芯片裝置、多層芯片裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種多層芯片裝置，該多層芯片裝置包括：多層本體，該多層本體包括堆疊在該多層本體中的多個內(nèi)磁性層；內(nèi)電極層，該內(nèi)電極層形成在所述多層本體內(nèi)；外磁性層，該外磁性層堆疊在所述多層本體的上表面和下表面中的至少一者上；以及外電極，該外電極形成在所述多層本體和所述外磁性層的外側(cè)，并且該外電極與所述內(nèi)電極層電連接，其中所述外磁性層的長度比所述內(nèi)磁性層的長度短。
【專利說明】芯片裝置、多層芯片裝置及其制造方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2012年7月18日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局申請的韓國專利申請N0.10-2012-0078422的優(yōu)先權(quán)，在此通過引用將該申請的全部內(nèi)容并入本申請中。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及一種芯片裝置、多層芯片裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0004]感應(yīng)器(一種多層芯片元件)是能夠通過與電阻器和電容器一起包括在電子電路內(nèi)來從信號中消除噪聲的典型的無源元件。
[0005]多層芯片式感應(yīng)器可以通過印刷并堆疊導(dǎo)電圖案以在磁性物質(zhì)或電介質(zhì)物質(zhì)內(nèi)形成線圈來制造。多層芯片感應(yīng)器具有多層形成有導(dǎo)電圖案的磁性層堆疊于其中的結(jié)構(gòu)。在多層芯片式感應(yīng)器內(nèi)的內(nèi)部導(dǎo)電圖案通過形成在各磁性層中的轉(zhuǎn)接電極(viaelectrode)順序連接，以在芯片內(nèi)形成線圈結(jié)構(gòu)從而達到例如目標(biāo)的感應(yīng)系數(shù)特性和阻抗特性。
[0006]同時，隨著電子設(shè)備變小變輕，簡化功率感應(yīng)器結(jié)構(gòu)的需求增加。特別地,對小巧、高性能的感應(yīng)器的需求增加。
[0007][現(xiàn)有技術(shù)文獻]
[0008]日本專利公開N0.2001-155950

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的一方面提供了ー種具有優(yōu)良的電性能同時小型化的芯片裝置以及制造該芯片裝置的方法。
[0010]本發(fā)明的另ー個方面提供了具有優(yōu)良的電感特性同時容易批量化生產(chǎn)的芯片裝置以及制造該芯片裝置的方法。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的ー個方面，提供了ー種多層芯片裝置，該多層芯片裝置包括:多層本體，該多層本體包括堆疊在該多層本體中的多個內(nèi)磁性層；內(nèi)電極層，該內(nèi)電極層形成在所述多層本體內(nèi)；外磁性層，該外磁性層堆疊在所述多層本體的上表面和下表面中的至少ー者上；以及外電極，該外電極形成在所述多層本體和所述外磁性層的外側(cè)，并且該外電極與所述內(nèi)電極層電連接，所述外磁性層的長度比所述內(nèi)磁性層的長度短。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的另ー個方面，提供了ー種多層芯片裝置的制造方法，該方法包括:準備多個內(nèi)磁性層，該內(nèi)磁性層中形成有導(dǎo)電圖案和轉(zhuǎn)接電扱；通過堆疊所述多個內(nèi)磁性層形成多層本體，從而通過使形成在每ー個所述內(nèi)磁性層中的所述導(dǎo)電圖案的端部與形成在相鄰的第一個磁性層中的所述轉(zhuǎn)接電極接觸來形成線圈部分；將外磁性層堆疊在所述多層本體的上表面和下表面中的至少ー者上；以及在多層的所述外磁性層和所述多層本體的外側(cè)形成外電極，其中所述外磁性層比所述內(nèi)磁性層短。[0013]根據(jù)本發(fā)明的另ー個方面，提供了ー種多層芯片裝置的制造方法，該方法包括:準備多個內(nèi)磁性層，該內(nèi)磁性層包括形成在其中的導(dǎo)電圖案和轉(zhuǎn)接電扱；通過堆疊所述多個內(nèi)磁性層形成多層本體，從而通過使形成在每ー個所述內(nèi)磁性層中的導(dǎo)電圖案的端部與形成在相鄰的所述內(nèi)磁性層中的所述轉(zhuǎn)接電極接觸來形成線圈部分；將外磁性層堆疊在所述多層本體的上表面和下表面中的至少ー者上；部分地去除多層的所述外磁性層的沿長度方向的兩端；以及在所述多層本體的外側(cè)和所述兩端被部分地去除的所述外磁性層的外側(cè)形成外電極。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的另ー個方面，提供了一種芯片裝置，該芯片裝置包括:支撐基板；線圏，該線圈形成在所述支撐基板的兩個表面上；磁性本體，該磁性本體包括所述線圈和所述支撐基板，并且該磁性本體由磁性物質(zhì)形成；外磁性層，該外磁性層形成在所述磁性本體的上表面和下表面中的至少ー者上；以及外電極，該外電極形成在所述多層本體和所述外磁性層的外側(cè)，并且該外電極與所述線圈電連接，其中所述外磁性層的長度比所述磁性本體的長度短。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]通過下面結(jié)合附圖的詳細說明，本發(fā)明的上述和其它方面、特征以及其它優(yōu)點將會更加清楚地得到理解，其中:
[0016]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的多層芯片感應(yīng)器的局部剖視立體圖；
[0017]圖2是圖1中的多層芯片感應(yīng)器的堆疊外觀的示意性地立體分解圖；
[0018]圖3是顯示形成在圖1中的磁性層上的導(dǎo)電圖案的外觀的平面示意圖；
[0019]圖4A和圖4B是沿圖1中的V - V’線剖切的示意性的剖視圖；
[0020]圖5是根據(jù)本發(fā)明的另ー種實施方式的多層感應(yīng)器的剖視圖；
[0021]圖6A至圖6C是圖解根據(jù)本發(fā)明的實施方式的多層感應(yīng)器的制造方法的視圖；
[0022]圖7A至圖7D是圖解根據(jù)本發(fā)明的另ー種實施方式的多層感應(yīng)器的制造方法的視圖；
[0023]圖8A至圖SC是顯示根據(jù)本發(fā)明的另ー種實施方式的感應(yīng)器的視圖；以及
[0024]圖9是沿圖8中的U-U，線剖切的示意性的剖視圖。
【具體實施方式】
[0025]下面，將參照附圖詳細描述本發(fā)明的實施方式。但是，本發(fā)明可以通過多種不同的形式實現(xiàn)，而不應(yīng)被解釋為局限于此處所給出的實施方式。相反，提供這些實施方式g在使得本發(fā)明的公開內(nèi)容全面完整，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清楚的目的可能放大了元件的形狀和尺寸，并且在全部附圖中使用相同的附圖標(biāo)記標(biāo)示相同或相似的元件。
[0026]此外，除非文中清楚地說明，否則說明書中使用的単數(shù)形式包括了復(fù)數(shù)形式。在說明書中，值得注意的是術(shù)語“包括(comprising) ”或“包括(including)”等不應(yīng)解釋為必須包括說明書中描述的幾個元件或幾個步驟，而是可以不包括ー些上述的元件或步驟或者解釋為還包括另外的元件或步驟。
[0027]說明書中使用的術(shù)語“第一”、“第二”等可以用來描述多種元件，但是這些元件不應(yīng)解釋為局限于這些術(shù)語。術(shù)語用來區(qū)分一個元件與另ー個元件。例如，在不脫離本發(fā)明的范圍下，“第一”元件可以稱為“第二”元件且“第二”元件同樣也可以稱為“第一”元件。
[0028]根據(jù)本發(fā)明的實施方式的芯片裝置可以適當(dāng)?shù)貞?yīng)用為芯片感應(yīng)器(其中導(dǎo)電圖案形成在磁性層上)、功率感應(yīng)器、貼片磁珠(chip bead)、芯片過濾器(chip filter)等。
[0029]下面，將參考多層芯片感應(yīng)器描述本發(fā)明的實施方式。
[0030]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的多層芯片感應(yīng)器的局部剖視立體圖。圖2是圖1中的多層芯片感應(yīng)器的堆疊外觀的示意性地立體分解圖。
[0031]圖3是顯示形成在圖1中的磁性層上的導(dǎo)電圖案的外觀的平面示意圖。
[0032]參見圖1至圖3，多層芯片感應(yīng)器10可以包括多層本體15、導(dǎo)電圖案40、磁性層62、外磁性層100-1和100-2以及外電極20。磁性層62通?？梢员环Q為內(nèi)磁性層。
[0033]此外，根據(jù)本發(fā)明的另ー種實施方式，多層芯片感應(yīng)器10還可以包括其它的磁性層64。但是，多層芯片感應(yīng)器10不是必須包括磁性層64作為必要元件。
[0034]多層本體15可以通過在磁性基片上印刷導(dǎo)電圖案40并堆疊和燒結(jié)其上已經(jīng)形成有導(dǎo)電圖案40的磁性基片來制造。
[0035]多層本體15可以具有六面體形狀。當(dāng)磁性基片為堆疊的且燒結(jié)成芯片時，由于陶瓷粉末的燒結(jié)收縮，多層本體15可能不會形成為具有完全筆直的線的六面體形狀。然而，多層本體15可以大致形成為具有六面體形狀。
[0036]當(dāng)為了清楚地描述本發(fā)明的實施方式而限定六面體的方向吋，圖1中顯示的L、W和T分別表示長度方向、寬度方向和厚度方向。這里，可以將厚度方向用作為與磁性層堆疊的方向具有相同的概念。
[0037]根據(jù)圖1中的實施方式，多層芯片感應(yīng)器10為長度大于寬度或厚度的長方體形狀。
[0038]同時，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的多層芯片感應(yīng)器10 (包括外電極20)的尺寸可以是長度和寬度分別在2.5±0.1mm和2.0±0.1mm的范圍內(nèi)(2520尺寸)，或者也可以形成為2520尺寸或者比2520尺寸更小的尺寸，或者2520尺寸或者比2520尺寸更大的尺寸。
[0039]磁性層62可以由鎳-銅-鋅基材料、鎳-銅-鋅-鎂基材料、錳-鋅和鐵素體基材料形成，但是本發(fā)明的實施方式不限于此。
[0040]參見圖1，外磁性層100-1可以堆疊在多層本體15的上表面。此外，外磁性層100-2可以堆疊在多層本體15的下表面。
[0041]外磁性層100-1的長度可以比內(nèi)磁性層62的長度短。原因是當(dāng)外磁性層100-1堆疊在多層本體15的上表面時,外電極20需要形成為圍繞多層本體15的不被外磁性層100-1覆蓋的上表面。此外，原因是當(dāng)外磁性層100-2堆疊在多層本體15的下表面時，外電極20需要形成為圍繞多層本體15的不被外磁性層100-2覆蓋的下表面。
[0042]同時，外磁性層100-1和100-2可以由與形成內(nèi)磁性層62的材料相同的材料形成。
[0043]導(dǎo)電圖案40可以通過印刷預(yù)定厚度的使用銀(Ag)作為主要成分的導(dǎo)電膏(conductive paste)來形成。導(dǎo)電圖案40可以與形成在長度方向兩端的外電極20電連接。
[0044]外電極20形成在陶瓷本體15的長度方向的兩端且可以通過電鍍從銅、鎳、錫、銀和鈀中選取的合金來形成。然而，本發(fā)明的實施方式不限于這些材料。
[0045]導(dǎo)電圖案40可以包括與外電極20電連接的引線。
[0046]參見圖2,在ー個多層載體60a上的導(dǎo)電圖案40a包括沿長度方向的導(dǎo)電圖案42a和沿寬度方向的導(dǎo)電圖案44a。導(dǎo)電圖案40a與另ー個多層載體60b上的導(dǎo)電圖案40b電連接，導(dǎo)電圖案40a與導(dǎo)電圖案40b之間設(shè)置有磁性層62a，通過形成在磁性層62a上的轉(zhuǎn)接電極以形成沿層疊方向的線圈圖案。
[0047]根據(jù)本發(fā)明的實施方式的所有的線圈圖案的匝數(shù)為9.5倍數(shù)(times)，但是本發(fā)明的實施方式不限于此。為了使線圈圖案的匝數(shù)為9.5倍數(shù)，在形成覆蓋層的上磁性層80a和下磁性層80b之間設(shè)置13個形成有導(dǎo)電圖案40a、40b、…、40m的多層載體60a、60b、…、60m。
[0048]本發(fā)明的實施方式公開了需要兩個多層載體的導(dǎo)電圖案42a和44b以形成一倍匝數(shù)的線圈圖案50，但是不限于此，因此可能根據(jù)導(dǎo)電圖案的形狀需要不同數(shù)量的多層載體。
[0049]這里，通過減小設(shè)置在上方的導(dǎo)電圖案40a和下方的導(dǎo)電圖案40b之間的磁性層間的間距，可以在有限的多層本體15內(nèi)提供優(yōu)良的直流偏置特性，上方的導(dǎo)電圖案40a和下方的導(dǎo)電圖案40b沿層疊方向彼此相對且它們之間具有磁性層62a。當(dāng)磁性層間的間距減小時，導(dǎo)電圖案42a和44a的厚度増加，且因此可能減小流經(jīng)線圈的電流的阻杭。
[0050]同時，外磁性層100-1可以設(shè)置在磁性層80a的上面。此外，外磁性層100-2可以設(shè)置在磁性層80b的下面。這樣，外磁性層100-1和100-2可以增大多層感應(yīng)器的電感而不會増大直流電阻。同樣，如上所述，外磁性層100-1和100-2的長度可以比內(nèi)磁性層的長度短。
[0051]此外，外磁性層100-1可以設(shè)置成使得外磁性層100-1的中心與磁性層80a的中心對應(yīng)。同樣，外磁性層100-2可以設(shè)置成使得外磁性層100-2的中心與磁性層80b的中心對應(yīng)。
[0052]結(jié)合附圖3描述線圈圖案50的一倍匝數(shù)，當(dāng)在形成在ー個磁性層上的導(dǎo)電圖案40b內(nèi)，ー個轉(zhuǎn)接電極72b定義為I而另ー個轉(zhuǎn)接電極74b定義為2、下方的導(dǎo)電圖案42c的沿層疊方向與2對應(yīng)的轉(zhuǎn)接電極72c定義為3且電介質(zhì)層60c的導(dǎo)電圖案42c的朝向I的相對點定義為4時，從I逆時針形成一個回轉(zhuǎn)(1 → 2→ 3 → 4)，該回轉(zhuǎn)可以定義為ー匝。
[0053]圖4A和圖4B是沿圖1中的V - V’線剖切的示意性的剖視圖。
[0054]圖4A和圖4B中顯示的是將圖1中的多層芯片感應(yīng)器沿長度方向和厚度方向剖切。
[0055]參見圖4A和圖4B，當(dāng)沿長度方向L和厚度方向T觀察多層芯片感應(yīng)器時，與外電極20電連接的引線48形成在頂部的磁性層和底部的磁性層上，且頂部的磁性層和底部的磁性層上形成有導(dǎo)電圖案40。引線48暴露于陶瓷本體15的沿長度方向的端部Wsl和Ws2處且與外電極20電連接。
[0056]導(dǎo)電圖案40可以設(shè)置成在多層本體15內(nèi)彼此相對,且導(dǎo)電圖案40之間具有磁性層62。
[0057]同時,外磁性層100-1可以堆疊在多層本體15的上面。外磁性層100-1可以設(shè)置在兩個外電極20的上部20-1之間。此外，外磁性層100-1的沿長度方向L的兩端可以與外電極的上部20-1接觸。[0058]同時，外磁性層100-2可以堆疊在多層本體15的下表面。外磁性層100-2可以設(shè)置在兩個外電極20的下部20-2之間。此外，外磁性層100-2的沿長度方向L的兩端可以與外電極的下部20-2接觸。
[0059]圖4B為圖4A中的A部分的放大剖視圖。
[0060]如圖4B中所示，外磁性層100-1的厚度Tl可以以外電極的上部20-1的厚度T2為基準來確定。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，外磁性層100-1的厚度Tl可以與外電極的上部的厚度T2相等。此外，外磁性層100-1的厚度Tl可以為外電極的上部的厚度T2的0.9倍到
1.1 倍。
[0061]因為外磁性層100-1的堆疊高度與外電極的上部的厚度T2相近，所以不用増加多層感應(yīng)器的整體芯片高度就可以增大多層感應(yīng)器的電感。
[0062]同時，外磁性層100-2的厚度和外電極的下部20-2的厚度可以滿足上述關(guān)系。
[0063]同時，通過采用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)來測量具有2520尺寸的多層芯片感應(yīng)器的電感。審查仿真(simulation)結(jié)果，采用外磁性層100-1和100-2的多層感應(yīng)器的電感比現(xiàn)有技術(shù)中的沒有采用外磁性層100-1和100-2的結(jié)構(gòu)的電感大了 2%。
[0064]也就是說，與現(xiàn)有產(chǎn)品相比，鐵素體形成為與外電極的高度相同的產(chǎn)品可以改善初始電感和直流偏置特性。例如，當(dāng)將根據(jù)本發(fā)明的感應(yīng)器與具有相同高度的根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的感應(yīng)器相比較時，根據(jù)本發(fā)明的感應(yīng)器表現(xiàn)出改善的初始電感和直流偏置特性。
[0065]圖5是根據(jù)本發(fā)明的另ー種實施方式的多層感應(yīng)器的剖視圖。
[0066]通常，在多層感應(yīng)器中，磁性層和導(dǎo)電圖案交替地堆疊，且導(dǎo)電圖案可以由在磁性層之間彼此電連接的線圈導(dǎo)體形成。
[0067]然而，當(dāng)直流電流施加在多層感應(yīng)器上吋，由于電流増加，磁性物質(zhì)會發(fā)生磁飽和(magnetic saturation),從而上述多層感應(yīng)器可能突然降低電感。
[0068]也就是說，上述多層感應(yīng)器可能具有直流重疊特性(DC overlappingcharacteristics)惡化的缺陷。
[0069]為此，多層感應(yīng)器具有磁隙部分，在磁隙部分中部分磁性層被非磁性物質(zhì)代替。包括磁隙部分的多層感應(yīng)器可以抑制當(dāng)直流電流施加在該多層感應(yīng)器上時發(fā)生的磁飽和，從而改善直流重疊特性。
[0070]根據(jù)本發(fā)明的實施方式，包括磁隙90的多層感應(yīng)器可以包括外磁性層100-1和100-2。
[0071]上述的多層感應(yīng)器抑制磁飽和，從而改善了直流重疊特性并增大了電感。
[0072]圖6A至圖6C是圖解根據(jù)本發(fā)明的實施方式的多層感應(yīng)器的制造方法的視圖。
[0073]如圖6A所示，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，可以準備好多層本體15。多層本體15可以通過如圖2所示的堆疊方法形成。此外，多層本體15可以通過除圖2所示的堆疊方法以外的各種方法形成。
[0074]參見圖6B,夕卜磁性層100-1可以堆疊在多層本體15的上表面。此外，夕卜磁性層100-2可以堆疊在多層本體15的下表面。
[0075]外磁性層100-1的長度可以以外磁性層100-1和100-2的長度以及形成在多層本體15的外表面上的外電極的上部20-1的長度為基準來確定。例如，外磁性層100-1的長度可以形成為與兩個外電極的上部20-1的端部之間的距離相等。此外，外磁性層100-2的長度可以以外磁性層100-1和100-2的長度以及形成在多層本體15的外表面上的外電極的下部20-2的長度為基準來確定。
[0076]同樣，在制備具有上述長度的外磁性層的過程中，沒必要進行額外的切割外磁性層的過程，從而縮短了層疊過程的時間。
[0077]此外，在上述過程中，由于切割外磁性層時產(chǎn)生的殘余物，感應(yīng)器性能不會降低反而會提尚。
[0078]同時,外磁性層100-1和100-2可以分別堆疊在多層本體15的上表面和下表面。此外，根據(jù)需要，外磁性層可以僅堆疊在多層本體15的上表面和下表面中的ー個表面上。
[0079]如圖6C所示，外電極20可以形成在多層的外磁性層100-1和100_2以及多層本體的外側(cè)。
[0080]圖7A至圖7D是圖解根據(jù)本發(fā)明的另ー種實施方式的多層感應(yīng)器的制造方法的視圖。
[0081]如圖7A所示，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，可以準備好多層本體15。多層本體15可以通過如圖2所示的堆疊方法形成。此外，多層本體15可以通過除圖2中所示的堆疊方法以外的各種方法形成。
[0082]參見圖7B,外磁性層100-1可以堆疊在多層本體15的上表面。同時,外磁性層100-2可以堆疊在多層本體15的下表面。
[0083]在這種情況下，堆疊在多層本體15的上表面和/或下表面的外磁性層的長度可以與構(gòu)成多層本體15的內(nèi)磁性層的長度相等。
[0084]在這種情況下，因為用于形成多層本體15的磁性物質(zhì)可以用來形成外磁性層，所以該方法可能不需要単獨準備外磁性物質(zhì)的過程。
[0085]參見圖7C，堆疊在多層本體15的上表面和/或下表面的外磁性層100-1和100-2的兩端的部分可以以外電極的上部和下部的長度為基準來切割。
[0086]切割的外磁性層100-1和100-2的長度可以以外磁性層100-1和100_2的長度以及形成在多層本體15的外表面上的外電極的上部和下部的長度為基準來確定。
[0087]例如，切割的外磁性層的長度可以與兩個外電極的上部的末端之間的長度以及兩個外電極的下部的末端之間的長度相等。
[0088]參見圖7C，外電極20可以形成在多層的外磁性層100-1和100_2以及多層本體的外側(cè)。
[0089]圖8A至圖SC是顯示根據(jù)本發(fā)明的另ー種實施方式的感應(yīng)器的視圖。
[0090]上述的外磁性層的結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于水平感應(yīng)器。
[0091]參見圖8A，線圈214可以形成在支撐基板216的上表面。此外，線圈212可以形成在支撐基板216的底表面。
[0092]參見圖8B，磁性本體210可以形成為包括支撐基板216以及線圈212和214。此夕卜，磁性本體210可以由磁性物質(zhì)形成。
[0093]參見圖8C，各個外電極220-1和220_2可以形成為與線圈的一端接觸。
[0094]圖9是沿圖8C中的U-U，線剖切的示意性的剖視圖。
[0095]圖9中顯示的是沿長度方向L和厚度方向T切割的圖8A至圖8C中的水平感應(yīng)器。
[0096]參見圖9，當(dāng)沿長度方向L和厚度方向T觀察水平感應(yīng)器時，線圈214可以與外電極220-1電連接且線圈212可以與外電極220-2電連接。
[0097]同時,外磁性層230-1可以堆疊在多層本體210的上表面。外磁性層230_1可以設(shè)置在兩個外電極220的上部220-1之間。此外，外磁性層230-1的沿長度方向L的兩端可以與外電極的上部220-1接觸。
[0098]同時，外磁性層230-2可以堆疊在多層本體210的下表面。外磁性層230_2可以設(shè)置在兩個外電極220的底部220-2之間。此外，外磁性層230-2的沿長度方向L的兩端可以與外電極的底部220-2接觸。
[0099]如圖9所示，外磁性層230-1和230-2的長度比磁性本體210的長度短。
[0100]如上所述，不管本體為什么形狀，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的外磁性層的結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于各種感應(yīng)器。
[0101]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，可以為用戶提供具有優(yōu)良的電性能同時小型化的芯片裝置以及制造該芯片裝置的方法。
[0102]此外，可以為用戶提供具有優(yōu)良的電感特性同時容易批量化生產(chǎn)的芯片裝置以及制造該芯片裝置的方法。
[0103]雖然已經(jīng)結(jié)合實施方式展示和描述了本發(fā)明，但對本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，可以在不背離由所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下進行修改和變形。
【權(quán)利要求】
1.ー種多層芯片裝置，該多層芯片裝置包括: 多層本體，該多層本體包括堆疊在該多層本體中的多個內(nèi)磁性層； 內(nèi)電極層，該內(nèi)電極層形成在所述多層本體內(nèi)； 外磁性層，該外磁性層堆疊在所述多層本體的上表面和下表面中的至少ー者上；以及外電極，該外電極形成在所述多層本體和所述外磁性層的外側(cè)，并且該外電極與所述內(nèi)電極層電連接， 所述外磁性層的長度比所述內(nèi)磁性層的長度短。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層芯片裝置，其中，所述外磁性層的厚度為形成在所述外磁性層的外側(cè)的所述外電極的厚度的0.9至1.1倍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層芯片裝置，其中，所述外磁性層的厚度等于形成在所述外磁性層的外側(cè)的所述外電極的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層芯片裝置，其中，所述多層芯片裝置的長度和寬度分別在 2.5±0.1mm 和 2.0±0.1mm 的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層芯片裝置，其中，所述外磁性層包括與所述內(nèi)磁性層相同的材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層芯片裝置，其中，該多層芯片裝置還包括形成在所述多層本體中的非磁性層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層芯片裝置，其中，所述內(nèi)電極層包含銀。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層芯片裝置，其中，所述外電極包含銀和銅中的至少ー者。
9.ー種多層芯片裝置的制造方法，該方法包括: 準備多個內(nèi)磁性層，該內(nèi)磁性層包括形成在其中的導(dǎo)電圖案和轉(zhuǎn)接電扱； 通過堆疊所述多個內(nèi)磁性層形成多層本體，從而通過使形成在每ー個所述內(nèi)磁性層中的所述導(dǎo)電圖案的端部與形成在相鄰的第一個磁性層中的所述轉(zhuǎn)接電極接觸來形成線圈部分； 將外磁性層堆疊在所述多層本體的上表面和下表面中的至少ー者上；以及 在多層的所述外磁性層和所述多層本體的外側(cè)形成外電極， 所述外磁性層比所述內(nèi)磁性層短。
10.ー種多層芯片裝置的制造方法，該方法包括: 準備多個內(nèi)磁性層，該內(nèi)磁性層包括形成在其中的導(dǎo)電圖案和轉(zhuǎn)接電扱； 通過堆疊所述多個內(nèi)磁性層形成多層本體，從而通過使形成在每ー個所述內(nèi)磁性層中的所述導(dǎo)電圖案的端部與形成在相鄰的所述內(nèi)磁性層中的所述轉(zhuǎn)接電極接觸來形成線圈部分； 將外磁性層堆疊在所述多層本體的上表面和下表面中的至少ー者上； 部分地去除多層的所述外磁性層的沿長度方向的兩端；以及 在所述多層本體的外側(cè)和兩端被部分地去除的所述外磁性層的外側(cè)形成外電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，部分地去除所述兩端包括:以形成在所述外磁性層的外側(cè)上的所述外電極的長度為基準，部分地去除多層的所述外磁性層。
12.一種芯片裝置，該芯片裝置包括: 支撐基板；線圈，該線圈形成在所述支撐基板的兩個表面上； 磁性本體,該磁性本體包括所述線圈和所述支撐基板,并且該磁性本體由磁性物質(zhì)形成； 外磁性層，該外磁性層形成在所述磁性本體的上表面和下表面中的至少ー者上；以及外電極，該外電極形成在所述多層本體和所述外磁性層的外側(cè)，并且該外電極與所述線圈電連接， 所述外磁性層的長度比所述磁性本體的長度短。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的芯片裝置，其中，所述外磁性層的厚度為形成在所述外磁性層的外側(cè)的所述外電極的厚度的0.9至1.1倍。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的芯片裝置，其中，所述外磁性層的厚度等于形成在所述外磁性層的外側(cè)的所述外電極的厚度。
【文檔編號】H01F27/245GK103578703SQ201310030266
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年1月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月18日
【發(fā)明者】樸祥秀, 安永圭, 樸珉哲 申請人:三星電機株式會社