhì)窗的外側(cè)上方，并且該內(nèi)側(cè)和外側(cè)線圈與第一 RF功率源相連。充電格柵設(shè)置在電介質(zhì)窗的外側(cè)與內(nèi)側(cè)和外側(cè)線圈之間。該充電格柵與獨立于第一 RF功率源的第二 RF功率源相連。
[0009]在另一個實施方式中，提供了用于等離子體處理的腔室。該腔室包括外殼以及位于外殼中用于支撐晶片的夾盤。外殼的頂部由電介質(zhì)窗來界定，并且將充電格柵設(shè)置在電介質(zhì)窗的上方。TCP線圈設(shè)置充電格柵上。RF功率與充電格柵相連，充電格柵獨立于TCP線圈。
[0010]在另一個實施方式中，公開了一種用于處理等離子體蝕刻腔室中晶片的方法。該方法包括，將第一 RF功率施加到等離子體蝕刻腔室的頂部電介質(zhì)窗上，其中，該第一 RF功率被施加到內(nèi)側(cè)和外側(cè)線圈；以及，將第二 RF功率施加到等離子蝕刻腔室的頂部電介質(zhì)窗上，其中，該第二 RF功率被施加到充電格柵，該充電格柵被設(shè)置在內(nèi)側(cè)和外側(cè)線圈以及電介質(zhì)窗之間；所述方法還包括將第一 RF功率的設(shè)定獨立于第二 RF功率的設(shè)定。由第二 RF功率所施加的頻率和功率水平不同于由第一 RF功率所施加的頻率和功率水平。
[0011]在一個實施方式中，將第二 RF功率的頻率設(shè)定在范圍在1.5MHz和2.5MHz之間的低頻率上，并且通過充電格柵從等離子體蝕刻腔室中處理的等離子體呈現(xiàn)的負(fù)載來調(diào)整第
二RF功率的頻率。
[0012]在一個實施方式中，以瓦特為單位的第二 RF功率的功率水平與以瓦特為單位的第一 RF功率的功率水平彼此獨立地被調(diào)節(jié)。
[0013]如果沒有本文所優(yōu)選定義的充電格柵的話，由蝕刻材料和蝕刻化學(xué)劑所產(chǎn)生的沉積物將更易于附著在電介質(zhì)窗的內(nèi)表面上，其最終影響RF線圈提供足夠的能量以及對腔室內(nèi)生成的等離子體控制的能力。這種影響可包括等離子體中離子密度的降低，離子密度的徑向控制的降低，以及其他處理降低的缺點。例如，耐火金屬的蝕刻將導(dǎo)致在腔室的電介質(zhì)窗上非常多的沉積物，并且這些導(dǎo)電性沉積物(隨著它們的累積)將越來越妨礙磁場的耦合從而無法激勵線圈以形成等離子體。這將使得等離子體密度的降低，處理的移位，以及最終造成無法激勵感應(yīng)等離子體。此外，盡管在處理性能方面的一些降低在過去的腔室構(gòu)造中是可以接受的，但是縮減特征尺寸的驅(qū)動的需求已經(jīng)持續(xù)在處理性能中要求了更嚴(yán)格的公差。相應(yīng)于隨著特征尺寸的縮小，將會導(dǎo)致蝕刻具有非常高的深寬比特征的需求。
[0014]因此，隨著特征尺寸持續(xù)變小到低納米處理節(jié)點以及更小時，蝕刻設(shè)備的性能隨著時間的推移而發(fā)生移位將不再被允許。進(jìn)一步影響這個問題的是，對高吞吐量以及執(zhí)行設(shè)備清洗操作的較少時間的互補(bǔ)的制造需求。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]參照以下描述以及隨后的附圖將更好地理解本發(fā)明及其進(jìn)一步的優(yōu)點。
[0016]圖1A顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的用于蝕刻操作的等離子體處理系統(tǒng)；
[0017]圖1B顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的示例性的表示的內(nèi)側(cè)和外側(cè)線圈的頂視圖；
[0018]圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的充電格柵的實施例；
[0019]圖3顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的包含充電格柵之前的電介質(zhì)窗的實施例；
[0020]圖4顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的設(shè)置在電介質(zhì)窗上的充電格柵；
[0021]圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的設(shè)置在電介質(zhì)窗和TCP線圈之間的充電格柵；
[0022]圖6顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的定義在TCP線圈下方的電介質(zhì)窗和充電格柵的橫截面圖的實施例；
[0023]圖7顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式與充電格柵連接的獨立RF功率的實施例，RF功率是頻率可調(diào)并且可根據(jù)特定的需求設(shè)定成不同的功率設(shè)定(不影響對獨立的TCP功率的控制)；
[0024]圖8A-11顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，如何使得充電格柵不影響處理參數(shù)的控制，同時依然對減少或消除在懷疑的(doubt)窗的內(nèi)側(cè)上副產(chǎn)物的積累提供控制。
【具體實施方式】
[0025]本發(fā)明公開了在半導(dǎo)體裝置的制造期間用于對半導(dǎo)體襯底及形成在其上的各層上進(jìn)行蝕刻的裝置。該裝置由在其中進(jìn)行蝕刻的腔室所定義。將TCP線圈設(shè)置在腔室的電介質(zhì)窗上方，將充電格柵設(shè)置在電介質(zhì)窗和TCP線圈之間。該充電格柵由提供給TCP線圈的功率分離且獨立地來供電。在下文中，為了全面的理解本發(fā)明，闡述了很多特定的細(xì)節(jié)。然而，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，很顯然，本發(fā)明可以在不具有這些細(xì)節(jié)中的部分的環(huán)境之下實現(xiàn)。在其他實施方式中，未詳細(xì)描述公知的工藝步驟和實現(xiàn)細(xì)節(jié)以免不必要地使本發(fā)明難以理解。
[0026]由于對長期數(shù)據(jù)保留、高速開啟/關(guān)閉應(yīng)用程序、更快的寫入速度以及無限的讀寫耐久性的非揮發(fā)性隨機(jī)存取存儲器需求的不斷增加，MRAM (MRAM:MagnetoresistiveRandom Access Memory，磁阻隨機(jī)存取存儲器)逐漸成為有望取代SRAM (靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)、DRAM (動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)、閃存存儲器元件與電池的各種組合的候選者，從而為大型系統(tǒng)提供快速、低功率以及顯著降低啟動時間的非揮發(fā)性存儲。盡管MRAM是非揮發(fā)性存儲器，然而MRAM的等離子體蝕刻的副產(chǎn)物通常為非揮發(fā)性的，顧名思義，是導(dǎo)電的。當(dāng)MRAM處理中的蝕刻副產(chǎn)物沉積在導(dǎo)體蝕刻腔室中的電介質(zhì)窗時，TCP RF功率的效率將由于在電介質(zhì)窗上通過副產(chǎn)物逐漸形成的導(dǎo)電膜的屏蔽效應(yīng)而降低。TCP功率效率的降低導(dǎo)致等離子體密度的下降，在某些情況下，可造成從晶片到晶片的處理發(fā)生移位。因此，腔室清洗的平均時間(MTBC)是很短的。舉例來說，在某些用于處理MRAM的蝕刻腔室中，當(dāng)偏置RF功率在電壓模式下降低約15%時，MTBC則為約5RF小時。
[0027]通過在等離子體蝕刻腔室中實現(xiàn)充電格柵108，在電介質(zhì)窗上沉積物的影響將不再是確定MTBC的因素。如下圖1A所示，當(dāng)充電格柵108設(shè)置在電介質(zhì)窗106上方時(夕卜部)，充電格柵將獨立地由TCP線圈120/122所提供的功率來供電。該獨立功率是在低功率下施加的并且被調(diào)整成等離子體，這將使得充電格柵108可以減少或消除在電介質(zhì)窗內(nèi)側(cè)的非揮發(fā)性金屬副產(chǎn)物的附著。
[0028]本文中所使用的術(shù)語“獨立地”應(yīng)該被理解為用來定義以下情況，施加在TCP線圈上的RF功率具有其自身的以瓦特為單位的功率水平和頻率，同時施加在充電格柵108上的功率具有其自身的以瓦特為單位的功率水平和頻率。因此，(施加于TCP線圈)第一 RF功率的設(shè)定與(施加于充電格柵)第二 RF功率設(shè)定的是獨立的。在一個實施方式中，由第二 RF功率所施加的頻率和功率水平與由第一 RF功率所施加的頻率和功率水平不同。
[0029]因此，較不頻繁的清洗電介質(zhì)窗106則是必要的，并且這可以實現(xiàn)更長的MTBC，其提高蝕刻操作的一致性以及吞吐量。此外，當(dāng)充電格柵108激活時，其將具有對窗106 (面對等離子體)進(jìn)行在線清洗和/或離線清洗的作用，因此從晶片到晶片的處理性能將實質(zhì)上相同。
[0030]在一個實施方式中，將充電格柵108放置在腔室的電介質(zhì)窗的頂部。在一個實施方式中，腔室為導(dǎo)體等離子體蝕刻腔室，例如，由加州費(fèi)里蒙得的Lam ResearchCorporation所制造的Kiyo45?。然而，應(yīng)該理解的是，充電格柵108可被增加到由任何廠商所制造的等離子體腔室中，從而提供在電介質(zhì)窗上方的獨立的RF功率。如圖1A所示，將充電網(wǎng)絡(luò)108定義在襯底107上。將充電格柵108和襯底107放置在TCP線圈的下方。盡管所示的構(gòu)造是平面形狀的，其他類型的頂部功率配置，如圓頂配置，也可以實現(xiàn)供電格柵108 (適當(dāng)形狀的)，從而提供增強(qiáng)的性能。
[0031]在一個實施方式中，通過匹配網(wǎng)絡(luò)和RF生成器以2MHz來對充電格柵供電。將施加到充電格柵108的RF功率調(diào)整到適于寬處理窗的水平，使得撞擊電介質(zhì)口的離子具有適當(dāng)?shù)哪芰?，可以在處理期間在線地保持電介質(zhì)窗的清潔和/或在清洗步驟期間離線地濺射掉電介質(zhì)窗上的蝕刻副產(chǎn)物。在這種方式下，電介質(zhì)窗可被清洗到與每一個晶片相同的程度從而消除從晶片到晶片的處理過程的移位。通過物理的濺射進(jìn)行在線和離線清洗時，也可以結(jié)合軟著陸(soft-landing)步驟和某些/適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)劑從而來加速清洗結(jié)果，并且同時防止電介質(zhì)窗被濺射并且防止微粒的產(chǎn)生。
[0032]利用充電格柵108優(yōu)化等離子體蝕刻的腔室可用來蝕刻許多的材料。一些示例性的材料包括，但不限于，Pt, Ir, PtMn, PdCo, Co, CoFeB, CoFe, NiFe, W，Ag, Cu, Mo, TaSn, Ge2Sb2Te2, InSbTe Ag-Ge-S, Cu-Te-S, IrMn, Ru。概念可延伸至例如 e NiOx, SrTiOx,鈣鈦礦(CaTi03)，PrCAMn03, PZT (PbZrl-xTix03)，(SrBiTa) 03 等材料。
[0033]圖1A顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的用于蝕刻操作的等離子體處理系統(tǒng)。該處理系統(tǒng)包括腔室102，其包括夾盤104，電介質(zhì)窗106，以及充電格柵108。夾盤104可以是用于支撐存在的襯底的靜電夾盤。如圖所示，環(huán)繞夾盤104的邊緣環(huán)116，當(dāng)晶片位于夾盤的上方時，該邊緣環(huán)具有與晶片的頂部大概在一個平面上的上表面。腔室102也包括下襯110，其與上襯118耦合。上襯118也被叫做腔室的頂峰。上襯118被配置為支撐電介質(zhì)窗106和充電格柵108。在一個實施方式中，上襯118耦合至接地端。
[0034]如圖所示，充電格柵108具有格柵圖案，從而使充電格柵由形成在襯底107上的金屬材料來定義。襯底107是電介質(zhì)，并且定義在襯底上的格柵圖案可以采用任何數(shù)量的幾何結(jié)構(gòu)。如將在下面的圖中所示出的，但不限于此，充電格柵108被定義為輻條的形式，其延伸至窗106的中心區(qū)域與外徑之間。因此，窗與充電格柵在處理期間所形成的等離子體區(qū)域的上方延伸，并且被設(shè)置在設(shè)計為在處理期間用于支撐晶片的夾盤104的上方。輻條之間開口間距是沒有充電格柵的非金屬部分存在的區(qū)域。在其間具有開口間距的情況下，也可以設(shè)置除了輻條之外的任何金屬幾何圖案。
[0035]此外，圖中還顯示了 RF生成器160，其可以由一個或多個生成器來定義。如果提供了多個生成器的話，則可利用不同的頻率來達(dá)到各種調(diào)諧特性。將偏置匹配器162耦合在RF生成器160和定義夾盤140的組件的導(dǎo)電板之間(也稱為底部電極)。夾盤140也包括靜電電極來夾緊和放松晶片。更廣泛地，系統(tǒng)還提供濾波器64和DC鉗位電源。雖然圖中未顯示，但也提供用于冷卻以及用于將晶片從夾盤140頂起離開的其他控制系統(tǒng)。盡管圖中未顯示，可將泵連接到腔室102上以在等離子體處理期間進(jìn)行真空控制并且從腔室中排出氣體的副產(chǎn)物。[0036]充電格柵108具有中央?yún)^(qū)域，該中央?yún)^(qū)域會允許噴頭將處理氣體輸送到腔室102的處理空間中。此外，其他探測裝置也可設(shè)置穿過充電格柵108附近的區(qū)域，其中設(shè)有通孔?？稍诓僮髌陂g提供探測裝置來探測與等離子體處理系統(tǒng)相關(guān)的處理參數(shù)。探測處理可包括端點檢查，等離子體密度測量，以及其他測量探測操作。由于常見的晶片幾何形狀通常為圓形，因此充電格柵108也被定義呈圓形。眾所周知，晶片通常會呈現(xiàn)各種尺寸，例如200mm, 300mm, 450mm等等。此外,基于在腔室102內(nèi)所進(jìn)行的蝕刻操作,方形襯底或較小襯底也可以是其他形狀。
[0037]電介質(zhì)窗106可以由陶瓷或石英類材料所定義。電介質(zhì)窗106具有面向等離子體處理區(qū)域的內(nèi)側(cè)和位于腔室外部的外側(cè)。只要能夠承受半導(dǎo)體蝕刻腔室的條件，也可以采用其他的電介質(zhì)材料。通常來說，腔室在升高的溫度，介于約在50攝氏度和120攝氏度之間或更高的溫度之間的范圍內(nèi)進(jìn)行操作。溫度取決于蝕刻處理操作和特定的配方(recipe)。腔室102也可在真空狀態(tài)下，介于約Im Torr和100m Torr的范圍之間進(jìn)行操作。盡管圖中未示出，通常將腔室102耦合于裝配在無塵室之中的設(shè)備、或制造設(shè)備。這些設(shè)備包括提供處理氣體、真空、溫度控制、以及環(huán)境微粒控制的管道。
[0038]當(dāng)裝配在目標(biāo)制造設(shè)備中時，將這些設(shè)備耦合到腔室102。此外，腔室102也可耦合到傳送腔室，這將使得機(jī)械臂可以利用通常的自動化設(shè)備將半導(dǎo)體晶片傳入和傳出腔室102。
[0039]繼續(xù)參考圖1A，所示的TCP線圈包括內(nèi)側(cè)線圈122 (IC)和外側(cè)線圈120 (OC)0TCP線圈被設(shè)置且配置在充電格柵108之上，充電格柵108相應(yīng)位于電介質(zhì)窗106上方。在相對于電介質(zhì)窗106之上的徑向位置處定義TCP線圈的內(nèi)側(cè)結(jié)構(gòu)和外側(cè)結(jié)構(gòu)，并且TCP功率利用控制調(diào)諧電路單元124是可調(diào)諧的。
[0040]在一個實施方式中，TCP線圈與包括到內(nèi)側(cè)線圈120和外側(cè)線圈122的連接件的控制調(diào)諧電路124耦合。如圖所示，將外側(cè)線圈120的外回路(loop)與節(jié)點146耦合，節(jié)點146依次連接到可變電容136。在使可變電容136連接到匹配部件128和RF生成器之前，可變電容136被設(shè)置在節(jié)點146和144之間。外側(cè)線圈120的內(nèi)回路與節(jié)點142連接，而節(jié)點142與電容器132連接。電容器132耦合在接地端和節(jié)點142之間。內(nèi)側(cè)線圈122具有連接到節(jié)點140的外回路，隨后節(jié)點140連接到可變電容器134。
[0041]將可變電容器134耦合到節(jié)點140和節(jié)點144之間。內(nèi)側(cè)線圈122的內(nèi)回路的內(nèi)回路與節(jié)點148耦合。節(jié)點148與耦合到接地端的電感器130耦合。因此，控制調(diào)諧電路124能夠?qū)﹄娙萜?34和136進(jìn)行動態(tài)調(diào)諧，以調(diào)諧供應(yīng)給放置在充電格柵108之上的內(nèi)側(cè)和外側(cè)線圈的功率。
[0042]在一個實施方式中，控制調(diào)諧電路124被配置為調(diào)諧TCP線圈以向內(nèi)側(cè)線圈122和外側(cè)線圈120提供更多的功率。在另一個實施方式中，控制調(diào)諧電路124被配置為調(diào)諧TCP線圈以向內(nèi)側(cè)線圈122和外側(cè)線圈120提供更少的功率。在另一個實施方式中，提供給內(nèi)側(cè)線圈與外側(cè)線圈的功率會是提供均勻分布的功率和/或控制在襯底(例如，當(dāng)晶片存在時)的徑向分布中離子密度的功率。還是在另一個實施方式中，在外側(cè)線圈和內(nèi)側(cè)線圈之間功率的調(diào)諧將基于對設(shè)置在夾盤104之上的半導(dǎo)體晶片上執(zhí)行的蝕刻操作所定義的處理參數(shù)來調(diào)整。
[0043]在一個實施方式中，具有兩個可變電容的電路被配置為自動地調(diào)整從而使兩個線圈中的電流達(dá)到預(yù)定的比率。在該實施方式中，比率可以為介于0.1到0.5之間。在另一個實施方式中，電流則大致相同。在另一個實施方式中，該比率為O，這樣可僅將外側(cè)線圈設(shè)定為操作狀態(tài)。
[0044]在一個實施方式中，電容器134和136通過處理控制器來控制，該控制器與腔室102的電子面板相連?？蓪㈦娮用姘羼詈系骄W(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，根據(jù)在特定循環(huán)期間所期望的處理操作，網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)可操作特定的處理例程。因此，電子面板可控制腔室102中執(zhí)行的蝕刻操作，并且可以控制電容器134和136的特定設(shè)定。
[0045]在該實施方式中，將充電格柵108與其自身的獨立RF功率相連。RF功率可從分離的生成器或者已經(jīng)在腔室中使用的另一個生成器來獲得，例如，通過將分離的可調(diào)諧的RF線路分割出去(splitting off)。分離的可調(diào)整的RF線路可提供適于充電格柵108的操作的特定頻率。然而，通常來說，應(yīng)該理解的是提供給充電格柵108的RF功率是分離于和/或獨立于RF線圈120/122所提供的TCP功率以及還有RF線圈120/122所提供的TCP功率。在一個實施方式中，圖1A顯示了耦合到與節(jié)點214連接的匹配部件212的獨立RF生成器210。節(jié)點214是連接到充電格柵108的連接點。此外，應(yīng)該理解的是，提供給充電格柵108的功率與由TCP線圈所提供的功率相獨立。在一個實施方式中，提供到內(nèi)側(cè)和外側(cè)線圈的功率由第一 RF功率源提供，而提供給充電格柵108的功率則由第二 RF功率源提供，第二 RF功率源與第一 RF功率源相獨立。
[0046]如本文所用的，腔室為由外殼所定義的處理腔室。外殼通常定義腔室的結(jié)構(gòu)。外殼可以由金屬材料制成，例如，鋁或者不銹鋼，或者其他已知的材料。外殼內(nèi)為夾盤104以及外殼的頂部由電介質(zhì)窗所定義。電介質(zhì)窗可以是任何已知的形狀，例如平坦的或者圓頂?shù)男螤?。TCP線圈也可采用任意數(shù)量的形狀來與平坦的或圓頂?shù)男螤罨蛘叱潆姼駯?08相匹配。
[0047]圖1B顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的示例性的內(nèi)側(cè)線圈122和外側(cè)線圈120的頂視圖。作為一個實施例，圖1B所示的截面圖代表與圖1A中的線圈的連接件。內(nèi)側(cè)線圈122可包括內(nèi)側(cè)線圈I和內(nèi)側(cè)線圈2，外側(cè)線圈I和外側(cè)線圈2。如圖1A所示，在線圈端部之間的連接件被顯示為相對于設(shè)置在控制電路124中的電路。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，圖1B顯示了在腔室102中所利用的TCP線圈的內(nèi)側(cè)和外側(cè)線圈相關(guān)的圓形繞線。應(yīng)該理解的是，也可以是其他類型的線圈結(jié)構(gòu)。可以具有提供圓頂式結(jié)構(gòu)的三維線圈，以及不同于平坦的線圈分布的其他線圈類型的結(jié)構(gòu)。因此，充電格柵108可以在不考慮所選形狀的情況下被插入到線圈和窗之間。
[0048]圖2顯示了形成在襯底107之上的充電格柵108的立體圖。在一個實施方式中，該襯底為介電材料。該介電材料可以是剛性介電體的形式，或者可以是典型地用于印刷電路板(PCB)技術(shù)的剛性材料。PCB能夠?qū)Τ练e在其表面上，且被蝕刻以定義特定圖案的導(dǎo)電性材料提供機(jī)械支撐。在一個實施方式中所使用的特定圖案是連接到充電格柵108的中心導(dǎo)電區(qū)域的輻條圖案。因此，充電格柵則由開口區(qū)域(即，不包括金屬材料的區(qū)域)所隔離開的多個金屬特征所定義。在一個實施方式中，充電格柵為具有中心開口的盤狀形狀，中心開口是金屬性的并且與多個導(dǎo)電的輻條或肋片連接(例如，幾何特征部)。
[0049]在另一個實施方式中，PCT由層疊式的介電材料所組成以提供足夠的強(qiáng)度來支撐定義輻條圖案的表面上圖案化的金屬材料。替代地，除了 PCB材料之外，也可以使用陶瓷盤，或者陶瓷與其他介電材料的混合物，以及如TeflonTM的電介質(zhì)來支撐用于定義充電格柵108的金屬圖形。又進(jìn)一步地，不使用圖2所示的輻條圖案的話，充電格柵108可以由任意數(shù)量的圖案所定義。基本上，只要介電材料之間的距離或空間已經(jīng)被定義為使得由線圈所提供的TCP功率能夠被傳送到腔室內(nèi)的等離子體的話，則圖案可以采用任意數(shù)量的圖形。
[0050]實質(zhì)上，充電格柵是對電感式耦合透明的但控制電容式耦合的電極。這樣的話，充電格柵108作為獨立于腔室的TCP線圈的電容式耦合電極運(yùn)作。應(yīng)當(dāng)理解的是，在某些情況下，充電格柵108被稱謂法拉第(Faraday)屏蔽或充電法拉屏蔽的類型。然而，充電格柵108物理上并不作為法拉第屏蔽。然而，如果本領(lǐng)域技術(shù)人員所指的充電格柵是充電法拉第屏蔽的類型時，則應(yīng)該將充電格柵的功能和物理操作視為慣例。也就是說，充電格柵是對電感式耦合透明的但控制電容式耦合的電極。
[0051]圖2也顯示了與充電格柵108的中心位置連接的帶狀部200。當(dāng)安裝有帶狀部時，中心位置使得RF功率分布到充電格柵108的整個表面，從而達(dá)到實質(zhì)上覆蓋到電介質(zhì)窗106的表面的外直徑。如下所示，帶狀部200提供有上面所述的獨立的RF功率。在示例性的實施例中，定義格柵108的金屬材料為銅，并且被圖案化在襯底107上。應(yīng)該理解的是，除了銅之外，也可以使用其他金屬材料，只要使充電格柵108的表面各處能夠具有足夠的RF傳導(dǎo)。在該實施方式中，帶狀部200也由銅所定義，從而在RF功率源和充電格柵108之間提供良好的電傳導(dǎo)。
[0052]圖3顯示了在將充電格柵108安裝在電介質(zhì)窗106和線圈之前，電介質(zhì)窗106的三維視圖。如圖所示，電介質(zhì)窗106是如圖1A所示的放置在腔室上的陶瓷介電體。將TCP線圈和相關(guān)的回路如圖所不一樣配置在電介質(zhì)窗106的上方。外側(cè)線圈120和內(nèi)側(cè)線圈122被顯示為具有饋入到內(nèi)側(cè)線圈和外側(cè)線圈的RF連接。同時也顯示了用于連接RF功率的支撐結(jié)構(gòu)。
[0053]圖4顯示了設(shè)置在電介質(zhì)窗106上方的充電格柵108的立體圖。如圖所示，充電格柵108以及襯底107被設(shè)置在電介質(zhì)窗之上并且實質(zhì)上在平面的方向上。襯底107與充電格柵108直接接觸。在另一個實施方式中，在襯底107和充電格柵108之間可以存在一定距離。在另一個實施方式中，充電格柵108可由金屬材料定義而不需要襯底107。金屬材料要有足夠的強(qiáng)度可以以間隔開的方向被放置在電介質(zhì)窗107上。替代地，如果充電格柵108由金屬材料形成而不需要襯底時,充電格柵108可直接放置在電介質(zhì)窗106上。因此，應(yīng)該理解的是，充電格柵108可以采取任意數(shù)量的實體配置，只要充電格柵108可獨立地充電，并且可放置、連接、附著、或者定位在電介質(zhì)窗106之上。
[0054]圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的當(dāng)充電格柵108設(shè)置在電介質(zhì)窗106之上并且放置在TCP線圈之下時充電格柵108的立體圖。所示的充電格柵的照片是用來證明充電格柵有效性的測試平臺(bench)。因此，顯示了利用膠黏帶將充電格柵108臨時地附著在電介質(zhì)窗106上。在商業(yè)實施中，不使用在測試平臺中所利用的膠黏帶而將充電格柵108與系統(tǒng)連接。然而，圖5顯示了充電格柵108相對于電介質(zhì)窗106與TCP線圈122/120的相對位置。
[0055]圖中也顯示了與充電格柵108的帶狀部200連接的延長帶狀部201。延長帶狀部被配置為耦合到獨立的RF功率，并且為了簡單起見，顯示為到RF的連接部。如上所述，電介質(zhì)窗106位于腔室的上方，并且腔室的外部包括充電格柵108和TCP線圈。當(dāng)操作時，電介質(zhì)窗106的底部，即包含充電格柵108的面的反面，將面向腔室中的等離子體。這樣的話，如同TCP線圈，充電格柵108位于處理腔室的外部。
[0056]圖6顯不了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的電介質(zhì)窗106和充電格柵108的一部分。如圖所示，根據(jù)所使用的材料，窗106通常具有介于約IOmm到約50mm之間的厚度。設(shè)置在電介質(zhì)窗上方的是襯底107,其為介于約0.5mm和約3mm之間，并且優(yōu)選的是介于約Imm和約2mm之間，名義上為約1.5mm(例如，約60mil)。應(yīng)該理解的是，襯底107可以由各種類型的材料定義而成，例如著名的(noted) PCB型材料、Teflon、陶瓷等等。
[0057]圖6也顯示了相對于充電格柵108和窗106的TCP線圈120和122的通用布置。當(dāng)操作時，在腔室的內(nèi)部產(chǎn)生等離子體，并且在臨近窗106的內(nèi)表面處定義等離子體鞘(sheath)。同樣地，放置在夾盤104上的晶片202將經(jīng)歷接近晶片202的表面的等離子體鞘。等離子體鞘的特定控制與蝕刻處理將取決于TCP線圈所提供的功率、供應(yīng)給下電極(夾盤104)的功率、供應(yīng)給腔室的壓力、溫度、供應(yīng)給腔室的功率的頻率、蝕刻化學(xué)劑以及其他操作所選出的配方的其他特定設(shè)定值。
[0058]在操作時，將會存在靠近窗106的等離子體鞘。在一個實施方式中，將等離子體鞘與充電格柵108之間的大約距離定義為Z。從充電格柵108所示，該距離為定義等離子體阻抗的一個變量。將充電格柵108獨立地連接到分離的RF生成器，而從充電格柵108來看，該RF生成器與特定等離子體阻抗相匹配并且被調(diào)諧到該特定的阻抗。
[0059]在一個實施方式中，充電格柵108的金屬材料的厚度介于約0.075mm和約0.5mm之間并且優(yōu)選的是約0.3mm (例如,大約5mil)。在該實施例中，金屬材料是銅。然而，也可以使用其他金屬材料，例如，鋁、黃銅、銀、鍍銅等等。
[0060]圖7顯示了 RF生成器210與充電格柵108之間的連接件。充電格柵108通過帶狀部200和延伸帶狀部201而電連接到生成器210。圖中所示的匹配電路212示例性地連接到通過充電格柵108考慮的阻抗的負(fù)載，而將其表示為Z，即R-jXc。生成器210包括方向耦合器210a，其與調(diào)諧器210b耦合從而提供根據(jù)充電格柵108所呈現(xiàn)的負(fù)載來設(shè)置生成器210的頻率。
[0061]在一個實施方式中，生成器210具有內(nèi)部的50歐姆的阻抗，并且如果生成器看到了來自匹配212的點230處的50歐姆，則設(shè)定匹配。如果在操作期間，匹配212在點230處呈現(xiàn)為10歐姆時，則在生成器210的50歐姆阻抗和點230處的10歐姆的阻抗之間的匹配將不再存在。在這樣一個實施例中，從充電格柵108來看，在點230處的10歐姆表示來自等離子體的高反射。方向耦合器210a接下來將感測由不匹配所引起的提供給調(diào)諧器210b的反射/前向功率232。50和10歐姆的實施例僅僅是舉例說明。
[0062]因此，根據(jù)本實施例，反射/前向功率232是用于調(diào)諧生成器210的頻率設(shè)定。因此，基于調(diào)諧器210b讀取反射/前向功率232的調(diào)諧，生成器210的頻率被動態(tài)地設(shè)定。通過改變可調(diào)諧的生成器210的頻率，生成器210的阻抗與點230處的負(fù)載相匹配。因此，在本實施方式中，在約2MHz周圍的低頻率處充電格柵被充電，并且基于在匹配的輸入側(cè)從生成器所看到的阻抗來加以調(diào)整。在一個實施方式中，根據(jù)處理期間的負(fù)載，將生成器210的頻率調(diào)諧設(shè)定為約1.5MHz和約2.5MHz之間，并且優(yōu)選的是，設(shè)定在約1.9MHz和約2.1MHz之間。在一個實施方式中，基于從匹配器所看到的負(fù)載，將與充電格柵108相連的RF功率源的頻率的設(shè)定自動調(diào)整。
[0063]在處理期間且基于等離子體蝕刻腔室中的環(huán)境，該自動的調(diào)整隨時間進(jìn)行。自動調(diào)整可以是向上調(diào)，向下調(diào)，或周期性的向上或向下調(diào)。例如，在2MHz周邊的調(diào)整范圍可以是介于約0.0I+/-MHz以及約1.0+/-ΜΗζ,并且優(yōu)選的是，介于約0.05+/-MHz和約
0.5+/-MHZ之間。在一個實施方式中，由于RF功率(頻率和以瓦特為單位的功率水平)完全獨立于TCP線圈的RF功率(頻率和以瓦特為單位的功率水平)的設(shè)定，因此該調(diào)諧是可能的。在一個實施方式中，用于充電格柵108的調(diào)諧可利用具有頻率調(diào)節(jié)功能的市場上可用的生成器來進(jìn)行設(shè)定。
[0064]在一個實施方式中，RF生成器210在約2MHz的低頻率附近進(jìn)行操作從而能使用較高能量的端部來提供改進(jìn)的控制，通常稱為低頻率雙峰離子能量分布。例如，關(guān)于離子能量分布函數(shù)(IEDF)，已知的是較低的頻率提供具有雙峰分布的較高的能量。在窗的內(nèi)部觀看時，這種較高能量運(yùn)行以提供額外的能量到等離子鞘，從而控制靠近窗的等離子體的DC偏置來對非揮發(fā)性副產(chǎn)物在電介質(zhì)窗表面的附著產(chǎn)生較小的影響。
[0065]在操作時，除了設(shè)定頻率之外，還基于在等離子體腔室中執(zhí)行的配方來選擇施加于充電格柵108的功率的設(shè)定值。公知的是，配方將取決于許多因素以及將要執(zhí)行的所期望的蝕刻操作。這些因素包括，但不限于，腔室壓力、化學(xué)劑、溫度、由RF線圈所提供功率等等。為了提供一個額外的控制，也需要基于特定的配方來設(shè)定提供給充電格柵108的特定功率。隨著施加更多的功率，在設(shè)定頻率處所傳遞的IEDF配置(profile)的大小也將增加。替代地，根據(jù)配方的期望設(shè)定，可施加更少的功率來減少能量的大小。提供給充電格柵108的示例性的功率其范圍介于約5W到1000W之間。某些實施例則在介于50W到300W的范圍之間操作，以及介于75W到150W之間操作。
[0066]在一個實施方式中，可以調(diào)諧充電格柵108的開槽(開口)的設(shè)計(即，襯底207上未被金屬化的部分)，從而允許來自TCP RF系統(tǒng)的有效的功率分配。在一個實施方式中，將TCP RF功率設(shè)定為約13.56MHz來觸發(fā)等離子體。在一個實施方式中，在設(shè)計所有從中心到邊緣的開槽的開口的百分比時，優(yōu)選的是使開口實質(zhì)一致，這樣的話內(nèi)側(cè)-外側(cè)線圈功率沉積圖案可盡可能地維持在未設(shè)置充電格柵的狀態(tài)。在一個實施方式中，靠近中心以及周圍的開口區(qū)域的百分比(即，無金屬材料的區(qū)域)約大于50%，而在靠近外徑及其周圍的開口區(qū)域的區(qū)域，開口區(qū)域的百分比則約小于30%。在本實施例中，靠近中心區(qū)域的開口百分比比較大，并且隨著半徑達(dá)到充電格柵108的邊緣時該開口百分比逐漸增大。在一個實施方式中進(jìn)行該最優(yōu)化這樣使得開口百分比能夠確定穿過充電格柵108的磁通量的大小，這樣的話使TCP功率分布成等離子體。
[0067]也可以通過調(diào)整施加在充電格柵108上的2MHz功率來控制在線和離線清洗。在一個實施方式中，在線清洗需要實質(zhì)上較低的功率提供給格柵以在常規(guī)的晶片處理期間保持電介質(zhì)窗的清潔。但離線清洗需要更高的功率或更高的離子能量從而濺射掉在晶片處理期間已經(jīng)沉積在電介質(zhì)窗內(nèi)側(cè)表面的金屬材料。也可以提供處理所需的大約13.56MHz功率的TCP等離子體密度以及清洗所需的2MHz的離子能量的獨立控制。根據(jù)一個實施方式，對等離子體的生成來說，施加在TCP線圈上的13.56MHz功率比電容耦合的2MHz功率更有效，而2MHz功率可以更有效率地提高到電介質(zhì)窗內(nèi)側(cè)表面的離子能量，從而保持窗的基本上的清潔。[0068]圖8A-8C顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，當(dāng)充電格柵108被安裝時，向腔室提供的示例性控制。圖8A顯示了施加于充電格柵108的RF電壓獨立地由其自身的功率控制。圖8B顯示了施加于充電格柵108的RF電壓并不會受TCCT比率的顯著影響。圖8C顯示了施加于充電格柵108的RF電壓并不會受PCP功率的顯著影響。進(jìn)行測試的環(huán)境被如下配置,通以200sccm的気氣,將腔室的壓力設(shè)定約為IOmTorr,當(dāng)無清洗(sweeping)時將TCCT設(shè)定為約0.8。
[0069]圖9A顯示了當(dāng)利用充電格柵108進(jìn)行實驗時，DC偏壓相對于TCP功率仍為可控的情況。在將充電格柵108設(shè)定在大約2MHz和900W時進(jìn)行試驗。圖9B顯示了，當(dāng)在運(yùn)行充電格柵108的情況下進(jìn)行實驗時，DC偏置也對應(yīng)于腔室壓力。在該實驗中，將充電格柵108設(shè)置在2MHz和750W。根據(jù)所選處理中所期望的配方，通過運(yùn)行圖9A和圖9B中的這些實驗，可以收集數(shù)據(jù)以確定供給充電格柵108的功率的優(yōu)選設(shè)定。實際上，可以進(jìn)行許多更多的實驗來限定出充電格柵108的功率設(shè)定值的范圍，從而使得系統(tǒng)的使用者可以根據(jù)配方所需的處理條件來選擇最接近的功率進(jìn)行施加。
[0070]圖1OA和IOB提供的數(shù)據(jù)表明，當(dāng)充電格柵108連接到系統(tǒng)時，對DC偏置仍然施加控制。由于施加于充電格柵108的功率獨立于RF TCP線圈上的功率，因此可以進(jìn)行該控制。圖9A-9B中所示的數(shù)據(jù)是通過操作包括有100M歐姆的探測器與連接到窗的電線來收集的。圖11顯示了實施充電格柵108時等離子體密度的圖形。對腔室進(jìn)行該實驗的測試條件為:將TCP功率設(shè)定為500W，氬氣為200sccm，SF6為50sccm，并且TCCT為I。
[0071]因此，上述示例性實施例中的充電格柵108非常適用于防止或控制在等離子體蝕刻操作期間沉積在電介質(zhì)窗106的內(nèi)側(cè)上的副產(chǎn)物。對供給充電格柵108具有獨立的RF功率的控制使得可以利用標(biāo)準(zhǔn)的配方設(shè)定值而進(jìn)行完整的處理與配方控制，例如TCP功率、壓力以及其他變量。這樣的話，將充電格柵108安裝在106處的樣式(style)屬性窗和TCP線圈之間不會影響正規(guī)操作或用以達(dá)成特定配方所預(yù)期的性能所需要的處理設(shè)定值。
[0072]在低頻率下(B卩，大約2MHz)，對功率的獨立控制將使得期望的設(shè)定能夠有助于減少在電介質(zhì)窗106上的蝕刻副產(chǎn)物的沉積，并且將因此減少待處理的晶片所必須的清洗操作的次數(shù)。此外，如上所述，通過減少在電介質(zhì)窗106上的蝕刻副產(chǎn)物的沉積，能夠保證在處理晶片到晶片期間更高的一致性以及更少的用以清洗電介質(zhì)窗的關(guān)機(jī)(shutdown)。也就是說，可以顯著提高腔室清洗的平均時間(MTBC)。
[0073]如本文所述，對供給充電格柵108的RF功率的獨立控制指的是使得本架構(gòu)能夠與金屬結(jié)構(gòu)耦合的由RF線圈提供的相同的功率的實施例相區(qū)分。因此，在不考慮供給充電格柵108的功率是如何設(shè)定的情況下，將可對RF線圈所提供的功率(TCP功率)加以控制。
[0074]盡管已通過若干個實施方式來描述本發(fā)明，但應(yīng)該了解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員通過閱讀說明書內(nèi)容并參考附圖，將可以得到本發(fā)明的各種變形、附加、置換及其等同方案。因此，只要在本發(fā)明的實際主旨和范圍之內(nèi)，本發(fā)明旨在包括所有此類的變形、附加、置換及其等同方案。
【權(quán)利要求】
1.一種等離子體處理腔室，其包括: 靜電夾盤，其用于接收襯底； 電介質(zhì)窗，其與所述腔室的頂部相連，電介質(zhì)窗的內(nèi)側(cè)面向位于所述靜電夾盤上方的等離子體處理區(qū)域，所述電介質(zhì)窗的外側(cè)位于所述等離子體處理區(qū)域的外部； 內(nèi)側(cè)和外側(cè)線圈，其設(shè)置在所述電介質(zhì)窗的外側(cè)，所述內(nèi)側(cè)和外側(cè)線圈與第一 RF功率源相連； 充電格柵，其設(shè)置在所述電介質(zhì)窗的所述外側(cè)與所述內(nèi)側(cè)和外側(cè)線圈之間，所述充電格柵與獨立于所述第一 RF功率源的所述第二 RF功率源相連。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理腔室，其中所述充電格柵是從多個由開口區(qū)域所分隔的金屬特征來定義的。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理腔室，其中與所述內(nèi)側(cè)和外側(cè)線圈相連的所述第一RF功率源提供變壓器耦合等離子體(TCP)功率。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理腔室，其中所述充電格柵由具有金屬特征的襯底來定義。
5.如權(quán)利要求4所述的等離子體處理腔室，其中所述充電格柵的所述襯底與所述電介質(zhì)窗的外側(cè)接觸。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理腔室，其中所述第二RF功率源是頻率能調(diào)的以在操作時與所述腔室中的等離子體的負(fù)載相匹配。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理腔室，其中所述充電格柵是具有中央開口的盤形形狀，所述中央開口是金屬性的且與導(dǎo)電的多個輻條相連接。
8.一種腔室，其包括: 外殼; 夾盤，其用于支撐所述外殼中的晶片； 所述外殼的頂部，其由電介質(zhì)窗定義； 充電格柵，其設(shè)置在所述電介質(zhì)窗的上方； TCP線圈，其設(shè)置在所述充電格柵的上方；以及 RF功率，其與所述充電格柵相連，所述充電格柵獨立于所述TCP線圈。
9.如權(quán)利要求8所述的腔室，其中所述充電格柵包括多個由開口區(qū)域所分隔的導(dǎo)電特征。
10.一種腔室，其包括: 夾盤，其用于支撐所述腔室中的晶片； 所述腔室的頂部，其由所述電介質(zhì)窗定義； 充電格柵，其設(shè)置在所述電介質(zhì)窗的上方； TCP線圈，其設(shè)置在所述充電格柵的上方；以及 RF功率，其與所述充電格柵相連，所述充電格柵獨立于所述TCP線圈。
11.如權(quán)利要求10所 述的腔室，其中所述充電格柵包括多個由開口區(qū)域分隔的導(dǎo)電特征。
12.如權(quán)利要求10所述的腔室，其中與所述充電格柵相連的所述RF功率獨立于與所述TCP線圈相連的所述RF功率。
13.一種用于在等離子體蝕刻腔室中處理晶片的方法，其包括: 將第一 RF功率施加到所述等離子體蝕刻腔室的頂部電介質(zhì)窗上，所述第一 RF功率被施加到內(nèi)側(cè)和外側(cè)線圈； 將第二 RF功率施加到所述等離子蝕刻腔室的所述頂部電介質(zhì)窗上，所述第二 RF功率被施加到充電格柵上，該充電格柵被設(shè)置在所述內(nèi)側(cè)和外側(cè)線圈與所述電介質(zhì)窗之間；并且 將所述第一 RF功率的設(shè)定獨立于所述第二 RF功率的設(shè)定，其中由所述第二 RF功率所施加的頻率和功率水平不同于由所述第一 RF功率所施加的頻率和功率水平。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中將所述第二RF功率的所述頻率設(shè)定在介于1.5MHz和2.5MHz之間的范圍的低頻率，并調(diào)諧到通過所述充電格柵呈現(xiàn)的來自所述等離子體蝕刻腔室中處理的等離子體的負(fù)載。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中以瓦特為單位的所述第二RF功率的所述功率水平與以瓦特為單位的所述第一 RF功率的所述功率水平能彼此獨立地調(diào)節(jié)。
16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中將施加于所述TCP線圈的所述第一RF功率的所述頻率設(shè)定在約13.56MHz ο
17.如權(quán)利要求13所述的方法，其中將所述充電格柵配置為覆蓋所述電介質(zhì)窗的外表面。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述覆蓋所述電介質(zhì)窗的外表面包括定義所述充電格柵的導(dǎo)電特征之間的距離。
19.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第二RF功率源為具有用于在所述等離子體蝕刻腔室的處理期間基于通過匹配器呈現(xiàn)的負(fù)載而自動調(diào)整所述第二 RF功率的頻率的調(diào)諧的生成器。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中該自動調(diào)整在處理期間是隨著時間推移自動地基于所述等離子體腔室中的條件而進(jìn)行的。
【文檔編號】H01L21/3065GK103918064SQ201280029581
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2012年5月25日 優(yōu)先權(quán)日:2011年6月15日
【發(fā)明者】龍茂林, 亞歷克斯·帕特森, 理查德·馬什, 吳英 申請人:朗姆研究公司