無(wú)線手持設(shè)備,輻射系統(tǒng)及制造方法
【專利摘要】一新的無(wú)線手持或便攜設(shè)備包括一非常緊湊，小體積，并且輕重量的輻射增強(qiáng)器操作在一單一或在多個(gè)頻帶中；也就是說(shuō)，一輻射增強(qiáng)器用于嵌入到一無(wú)線手持設(shè)備中的一輻射系統(tǒng)，其中所述輻射系統(tǒng)包括所述增強(qiáng)器被配置為在一單一帶或多個(gè)頻帶中都同時(shí)發(fā)射和接收。本發(fā)明公開了輻射增強(qiáng)器結(jié)構(gòu)和其制造方法使得能夠減少增強(qiáng)器和在該設(shè)備內(nèi)嵌入所述增強(qiáng)器的整個(gè)無(wú)線設(shè)備兩者的成本。
【專利說(shuō)明】無(wú)線手持設(shè)備，輻射系統(tǒng)及制造方法
[0001] 發(fā)明背景
[0002] 絕大多數(shù)的便攜和手持式無(wú)線設(shè)備如今具有起主要作用的一內(nèi)部天線。內(nèi)部天 線，特別是用于蜂窩業(yè)務(wù)（例如2G，3G和4G服務(wù)諸如操作在其相應(yīng)的頻帶內(nèi)的GSM，CDMA， WCDMA，UMTS，LTE)的充電或提供連接的那些，要求其根據(jù)設(shè)備形狀為每個(gè)無(wú)線設(shè)備的模型 定制化且其無(wú)線電電氣規(guī)格通常因模型到模型而異。另一方面，天線相對(duì)于該波長(zhǎng)需要保 持一定的尺寸以便有效地輻射這是一傳統(tǒng)觀點(diǎn)。因此，當(dāng)前的內(nèi)部天線包括貼片（例如 PIFAs)，IFA，單極和相關(guān)的天線模塊具有一尺寸或長(zhǎng)度正比于一設(shè)備的工作波長(zhǎng)，通常上 近似四分之一這樣的工作波長(zhǎng)。在實(shí)踐中，這意味著現(xiàn)有的內(nèi)部天線，內(nèi)置天線模塊和相 似的大約是移動(dòng)電話的最短邊的尺寸（約35-40mm為一典型的電話，在40-55mm之間的一 智能電話的情況下）。這樣的一尺寸是特別不方便的由于一移動(dòng)設(shè)備內(nèi)的空間是非常有限 的。尤其在設(shè)計(jì)過程中，在設(shè)備內(nèi)集成天線成為一個(gè)麻煩的任務(wù)，由于許多手持組件諸如顯 示器，電池，揚(yáng)聲器，振動(dòng)器，屏蔽罩等等諸如此類的與天線競(jìng)爭(zhēng)空間。由一天線輻射的電磁 場(chǎng)對(duì)這樣的相鄰組件相當(dāng)敏感，這使得設(shè)計(jì)過程更加困難和緩慢，由于解決所有這些問題 通常涉及到多個(gè)設(shè)計(jì)迭代。最后，天線是相當(dāng)大的且在形狀上不標(biāo)準(zhǔn)這一事實(shí)使得其在一 自動(dòng)化的制造過程中集成特別具有挑戰(zhàn)性，這意味著大多數(shù)時(shí)間天線的裝配至該設(shè)備內(nèi)是 手動(dòng)完成的。
[0003] 開發(fā)將適合每一個(gè)手持設(shè)備內(nèi)的一小的，標(biāo)準(zhǔn)的天線將克服許多與手機(jī)設(shè)計(jì)和制 造過程有關(guān)的問題。然而，眾所周知，減小天線尺寸，使之適合于每個(gè)手持嚴(yán)重限制了它的 性能，即帶寬和效率。H.Wheeler和L.Chu，在1940年，首次描述了小天線的基本限制。他 們定義了一小天線作為在一弧度球面內(nèi)部嵌合的一天線，即，直徑為等于由PI除（在不平 衡天線的情況諸如單極的半球）該天線的最長(zhǎng)工作波長(zhǎng)的假想球體。他們的結(jié)論是，在下 面這樣一限制下，最大可達(dá)到的帶寬與相對(duì)于波長(zhǎng)體積（作為波長(zhǎng)體積一立方體體積具有 一邊緣長(zhǎng)度等于一個(gè)工作波長(zhǎng)）的天線的體積按比例縮小。在該限制下，當(dāng)該天線變得比 波長(zhǎng)小得多時(shí)，它輻射太低效以至于很難再被考慮為一天線。
[0004] 為了開發(fā)一標(biāo)準(zhǔn)的易于集成至無(wú)線手持設(shè)備的輻射系統(tǒng)，專利申請(qǐng) W02010/015365,W02010/015364,W02011/095330,W02012/017013,US61/661885, US61/671906,公開了例如一新的基于輻射增強(qiáng)器的天線相關(guān)技術(shù)。這樣的輻射增強(qiáng)器是 用電地非常小的元件（例如，它們具有適合于至一立方體內(nèi)的小體積具有一邊緣大約只有 1/30波長(zhǎng)及以下，通常低于最長(zhǎng)工作波長(zhǎng)的1/50)，其負(fù)責(zé)正確地激發(fā)輻射的一接地平面 模式的電流。所述接地平面是內(nèi)置在無(wú)線手持設(shè)備中，通常包括在其上承載無(wú)線手持設(shè)備 的RF電路的一印刷電路板的一個(gè)導(dǎo)電層的一導(dǎo)電表面。
[0005] 在這些專利申請(qǐng)中的輻射系統(tǒng)進(jìn)一步包括一射頻系統(tǒng)（包括電感器，電容器，電 阻器，以及傳輸線），以便于在所期望的一頻帶或者多頻帶中執(zhí)行，例如且不限于LTE700， GSM/CDMA850,GSM900,GSM1800,GSM/CDMA1900,UMTSLTE2100,LTE2300,LTE2500。
[0006] 對(duì)于一公開的輻射增強(qiáng)器的現(xiàn)有技術(shù)的解決方案，例如，一固體金屬立方體作為 增強(qiáng)元件。這樣一立方體被設(shè)計(jì)為與波長(zhǎng)相比具有一非常小的尺寸，同時(shí)最小化元件的歐 姆電阻損失和電抗。由于其的小體積，一輻射增強(qiáng)器支持一顯著的電流密度，所以提出了一 固體的，同類的，導(dǎo)電的立方體配件，以最小化潛在的損失和電抗，因此最大化提高了整個(gè) 設(shè)備的輻射效率。因此，該實(shí)施例提供了比其它的集中所有電流流過一單一狹窄，類似導(dǎo)線 的元件的增強(qiáng)器的一更好的性能。在另一個(gè)試驗(yàn)中，微型固體金屬立方體還被發(fā)現(xiàn)具有一 更好的性能（例如，帶寬和效率）相比于像被放置在無(wú)線設(shè)備的接地平面上的增強(qiáng)器的一 小，導(dǎo)電的圖釘。因此綜上所述，該固體金屬立方體隨時(shí)間推移成為無(wú)線設(shè)備內(nèi)的接地平面 增強(qiáng)器的一優(yōu)選地解決方案。
[0007] 盡管所述固體導(dǎo)電立方體相比于其它的增強(qiáng)器元件提供一最高性能，但是它仍然 呈現(xiàn)了對(duì)實(shí)際使用的應(yīng)用中大量生產(chǎn)的無(wú)線設(shè)備的多個(gè)問題，例如：該元件是相當(dāng)重的，由 于其同類的金屬結(jié)構(gòu)的密度；導(dǎo)電材料和制造過程涉及例如遠(yuǎn)離于最佳生產(chǎn)大量的增強(qiáng)器 的鋼廠，以及從組裝和集成至無(wú)線設(shè)備的角度來(lái)看，增強(qiáng)器的高導(dǎo)熱性，使得難以焊接其至 一無(wú)線設(shè)備的典型的PCB上。此外，由于它們的物理特性，這些立方體不會(huì)以一自動(dòng)化拾取 和放置或SMD工序嵌合，其是相當(dāng)?shù)湫偷腜CB電子制造。


【發(fā)明內(nèi)容】
[0008] 和目的
[0009] 本發(fā)明涉及無(wú)線手持或便攜設(shè)備的領(lǐng)域，且通常為需要電磁波信號(hào)的發(fā)送和接收 的無(wú)線便攜設(shè)備。
[0010] 本發(fā)明的一目的是提供一新的無(wú)線手持或便攜設(shè)備，包括在一單一的或在多個(gè)頻 帶運(yùn)行的一非常緊湊，小的體積和輕的重量的輻射增強(qiáng)器；也就是說(shuō)，用于嵌入到一無(wú)線手 持設(shè)備中的一輻射系統(tǒng)的一輻射增強(qiáng)器，其中，包括所述增強(qiáng)器的所述輻射系統(tǒng)被配置為 在一單一頻帶或多個(gè)頻帶中發(fā)射和接收。本發(fā)明公開了輻射增強(qiáng)器的結(jié)構(gòu)和其制造方法， 使得減少增強(qiáng)器和整個(gè)無(wú)線設(shè)備嵌入所述增強(qiáng)器至設(shè)備內(nèi)的兩者的成本。在本文件的上下 文中，術(shù)語(yǔ)"輻射增強(qiáng)器"和"增強(qiáng)器"將都被隱含地用于涉及根據(jù)本發(fā)明的無(wú)線手持或便 攜設(shè)備的一"輻射增強(qiáng)器"。
[0011] 本發(fā)明的一目的是提供一無(wú)線手持或便攜設(shè)備（諸如，例如但不限于，一移動(dòng)電 話，一智能電話，一平板手機(jī)，一平板電腦，一PDA，一數(shù)字音樂和/或視頻播放器（例如， MP3,MP4)，一頭戴式設(shè)備，一USB電子狗，一筆記本計(jì)算機(jī)，一游戲設(shè)備，一遙控器，一數(shù)字 照相機(jī)，一PCMCIA或Cardbus的32卡，一銷售的無(wú)線或蜂窩點(diǎn)或遠(yuǎn)程支付設(shè)備，或一般的 一多功能無(wú)線設(shè)備）包括用于電磁波信號(hào)的發(fā)送和接收的所述輻射增強(qiáng)器。
[0012] 根據(jù)本發(fā)明的一無(wú)線手持或便攜設(shè)備工作的一個(gè)，兩個(gè)，三個(gè)，四個(gè)或更多蜂窩通 信標(biāo)準(zhǔn)（諸如例如GSM/CDMA850,GSM900,GSM1800,GSM/CDMA1900,UMTS，HSDPA，CDMA， W-CDMA，CDMA2000,TD-SCDMA，UMTSLTE700,LTE2100,LTE2300,LTE2500 等），無(wú)線連接標(biāo)準(zhǔn) (諸如例如WiFi，IEEE802. 11 標(biāo)準(zhǔn)，Bluetooth，ZigBee，UWB，WiMAX，Wifco,或其他高速標(biāo) 準(zhǔn)），和/或廣播標(biāo)準(zhǔn)（諸如例如FM，DAB，XDARS，SDARS，DVB-H，DMB，T-DMB，或其它相關(guān)的 數(shù)字或模擬視頻和/或音頻標(biāo)準(zhǔn)），每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)被分配在一個(gè)或更多頻帶，并且所述頻帶被包 含在電磁頻譜的一個(gè)，兩個(gè)，三個(gè)或更多頻率區(qū)域中。
[0013] 在本文件的上下文中，一頻帶優(yōu)選是指由一特定的蜂窩通信標(biāo)準(zhǔn)，一無(wú)線連接標(biāo) 準(zhǔn)或一廣播標(biāo)準(zhǔn)使用的頻率的一范圍；而頻率區(qū)域優(yōu)選是指在電磁頻譜的連續(xù)頻率。例如， GSM1800標(biāo)準(zhǔn)被分配在一頻帶，從1710MHz至1880MHz，而GSM1900標(biāo)準(zhǔn)被分配在一頻帶，從 1850MHz到1990MHZ。一無(wú)線設(shè)備執(zhí)行GSM1800和GSM1900標(biāo)準(zhǔn)，必須具有被設(shè)計(jì)為在從 1710MHz到1990MHZ的頻率區(qū)域中工作的一輻射系統(tǒng)。作為另一實(shí)施例，一無(wú)線設(shè)備執(zhí)行GSM1800標(biāo)準(zhǔn)和UMTS標(biāo)準(zhǔn)（分配的頻帶從1920MHz至2170MHz)，必須具有被設(shè)計(jì)為在兩個(gè) 單獨(dú)的頻率區(qū)域中工作的一輻射系統(tǒng)。在一些實(shí)施例中，一輻射系統(tǒng)的工作的一頻率區(qū)域 (例如，第一和/或第二頻率區(qū)域）優(yōu)選為下述的其中之一（或包含在下述的其中之一）： 824-960MHz，1710-2170MHz，2. 4-2. 5GHz，3. 4-3. 6GHz，4. 9-5. 875GHz，或 3. 1-10. 6GHz。 [0014] 根據(jù)本發(fā)明，一無(wú)線手持或便攜設(shè)備優(yōu)勢(shì)地包括至少五個(gè)功能塊：一用戶界面模 塊，一處理模塊，一存儲(chǔ)器模塊，一通信模塊和一電源管理模塊。該用戶接口模塊包括一顯 示器，諸如一高分辨率的IXD，OLED或?qū)Φ任?，而且它是一耗能模塊，大部分的能量泄漏典 型來(lái)自背光燈的使用。該用戶接口模塊還可以包括一小鍵盤和/或一觸摸屏，和/或一嵌 入的記錄筆。該處理模塊，這是一微處理器或一CPU，以及相關(guān)的存儲(chǔ)器模塊也是功耗的主 要來(lái)源。能量功耗的第四責(zé)任模塊是通信模塊，一基本組成部分其是輻射系統(tǒng)。該無(wú)線手 持或便攜設(shè)備的電源管理模塊包括一能量源（例如，但不限于，一電池或一燃料電池），和 一電源管理電路其管理設(shè)備的能量。
[0015] 按照本發(fā)明，一無(wú)線手持或便攜設(shè)備的通信模塊包括被配置為在電磁頻譜的至少 一個(gè)頻率區(qū)域中發(fā)送和接收電磁波信號(hào)的一輻射系統(tǒng)。所述輻射系統(tǒng)包括一輻射結(jié)構(gòu)包 括：被配置為支持至少一個(gè)輻射模式的至少一個(gè)接地平面層，該至少一個(gè)接地平面層包括 至少一個(gè)連接點(diǎn)；以耦合電磁能量從/向該至少一個(gè)接地平面層的至少一個(gè)輻射增強(qiáng)器， 該/每個(gè)輻射增強(qiáng)器包括一連接點(diǎn)；以及至少一個(gè)內(nèi)部端口。該/每個(gè)內(nèi)部端口被限定在該 /每個(gè)輻射增強(qiáng)器的一連接點(diǎn)與該至少一個(gè)接地平面層的該至少一個(gè)連接點(diǎn)的其中之一之 間。該輻射系統(tǒng)進(jìn)一步還包括一射頻系統(tǒng)，和一外部端口。
[0016] 根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例中，每個(gè)在此公開的增強(qiáng)器被設(shè)計(jì)為被布置在該至少一個(gè) 接地平面的一凈空中。一凈空是例如在該增強(qiáng)器的下方的接地平面的一區(qū)域其中金屬的一 相當(dāng)大部分被去除。根據(jù)本發(fā)明的一增強(qiáng)器當(dāng)增強(qiáng)器在包括所述至少一個(gè)接地平面的平面 上的投影或占用空間基本上不與所述接地平面的導(dǎo)電表面的一部分相交時(shí)被安裝一凈空 上。例如，在一些這樣的實(shí)施例中的增強(qiáng)器被配置使得其占用空間與一接地平面的導(dǎo)電表 面在增強(qiáng)器的占用空間中的60%或更小重疊。盡管如此，在許多所述實(shí)施例中，增強(qiáng)器的占 用空間和導(dǎo)電接地平面之間的較小的重疊是優(yōu)選的，例如一 50%或更少，一20%或更少， 或者甚至一 5%或一 0%的增強(qiáng)器的占用空間的重疊。
[0017] 在一些情況下，一無(wú)線手持或便攜設(shè)備的輻射系統(tǒng)包括一輻射結(jié)構(gòu)包括：至少一 個(gè)接地平面層包括至少一個(gè)連接點(diǎn)；至少一個(gè)輻射增強(qiáng)器，該/每個(gè)輻射增強(qiáng)器包括一連 接點(diǎn)；以及至少一個(gè)內(nèi)部端口。在一些實(shí)施例中一輻射增強(qiáng)器包括兩個(gè)，三個(gè)或更多點(diǎn)與在 一接地平面上的對(duì)應(yīng)點(diǎn)一起來(lái)限定兩個(gè)，三個(gè)或更多內(nèi)部端口。
[0018] 該射頻系統(tǒng)包括連接至每個(gè)該輻射結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)內(nèi)部端口的一端口（即，在該 車射結(jié)構(gòu)中的內(nèi)部端口的盡可能多的端口），以及連接至該福射系統(tǒng)的外部端口的一端口。 所述射頻系統(tǒng)修改該輻射結(jié)構(gòu)的阻抗，提供阻抗匹配至在該輻射系統(tǒng)的操作的一個(gè)或更多 頻率區(qū)域中的該輻射系統(tǒng)。
[0019] 在本文中，該輻射結(jié)構(gòu)的一端口被稱為一內(nèi)部端口；而該輻射系統(tǒng)的一端口被稱 為一外部端口。在這樣的背景下，術(shù)語(yǔ)"內(nèi)部"和"外部"當(dāng)涉及一端口時(shí)被簡(jiǎn)單地用于區(qū)分 該輻射結(jié)構(gòu)的一端口與該輻射系統(tǒng)的一端口，并且不攜帶作為一端口是從外部訪問與否的 含義。在一些實(shí)施例中，根據(jù)本發(fā)明的該輻射結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)，三個(gè)，四個(gè)或更多輻射增強(qiáng)器， 每個(gè)輻射增強(qiáng)器包括一連接點(diǎn)，并且每個(gè)所述連接點(diǎn)連同至少一個(gè)接地平面層中的一連接 點(diǎn)來(lái)限定輻射結(jié)構(gòu)的一內(nèi)部端口。因此，在一些實(shí)施例中，該輻射結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)，三個(gè)，四個(gè) 或更多輻射增強(qiáng)器，以及相應(yīng)地兩個(gè)，三個(gè)，四個(gè)或更多內(nèi)部端口。
[0020] 本發(fā)明的一目的是提供操作在一單一的或多個(gè)頻帶的一新的非常緊湊的，小體 積，輕重量的輻射增強(qiáng)器；也就是說(shuō)，一輻射增強(qiáng)器用于嵌入至一無(wú)線手持設(shè)備中的一輻射 系統(tǒng)，其中所述輻射系統(tǒng)包括被配置為在一單一頻帶或在多個(gè)頻帶同時(shí)發(fā)射和接收的所述 增強(qiáng)器。特別是，本發(fā)明公開了輻射增強(qiáng)器的多個(gè)結(jié)構(gòu)，以使得它的標(biāo)準(zhǔn)集成至無(wú)線手持設(shè) 備。一些從本發(fā)明獲得的主要好處是：對(duì)于無(wú)線手持設(shè)備的一更快的上市時(shí)間；一較低的 制造成本和對(duì)于大規(guī)模生產(chǎn)的可伸縮性，包括簡(jiǎn)化和在大規(guī)模生產(chǎn)中的組裝和焊接工藝的 自動(dòng)化；一低重量和小尺寸的解決方案，連同啟用跨多個(gè)手持無(wú)線平臺(tái)的一標(biāo)準(zhǔn)輻射解決 方案的好處。
[0021] 為了實(shí)現(xiàn)上述特征，本發(fā)明提供了一制造輻射增強(qiáng)器的方法。本發(fā)明還提供了兩 個(gè)輻射增強(qiáng)器和相關(guān)的射頻系統(tǒng)的一集成封裝解決方案。
[0022] 根據(jù)本發(fā)明的一輻射增強(qiáng)器可以包括一凹導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的上下文中，一幾 何形狀，無(wú)論是2D或3D，是凸的，如果對(duì)于幾何形狀內(nèi)的每對(duì)的點(diǎn)，直線段的每一點(diǎn)連接他 們屬于該幾何形狀。相反的被稱為一凹或非凸幾何形狀。例如，一固體同質(zhì)立方體是凸的， 而被它自己包圍該立方體的壁的整個(gè)集合是，一凹幾何形狀。
[0023] 根據(jù)本發(fā)明的一輻射增強(qiáng)器包括一導(dǎo)電凹結(jié)構(gòu)適于嵌合在具有比最長(zhǎng)工作波長(zhǎng) 除以20更小的一邊緣長(zhǎng)度的一立方體內(nèi)。在一些進(jìn)一步的實(shí)施例中，該輻射增強(qiáng)器具有 一最大尺寸小于相應(yīng)于該設(shè)備的操作的最低頻率區(qū)域的最低頻率的自由空間波長(zhǎng)的1/30， 1/40,1/50,1/60,1/80,1/100,1/140 或者甚至 1/180 倍。
[0024] 在根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例中，一導(dǎo)電凹結(jié)構(gòu)將完全適于嵌合在一有限體積內(nèi) 等于或小于L3/8000且在某些情況下等于或小于L3/30000,且在某些情況下等于或小于 LV100000,且在某些情況下等于或小于L3/125000,L3/200000,L3/250000或者甚至小于 L3/500000,L為增強(qiáng)器的最長(zhǎng)的自由空間工作波長(zhǎng)。
[0025] 在一些實(shí)施例中，所述有限體積是一立方體，而在其它的它也可能是一六面體，諸 如，例如，一立方體或一棱柱體例如一矩形棱柱體。在一些實(shí)施例中，所述有限體積的最長(zhǎng) 邊緣將等于或小于L/50,但優(yōu)選小于L/60和L/70。在一些非常小的增強(qiáng)器中，該有限體 積將具有一最長(zhǎng)邊緣等于或小于L/100, 一體積等于或小于LVlOOOOOO或兩者特征的一組 合。為避免疑問，根據(jù)本發(fā)明的一導(dǎo)電凹結(jié)構(gòu)不應(yīng)被解釋為一較大的同質(zhì)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的一部 分，其將延伸超出所述有限體積之外。此外，在一些實(shí)施例中，該輻射增強(qiáng)器是適于嵌合于 如上所述的任何有限體積的內(nèi)部的一微型的獨(dú)立電子組件或單個(gè)部分或段。由一獨(dú)立的組 件是指，該組件是一單獨(dú)的部分，可以，例如被制造，被分配，被出售和被組裝至一無(wú)線手持 設(shè)備，獨(dú)立于其它電子組件。
[0026] 根據(jù)本發(fā)明的一輻射增強(qiáng)器可以包括一表面導(dǎo)電元件。在本發(fā)明的上下文中，一 表面導(dǎo)電元件將被理解為具有一基本上平衡的幾何長(zhǎng)寬比的一類似表面的導(dǎo)電元件，例如 一最大寬度不窄于4倍的元件的最大長(zhǎng)度。另一方面，一線性導(dǎo)電元件被理解為一導(dǎo)電元 件具有一顯著不平衡的長(zhǎng)寬比，例如最大長(zhǎng)度與最大寬度之比大于3 :1。根據(jù)本發(fā)明，一表 面導(dǎo)電元件和一線性導(dǎo)電元件可以被放置正形投影至一非平面表面，例如一二面角表面， 一彎曲的表面，一多面體表面，一圓柱形，一圓錐形或球形表面及類似的。此外，可以理解的 是這兩個(gè)表面與線性導(dǎo)電元件將必然具有一定厚度同時(shí)任何真實(shí)世界導(dǎo)電結(jié)構(gòu)將必然具 有一定厚度，即使這樣一厚度是如此之薄如原子的一單層，如例如一石墨烯層的情況下。
[0027] 根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一獨(dú)立的元件包括完全適于嵌合于如上所述的一有限體 積內(nèi)的一福射增強(qiáng)器包括一導(dǎo)電凹結(jié)構(gòu)。例如，這種導(dǎo)電凹結(jié)構(gòu)包括一表面導(dǎo)電元件和一 個(gè)，兩個(gè)或更多線性導(dǎo)電元件和被配置為被布置在該至少一個(gè)接地平面的一凈空上的相應(yīng) 的增強(qiáng)器和獨(dú)立的組件。優(yōu)選地，一輻射增強(qiáng)器包括兩個(gè)表面導(dǎo)電元件和兩個(gè)線性元件，一 個(gè)，兩個(gè)或更多的所述線性元件與所述兩個(gè)表面導(dǎo)電元件互連。在一些這樣的實(shí)施例中一 個(gè)或更多這樣的兩個(gè)或更多的導(dǎo)電表面具有一凸幾何形狀，而在其它實(shí)施例中，它具有一 凹幾何形狀。通過使用兩個(gè)或更多線性元件和兩個(gè)表面導(dǎo)電元件，相關(guān)一工作波長(zhǎng)的電流 變得分布在所述元件減少了損耗，因此增加了整個(gè)輻射系統(tǒng)的效率，進(jìn)而，整個(gè)手持無(wú)線設(shè) 備的輻射效率。通過這種方式，盡管在該輻射增強(qiáng)器中的導(dǎo)體的凹形布置，該輻射系統(tǒng)的整 體效率被保持在一可操作的范圍內(nèi)。通過提高整體效率，該無(wú)線設(shè)備將有一增大的覆蓋范 圍，一改進(jìn)的靈敏度，一更好質(zhì)量的通信鏈路和整體一增強(qiáng)的用戶體驗(yàn)。另外，使用凹導(dǎo)電 結(jié)構(gòu)相比一凸結(jié)構(gòu)具有多個(gè)優(yōu)點(diǎn)；例如，一凹導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與一介電元件被組合在多個(gè)實(shí)施例 中。這樣一介電元件可以是一印刷電路板，一玻璃纖維復(fù)合材料，一陶瓷材料，一塑料材料， 一泡沫材料，或一它們的組合。該凹金屬結(jié)構(gòu)被設(shè)計(jì)為在一些這樣的情況下，即使得它的至 少一部分是正形投影于所述介電元件。通過這種方式，該介電元件大多提供機(jī)械穩(wěn)定性和 可制造性特征至該獨(dú)立的組件，而所述金屬結(jié)構(gòu)在該輻射系統(tǒng)的工作頻帶提供電流。
[0028] 在一些實(shí)施例中，一輻射增強(qiáng)器具有一尺寸小于上面列出的有限體積的其中之一 包括一凹結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)或更多表面導(dǎo)電元件通過在所述元件內(nèi)的至少一個(gè)邊緣的邊與邊 互連。在一些實(shí)施例中，通過排除使用線性元件該增強(qiáng)器的效率可能會(huì)增加，以在制造所述 增強(qiáng)器的可能的一些額外花費(fèi)的費(fèi)用。
[0029] 在一些實(shí)施例中，該輻射增強(qiáng)器完全適于嵌合在根據(jù)本發(fā)明如上所述的一有限體 積內(nèi)包括兩個(gè)線性元件。例如，通過圍繞一絕緣材料纏繞兩個(gè)或更多線性元件，一輻射增強(qiáng) 器提供了多個(gè)連接點(diǎn)至其可用于多種用途的一接地平面。在一些實(shí)施例中，所述增強(qiáng)器被 配置為在元件之間分流電流，因此最小化損耗和整個(gè)設(shè)備的電感。在其它實(shí)施例中它們被 配置為在阻抗調(diào)諧和匹配方面給電組件提供更大的靈活性。
[0030] 由于增強(qiáng)器的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的非常小的尺寸和結(jié)構(gòu)，根據(jù)一般的而且在每個(gè)上述的特 定情況下的本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例的一輻射增強(qiáng)器，可能被配置為在上述的增強(qiáng)器的任何的 操作頻帶具有一特征諧振頻率。一特征諧振頻率被理解為當(dāng)被安裝在無(wú)線設(shè)備中在增強(qiáng)器 輸入端口和頻率檢測(cè)設(shè)備的端口之間不包括任何匹配網(wǎng)絡(luò)或負(fù)載響應(yīng)元件時(shí)的增強(qiáng)器的 所檢測(cè)的諧振頻率。在一些實(shí)施例中，所述特征諧振頻率與增強(qiáng)器的最低工作頻率之間的 比值為一因子3或更多；特別地，有時(shí)所述比例是4或更多，或者甚至5,6,10或更多。
[0031] 共同擁有的專利申請(qǐng)W02008/009391和US2008/0018543描述了一多功能的無(wú)線 設(shè)備。所述申請(qǐng)?zhí)朩02008/009391和US2008/0018543的整個(gè)公開內(nèi)容在此引用參考。
[0032] 共同擁有的專利申請(qǐng)TO2010/015365,TO2010/015364,TO2011/095330， W02012/017013,US13/799857,US13/803100,US61/837265,EP13003171.9 描述了包括一 輻射增強(qiáng)器的無(wú)線設(shè)備。所述申請(qǐng)?zhí)朩02010/015365,W02010/015364,W02011/095330，W02012/017013,US13/799857,US13/803100,US61/837265,EP13003171. 9 的整個(gè)公開內(nèi)容 在此引用參考。
[0033] -獨(dú)立的組件適于嵌合于根據(jù)本發(fā)明的一有限體積內(nèi)包括一輻射增強(qiáng)器。所述輻 射增強(qiáng)器包括一導(dǎo)電元件和一介電元件。在一些實(shí)施例中該導(dǎo)電元件是通過一熱鉚接工藝 附著到該介電元件。在一些實(shí)施例中，該導(dǎo)電元件使用印刷電路技術(shù)被固定至該介電元件 上。在其它實(shí)施例中，該導(dǎo)電元件和該介電元件使用聯(lián)合成型（MID)技術(shù)被組合。根據(jù)本 發(fā)明的組合導(dǎo)電和介電元件的其它的輻射增強(qiáng)器結(jié)構(gòu)和制造方法包括：金屬化泡沫；在一 剛性或柔性介電元件上膠合一剛性或柔性導(dǎo)電元件，圍繞一介電元件諸如例如一電介質(zhì)泡 沫或泡沫涂覆有一導(dǎo)電材料包覆一導(dǎo)電織物或?qū)щ娙嵝圆牧?；圍繞一介電元件包覆一個(gè)或 更多石墨稀層；在一 3D石墨稀結(jié)構(gòu)諸如例如一石墨稀泡沫上建立在一導(dǎo)電3D元件。沒有 任何限制性的目的，根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電材料的一些實(shí)施例包括：銅，金，銀，鋁，黃銅，鋼，錫， 鎳，鋰，鉛，鈦，石墨稀。
[0034] 完全適于嵌合于如上所述的一有限體積內(nèi)的一輻射增強(qiáng)器包括在一電介質(zhì)層上 的一第一導(dǎo)電表面，所述導(dǎo)電表面被連接至一導(dǎo)電線性元件，所述線性元件被連接至一第 二導(dǎo)電表面或線性元件。例如，所述導(dǎo)電表面可以包括一凸或一凹金屬形狀被印刷在一多 層印刷電路板（PCB)內(nèi)的一第一金屬層（例如一銅層），所述線性元件可以是在所述多層印 刷電路板內(nèi)的一通孔，并且所述第二導(dǎo)電表面可以是一凸或一凹金屬形狀被印刷在一第二 金屬層且被連接至所述通孔。在一些實(shí)施例中，所述導(dǎo)電凹結(jié)構(gòu)將包括2, 3,4, 5,6, 7,8或 更多線性或通孔元件以互連所述第一和第二導(dǎo)電層。在一些實(shí)施例中，所述金屬形狀將是 一凹或凸的基本上四邊形形狀諸如例如一矩形或一正方形（或固體或在金屬包括一些通 孔或間隙以使其凹），所述一個(gè)或更多通孔通過靠近所述四邊形形狀的轉(zhuǎn)角的一區(qū)域互連 于所述兩個(gè)或更多金屬形狀。在一些實(shí)施例中，該增強(qiáng)器元件包括3個(gè)或者更多金屬形狀 被印刷在所述多層PCB的3個(gè)或更多層上，連同一個(gè)或更多通孔互連于所述3個(gè)或者更多 金屬形狀，優(yōu)選地靠近在所述金屬形狀的一個(gè)或更多轉(zhuǎn)角。根據(jù)本發(fā)明的一輻射增強(qiáng)器包 括一單層或多層PCB，在一個(gè)或更多的所述PCB的所述層中的多個(gè)金屬形狀，以及一個(gè)或更 多導(dǎo)電線性元件諸如如上所述的通孔被封裝為一表面貼裝器件（SMD)的獨(dú)立的組件。該增 強(qiáng)器的SMD封裝從一低成本的制造工藝以及如之前討論的一標(biāo)準(zhǔn)化的拾取和放置組裝過 程至一無(wú)線設(shè)備中獲益。
[0035] 在一些實(shí)施例中，一輻射增強(qiáng)器完全適于嵌合于如上所述的一有限體積內(nèi)被嵌入 至一集成電路（1C)封裝內(nèi)。特別地，一些實(shí)施例中該增強(qiáng)器被嵌入在一獨(dú)立組件具有例 如以下的1C封裝結(jié)構(gòu)其中之一：?jiǎn)沃辈迨剑⊿IL)，雙列直插式（DIL)，利用表面貼裝技術(shù) DIL-SMT的雙列直插式，方型扁平式封裝（QFP)，針柵陣列（PGA)，球柵陣列（BGA)和小型引 出線封裝。根據(jù)本發(fā)明的其它合適的封裝結(jié)構(gòu)例如：塑料球柵陣列（PBGA)，陶瓷球柵陣列 (CBGA)，磁帶球柵陣列（TBGA)，超球柵陣列（SBGA)，微球柵陣列咩GA?和引線框架封裝和 豐旲塊。
[0036] 集成一輻射增強(qiáng)器至一集成電路封裝中的益處的其中之一是，在一些實(shí)施例中， 這樣的一封裝集成額外的電子組件。例如，該輻射增強(qiáng)器可以與一個(gè)或更多電感，一個(gè)或更 多電容，或兩者的一組合，集成一起。這些可以是被安裝在該封裝的例如離散集總元件和/ 或它們可以是分布元件被印刷或被蝕刻在該封裝或在一半導(dǎo)體壓膜。特別地，在一些實(shí)施 例中，該集成電路封裝嵌入一輻射增強(qiáng)器和包括在該無(wú)線手持或便攜設(shè)備的輻射系統(tǒng)的該 射頻系統(tǒng)的一個(gè)或更多元件。例如，1C封裝集成了被連接至一輻射增強(qiáng)器的一匹配網(wǎng)絡(luò)。 在某些情況下，所述匹配網(wǎng)絡(luò)包括一電抗消除電路，一寬帶匹配電路，一微調(diào)電路或它們的 各種組合。
[0037] 根據(jù)本發(fā)明的一輻射增強(qiáng)器完全適于嵌合于如上所述的一有限體積內(nèi)包括，一金 屬化泡沫結(jié)構(gòu)，所述泡沫結(jié)構(gòu)優(yōu)選地具有一多面體形狀，例如一棱柱體或一圓柱體形狀，以 及一閉孔或開孔結(jié)構(gòu)在一剛性或柔性形態(tài)中。在一些實(shí)施例中，所述剛性或柔性泡沫部分 或完全被一導(dǎo)電織物包覆，而在其它的中，導(dǎo)電或金屬材料，通過使用技術(shù)諸如例如濺射， 印刷，涂覆或化學(xué)鍍被沉積在所述泡沫的一表面上。而在一些實(shí)施例中泡沫是電介質(zhì)，在其 它實(shí)施例中，泡沫被制作為導(dǎo)電的以降低歐姆電阻和整個(gè)增強(qiáng)器的損耗。一輻射增強(qiáng)器完 全適于嵌合于如上所述的有限體積內(nèi)包括一元件選自以下組中：一導(dǎo)電隔墊，一導(dǎo)電網(wǎng)，一 導(dǎo)電泡沫，一屏蔽泡沫墊片，一導(dǎo)電彈性體。通過在一泡沫結(jié)構(gòu)上構(gòu)建一增強(qiáng)器所得的元件 結(jié)合了增強(qiáng)器的無(wú)線電電氣性能與泡沫的機(jī)械性能：輕重量，低成本，彈性的幾何形狀。電 的和機(jī)械的特性的結(jié)合，使得所得到的增強(qiáng)器特別適合于移動(dòng)無(wú)線和蜂窩設(shè)備，其中這樣 的一設(shè)備需要結(jié)合一最佳射頻響應(yīng)與輕重量和低成本。此外，基于增強(qiáng)器的一泡沫的柔性 性質(zhì)可以很容易地將其嵌入至一小的手持或便攜式無(wú)線設(shè)備內(nèi)，其中其它組件和機(jī)械元件 可能給該增強(qiáng)器留下有限的空間。一基于泡沫的增強(qiáng)器能夠適應(yīng)一無(wú)線設(shè)備幾乎任何內(nèi)部 體積形狀，因此最大化其體積在制造階段沒有任何特定的定制努力。
[0038] 一輻射增強(qiáng)器完全適于嵌合于如上所述的有限體積內(nèi)包括一凹導(dǎo)電元件和一凹 介電元件。在這樣一輻射增強(qiáng)器的一些實(shí)施例中，該凹導(dǎo)電元件是一沖壓的金屬片，其中在 一些情況下，所述沖壓金屬包括一個(gè)，兩個(gè)或更多彎曲。一沖壓金屬片通過例如熱堆疊工藝 被固定至一凹介電元件上。在一些實(shí)施例中所述導(dǎo)電元件通過一雙注射成型工藝，一激光 直接成型（LDS)工藝或通常的一模塑互連器件（MID)技術(shù)，被構(gòu)建在該凹介電元件的表面 上。
[0039] 根據(jù)本發(fā)明的一超小型輻射增強(qiáng)器（例如，具有有限體積小于LV500000， L3/1000000,LV2000000)使用了一高導(dǎo)電材料，以優(yōu)化無(wú)線或蜂窩手持或便攜設(shè)備的無(wú)線 電電氣性能，特別是一發(fā)送或發(fā)送和接收無(wú)線和/或蜂窩波的設(shè)備。所述高導(dǎo)電材料由銀 或石墨的一個(gè)或更多層制成其相關(guān)聯(lián)于一凸或凹介電元件。在一些實(shí)施例中這樣的關(guān)聯(lián)是 通過化學(xué)氣相沉積，噴涂，濺射或一涂敷技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。在一些實(shí)施例中，所述一個(gè)或更多層 以機(jī)械方式與一介電元件通過粘接的方式相關(guān)聯(lián)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)，兩個(gè)或多個(gè)石墨烯 層可以通過沉積該石墨烯在包覆所述介電元件的一粘膠劑薄膜上被貼附在一介電元件上。
[0040] 在一些實(shí)施例中，根據(jù)本發(fā)明的一無(wú)線設(shè)備包括一輻射增強(qiáng)器，所述輻射增強(qiáng)器 具有一個(gè)或更多功能，額外地有助于在輻射系統(tǒng)內(nèi)發(fā)送和接收電磁波。所述額外功能或功 能可以包括以下一個(gè)或更多：機(jī)械貼附該無(wú)線設(shè)備的兩個(gè)或更多部分；給該無(wú)線設(shè)備提供 電磁屏蔽功能；提供該無(wú)線設(shè)備的導(dǎo)電元件之間的接地接觸；降低整體無(wú)線設(shè)備上的機(jī)械 振動(dòng)和/或保護(hù)其免受機(jī)械碰撞；修改該無(wú)線設(shè)備的聲頻特性或在所述設(shè)備內(nèi)提供到其它 電路元件的電接觸。
[0041] 附圖目錄
[0042] 本發(fā)明的實(shí)施例如附圖所示。于此示出：
[0043] 圖1 _根據(jù)本發(fā)明的包括一輻射系統(tǒng)的一無(wú)線手持或便攜設(shè)備的實(shí)施例的爆炸 圖。
[0044] 圖2A-K-根據(jù)本發(fā)明的一最佳模式的輻射增強(qiáng)器結(jié)構(gòu)的實(shí)施例。圖2A)示出了一 輻射增強(qiáng)器包括一立方體形狀包括通過通孔相連接的且通過一介電載體相間隔的一頂部 和底部的導(dǎo)電部分（為清楚起見，該電介質(zhì)被透明顯示）；圖2B)示出了輻射增強(qiáng)器其中該 介電載體是不透明的；圖2C)示出了一輻射增強(qiáng)器包括在X，Y，和Z軸不同的尺寸；圖2D) 示出了一輻射增強(qiáng)器包括一通孔；圖2E)示出一輻射增強(qiáng)器包括三個(gè)通孔；圖2F)示出了 一輻射增強(qiáng)器包括一圓柱形的形狀；圖2G)示出了一輻射增強(qiáng)器包括一平行六面體包括一 頂部導(dǎo)電部分，一通孔，和一焊盤；圖2H)示出了一輻射增強(qiáng)器包括一頂部導(dǎo)電部分以及每 一個(gè)被連接至一焊盤的兩個(gè)通孔；圖21)示出了一輻射增強(qiáng)器包括SFC(空間填充曲線）； 圖2J)和圖2K)示出了輻射增強(qiáng)器包括一凹2D結(jié)構(gòu)。
[0045] 圖3-根據(jù)本發(fā)明的一輻射系統(tǒng)的一實(shí)施例的電路示意圖。
[0046] 圖4A-C-用于一輻射結(jié)構(gòu)的輻射增強(qiáng)器的實(shí)施例：圖4A)用于一輻射系統(tǒng)的一輻 射結(jié)構(gòu)的全視圖，該輻射結(jié)構(gòu)包括一輻射增強(qiáng)器；圖4B)該輻射增強(qiáng)器和連接裝置的詳細(xì) 視圖；圖4C)該輻射增強(qiáng)器，一射頻系統(tǒng)和一集成電路芯片的組件的詳細(xì)視圖。
[0047] 圖5-用于在圖3的一輻射系統(tǒng)中使用的一射頻系統(tǒng)的一匹配網(wǎng)絡(luò)一實(shí)施例的框 圖。
[0048] 圖6A-D-圖6A)在圖5的射頻系統(tǒng)中使用的一匹配網(wǎng)絡(luò)的電路示意圖；圖6B)在一 內(nèi)部端口當(dāng)從射頻系統(tǒng)的匹配網(wǎng)絡(luò)斷開時(shí)的輸入阻抗；圖6C)該內(nèi)部端口與一電抗消除電 路的連接后的輸入阻抗；和圖6D)該電抗消除電路與一寬帶匹配電路級(jí)聯(lián)連接后的阻抗。
[0049] 圖7A-C- -輻射增強(qiáng)器的示意圖：圖7A)俯視圖；圖7B)仰視圖；圖7C)側(cè)視圖。
[0050] 圖8的A-E-具有一薄輪廓的一輻射增強(qiáng)器的示意圖：圖8A)俯視圖；圖8B)仰視 圖；圖9C)側(cè)視圖；圖9D) 3D視圖；圖9E)在頂部和底部部分之間具有一單一連接裝置的一 輻射增強(qiáng)器的3D視圖。
[0051] 圖9- 一輻射增強(qiáng)器與包括用于集成一射頻系統(tǒng)的多個(gè)導(dǎo)電裝置的一封裝的一集 成的實(shí)施例。
[0052] 圖10- -輻射增強(qiáng)器與包含包括SMD組件的一射頻系統(tǒng)的一封裝的一集成的實(shí)施 例。
[0053] 圖11- 一輻射增強(qiáng)器與包含包括使用T型配置的SMD組件的一射頻系統(tǒng)的一封裝 的一集成的實(shí)施例。
[0054] 圖12A-B-圖12A) -輻射增強(qiáng)器與包含包括SMD組件用于一輻射系統(tǒng)的一輻射結(jié) 構(gòu)中的集成的一射頻系統(tǒng)的一封裝的一集成的實(shí)施例；圖12B)實(shí)施例的一更詳細(xì)的視圖。
[0055] 圖13 -用于集成一輻射增強(qiáng)器和一射頻系統(tǒng)的一封裝的實(shí)施例。
[0056] 圖14 -用于包括一輻射增強(qiáng)器和用于集成一射頻系統(tǒng)的導(dǎo)電裝置的一輻射系統(tǒng) 的兩個(gè)封裝實(shí)施例。
[0057] 圖15A-B-圖15A)通過一連接裝置連接的封裝的兩個(gè)輻射增強(qiáng)器的實(shí)施例；圖 15B)使用一傳輸線互連的兩個(gè)射頻模塊的實(shí)施例。
[0058] 圖16A-C-用于集成一輻射增強(qiáng)器和一射頻系統(tǒng)的封裝的實(shí)施例。圖16A) -輻 射增強(qiáng)器和位于輻射增強(qiáng)器下方的一射頻系統(tǒng)的整體圖；圖16B)特定視圖；圖16C)示出 了嵌入在輻射增強(qiáng)器上的一集總元件的一實(shí)施例。
[0059] 圖17A-C-圖17A) -無(wú)線手持或便攜設(shè)備的實(shí)施例，包含包括以一緊湊配置的兩 個(gè)輻射增強(qiáng)器的一輻射系統(tǒng)；圖17B)包括兩個(gè)輻射增強(qiáng)器的一封裝的實(shí)施例；圖17C)包 括兩個(gè)輻射增強(qiáng)器和連接至所述兩個(gè)輻射增強(qiáng)器的一SMD組件的一封裝。
[0060] 圖18-包含包括一輻射增強(qiáng)器的一輻射系統(tǒng)的一無(wú)線手持或便攜設(shè)備的實(shí)施例。
[0061] 圖19 -用于一輻射系統(tǒng)的一輻射結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，該輻射結(jié)構(gòu)包括集成在一筆記 本電腦設(shè)備中的一第一和一第二福射增強(qiáng)器。
[0062] 圖20 -用于一輻射系統(tǒng)的一輻射結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，該輻射結(jié)構(gòu)包括集成在一平板 電腦中的一第一和一第二輻射增強(qiáng)器。
[0063] 圖21-a和b)由FR4制成的從兩個(gè)不同的側(cè)面看到包括4個(gè)通孔和焊盤的一輻射 增強(qiáng)器的實(shí)施例。
[0064] 圖22A-B-圖22A和圖22B)采用MID技術(shù)制造的輻射增強(qiáng)器的實(shí)施例。
[0065] 圖23-使用一金屬化泡沫處理制造的一輻射增強(qiáng)器的實(shí)施例。
[0066] 圖24-制造一輻射增強(qiáng)器的方法沖壓一導(dǎo)電表面至一介電載體。
[0067] 圖25-使用一柔性導(dǎo)體制造一輻射增強(qiáng)器的方法。
[0068] 圖26A-B-使用包括開放的面的一柔性導(dǎo)體制造一輻射增強(qiáng)器的方法：圖26A) - 2D圖；圖 26B) - 3D圖。
[0069] 圖27-如在現(xiàn)有技術(shù)中描述的輻射增強(qiáng)器。
[0070] 圖28A-C-圖28A，圖28B和圖28C)用于一輻射系統(tǒng)的輻射結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，該輻射 結(jié)構(gòu)包括一可重新配置的輻射增強(qiáng)器。
[0071] 圖29A-C-圖29A，圖29B和圖29C)包括可被重新配置的一輻射增強(qiáng)器的輻射結(jié)構(gòu) 的實(shí)施例。
[0072] 圖30A-B-圖30A和圖30B)集中式輻射增強(qiáng)器的實(shí)施例。
[0073] 圖31 -以一堆疊配置的兩個(gè)輻射增強(qiáng)器的實(shí)施例。
[0074] 圖32-被導(dǎo)電織物包裹的一輻射增強(qiáng)器的實(shí)施例。
[0075] 圖33 -被一層石墨烯包裹的一輻射增強(qiáng)器的實(shí)施例。
[0076] 圖34-由一石墨烯泡沫制成的一輻射增強(qiáng)器的實(shí)施例。
[0077] 圖35 - -無(wú)線手持設(shè)備重新使用一現(xiàn)有元件作為一輻射增強(qiáng)器的實(shí)施例。
[0078] 圖36-圖36A和圖36B) -輻射增強(qiáng)器的實(shí)施例，其中電流流過增強(qiáng)器的所有側(cè) 面。
[0079] 圖37-包括用于有利地消除了輻射增強(qiáng)器的電抗的一線性導(dǎo)電元件的一輻射增 強(qiáng)器的實(shí)施例。
[0080] 圖38 -封裝的一輻射增強(qiáng)器的實(shí)施例。
[0081] 圖39A-B-圖39A和圖39B)被布置在一接地平面層的一凈空區(qū)的輻射增強(qiáng)器的實(shí) 施例。
[0082] 附圖詳細(xì)說(shuō)明
[0083] 本發(fā)明的進(jìn)一步的特征和優(yōu)點(diǎn)將在下面的一些優(yōu)選的實(shí)施例的詳細(xì)描述中變得 清晰。所述本發(fā)明的一些優(yōu)選實(shí)施例的參照附圖所作的詳細(xì)描述僅僅給出了說(shuō)明的目的且 絕不意味著作為一限制以任何方式限制本發(fā)明。
[0084] 圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一無(wú)線手持或便攜裝置100的一說(shuō)明性實(shí)施例。在圖1A 中，示出了無(wú)線手持或便攜裝置100的一爆炸透視圖，包括一輻射結(jié)構(gòu)其包括一第一輻射 增強(qiáng)器l〇la，一第二輻射增強(qiáng)器101b和一接地平面層102(其可能被包括在一多層印刷電 路板-PCB的一層中）。增強(qiáng)器101a和101b是獨(dú)立的組件適于嵌合在本文件中所描述的 任何有限體積之間選擇的一有限體積內(nèi)。無(wú)線手持或便攜裝置100還包括一射頻系統(tǒng)103， 其與所述輻射結(jié)構(gòu)互連。雖然在這個(gè)實(shí)施例中，輻射增強(qiáng)器l〇la和101b被布置在一接地 平面層102的凈空區(qū)上，換言之，該輻射增強(qiáng)器的占覆蓋區(qū)和該接地平面層的導(dǎo)電表面之 間沒有重疊，在其它實(shí)施例中該輻射增強(qiáng)器的覆蓋區(qū)和該接地平面層的導(dǎo)電表面之間有一 部分重疊。
[0085] 圖2A示出了一獨(dú)立的輻射增強(qiáng)器200的一制造的一優(yōu)選的結(jié)構(gòu)。所述輻射增強(qiáng) 器200包括一頂部201導(dǎo)電部分和一底部202導(dǎo)電部分，通過具有一平行六面體形狀的一 介電載體203間隔。對(duì)于本實(shí)施例，該平行六面體是立方體，但其它的棱柱體也可以被使 用。兩個(gè)部分201和202通過連接裝置204,205,206和207相連接。整個(gè)導(dǎo)電元件組201， 202, 204, 205, 206, 207,形成根據(jù)本發(fā)明的一凹導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。連接裝置204, 205, 206和207可 能會(huì)被例如通過通孔電鍍來(lái)實(shí)現(xiàn)。其它線性導(dǎo)電元件可能被用于提供所述連接裝置。
[0086] 在一實(shí)施例中，介電載體203是FR4其是適合大量生產(chǎn)的一低成本材料。連接裝 置204, 205, 206,和207是通孔其包括通過介電載體203的一孔。所述通孔被金屬化，以便 于電連接頂部導(dǎo)電部分201與底部導(dǎo)電部分202。此特定的實(shí)施例包括4個(gè)通孔204, 205， 206和207基本上位于靠近頂部201和底部部分的轉(zhuǎn)角。
[0087] 出于解釋的目的，介電載體203已經(jīng)被透明顯示。在實(shí)際中，大部分的介電載體是 不透明的。此外，所得到的結(jié)構(gòu)與SMD(表面貼裝器件）技術(shù)兼容。
[0088] 圖2B示出了用于一不透明介電載體213的圖2A的輻射增強(qiáng)器200。對(duì)于一優(yōu)選 的實(shí)施例，介電載體213是FR4/纖維玻璃。輻射增強(qiáng)器210包括一頂部導(dǎo)電部分211和一 底部導(dǎo)電部分212通過連接裝置214, 215, 216和217電連接。
[0089] 用于一輻射增強(qiáng)器的制造提出的新穎的結(jié)構(gòu)適用于采用標(biāo)準(zhǔn)PCB制造技術(shù)批量 生產(chǎn)。
[0090] 圖2C示出了一個(gè)獨(dú)立的組件包括一輻射增強(qiáng)器220適于嵌合入如上所述的一有 限體積內(nèi)。增強(qiáng)器220包括一凹導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和一介電元件。增強(qiáng)器220的幾何形狀基本上 與一平行六面體體積匹配，所述平行六面體由具有一不同面積的三個(gè)平行四邊形221，222， 223限定。在一些實(shí)施例中，所述平行六面體適于嵌合入一個(gè)或更多的如本發(fā)明所述的任何 有限體積內(nèi)。增強(qiáng)器220包括四個(gè)非線性元件諸如例如通孔，以電連接被放置在一底表面 221和在基本上平行于表面221的一頂表面的導(dǎo)電表面元件。
[0091] 組件220是具有一基本上長(zhǎng)方體幾何形狀的一輻射增強(qiáng)器的一實(shí)施例。這種配置 可以有利地用于在輻射增強(qiáng)器的設(shè)計(jì)和在無(wú)線設(shè)備承載它的集成上引入一自由度。一長(zhǎng)方 體形狀而不是一立方體形狀的另一優(yōu)點(diǎn)是，制造復(fù)雜性和成本的降低；這是通過例如使用 介電材料的一單一標(biāo)準(zhǔn)層相對(duì)于堆疊多個(gè)層來(lái)實(shí)現(xiàn)的。這可以通過調(diào)整組件的厚度以匹配 一標(biāo)準(zhǔn)電介質(zhì)層的標(biāo)準(zhǔn)厚度（例如，調(diào)整222和223的寬度高度）來(lái)實(shí)現(xiàn)，同時(shí)通過調(diào)整其 余表面（例如221)，保持組件的總體積在一有限體積內(nèi)。
[0092] 圖2D示出了一輻射增強(qiáng)器包括一凹導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述凹導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括元件導(dǎo)電表 面元件232, 233和線性元件231。增強(qiáng)器230包括一個(gè)連接裝置231連接一頂部232和底 部233導(dǎo)電部分。對(duì)于這個(gè)特定的實(shí)施例，所述連接裝置231的位置優(yōu)選地位于基本上在 導(dǎo)電頂部232和底部233部分的中心。在另一實(shí)施例中所述導(dǎo)電裝置231的位置位于靠近 一轉(zhuǎn)角。一獨(dú)立組件包括增強(qiáng)器233適于嵌合在一個(gè)或更多的如本發(fā)明所述的任何有限體 積中。
[0093] 圖2E描述了根據(jù)本發(fā)明的一輻射增強(qiáng)器240包括三個(gè)連接裝置241，242和243 連接一頂部244和底部245導(dǎo)電部分。一獨(dú)立組件包括增強(qiáng)器240適于嵌合在一個(gè)或更多 的如本發(fā)明所述的任何有限體積中。
[0094] 圖2F示出了一輻射增強(qiáng)器250包括一圓柱形。對(duì)于這個(gè)特定的實(shí)施例，圓柱形的 橫截面為圓形從而導(dǎo)致一圓柱體形狀的輻射增強(qiáng)器。在一些實(shí)施例中，這樣一圓柱形的橫 截面接近一圓形或橢圓扇形，而不是一完整的圓形或橢圓形。這可以有利地用于在一無(wú)線 手持或便攜設(shè)備的一圓形的空腔中集成一輻射增強(qiáng)器。一獨(dú)立組件包括增強(qiáng)器250適于嵌 合在一個(gè)或更多的如本發(fā)明所述的任何有限體積中。在這個(gè)特定的實(shí)施例中四個(gè)線性元件 例如通孔連接被放置在圓柱形的平坦頂部表面和底部表面上的導(dǎo)電表面。
[0095] 圖2G示出了一輻射增強(qiáng)器255包括凹導(dǎo)電結(jié)構(gòu)且具有基本上多面體形態(tài)因子接 近一平行六面體。所述平行六面體包括一頂部導(dǎo)電表面元件256通過一線性導(dǎo)電元件例如 一通孔257被連接至一小的導(dǎo)電區(qū)域（焊盤）258。所述導(dǎo)電部分256和焊盤258被印刷在 一介電元件259上。在一些實(shí)施例中，所述介電載體是FR4。輻射增強(qiáng)器的這一結(jié)構(gòu)有利地 用于在下方具有接地平面的PCB中。由于輻射增強(qiáng)器255除了被焊盤258限定的一小部分 不具有底部導(dǎo)電部分，一接地平面可以與輻射增強(qiáng)器的整體覆蓋區(qū)幾乎重疊。因此，這種輻 射增強(qiáng)器可以與一無(wú)線手持或便攜設(shè)備的一接地平面重疊。該焊盤258對(duì)于將輻射增強(qiáng)器 連接至一射頻系統(tǒng)是有用處的。一獨(dú)立組件包括增強(qiáng)器255適于嵌合在一個(gè)或更多的如本 發(fā)明所述的任何有限體積中。
[0096] 圖2H示出了一輻射增強(qiáng)器260包括一介電元件和一凹導(dǎo)電結(jié)構(gòu)其包括通過線性 導(dǎo)電元件（通孔）262和264被分別連接至焊盤263和265的一頂部導(dǎo)電元件261。該實(shí) 施例有利地用于連接焊盤263至一射頻系統(tǒng)，以及焊盤265至一接地平面的一連接點(diǎn)。在 一些其它的實(shí)施例中，焊盤265至接地平面的一點(diǎn)的連接是使用一集總電路的電組件實(shí)現(xiàn) 的。這對(duì)于阻抗匹配目的是有用處的。其它的線性導(dǎo)電元件例如被印刷或被蝕刻在介電元 件的邊緣的帶可以被用來(lái)代替通孔。一獨(dú)立組件包括增強(qiáng)器260適于嵌合在一個(gè)或更多的 如本發(fā)明所述的任何有限體積中。
[0097] 圖21示出了一輻射增強(qiáng)器270,所述增強(qiáng)器包括一介電元件271和一凹導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。 所述凹導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以包括一導(dǎo)電空間填充結(jié)構(gòu)（272)具有被連接的10或更多線性導(dǎo)電段 并形成元件之間的一角度。在一些實(shí)施例中所述空間填充結(jié)構(gòu)可以接近一分形幾何形狀的 形狀例如一希爾伯特曲線（272)。在一些實(shí)施例中所述導(dǎo)電空間填充結(jié)構(gòu)272通過通孔274 和焊盤273被連接至焊盤275。在一些實(shí)施例中，所述結(jié)構(gòu)272被連接至一表面導(dǎo)電元件， 例如被印刷在一多層介電元件的一層上的一表面。一獨(dú)立組件包括增強(qiáng)器270適于嵌合在 一個(gè)或更多的如本發(fā)明所述的任何有限體積中。
[0098] 該輻射增強(qiáng)器270的這種結(jié)構(gòu)有利地用于阻抗匹配目的。在一些實(shí)施例中，空間 填充曲線減小了一輻射增強(qiáng)器的電抗特性。這種配置允許簡(jiǎn)化關(guān)聯(lián)到所述輻射增強(qiáng)器的一 射頻系統(tǒng)的電抗消除電路。焊盤275對(duì)于連接該輻射增強(qiáng)器至一射頻系統(tǒng)是有用處的。
[0099] 圖2J示出了一輻射增強(qiáng)器280包括一導(dǎo)電表面元件282具有一凹2D形狀和一介 電元件283。所述導(dǎo)電表面元件連同線性導(dǎo)電元件284和焊盤281和285形成了根據(jù)本發(fā) 明的一凹導(dǎo)電3D結(jié)構(gòu)。焊盤285對(duì)于連接該輻射增強(qiáng)器至一射頻系統(tǒng)是有用處的。
[0100] 圖2K示出了一輻射增強(qiáng)器290的一類似的實(shí)施例包括一介電載體293, 一頂部導(dǎo) 電部分包括一凹2D結(jié)構(gòu)295, 一底部導(dǎo)電部分包括一個(gè)凹的2D結(jié)構(gòu)292和一線性導(dǎo)電元件 294。頂部和底部導(dǎo)電部分兩者使用通孔294被連接。底部導(dǎo)電部分包括一焊盤291，對(duì)于 連接該輻射增強(qiáng)器至一射頻系統(tǒng)是有用處的。一獨(dú)立組件包括增強(qiáng)器280或290適于嵌合 在一個(gè)或更多的如本發(fā)明所述的任何有限體積中。
[0101] 在圖3中它描述了根據(jù)本發(fā)明的用于一無(wú)線手持或便攜設(shè)備的一輻射系統(tǒng)300。 輻射系統(tǒng)300包括一輻射結(jié)構(gòu)301，一射頻系統(tǒng)302,以及一外部端口 303。輻射結(jié)構(gòu)301包 括一輻射增強(qiáng)器304,其包括一連接點(diǎn)305,和一接地平面層306,所述接地平面層也包括一 連接點(diǎn)307。輻射結(jié)構(gòu)301還包括一內(nèi)部端口 308被限定在輻射增強(qiáng)器305的連接點(diǎn)與接 地平面層307的連接點(diǎn)之間。此外，射頻系統(tǒng)302包括兩個(gè)端口 ：被連接至輻射結(jié)構(gòu)308的 內(nèi)部端口的一第一端口 309,以及被連接至輻射系統(tǒng)303的外部端口的一第二端口 310。
[0102] 圖4A描述了適用于一福射系統(tǒng)300的一福射結(jié)構(gòu)400的一實(shí)施例。該福射結(jié)構(gòu) 包括一獨(dú)立組件其包括根據(jù)本發(fā)明的一輻射增強(qiáng)器401和一接地平面層402。在本實(shí)施例 中，一接地平面層402被印刷在一介電基底404層上其可以是例如一剛性基底（例如，F(xiàn)R4) 或一柔性薄膜。該接地平面層包括用于一射頻系統(tǒng)的連接裝置403。
[0103] 圖4B示出了一輻射系統(tǒng)的一詳細(xì)視圖包括一輻射結(jié)構(gòu)，其包括一輻射增強(qiáng)器430 和被印刷在一介電基底435層上的一接地平面層436。該輻射系統(tǒng)還包括用于一射頻系統(tǒng) 的導(dǎo)電裝置403。對(duì)于這個(gè)特定的實(shí)施例，接地平面層436包括導(dǎo)電區(qū)或焊盤432,433,和 434以用于在一射頻系統(tǒng)分配組件。在一些實(shí)施例中一個(gè)或更多的所述焊盤被直接連接至 一接地平面層436,在其它實(shí)施例中沒有焊盤被直接連接至一接地平面。輻射增強(qiáng)器430包 括被直接連接至一導(dǎo)電裝置432的一底部導(dǎo)電層431。為了說(shuō)明的目的，底部導(dǎo)電部分431 被透明顯示以顯示焊盤432其與所述底部導(dǎo)電部分431重疊。所述重疊對(duì)于通過加熱通過 通孔437焊接輻射增強(qiáng)器430至所述焊盤432是有用處的。
[0104] 圖4C示出了射頻系統(tǒng)403的組件467,468,469,470,和471的一詳細(xì)視圖。對(duì)于 此特定的實(shí)施例，輻射增強(qiáng)器460包括一底部導(dǎo)電層461其被直接連接至射頻系統(tǒng)403的 一第一端口。對(duì)于一優(yōu)選的實(shí)施例，射頻系統(tǒng)包括一電抗消除元件467和一寬帶匹配網(wǎng)絡(luò) 其包括被連接至導(dǎo)電區(qū)463的兩個(gè)并聯(lián)電抗元件468和469。一最終級(jí)包括組件470和471 增加了阻抗微調(diào)整目的的靈活性。在一些實(shí)施例中，沒有必要增加一微調(diào)級(jí)，因此，組件470 和471不被包括或可以是例如跳線元件（0歐姆電阻組件）。射頻系統(tǒng)403的外部端口通 過一跳線472被連接至一實(shí)現(xiàn)射頻功能的集成電路芯片473的一端口。對(duì)于此特定的實(shí)施 例，所述跳線472是使用一SMD組件的一 0歐姆電阻。如在圖4B中所描述的相同的方式， 輻射增強(qiáng)器460由通孔474通過注入熱被焊接至焊盤462。接地平面層466被印刷在一介 電基底465層上。
[0105] 根據(jù)本發(fā)明，在實(shí)施例400,430和460中所示的每個(gè)輻射增強(qiáng)器可以被每個(gè)在本 文件中描述的其它實(shí)施例中的輻射增強(qiáng)器替換。
[0106] 結(jié)合與圖3的關(guān)系，內(nèi)部端口 308被限定在輻射增強(qiáng)器460的一連接點(diǎn)462與接地 平面層466的一連接點(diǎn)之間。射頻系統(tǒng)403的第一端口（相當(dāng)于圖3的302)被限定在導(dǎo) 電裝置462的一連接點(diǎn)與接地平面層466的一連接點(diǎn)之間。射頻系統(tǒng)403的第二端口（相 當(dāng)于圖3的302)被限定在導(dǎo)電裝置464的一連接點(diǎn)與接地平面層466的一連接點(diǎn)之間。
[0107] 在圖5中，一匹配網(wǎng)絡(luò)500包括一電抗消除電路503。在這個(gè)實(shí)施例中，電抗消除 電路504的一第一端口可以是可操作地被連接至匹配網(wǎng)絡(luò)501的第一端口并且電抗消除電 路505的另一端口可以是可操作地被連接至匹配網(wǎng)絡(luò)502的一第二個(gè)端口。
[0108] 圖6A是匹配網(wǎng)絡(luò)600的一電路示意圖，其包括一第一端口 601被連接至輻射結(jié)構(gòu) 400的內(nèi)部端口，以及一第二端口 602被連接至一輻射系統(tǒng)的外部端口。在這個(gè)實(shí)施例中， 匹配網(wǎng)絡(luò)600還包括一電抗消除電路607和一寬帶匹配電路608。
[0109] 該電抗對(duì)消電路607包括一個(gè)級(jí)其包括被串聯(lián)布置的一個(gè)單一電路組件604并且 在第一和第二頻率區(qū)域中基本上具有感性特性。在這個(gè)特定的實(shí)施例中，電路組件604是 一集總電感。電抗消除電路607的感性特性有利地補(bǔ)償了輻射結(jié)構(gòu)400的第一內(nèi)部端口的 輸入阻抗的容性組成。
[0110] 根據(jù)本發(fā)明的一輻射增強(qiáng)器具有小的尺寸，在內(nèi)部端口處測(cè)得的輻射結(jié)構(gòu)400的 輸入阻抗，當(dāng)從射頻系統(tǒng)斷開時(shí)在工作頻率內(nèi)具有一重要的電抗組成（非諧振元件）。所述 電抗組成當(dāng)其值大于零時(shí)是感性的且當(dāng)其值小于零時(shí)是容性的。
[0111] 在圖6B中，曲線630在史密斯圓圖上表示了輻射結(jié)構(gòu)400的內(nèi)部端口處的當(dāng)沒有 射頻系統(tǒng)被連接至所述第一內(nèi)部端口時(shí)的作為頻率的一函數(shù)的一典型的復(fù)阻抗。具體地， 點(diǎn)631對(duì)應(yīng)于一頻率區(qū)域的最低頻率處的輸入阻抗，以及點(diǎn)632對(duì)應(yīng)于在所述頻率區(qū)域的 最高頻率處的輸入阻抗。
[0112] 曲線630位于史密斯圓圖的下半部，其確實(shí)表示了在第一內(nèi)部端口的輸入阻抗在 至少一第一頻率范圍的所有頻率（即，點(diǎn)631與點(diǎn)632之間）具有一容性組成（S卩，輸入阻 抗的虛部具有一負(fù)值）。
[0113] 該電抗消除效應(yīng)可以在圖6C中被觀察到，其中在輻射結(jié)構(gòu)400(圖6B中的曲線 630)的第一內(nèi)部端口處的輸入阻抗在一頻率區(qū)域（參見圖6C)中被電抗消除電路607轉(zhuǎn)換 為具有一虛部基本上接近于零的一阻抗。在圖6C中的曲線660對(duì)應(yīng)于在第一匹配網(wǎng)絡(luò)504 的第二端口 602處可以被觀察到的輸入阻抗，如果寬帶匹配電路608被移除并且所述第二 端口 602被直接連接至一端口 603。所述曲線660與史密斯圓圖中的水平軸交叉在位于點(diǎn) 631和點(diǎn)632之間的一點(diǎn)661，其意味著在輻射結(jié)構(gòu)400的內(nèi)部端口的輸入阻抗優(yōu)勢(shì)地在一 第一頻率區(qū)域的最低和最高頻率之間的一頻率具有等于零的一虛部。
[0114] 寬帶匹配電路608也包括一個(gè)級(jí)并且與電抗消除電路607級(jí)聯(lián)連接。寬帶匹配電 路608的所述級(jí)包括兩個(gè)電路組件：一第一電路組件605是一集總電感和一第二電路元件 606是一集總電容。一起地，電路組件605和606形成了一并聯(lián)LC諧振電路（S卩，寬帶匹配 電路608的所述級(jí)在操作的頻率區(qū)域中基本上作為一諧振電路）。
[0115] 比較圖6C和6D，可以注意到寬帶匹配電路608具有"關(guān)閉"曲線660的端部（即， 將曲線660轉(zhuǎn)換為另一曲線690具有一圍繞史密斯圓圖的中心的一緊湊圓環(huán)）的有益效 果。因此，所得到的曲線690在一電壓駐波比（VSWR)3 :1內(nèi)參考50歐姆的一基準(zhǔn)阻抗在一 更廣的頻率范圍上呈現(xiàn)了一輸入阻抗（此時(shí)，在沒有其它電路被連接至端口 602時(shí)在第二 端口 602測(cè)量到的）。
[0116] 圖7A，7B和7C示出了從頂部，底部，和一側(cè)面分別看到的一輻射增強(qiáng)器700的一 制造的另一優(yōu)選示意圖。所述輻射增強(qiáng)器包括由介電元件760例如單層介電基底或一多層 介電基底間隔開的一第一導(dǎo)電部分701和一第二導(dǎo)電部分751。在這個(gè)特定的實(shí)施例中， 4個(gè)連接裝置702, 703, 704和705連接第一導(dǎo)電部分701與第二導(dǎo)電部分751。在一些實(shí) 施例中，連接裝置是通孔。所述通孔包括從第一導(dǎo)電部分701至第二導(dǎo)電部分751的一孔。 所述孔是導(dǎo)電的以便于電連接這兩個(gè)部分701和751。導(dǎo)電部分701和/或751根據(jù)本發(fā) 明可以是一凸的或凹的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。一獨(dú)立組件包括增強(qiáng)器700適于嵌合在一個(gè)或更多的如 本發(fā)明所述的任何有限體積中。
[0117] 在又一實(shí)施例中，頂部導(dǎo)電部分被一薄層油墨（例如，一絲印油墨）覆蓋，當(dāng)它被 集成在一輻射系統(tǒng)中時(shí)其不影響輻射增強(qiáng)器的電磁性能。所述油墨層對(duì)于標(biāo)記和/或營(yíng) 銷目的是有用處的。在一些實(shí)施例中，該油墨層被用來(lái)標(biāo)記一專利號(hào)。在一些其它的實(shí)施 例中，一部分號(hào)碼被印刷在油墨層。在一些其它的實(shí)施例中，公司的標(biāo)志被印刷在所述油墨 層。另一油墨層覆蓋除了在小區(qū)域752, 753, 754,和755的底部導(dǎo)電部分751。所述小區(qū) 域是導(dǎo)電區(qū)，因?yàn)樗鼈兪菍?dǎo)電部分751的未覆蓋油墨層的部分。所述小的導(dǎo)電區(qū)752,753， 754,和755在此處被稱為焊盤。通孔702, 703, 704和705電連接導(dǎo)電第二部分751與頂部 導(dǎo)電部分701。根據(jù)這樣的配置，該輻射增強(qiáng)器是一表面貼裝器件（SMD)。該優(yōu)選的輻射增 強(qiáng)器產(chǎn)品與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的焊接工藝兼容。
[0118] 至少一個(gè)焊盤752, 753, 754和755是如圖3所示的該輻射增強(qiáng)器的一連接點(diǎn)305。 所述連接點(diǎn)與接地平面層的一連接點(diǎn)限定了該輻射結(jié)構(gòu)的一內(nèi)部端口。
[0119] 圖8A，8B和8C不出了在圖7中所描述的一福射增強(qiáng)器800的分別從一俯視圖，一 仰視圖和一側(cè)視圖的另一個(gè)實(shí)施例。對(duì)于這個(gè)實(shí)施例，厚度或高度至少小于包圍或者頂部 801或者底部851導(dǎo)電部分的最小四邊形的短邊的5倍以下。這是一薄側(cè)面SMD輻射增強(qiáng) 器其適用于超薄無(wú)線平臺(tái)。如在前面的結(jié)構(gòu)中，四個(gè)通孔802,803,804和805通過基底860 電連接頂部導(dǎo)電部分801與底部導(dǎo)電部分851。至少一個(gè)焊盤852,853,854和855是如圖 3所示的輻射增強(qiáng)器的一連接點(diǎn)305。所述連接點(diǎn)與該接地平面層的一連接點(diǎn)限定了該輻 射結(jié)構(gòu)的一內(nèi)部端口。
[0120] 圖8D示出了在圖8A，8B和8C描述的SMD輻射增強(qiáng)器的一 3D視圖。輻射增強(qiáng)器 830包括由一介電載體833 (為了說(shuō)明的目的透明顯示）間隔開的一頂部831和一底部832 導(dǎo)電部分。頂部831和底部832導(dǎo)電部件兩者與通孔834,835,836,和837連接。
[0121] 圖8E示出了一輻射增強(qiáng)器860包括由一介電載體864間隔開的一頂部861和一 底部862導(dǎo)電部分。福射增強(qiáng)器860包括一個(gè)通孔863連接頂部導(dǎo)電部分861與底部導(dǎo)電 部分862。這是一薄側(cè)面輻射增強(qiáng)器其有利地被用于超薄無(wú)線平臺(tái)。
[0122] 圖9示出了在封裝900中的一輻射增強(qiáng)器的一實(shí)施例。封裝900中的所述輻射增 強(qiáng)器包括一輻射增強(qiáng)器901和一射頻模塊902。輻射增強(qiáng)器901包括一介電載體906,通過 通孔（如905所示的通孔的一實(shí)施例）連接的一頂部導(dǎo)電部分903和一底部導(dǎo)電部分904。 射頻模塊902包括承載一射頻系統(tǒng)的組件的多個(gè)導(dǎo)電區(qū)908,909,910,914。該導(dǎo)電區(qū)被稱 為焊盤。該射頻模塊也包括一焊盤911用于連接封裝中的該輻射增強(qiáng)器至負(fù)責(zé)發(fā)送和接收 電磁波信號(hào)的無(wú)線手持設(shè)備的一集成電路芯片。封裝中的該輻射增強(qiáng)器還包括一焊盤913 以連接其至如圖4A中所示的一接地平面層402。焊盤910和911通過通孔917連接。以相 同的方式，焊盤914和913,其由一介電載體915分隔，通過通孔912連接。封裝中的該輻 射增強(qiáng)器還包括一焊盤916以固定該封裝至用于支持一接地平面層402 (圖4A)的一基底 404。在一些實(shí)施例中所述焊盤916被焊接至在基底404中的一焊盤。
[0123] 輻射增強(qiáng)器901還包括一焊盤908。所述焊盤908限定了一連接點(diǎn)907。所述連 接點(diǎn)與一接地平面層的一連接點(diǎn)限定了該內(nèi)部端口。所述端口被連接至用于匹配目的一射 頻系統(tǒng)的一端口。
[0124] 裝配置的這種輻射增強(qiáng)器適合于一標(biāo)準(zhǔn)解決方案集成一輻射增強(qiáng)器和一射頻模 塊兩者來(lái)承載一射頻系統(tǒng)的多個(gè)組件以在所期望的頻帶提供操作。此方案是有用處的因?yàn)?無(wú)需在一無(wú)線手持設(shè)備的一接地平面中定制焊盤。
[0125]圖10示出了先前的封裝中的輻射增強(qiáng)器的一實(shí)施例說(shuō)明了一射頻系統(tǒng)的組件被 連接至一輻射增強(qiáng)器1001。封裝1000中的輻射增強(qiáng)器的射頻模塊1002包括多個(gè)焊盤來(lái)承 載一射頻系統(tǒng)。在這個(gè)實(shí)施例中，該射頻系統(tǒng)包括四個(gè)組件1003,1004, 1005和1006。在 一優(yōu)選的實(shí)施例中，組件1003是一電抗消除元件其包括一電感；一寬帶匹配網(wǎng)絡(luò)包括一LC 諧振器（1004和1005)和一最終級(jí)1006其是一微調(diào)級(jí)。在一些實(shí)施例中，所述微調(diào)級(jí)是沒 有必要的，因此，1006是一跳線，例如，一0歐姆電阻。串聯(lián)元件1003與并聯(lián)元件1004和 1005 -起被電路示意在圖6A的實(shí)施例中。
[0126] 這個(gè)特定的實(shí)施例適用于一輻射系統(tǒng)在698MHz與806MHz的之間的一頻率區(qū)域內(nèi) 的一個(gè)，兩個(gè)或更多頻帶中提供操作。在一些其它實(shí)施例中，這個(gè)特定的實(shí)施例適用于一輻 射系統(tǒng)在824MHz與960MHz的之間的一頻率區(qū)域中提供操作。在其它實(shí)施例中，它在690MHz 和960MHz之間的提供操作。在又一實(shí)施例中，它在1710MHz和2170MHz之間提供操作。在 一進(jìn)一步的實(shí)施例中，它在1710MHz和2690MHz之間提供操作。
[0127] 圖11示出了在封裝1100中的一輻射增強(qiáng)器的一實(shí)施例包括一輻射增強(qiáng)器1101 和一射頻模塊1102。該射頻模塊包括一射頻系統(tǒng)其包括一T型網(wǎng)絡(luò)（1103,1104和1105)。
[0128] 在其它的實(shí)施例中，諸如在圖10和圖11中的一集成電路封裝包括一被連接至 所述輻射增強(qiáng)器的一第二射頻系統(tǒng)，所述第二射頻系統(tǒng)啟動(dòng)該相同的增強(qiáng)器的操作，在一 第二頻率區(qū)域內(nèi)從由該組中選擇包括：698MHz-806MHz;824MHz-960MHz;690MHz-960MHz; 1710MHz和 2170MHz; 1710MHz和 2690MHz。
[0129] 圖12A示出了在一輻射系統(tǒng)1200中的封裝1201中的一輻射增強(qiáng)器的一集成的一 實(shí)施例。圖12B示出了所述集成的一詳細(xì)視圖。在封裝1201中的該輻射增強(qiáng)器包括與一 焊盤1206重疊的一底部導(dǎo)電表面1205。這使得輻射增強(qiáng)器1202可以通過通孔1218通過 注入熱被焊接至焊盤1206。所述焊盤1206的一連接點(diǎn)與接地平面層1204的一連接點(diǎn)限定 了輻射系統(tǒng)1200的輻射結(jié)構(gòu)的一內(nèi)部端口。這個(gè)內(nèi)部端口被連接至在焊盤1206的一連接 點(diǎn)與接地平面層1204的一連接點(diǎn)之間被限定的該射頻系統(tǒng)的一第一端口。封裝1201中的 輻射增強(qiáng)器的一射頻模塊1203包括多個(gè)焊盤以承載一射頻系統(tǒng)。所述射頻系統(tǒng)包括一串 聯(lián)組件1207(電抗消除），一寬帶匹配網(wǎng)絡(luò)（1208和1209)，和一微調(diào)級(jí)（1210)。該射頻系 統(tǒng)的第二端口被限定在焊盤1211的一連接點(diǎn)與接地平面層1204的一連接點(diǎn)之間。所述端 口被連接至輻射系統(tǒng)1200的外部端口其被限定在焊盤1214的一連接點(diǎn)與接地平面層1204 的一連接點(diǎn)之間。在這個(gè)實(shí)施例中，一串聯(lián)組件1215連接該輻射系統(tǒng)的外部端口與執(zhí)行射 頻功能的一集成電路芯片1216。在一些實(shí)施例中，所述集成電路芯片1216是負(fù)責(zé)提供一多 路復(fù)用功能的一前端模塊。在這個(gè)特定的實(shí)施例中，接地平面層1204被印刷在一介電基底 1217 上。
[0130] 圖13示出了一射頻模塊1300包括多個(gè)焊盤1302,1303,1304,1305以承載用于一 射頻系統(tǒng)和一輻射增強(qiáng)器的組件。特別地，焊盤1302允許在如圖2 (S卩，圖2A至2K，都包括 在內(nèi)），圖7,8, 22和23所描述的一輻射增強(qiáng)器之間電連接，其中一輻射增強(qiáng)器的底部導(dǎo)電 部分與焊盤1302電接觸。同時(shí)，所述焊盤1302與焊盤1303接觸。焊盤1303和焊盤1304 之間的間隙允許至少一個(gè)串聯(lián)組件的集成。焊盤1304和1305之間的間隙允許至少一個(gè)并 聯(lián)元件的集成。焊盤1304和1306之間的間隙允許至少一個(gè)串聯(lián)組件的集成。焊盤1306 通過一通孔1310與焊盤1308電連接。焊盤1305通過通孔1307被連接至焊盤1309。焊盤 1305的目的是提供一接地連接其通過焊盤1309與一接地平面層的一點(diǎn)電連接被提供。
[0131] 特別地這種配置是優(yōu)選地集成如圖2,7,8,22和23中所示的一輻射增強(qiáng)器。此外， 這種射頻封裝是優(yōu)選地集成連接焊盤1303和1304的一串聯(lián)電感，連接焊盤1304和1305 的一寬帶LC匹配網(wǎng)絡(luò)，以及連接焊盤1304和墊1306的一串聯(lián)組件。
[0132] 這種射頻封裝被一介電載體1301支撐。在一些實(shí)施例中，此介電載體是FR4,玻璃 纖維或玻璃環(huán)氧樹脂，其適合于以一具有競(jìng)爭(zhēng)力的成本大量生產(chǎn)。這種射頻模塊的優(yōu)點(diǎn)是， 一無(wú)線手持設(shè)備的一PCB的最小化定制被需要由于所需要的焊盤被分配在該射頻模塊中。
[0133] 圖14示出了用于在電磁頻譜的第一和第二頻率區(qū)域中操作的一輻射系統(tǒng)的一輻 射結(jié)構(gòu)1400。對(duì)于一特定的實(shí)施例，封裝1401中的該輻射增強(qiáng)器適合于激發(fā)接地平面的 一有效輻射模式且從而在電磁頻譜的一第一頻率區(qū)域中提供操作。以一類似的方式，封裝 1402中的該輻射增強(qiáng)器適合于激發(fā)接地平面的一有效輻射模式且從而在電磁頻譜的一第 二頻率區(qū)域中提供操作。在一些實(shí)施例中一第一頻率區(qū)域范圍從698MHz至960MHz以及一 第二頻率區(qū)域范圍從1710MHz至2690MHz。在一些其它的實(shí)施例中，封裝中的兩輻射增強(qiáng) 器都在相同的頻率范圍內(nèi)提供操作。這個(gè)特定的實(shí)施例對(duì)人力負(fù)載效應(yīng)提供魯棒性是特別 有用處的。例如，當(dāng)用戶的手指阻擋封裝中的一個(gè)輻射增強(qiáng)器時(shí)，另一個(gè)仍然可以自由地操 作。在又一實(shí)施例中，封裝中的輻射增強(qiáng)器都工作在相同的頻率區(qū)域中以提供MIMO操作， 例如至少1^￡700，1^^2100，1^^2300，1^^2500的其中之一。在這個(gè)實(shí)施例中，輻射結(jié)構(gòu)1400 具有被印刷在一介電基底1404上的一接地平面層1403。在這個(gè)實(shí)施例中，輻射增強(qiáng)器1401 和1402的覆蓋區(qū)與該接地平面層的導(dǎo)電表面不相交由于在接地平面層1403的一凈空面積 上的它們的布置。
[0134] 圖15A示出了在封裝1500和1501中利用一連接裝置1502連接的兩個(gè)輻射增強(qiáng) 器。所述連接裝置1502的一個(gè)端部被電連接至焊盤1503且所述連接裝置1502的另一端 部被電連接至焊盤1504。
[0135] 在一些優(yōu)選的實(shí)施例中，連接裝置1502是一傳輸線。這在圖15B中被說(shuō)明。圖 15B示出了通過一傳輸線1552連接在封裝1550中的一第一輻射增強(qiáng)器和在封裝1551中的 一第二輻射增強(qiáng)器。所述傳輸線1552包括一部分1553被連接在一個(gè)端部，通過組件1555 至焊盤1557。所述焊盤1557同時(shí)被連接至一輻射結(jié)構(gòu)的接地平面層的一連接點(diǎn)。傳輸線 1552的部分1553的另一端部通過組件1558被連接至焊盤1560。所述焊盤1560同時(shí)被連 接至一輻射結(jié)構(gòu)的接地平面層的一連接點(diǎn)。部分1554(例如，一微同軸電纜的內(nèi)導(dǎo)體）通 過組件1555被連接在一起至焊盤1556。部分1554的另一端部通過組件1558被連接至焊 盤1559。在一些實(shí)施例中組件1555和1558為IPX連接器。所述IPX連接器為SMD組件。 在一些實(shí)施例中，所述連接器的外部部分被連接至焊盤1557且內(nèi)部部分至焊盤1556。在一 些實(shí)施例中，傳輸線1552是一微同軸電纜。所述微同軸電纜具有一外部部分1553和一內(nèi) 部部分1552。兩個(gè)部分1554和1553為導(dǎo)電部分。在一些實(shí)施例中，微同軸電纜的外部部 分通過組件1555和1559被電接地。
[0136] 圖16A示出了一個(gè)獨(dú)立組件包括在封裝元件1600中的輻射增強(qiáng)器的一實(shí)施例，所 述元件1600包括一個(gè)輻射增強(qiáng)器1601和一射頻模塊1605彼此層疊從而形成一封裝中的 緊湊的輻射增強(qiáng)器不同于圖9中所描述的那個(gè)。這種解決方案的一優(yōu)點(diǎn)是當(dāng)封裝中的輻射 增強(qiáng)器被集成在一設(shè)備中時(shí)最小化所占據(jù)的面積。
[0137] 輻射增強(qiáng)器1601包括被如1603中所示的四個(gè)通孔連接的一頂部1601和一底部 1604導(dǎo)電部分。頂部和底部部分都由一介電元件1602間隔開。射頻模塊1605包括一位于 輻射增強(qiáng)器1601下方的電介質(zhì)材料1607。這個(gè)射頻模塊1605的底層包括多個(gè)導(dǎo)電裝置 (焊盤）1608用以連接一射頻系統(tǒng)的集總組件。輻射增強(qiáng)器1601的底部導(dǎo)電部分1604通過 通孔1606被電連接至該射頻模塊的一焊盤。封裝中的整個(gè)輻射增強(qiáng)器通過間隔器（1609) 其可以是被膠合或被焊接至一無(wú)線手持或便攜設(shè)備的PCB，被固定至該設(shè)備的PCB。其它種 類或如圖2中所描述的輻射增強(qiáng)器可以受益于獲得一封裝中的輻射增強(qiáng)器的這個(gè)方案。
[0138] 如圖16B所示，來(lái)自射頻模塊1650的焊盤1652通過通孔1651被連接至輻射增強(qiáng) 器1601的底部導(dǎo)電部分1604。一串聯(lián)組件1653在焊盤1652和焊盤1654之間被連接。兩 個(gè)并聯(lián)組件1656和1657在焊盤1654和焊盤1658之間被連接。所述焊盤1658通過通孔 1659被連接至一接地平面的一點(diǎn)。一串聯(lián)組件在焊盤1654和1660之間被連接。所述焊盤 1660被連接至通孔1661。所述通孔對(duì)于連接在封裝中的該輻射增強(qiáng)器至執(zhí)行射頻功能的 一集成電路芯片是有用處的。
[0139] 圖16C示出了在封裝1670中的一輻射增強(qiáng)器包括一介電載體1678, 一第一導(dǎo)電表 面1671和第二導(dǎo)電表面1675其被，例如，如1674所示的導(dǎo)電線性元件或通孔連接。它還 包括一第三導(dǎo)電表面1672通過例如導(dǎo)電線性元件或通孔被連接至一第四導(dǎo)電表面1677。 底部導(dǎo)電部分1676和1677包括多個(gè)焊盤1679,1680,1681，1682其對(duì)于連接一射頻系統(tǒng)或 焊接封裝1670中的輻射增強(qiáng)器至一PCB是有用處的。在一些實(shí)施例中底部導(dǎo)電部分1676 和1677除了在保持該導(dǎo)電部分自由的焊盤1679,1680,1681，1682中，被一薄層油墨（例 如：絲印油墨）覆蓋。這個(gè)特定的實(shí)施例對(duì)于匹配目的是有用處的由于使得能夠包括一個(gè) 或更多集總元件例如1673,所述元件連接兩頂部導(dǎo)電表面元件1671和1672。在一些實(shí)施 例中所述集總元件是一電感。在一些實(shí)施例中它是一個(gè)電容。在一些實(shí)施例中它是一電感 和電容的一組合。在一些實(shí)施例中1673是一有源元件其對(duì)于匹配目的是有用處的。集總 元件或元件諸如1673的一額外的優(yōu)點(diǎn)是它們可以在互連和整個(gè)設(shè)備的動(dòng)態(tài)布置中提供靈 活性。例如，一有源元件作為一開關(guān)可以根據(jù)工作帶被打開和關(guān)閉，意味著元件1670可以 成為一單一的輻射增強(qiáng)器（當(dāng)1673互連1671和1672)或兩個(gè)功能性的，相鄰的輻射增強(qiáng) 器（當(dāng)1673有效地?cái)嚅_1671和1672時(shí)）。同樣地，這樣的連接元件1673可以采取選頻元 件（例如，電抗元件，濾波器，諧振器）的形式，其根據(jù)該無(wú)線設(shè)備的工作頻率將耦合或不耦 合元件1671和1672。
[0140] 所述輻射增強(qiáng)器1670的輸入阻抗是這樣的對(duì)于操作的所有頻率當(dāng)從一射頻系統(tǒng) 斷開時(shí)它變?yōu)橐环侵C振元件（輸入阻抗的虛部不等于零）。在這方面，當(dāng)元件1673是一 0Q 電阻，對(duì)于操作的所有頻率將從其射頻系統(tǒng)斷開時(shí)，一輻射系統(tǒng)的所述輻射增強(qiáng)器1670的 輸入阻抗是非諧振的。
[0141] 如所討論的，當(dāng)移除集總元件1673時(shí)這個(gè)實(shí)施例的一優(yōu)點(diǎn)是在相同的封裝中提 供兩個(gè)輻射增強(qiáng)器。對(duì)于這種情況，一個(gè)輻射增強(qiáng)器工作在一頻率區(qū)域中且另一輻射增強(qiáng) 器在一不同的頻率區(qū)域中。例如，一個(gè)輻射增強(qiáng)器工作（一個(gè)包括頂部1671和底部1676 導(dǎo)電部分）在GSM850和GSM900并且另一輻射增強(qiáng)器（一個(gè)包括頂部1672和底部1677導(dǎo) 電部分）工作在GSM1800,GSM1900,UMTSLTE2100,LTE2300 和LTE2500。
[0142] 圖17A示出了根據(jù)本發(fā)明的無(wú)線手持或便攜設(shè)備1700的以一爆炸圖的一說(shuō)明性 實(shí)施例，被設(shè)計(jì)用于多頻帶操作包括一輻射結(jié)構(gòu)其包括一第一輻射增強(qiáng)器1701，一第二輻 射增強(qiáng)器1702,以及一接地平面層1703 (其可以被包括在一多層PCB的一層中）。無(wú)線手 持或便攜設(shè)備1700還包括一射頻系統(tǒng)1704,其與所述輻射結(jié)構(gòu)被互連。
[0143] 在一些實(shí)施例中，輻射增強(qiáng)器1701和1702兩者具有相同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。例如，這兩 個(gè)輻射增強(qiáng)器具有一基本上如同圖2中描述的立方體形狀。這被有利地用于最小化在一設(shè) 備中的不同零件的數(shù)量。此外，具有相同的輻射增強(qiáng)器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)避免了在一無(wú)線手持或便 攜設(shè)備中該輻射增強(qiáng)器的安裝誤差。
[0144] 在其它一些實(shí)施例中，第一輻射增強(qiáng)器1701和一第二輻射增強(qiáng)器1702具有一不 同的形式因子。例如，1701可以具有如圖2中的實(shí)施例的一立方拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)且第二輻射增強(qiáng) 器1702具有諸如例如圖8中的一實(shí)施例的一平行六面體形狀。這被有利地用于在操作的 每個(gè)頻率區(qū)域優(yōu)化關(guān)聯(lián)輻射增強(qiáng)器的性能。
[0145] 圖17B示出了一獨(dú)立組件1750包括嵌入在一統(tǒng)一的介電結(jié)構(gòu)或載體1760中的兩 個(gè)輻射增強(qiáng)器。一第一輻射增強(qiáng)器包括一凹導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電元件1753,1754和一個(gè)或更 多諸如1756的導(dǎo)電兀件。一第二福射增強(qiáng)器包括一凹導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電兀件1751，1752 和一個(gè)或更多諸如1755的導(dǎo)電元件。而該圖描述了在每個(gè)增強(qiáng)器內(nèi)的四個(gè)導(dǎo)電元件1756 和1755的使用，該凹導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以包括一個(gè)，兩個(gè)，三個(gè)，五個(gè)或更多的它們以及在每個(gè)增 強(qiáng)器內(nèi)。在一些實(shí)施例中一個(gè)或更多所述增強(qiáng)器適于嵌合在一個(gè)或更多的本發(fā)明中所描述 的任何有限體積內(nèi)。在一些實(shí)施例中，整個(gè)獨(dú)立組件適于嵌合在一個(gè)或更多的本發(fā)明中所 描述的任何有限體積內(nèi)。
[0146] 在圖17B中所描述的實(shí)施例對(duì)于如圖17A中所示的一集中式配置是令人關(guān)注 的。在一個(gè)實(shí)施例中一個(gè)輻射增強(qiáng)器包括通過通孔連接的一頂部1751和一底部導(dǎo)電部分 1752。在一些實(shí)施例中，該底部導(dǎo)電部分被一薄層油墨（例如：絲印油墨）覆蓋。一些面積 不具有所述薄層，導(dǎo)致焊盤1757和1758被用于連接至一射頻系統(tǒng)或用于固定該輻射增強(qiáng) 器至一PCB。以一類似的方式，一第二輻射增強(qiáng)器包括通過如在1755和1756中所示的通孔 連接的一頂部1753和一底部1754導(dǎo)電部分。
[0147] 特別是，在1750中的一第一輻射增強(qiáng)器被關(guān)聯(lián)至一第一頻率區(qū)域以及一第 二輻射增強(qiáng)器被關(guān)聯(lián)至另一頻率區(qū)域使得其可以對(duì)于LTE700/1700/1900/2300/2500， GSM850/900/1800/1900,CDMA850/1700/1900,WCDMA(UMTS) 850/900/1700/1900/2100 為該 輻射系統(tǒng)提供可操作性。
[0148] 具有諸如獨(dú)立組件1750的兩個(gè)或更多輻射增強(qiáng)器的一實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于，該輻 射增強(qiáng)器可通過這樣一外部電路被連接至一形式一單一電功能單元例如如圖17C中所示 的一單一的輻射增強(qiáng)器。輻射結(jié)構(gòu)1770包括輻射增強(qiáng)器1771和1772其被一組件1776和 導(dǎo)電走線1777連接。在這個(gè)特定的實(shí)施例中，組件1776是一SMD組件。在其它的實(shí)施例 中，所述組件是被印刷在PCB1773中的一導(dǎo)電走線。輻射增強(qiáng)器1771被連接至被放置在 一接地平面1774上的一射頻系統(tǒng)1775。
[0149] 圖18示出了無(wú)線手持或便攜設(shè)備1800的以一爆炸圖的一說(shuō)明性實(shí)施例，被設(shè)計(jì) 為根據(jù)本發(fā)明具有一多頻帶操作包括一輻射結(jié)構(gòu)其包括一輻射增強(qiáng)器1801。
[0150] 圖19表示了根據(jù)本發(fā)明的包括諸如1901和1902的兩個(gè)或更多輻射增強(qiáng)器的一 無(wú)線或蜂窩筆記本電腦。特別是圖19示出了一輻射結(jié)構(gòu)1900其包括位于一接地平面層 1903上的兩個(gè)輻射增強(qiáng)器1901和1902具有尺寸和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)其適合于一筆記本電腦的形態(tài) 因子使得整個(gè)設(shè)備可被完全嵌入至一筆記本電腦內(nèi)。輻射增強(qiáng)器1901和1902包括一導(dǎo)電 部分其具有包括六個(gè)面的一多面體形狀。盡管諸如在以上的圖中所表示的其它幾何形狀也 可以被替代使用。在一些優(yōu)選的實(shí)施例中一個(gè)或更多個(gè)增強(qiáng)器被放置在基本上接近于該筆 記本電腦的一邊緣。在一些實(shí)施例該中的每個(gè)該筆記本電腦的兩個(gè)主體通過一樞紐被連接 包括一個(gè)或更多輻射增強(qiáng)器。
[0151] 接地平面層1903包括兩個(gè)元件（底部部分1904和上部部分1905)。在一些實(shí)施 例中，元件1904和1905通過在樞紐區(qū)中的耦合裝置1906在無(wú)線或蜂窩筆記本電腦的一個(gè) 或更多的工作頻率處被電磁耦合。在一些實(shí)施例中元件1904和1905在無(wú)線或蜂窩筆記本 電腦的一個(gè)或更多的工作頻率處保持不耦合。
[0152] 在這個(gè)特定的實(shí)施例中，輻射增強(qiáng)器1901和1902位于接地平面層1903的上部主 體1905中，其中一顯示器將通常被放置，而在其它的優(yōu)選的實(shí)施例中，一個(gè)或更多輻射增 強(qiáng)器位于該接地平面層的底部主體1904中。
[0153] 在一特定的實(shí)施例中，輻射增強(qiáng)器1901和1902位于接地平面層1903的上部部分 1905的長(zhǎng)上部邊緣。又在其它的實(shí)施例中，輻射增強(qiáng)器1901和1902位于靠近接地平面層 1903的該樞紐。在一進(jìn)一步的實(shí)施例中，一輻射1901位于接地平面層的上部部分1905的 長(zhǎng)上部邊緣，而一第二輻射增強(qiáng)器1902位于接地平面層1903的底部部分1904的長(zhǎng)上部邊 緣。
[0154] 圖20示出了一輻射結(jié)構(gòu)2000包括被放置在一接地平面層2005的轉(zhuǎn)角處的四個(gè) 輻射增強(qiáng)器2001，2002, 2003和2004的一特定的實(shí)施例。這個(gè)特定的實(shí)施例適用于提供 MIMO操作。根據(jù)本發(fā)明，一蜂窩電話，一智能電話，一平板電腦，一平板手機(jī)包括一輻射結(jié)構(gòu) 2000啟動(dòng)MMO性能至無(wú)線或蜂窩設(shè)備。
[0155] 圖21A和21B示出了從一個(gè)側(cè)面且從一相反的側(cè)面看到的使用一電介質(zhì)材料2103 制造的一輻射增強(qiáng)器2100的一實(shí)施例。對(duì)于這個(gè)實(shí)施例電介質(zhì)材料是FR4。所述輻射增強(qiáng) 器包括通過連接裝置（用于說(shuō)明的目的用虛線示出的通孔）2104, 2105, 2106,和2107連接 的一頂部導(dǎo)電部分2101和一底部導(dǎo)電部分2102。頂部2101和底部2102導(dǎo)電部分兩者被 其被放置于各導(dǎo)電層的頂部上的一薄絲印油墨層保護(hù)。對(duì)于這個(gè)特定的實(shí)施例，所述絲印 油墨層的厚度為25um。為了焊接所述輻射增強(qiáng)器至一PCB，所述絲印層被移除從而具有自 由導(dǎo)體。這產(chǎn)生了四個(gè)導(dǎo)電裝置（焊盤），如圖2108,2109,2110，和2111所示。至少這些 焊盤的其中之一連同接地平面的一連接點(diǎn)與如圖3中所示的一輻射結(jié)構(gòu)的一內(nèi)部端口相 一致。在頂部導(dǎo)電部分2101中的油墨2112的一薄層被用于標(biāo)記一公司的一標(biāo)志。在一輻 射系統(tǒng)中放置所述輻射增強(qiáng)器2100的一些實(shí)施例如圖4A，B，C，圖9,圖10,圖11，圖12,圖 14,圖15A，15B，圖16A，圖17,圖18,圖19和圖20所表示。對(duì)于此實(shí)施例，輻射增強(qiáng)器的尺 寸為 5mmX5mmX5mm〇
[0156] 圖22A示出了根據(jù)本發(fā)明的一輻射增強(qiáng)器2200的另一實(shí)施例其使用例如一LMS 和/或MID(注塑成型器件）技術(shù)制造。所述輻射增強(qiáng)器2200包括通過導(dǎo)電裝置2204， 2205, 2206和2207連接的一頂部導(dǎo)電部分2201和一底部導(dǎo)電部件2202。所述導(dǎo)電裝置 2204, 2205, 2206和2207通過MID工藝被印刷在一介電載體2203上。
[0157] 在一些實(shí)施例中，輻射增強(qiáng)器2200被連接至一射頻模塊1300。輻射增強(qiáng)器2200 的底部導(dǎo)電部分2202被連接至射頻模塊1300的導(dǎo)電部分1302。
[0158] 在一些實(shí)施例中，輻射增強(qiáng)器2200被集成在一接地平面層中作為圖4B的輻射增 強(qiáng)器430。
[0159] 圖22B示出了使用MID制造的一輻射增強(qiáng)器2230的一實(shí)施例。所述輻射增強(qiáng)器 2230包括在一介電載體2234上的一頂導(dǎo)電部分2231。所述導(dǎo)電部分2231通過一導(dǎo)電條 2232被連接至一焊盤2233。這個(gè)特定的實(shí)施例是特別有利地，當(dāng)該輻射增強(qiáng)器被放置在除 了在焊盤2233下面下方具有一接地平面的一PCB上。由于輻射增強(qiáng)器2230除了焊盤2233 不具有一底部導(dǎo)電部分，它不是通過下方的接地平面短路的。
[0160] 圖23示出了使用一金屬泡沫制造的一輻射增強(qiáng)器2300的另一實(shí)施例。這個(gè)特定 的實(shí)施例示出了具有基本上立方體形狀的一輻射增強(qiáng)器。在一些其它的實(shí)施例中，一基本 上平行六面體形狀的輻射增強(qiáng)器包括具有不同面積的三個(gè)面2301，2302和2303。在一些其 它的實(shí)施例中，所述平行六面體包括具有相同面積的且不同于2303的兩個(gè)面2301和2302。
[0161] 在一些實(shí)施例中，輻射增強(qiáng)器2300被連接至一射頻模塊1300。輻射增強(qiáng)器2300 的一導(dǎo)電部分2301或2032或2303被連接至射頻模塊1300的導(dǎo)電部分1302。
[0162] 在一些實(shí)施例中，輻射增強(qiáng)器2300被集成在一接地平面層中作為圖4B的輻射增 強(qiáng)器430。
[0163] 圖24A示出了一元件和通過一金屬?zèng)_壓工藝制造一輻射增強(qiáng)器的一方法的一步 驟。對(duì)于這個(gè)實(shí)施例，一凹2D導(dǎo)電表面2400包括6個(gè)正方形導(dǎo)電面2401包括一孔（2403)。 導(dǎo)電表面2400通過虛構(gòu)的虛線（如在2402中所示）被彎折。一旦折疊，導(dǎo)電表面2400被 附接至載體材料2450 (圖24B)，形成一 3D凹導(dǎo)電表面。所述載體材料具有一立方體（或基 本上立方體）形狀2451。所述立方體形狀包括一小突起（2452)。一旦導(dǎo)電表面2400被折 疊并附接至立方體形狀2451，該突起如2452通過一加熱工藝被熔化以便于固定導(dǎo)電表面 2400至立方體形狀2451。在一些實(shí)施例中所述導(dǎo)電表面2400是一剛性導(dǎo)體其可以很容易 地沿著如2402所示的虛構(gòu)的虛線被彎折。在一些其它的實(shí)施例中，導(dǎo)電表面2400是一柔 性材料其很容易被折疊。所述柔性材料按照以上描述的相同的加熱工藝被附接至立方體形 狀2450。然而，在一些實(shí)施例中，沒有必要具有突起如2452,這樣該柔性材料通過膠粘劑材 料被固定至該立方體形狀。在一些實(shí)施例中，該柔性材料是容易彎折的一柔性膜。在一些 其它的實(shí)施例中，該柔性材料是石墨烯。
[0164] -個(gè)輻射增強(qiáng)器的連接按照以下這種方法實(shí)現(xiàn)，通過在其可被連接至一射頻系統(tǒng) 的無(wú)線設(shè)備的PCB中增加一個(gè)彈簧式探針。在一些其它的實(shí)施例中，該接觸是通過壓力制 成的以便于連接該輻射增強(qiáng)器至在PCB中的一焊盤。所述焊盤然后被連接至一射頻系統(tǒng)。 在一些其它的實(shí)施例中，該輻射增強(qiáng)器可被焊接至該接地平面層的一焊盤。
[0165] 圖25不出了一兀件和用于制造一福射增強(qiáng)器2500包括一柔性導(dǎo)電表面2501其 通過如2502所示的虛構(gòu)線被折疊的一方法的一步驟。柔性導(dǎo)電材料的實(shí)施例是柔性膜和 石墨烯。以一類似的方式，圖26A示出了另一實(shí)施例其中該柔性導(dǎo)電表面是更簡(jiǎn)單的。一 旦被折疊，該輻射增強(qiáng)器可采用一棱柱體形狀或具有兩個(gè)開放的面的一平行六面體或者甚 至具有兩個(gè)開放的端部的一圓柱體。該連接可通過例如在圖24中解釋的相同的方法被制 成。
[0166] 而圖24和25示出了當(dāng)以一 3D形態(tài)（諸如在圖24B中）被折疊時(shí)其基本上包圍 整個(gè)體積的6個(gè)導(dǎo)電面，在其它的實(shí)施例中一個(gè)或更多側(cè)面可以是不完全的這樣，當(dāng)以一 3D形態(tài)被折疊時(shí)，得到的凹導(dǎo)電結(jié)構(gòu)不完全包圍一整個(gè)體積。
[0167] 在其它的實(shí)施例中，一個(gè)或更多側(cè)面從其余的側(cè)面被電斷開。以此方式，當(dāng)以一3D 形態(tài)被折疊時(shí)，兩個(gè)或更多被電斷開的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)被形成為被分別包括在兩個(gè)或更多輻射增 強(qiáng)器中。
[0168] 圖26A和26B示出了制造包括一柔性導(dǎo)電表面2600的一輻射增強(qiáng)器的另一方法。 在圖26A中，當(dāng)通過虛構(gòu)線被折疊時(shí)，所得的對(duì)象具有如圖26B所示的兩個(gè)開放的面。在一 些實(shí)施例中，所得到的形狀形成了一閉環(huán)。在一些其它的實(shí)施例中，所得到的形狀是一開 環(huán)。這可以特別地有利于用于阻抗匹配目的。
[0169] 圖27示出了如現(xiàn)有技術(shù)中所描述的一輻射增強(qiáng)器2700的一實(shí)施例。這個(gè)實(shí)施例 示出了一實(shí)心立方體由這一體積龐大的，笨重的結(jié)構(gòu)，難以焊接且在一低成本大批量制造 的黃銅制成。
[0170] 圖28A示出了一輻射結(jié)構(gòu)2800包含包括一輻射增強(qiáng)器的一獨(dú)立組件2802的一實(shí) 施例。在這個(gè)實(shí)施例中，該獨(dú)立組件在一接地平面層2801的一個(gè)側(cè)面上，在所述接地平面 層的凹槽或狹槽的頂部上。該獨(dú)立組件包括一介電載體2811 (用于說(shuō)明目的用虛線透明表 示）和一個(gè)或更多線性導(dǎo)電元件，例如金屬條2803, 2804和2805,用于耦合能量和/或重新 配置輻射增強(qiáng)器2802。每個(gè)金屬條與線性導(dǎo)電元件2808,例如通孔，被連接至位于該金屬 條的端部的下方的焊盤2806和2807。一條連同一垂直的通孔以及在一孔或多孔的端部的 一焊盤或多焊盤形成了根據(jù)本發(fā)明的一凹導(dǎo)電元件。在這個(gè)特定的實(shí)施例中，一集成電路 芯片與射頻功能2812至接地平面2810的連接通過條2803與一連接裝置2809實(shí)現(xiàn)。介電 載體2811被焊接至接地平面層2801在重疊區(qū)中施加熱至該通孔抵達(dá)焊接焊盤2813。
[0171] 通過他們的焊盤的金屬條之間不同的互連允許輻射增強(qiáng)器2802的調(diào)諧，其有利 地用于調(diào)整增強(qiáng)器的電氣特性無(wú)需修改接地平面層2801。一些可能的互連如圖28B和28C 所示。
[0172] 在一些實(shí)施例中，在接地平面層2801中的凹槽具有一物理尺寸小于增強(qiáng)器的最 長(zhǎng)自由空間工作波長(zhǎng)的四分之一，或小于十分之一，或小于五十分之一。在一些其它的實(shí)施 例中，在接地平面層中的凹槽的物理尺寸為大約增強(qiáng)器的最長(zhǎng)自由空間工作波長(zhǎng)的四分之 〇
[0173] 圖28B示出了類似于圖28A的一輻射結(jié)構(gòu)2830的一實(shí)施例，其中輻射增強(qiáng)器2802 的調(diào)諧通過金屬條2804和用于阻抗匹配目的先于該連接至接地平面2810的一SMD元件 2831實(shí)現(xiàn)。
[0174] 圖28C示出了被配置為修改，（例如，最大化）電流的電通路的一輻射結(jié)構(gòu)2850 的另一實(shí)施例。金屬條2803, 2804和2805被相互連接比如以增加該路徑的長(zhǎng)度，從芯片 2812,在其它的實(shí)施例中其可以是一前端模塊，至接地平面2810。具體而言，從線性導(dǎo)電元 件2803和2804的導(dǎo)電區(qū)2806和2804與例如一導(dǎo)電走線2851相互連接，并且對(duì)應(yīng)于線性 導(dǎo)電元件2804和2805的焊盤2807也與導(dǎo)電走線2852相互連接。在其它的實(shí)施例中，焊 盤與元件諸如跳線，電感，電容，開關(guān)或允許重新配置增強(qiáng)器的電氣特性的其它組件相互連 接。
[0175] 一獨(dú)立組件包括輻射增強(qiáng)器2802適于嵌合在本發(fā)明中所描述的一個(gè)或更多的任 何有限體積中。
[0176] 圖29A示出了一輻射結(jié)構(gòu)2900其包括在接地平面層2901中的一獨(dú)立組件2902。 該獨(dú)立組件，其包括一輻射增強(qiáng)器，包括一介電載體2903和用于有利地調(diào)諧輻射增強(qiáng)器 2902的以一條的形式的一線性導(dǎo)電元件。該線性導(dǎo)電元件例如可以被印刷或蝕刻在介電元 件的邊緣，并且所述導(dǎo)電元件的端部通過一連接裝置2906被連接至反饋點(diǎn)2905和至接地 平面2908。所述條包括兩個(gè)或更多部分，例如三個(gè)部分2910, 2911和2912其導(dǎo)致了用于串 聯(lián)分配組件（例如SMD組件）的多個(gè)間隙，用于進(jìn)一步調(diào)整輻射增強(qiáng)器2902的電氣性能。 該介電載體被焊接至焊盤2907其附著至接地平面層2901。
[0177] 圖29B示出了類似于2900的一輻射結(jié)構(gòu)2930的一實(shí)施例，其中輻射增強(qiáng)器2940 具有一線性導(dǎo)電元件諸如金屬條2904并且還包括一導(dǎo)電表面元件2931。在這個(gè)實(shí)施例中， 元件2931可以被用于連接除了串聯(lián)組件2933的一個(gè)或更多并聯(lián)部件2932,例如SMD組件。 使用，例如，集成元件（例如走線槽口，間隙或窄的直線的或彎曲的條）代替SMD組件，用于 導(dǎo)電區(qū)之間的電容或電感耦合也是可能的。
[0178] 圖29C示出了包括被放置在具有一狹槽或一凹槽的一接地平面層2901上的一獨(dú) 立組件中的一輻射增強(qiáng)器2960的一輻射結(jié)構(gòu)2950的另一實(shí)施例。在這個(gè)實(shí)施例中，一匹 配網(wǎng)絡(luò)被提供在反饋點(diǎn)2905和金屬條2951之間。串聯(lián)2954和并聯(lián)2955組件被安裝在被 提供在介電基底2953的一層上的焊盤2952上。
[0179] 一獨(dú)立組件包括來(lái)自圖29A，29B和29C的輻射增強(qiáng)器2902,或2940,或2960,適于 嵌合在本發(fā)明中所描述的一個(gè)或更多的任何有限體積中。
[0180] 在一些實(shí)施例中，該狹槽或凹槽的物理尺寸為大約該輻射增強(qiáng)器的最長(zhǎng)自由空間 工作波長(zhǎng)的四分之一。在一些其它的實(shí)施例中，在接地平面層2901中的狹槽或凹槽具有其 物理尺寸小于一四分之一，或小于一十分之一，或小于該輻射增強(qiáng)器的最長(zhǎng)自由空間工作 波長(zhǎng)的五十分之一。
[0181] 圖30A示出了一獨(dú)立組件包括在一介電載體3005 (用于說(shuō)明目的用虛線透明顯 示）中的兩個(gè)集中式輻射增強(qiáng)器3000。在這個(gè)特定的實(shí)施例中，第一輻射增強(qiáng)器3001包括 三個(gè)基本上四邊形側(cè)面3003。第二輻射增強(qiáng)器3002也包括三個(gè)基本上四邊形側(cè)面3004。 第一輻射增強(qiáng)器3001被配置為在第一頻率區(qū)域中工作，且第二輻射增強(qiáng)器3002被配置為 在相同的第一頻率區(qū)域中工作，或在一第二頻率區(qū)域，或兩者的一組合。
[0182] 在一些其它的實(shí)施例中，兩個(gè)輻射增強(qiáng)器包括不同數(shù)目的側(cè)面，例如且不受這些 實(shí)施例的限制，第一輻射增強(qiáng)器具有四個(gè)側(cè)面且第二增強(qiáng)器一個(gè)或更多側(cè)面。在其它的實(shí) 施例中，一第一增強(qiáng)器可以基本上覆蓋5個(gè)側(cè)面且一第二增強(qiáng)器可以覆蓋的一個(gè)側(cè)面，分 別地。
[0183]圖30B示出了操作在兩個(gè)頻率區(qū)域的在具有一棱柱體類似形狀的一介電載體 3035中的用于兩個(gè)輻射增強(qiáng)器3030的一緊湊配置的另一實(shí)施例。在這個(gè)實(shí)施例中，第一 輻射增強(qiáng)器3031具有兩個(gè)表面導(dǎo)電元件：一基本上四邊形一個(gè)3033,且另一個(gè)其基本上四 邊形3036其具有一近似面積等于一四邊形側(cè)面3033的面積的一部分（例如一半）。第二 輻射增強(qiáng)器3032包括四個(gè)基本上四邊形側(cè)面3034具有基本上相同的表面，以及一第五基 本上四邊形側(cè)面3037其具有不同尺寸的表面（例如，一較小的表面）比四個(gè)四邊形側(cè)面 3034。
[0184] 在其它的實(shí)施例中，該輻射增強(qiáng)器的側(cè)面具有不同于四邊形的形狀且介電載體 3035采用例如一圓柱體或圓錐體的形式。
[0185] 獨(dú)立組件30A和30B可以是被構(gòu)建，例如，通過沖壓和彎曲導(dǎo)電片，其最終可能會(huì) 變?yōu)橛梢唤殡娫蔚?，例如一塑料載體包括熱支柱以附著該沖壓元件。在其它的實(shí)施 例中，所述組件通過一雙注入工藝諸如例如一MID技術(shù)其可以是例如與LDS結(jié)合制造而成。 仍然，在其它的實(shí)施例中，這些獨(dú)立組件通過金屬化的一介電泡沫制造而成。一獨(dú)立組件包 括增強(qiáng)3000或3030適于嵌合在一個(gè)或更多的本發(fā)明中所描述的任何有限體積中。
[0186] 圖31示出了在可以被實(shí)現(xiàn)在例如一多層介電基底上的一介電載體3108內(nèi)的兩個(gè) 堆疊的輻射增強(qiáng)器3100的一實(shí)施例。更具體地，第一輻射增強(qiáng)器包括兩個(gè)導(dǎo)電表面3102 通過電鍍的通孔3104或類似的（在此圖中焊盤未被表示）互相連接，并且具有對(duì)于一射頻 系統(tǒng)的連接3106其經(jīng)過在第二輻射增強(qiáng)器的底部導(dǎo)電表面3101的一開口 3107,其頂部和 底部導(dǎo)電表面也通過連接裝置3103互相連接。第二輻射增強(qiáng)器還具有對(duì)于一射頻系統(tǒng)的 一連接3105。在這個(gè)實(shí)施例中，第一輻射增強(qiáng)器工作在一第一頻率區(qū)域中并且第二增強(qiáng)器 工作在所述第一頻率區(qū)域中，或在一第二頻率區(qū)域中或在兩者的一組合中。
[0187] 在其它的實(shí)施例中兩個(gè)輻射增強(qiáng)器的連接3105和3106可以被布置為例如與導(dǎo)電 路徑橫向，或者以其它不同的方式其在導(dǎo)電表面的其中之一中不需要孔3107。
[0188] 圖32示出了 一輻射增強(qiáng)器3200其基本上成形為一矩形長(zhǎng)方體并由導(dǎo)電或介電泡 沫3201制成。該輻射增強(qiáng)器具有包覆在一導(dǎo)電織物3202中的多個(gè)其面。在其它的實(shí)施例 中，該輻射增強(qiáng)器可以是，例如，完全被導(dǎo)電織物或一石墨烯層包覆的。輻射增強(qiáng)器3200完 全適于嵌合在一個(gè)或更多的本發(fā)明中所描述的任何有限體積中。
[0189] 圖33示出了一基本上立方體的輻射增強(qiáng)器3300其是一介電或?qū)щ娫?301，并 且具有一石墨烯層3302包覆多個(gè)該輻射增強(qiáng)器的面。所述輻射增強(qiáng)器可以具有，在其它的 實(shí)施例中，面成形為多邊形不同于正方形，例如矩形。該輻射增強(qiáng)器3300完全容納在一個(gè) 任何本發(fā)明中所描述的限制體積的一個(gè)或多個(gè)。
[0190] 圖34示出了一個(gè)輻射增強(qiáng)器3400正在使用的石墨烯泡沫制成。這個(gè)特定的例子 示出了具有大致立方體形狀的輻射增強(qiáng)器，但在其它實(shí)例中的增強(qiáng)器的形狀是大致平行六 面體或類似物。輻射增強(qiáng)器3400完全適于嵌合在一個(gè)或更多的本發(fā)明中所描述的任何有 限體積中。
[0191] 圖35示出了一無(wú)線手持設(shè)備3500的一說(shuō)明性實(shí)施例，其中該設(shè)備的一現(xiàn)有的元 件已經(jīng)執(zhí)行一特定的任務(wù)，被額外地配置功能作為根據(jù)本發(fā)明的一輻射增強(qiáng)器。在這個(gè)特 定的實(shí)施例中，在蜂窩電話的后蓋3501的下方，一螺釘3504附著，與一金屬的連接，在該設(shè) 備（用于保持該設(shè)備的照相機(jī)，例如）內(nèi)部的一介電載體3502至PCB3503被用于作為一 輻射增強(qiáng)器。此外，一個(gè)或多個(gè)焊盤3505被提供用于利用SMD和/或集成組件集成一匹配 網(wǎng)絡(luò)。
[0192] 在一些其它的實(shí)施例中，元件具有金屬外殼且其被包括在該設(shè)備中，諸如例如一 振動(dòng)設(shè)備，被用作輻射增強(qiáng)器。在一些其它的實(shí)施例中，該裝置是一便攜式設(shè)備諸如一筆記 本電腦。
[0193] 圖36示出了一凹和基本上立方體的輻射增強(qiáng)器3600的兩維（A)和三維（B)的表 示，其側(cè)面在一介電載體3605上以一順序的方式被布置。這種布置使得電通路3602要更 長(zhǎng)由于電流經(jīng)過所有導(dǎo)電表面3601開始于側(cè)面3603且結(jié)束于側(cè)面3604。
[0194] 在一些其它的實(shí)施例中，該輻射增強(qiáng)器是一平行六面體，其中該輻射增強(qiáng)器側(cè)面 的順序的布置，是通過不同形狀的側(cè)面，通過諸如矩形或類似的形狀實(shí)現(xiàn)的。
[0195] 圖37示出了一輻射增強(qiáng)器3700其包括一介電基底3703和多個(gè)導(dǎo)電部分（3701 和3702)，其可以被實(shí)現(xiàn)，例如，在一多層PCB上的一實(shí)施例。更具體地，一導(dǎo)電元件具有多 個(gè)基本上直線段3701具有一有利的感性特性其部分或完全消除了該輻射增強(qiáng)器的電抗， 其中，所述導(dǎo)電元件3701可以是例如一導(dǎo)電走線。該曲線的一端被連接至焊盤3707,其被 用于連接該增強(qiáng)器至該射頻系統(tǒng)，并且導(dǎo)電元件3701的另一端與至焊盤3706的一連接被 耦合至該輻射增強(qiáng)器的上表面導(dǎo)電元件3702。頂部和底部導(dǎo)電表面3702利用焊盤3705與 線性導(dǎo)電元件（例如，通孔）互相連接。
[0196] 在一些其它的實(shí)施例中，導(dǎo)電元件3701被成形為一空間填充曲線具有十個(gè)或更 多段。在這個(gè)特殊的例子中，所述元件3701具有希爾伯特曲線形狀。
[0197] 圖38示出了封裝3800中的一輻射增強(qiáng)器的一實(shí)施例。頂部和底部導(dǎo)電表面3801 和3802,被介電載體3804間隔開，與連接裝置3803例如線性導(dǎo)電元件或通孔連接。被提供 在介電載體3805(例如其可以是FR4)上的多個(gè)焊盤3806(以白色表示）被用于使與該輻 射增強(qiáng)器電連接，因此由于焊盤3806的多樣性不同的尺寸或形態(tài)因子的輻射增強(qiáng)器可以 被集成。額外的導(dǎo)電區(qū)3807(以灰色表示）可以分配設(shè)備或電路等，例如，電抗消除電路， 濾波器，寬帶匹配網(wǎng)絡(luò)或SMD組件。這有利地減少了在安裝有輻射增強(qiáng)器3800的該設(shè)備的 PCB上的設(shè)備的所述類型的集成。焊盤3806和3807之間的連接可以與例如并聯(lián)或串聯(lián)SMD 組件或?qū)щ娐窂絹?lái)實(shí)現(xiàn)。
[0198] 圖39A和39B示出了輻射結(jié)構(gòu)3900和3930的實(shí)施例其中一個(gè)輻射增強(qiáng)器3902 的覆蓋區(qū)與接地平面層3901(A)和3931 (B)的導(dǎo)電部分部分重疊。在這些實(shí)施例中，一凈 空面積3903(A)和3933(B)被提供在該接地平面層上，其中該凈空面積是一區(qū)域具有移除 了該接地平面層的金屬的一基本部分。輻射增強(qiáng)器3902其與該地線平面層的導(dǎo)電表面相 交的覆蓋區(qū)的該部分是，例如，在（A)中少于該增強(qiáng)器覆蓋區(qū)的一 50%，并且在（B)中少于 10% (用條紋格式3904和3934表示，僅供說(shuō)明目的）。在其它的實(shí)施例中，該輻射增強(qiáng)器 的覆蓋區(qū)與該地線平面層的導(dǎo)電部分重疊為約一 60 %或更少，一40 %或更少，一30 %或更 少，一 20%或更少，一 5%或更少或者甚至該增強(qiáng)器覆蓋區(qū)的一 0%。
【權(quán)利要求】
1. 一無(wú)線手持或便攜裝置，其特征在于，包括： 一輻射系統(tǒng)配置以發(fā)射和接收在一第一頻率區(qū)域的電磁波信號(hào)且包括在一無(wú)線手持 或便攜裝置內(nèi)； 所述福射系統(tǒng)包括一福射結(jié)構(gòu)，一射頻系統(tǒng)和一外部端口； 所述輻射結(jié)構(gòu)包含包括一連接點(diǎn)的一接地平面層，包括一連接點(diǎn)的一輻射增強(qiáng)器和一 內(nèi)部端口； 所述內(nèi)部端口被限定在所述輻射增強(qiáng)器的連接點(diǎn)與所述接地平面層的連接點(diǎn)之間； 所述輻射增強(qiáng)器具有一最大尺寸小于相當(dāng)于所述第一頻率區(qū)域的一最低頻率的一自 由空間波長(zhǎng)的1/20倍； 所述輻射增強(qiáng)器包括兩個(gè)導(dǎo)電元件和一具有一平行六面體形狀的介電元件； 所述兩個(gè)導(dǎo)電元件經(jīng)由穿過所述介電元件的至少一個(gè)通孔相連接； 所述輻射增強(qiáng)器的連接點(diǎn)是一被限定在所述兩個(gè)導(dǎo)電元件中一個(gè)導(dǎo)電元件的點(diǎn)； 所述射頻系統(tǒng)包括一連接至所述輻射結(jié)構(gòu)的內(nèi)部端口的一第一端口，以及連接至所 述福射系統(tǒng)的外部端口的一第二端口； 所述輻射結(jié)構(gòu)在內(nèi)部端口當(dāng)從所述射頻系統(tǒng)斷開時(shí)的輸入阻抗對(duì)于所述第一頻率區(qū) 域的任何頻率具有不等于零的虛部；以及 所述射頻系統(tǒng)被配置以在所述第一頻率區(qū)域向所述輻射系統(tǒng)提供阻抗匹配。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一無(wú)線手持或便攜裝置，其特征在于，所述第一頻率區(qū)域是 在824MHz-960MHz頻率范圍內(nèi)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一無(wú)線手持或便攜裝置，其特征在于，所述第一頻率區(qū)域是 在698MHz-798MHz頻率范圍內(nèi)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一無(wú)線手持或便攜裝置，其特征在于，所述輻射增強(qiáng)器是一 種表面貼裝器件（SMD)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一無(wú)線手持或便攜裝置，其特征在于，多個(gè)導(dǎo)電焊盤被印刷 在所述接地平面層的一空隙上，且所述輻射增強(qiáng)器被連接至所述多個(gè)導(dǎo)電焊盤。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一無(wú)線手持或便攜裝置，其特征在于，所述兩個(gè)導(dǎo)電元件經(jīng) 由穿過所述介電元件的四個(gè)通孔相連接。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一無(wú)線手持或便攜裝置，其特征在于，所述兩個(gè)導(dǎo)電元件的 一第一導(dǎo)電元件被印刷在所述介電元件的一個(gè)面上；所述兩個(gè)導(dǎo)電元件的一第二導(dǎo)電元件 被印刷在所述介電元件的一不同的面上；并且所述兩個(gè)導(dǎo)電元件基本上平行于所述接地平 面層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一無(wú)線手持或便攜裝置，其特征在于，所述輻射增強(qiáng)器被放 置于基本上靠近所述接地平面層的一角。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一無(wú)線手持或便攜裝置，其特征在于，所述輻射增強(qiáng)器當(dāng)從 射頻系統(tǒng)斷開時(shí)的一諧振頻率至少三倍大于所述第一頻率區(qū)域的最低頻率。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一無(wú)線手持或便攜裝置，其特征在于，所述輻射增強(qiáng)器具有 一最大尺寸小于相當(dāng)于所述第一頻率范圍的一最低頻率的自由空間波長(zhǎng)的1/30倍。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一無(wú)線手持或便攜裝置，其特征在于，所述輻射系統(tǒng)配置以 發(fā)射和接收在一第二頻率區(qū)域的電磁波信號(hào)，所述第一頻率區(qū)域的所述最高頻率低于所述 第二頻率區(qū)域的一最低頻率；所述輻射系統(tǒng)還包括一第二輻射結(jié)構(gòu)，一第二射頻系統(tǒng)，和一 第二外部端口；所述第二輻射結(jié)構(gòu)包含包括一第二連接點(diǎn)的一接地平面層，包括一連接點(diǎn) 的一第二福射增強(qiáng)器和一第二內(nèi)部端口； 所述第二內(nèi)部端口被限定在所述第二輻射增強(qiáng)器的連接點(diǎn)與所述接地平面層的第二 連接點(diǎn)之間； 所述第二射頻結(jié)構(gòu)被配置以在所述第二頻率區(qū)域向所述輻射系統(tǒng)提供操作； 所述第二輻射增強(qiáng)器具有一最大尺寸小于相當(dāng)于所述第一頻率區(qū)域的一最低頻率的 自由空間波長(zhǎng)的1/30倍； 所述第二輻射增強(qiáng)器包括兩個(gè)導(dǎo)電元件和一具有一平行六面體形狀的第二介電元 件； 所述兩個(gè)導(dǎo)電元件經(jīng)由穿過所述第二介電元件的至少一個(gè)通孔相連接； 所述第二輻射增強(qiáng)器的連接點(diǎn)是一被限定在所述第二輻射增強(qiáng)器的兩個(gè)導(dǎo)電元件中 一個(gè)導(dǎo)電元件的點(diǎn)； 所述第二射頻包括一連接至所述第二輻射結(jié)構(gòu)的一第二內(nèi)部端口的一第一端口，以 及連接至所述輻射系統(tǒng)的一第二外部端口的一第二端口； 所述第二輻射結(jié)構(gòu)在第二內(nèi)部端口當(dāng)從所述第二射頻系統(tǒng)斷開時(shí)的一輸入阻抗對(duì)于 所述第二頻率區(qū)域的任何頻率具有不等于零的虛部；以及所述第二射頻系統(tǒng)被配置以在所 述第二頻率區(qū)域向所述輻射系統(tǒng)提供阻抗匹配。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的一無(wú)線手持或便攜裝置，其特征在于，所述第一頻率區(qū)域 是在824MHz-960MHz頻率范圍內(nèi)且所述第二頻率區(qū)域是在1710MHz-2170MHz頻率范圍內(nèi)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的一無(wú)線手持或便攜裝置，所述第一頻率區(qū)域是在 824MHz-960MHz的頻率范圍內(nèi)且所述第二頻率區(qū)域是在1710MHz-2690MHz頻率范圍內(nèi)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的一無(wú)線手持或便攜裝置，其特征在于，所述第二輻射增強(qiáng) 器被放置于基本上靠近所述接地平面層的另一邊。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的一無(wú)線手持或便攜裝置，其特征在于，一第二多個(gè)導(dǎo)電焊 盤被印刷在所述接地平面層的一空隙上，且所述第二輻射增強(qiáng)器被連接至所述第二多個(gè)導(dǎo) 電焊盤。
16. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的一無(wú)線手持或便攜裝置，其特征在于，所述第二輻射增強(qiáng) 器的兩個(gè)導(dǎo)電元件經(jīng)由穿過所述第二介電元件的四個(gè)通孔相連接。
17. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的一無(wú)線手持或便攜裝置，其特征在于，所述第二輻射增強(qiáng) 器的兩個(gè)導(dǎo)電元件的一第一導(dǎo)電元件被印刷在所述第二介電元件的一個(gè)面上；所述第二輻 射增強(qiáng)器的兩個(gè)導(dǎo)電元件的一第二導(dǎo)電元件被印刷在所述第二介電元件的一不同的面上； 并且所述第二輻射增強(qiáng)器的兩個(gè)導(dǎo)電元件基本上平行于所述接地平面層。
【文檔編號(hào)】H01Q1/24GK104508905SQ201380038245
【公開日】2015年4月8日 申請(qǐng)日期:2013年7月11日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月16日
【發(fā)明者】喬米·安古拉, 奧蘿拉·安杜哈爾, 卡勒斯·普恩特 申請(qǐng)人:弗拉克托斯股份有限公司