太鼓減薄工藝的去環(huán)方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種太鼓減薄工藝的去環(huán)方法，包括步驟：使用太鼓減薄工藝方法對(duì)晶圓背面進(jìn)行減薄；在晶圓的背面完成背面工藝；將晶圓貼附在切割膠帶上并固定在劃片環(huán)上；在距離晶圓的中間部分的外側(cè)邊緣的內(nèi)側(cè)2毫米～10毫米處切割形成緩沖溝槽；采用環(huán)切工藝將支撐環(huán)切除或者磨平。本發(fā)明能降低環(huán)切步驟中的碎片率或完全防止環(huán)切步驟中的碎片。
【專利說明】太鼓減薄工藝的去環(huán)方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝方法，特別是涉及一種太鼓(Taiko)減薄工藝的去環(huán)方法。

【背景技術(shù)】
[0002]Taiko減薄工藝是由日本DISCO公司開發(fā)的一種超薄減薄工藝,Taiko減薄工藝并不是對(duì)晶圓即硅片的整個(gè)平面都減薄，而是僅對(duì)晶圓的中間部分進(jìn)行減薄，晶圓的邊緣部分不進(jìn)行研磨減薄，不進(jìn)行減薄的邊緣部分的寬度約為2毫米?5毫米并由該不進(jìn)行減薄的邊緣部分形成支撐環(huán)。
[0003]一般當(dāng)硅片薄到一定程度，且面積較大時(shí)，其機(jī)械強(qiáng)度大大下降，以8英寸硅片為例，當(dāng)硅片厚度〈200微米時(shí)，硅片會(huì)發(fā)生卷曲，因此無法繼續(xù)進(jìn)行搬送、轉(zhuǎn)移和加工。而采用Taiko減薄工藝之后，僅硅片的中間部分減薄，利用硅片的中間部分形成集成電路的器件；利用較厚的支撐環(huán)來保持整個(gè)硅片的機(jī)械強(qiáng)度，防止硅片發(fā)生卷曲，有利于后續(xù)工藝中對(duì)硅片的搬送、轉(zhuǎn)移和加工。
[0004]Taiko減薄工藝主要包含貼膜,減薄，揭膜，背面工藝，切割膜(Dicing tape)貼附，環(huán)切等步驟。
[0005]在其中的環(huán)切工藝步驟一般采用機(jī)械切割或激光切割將支撐環(huán)切除或采用研磨的方法將所述支撐環(huán)磨平。在現(xiàn)有環(huán)切工藝步驟中，很容易產(chǎn)生邊緣崩齒進(jìn)而導(dǎo)致整片晶圓破碎，即現(xiàn)有環(huán)切工藝極容易發(fā)生在取環(huán)時(shí)候的碎片問題，某些產(chǎn)品碎片率更是高達(dá)10%左右。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種太鼓減薄工藝的去環(huán)方法，能降低環(huán)切步驟中的碎片率或完全防止環(huán)切步驟中的碎片。
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的太鼓減薄工藝的去環(huán)方法包括如下步驟:
[0008]步驟一、使用太鼓減薄工藝方法對(duì)晶圓背面進(jìn)行減薄，所述晶圓的中間部分減薄到需要的厚度，所述晶圓的邊緣部分不被減薄而形成一支撐環(huán)。
[0009]步驟二、在減薄后的所述晶圓的背面完成背面工藝。
[0010]步驟三、將完成背面工藝的所述晶圓貼附在切割膠帶上并固定在劃片環(huán)上。
[0011]步驟四、在距離所述晶圓的中間部分的外側(cè)邊緣的內(nèi)側(cè)2毫米?10毫米處切割形成緩沖溝槽，所述緩沖溝槽的寬度和深度滿足能夠防止后續(xù)環(huán)切工藝中產(chǎn)生邊緣崩齒時(shí)使整個(gè)所述晶圓破碎的條件。
[0012]步驟五、采用環(huán)切工藝將所述晶圓的所述支撐環(huán)切除或者磨平。
[0013]進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟一中對(duì)所述晶圓的中間部分進(jìn)行背面減薄后的厚度為25微米?200微米。
[0014]進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟一中對(duì)所述支撐環(huán)的寬度為2毫米?5毫米。
[0015]進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟四中所述緩沖溝槽采用機(jī)械切割或者激光切割的方法形成。
[0016]進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟四中所述緩沖溝槽的寬度為10微米?200微米。
[0017]進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟四中所述緩沖溝槽的深度大于等于所述晶圓的中間部分減薄后的厚度。
[0018]進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟四中所述緩沖溝槽的深度為30微米?200微米。
[0019]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述切割膠帶的厚度為30微米?200微米。
[0020]進(jìn)一步的改進(jìn)是，所述切割膠帶為紫外線照射膠帶或熱敏膠帶。
[0021]進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟五中的所述環(huán)切工藝采用機(jī)械切割或者激光切割的方法實(shí)現(xiàn)對(duì)所述支撐環(huán)的切除，或者步驟五中的所述環(huán)切工藝采用研磨的方式將所述支撐環(huán)磨平。
[0022]本發(fā)明通過在環(huán)切工藝之前形成一個(gè)緩沖溝槽，緩沖溝槽位于支撐環(huán)的內(nèi)側(cè)，所以在對(duì)支撐環(huán)進(jìn)行環(huán)切工藝時(shí)，緩沖溝槽位于支撐環(huán)的環(huán)切位置內(nèi)側(cè)，即使在環(huán)切工藝中出現(xiàn)邊緣崩齒，緩沖溝槽能將邊緣崩齒的不利影響屏蔽在緩沖溝槽和支撐環(huán)之間的區(qū)域、并不會(huì)傳遞到形成有集成電路器件的晶圓的中間部分，所以不會(huì)使整片晶圓破碎，能降低環(huán)切步驟中的碎片率或完全防止環(huán)切步驟中的碎片。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明:
[0024]圖1是本發(fā)明實(shí)施例方法流程圖；
[0025]圖2A-圖2D是本發(fā)明實(shí)施例方法各步驟中晶圓結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0026]如圖1所示，是本發(fā)明實(shí)施例方法流程圖；如圖2A至圖2D所示，是本發(fā)明實(shí)施例方法各步驟中晶圓結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明實(shí)施例太鼓減薄工藝的去環(huán)方法包括如下步驟:
[0027]步驟一、如圖2A所示，使用太鼓減薄工藝方法對(duì)晶圓背面進(jìn)行減薄，所述晶圓的中間部分Ia減薄到需要的厚度，所述晶圓的邊緣部分不被減薄而形成一支撐環(huán)lb。
[0028]所述晶圓的中間部分Ia用于形成集成電路器件。較佳為，所述晶圓的中間部分Ia進(jìn)行背面減薄后的厚度為25微米?200微米，具體厚度可以根據(jù)集成電路器件的需要而進(jìn)行調(diào)整。
[0029]所述支撐環(huán)Ib用于減薄后的所述晶圓進(jìn)行支撐，防止所述晶圓發(fā)生卷曲，有利于對(duì)晶圓進(jìn)行搬送、轉(zhuǎn)移和加工。較佳為，所述支撐環(huán)Ib的寬度為2毫米?5毫米。
[0030]步驟二、如圖2A所示，在減薄后的所述晶圓的背面完成背面工藝。所述背面工藝通常包括濕法處理以及背面金屬沉積等步驟。
[0031]步驟三、如圖2A所示，將完成背面工藝的所述晶圓貼附在切割膠帶即切割膜(dicing tape) 2上并固定在劃片環(huán)3上。
[0032]較佳為，所述切割膠帶的厚度為30微米?200微米。
[0033]所述切割膠帶為經(jīng)過特殊處理后能夠很容易和所述晶圓分離的膠帶，如經(jīng)過紫外線照射后很容易分離的紫外線照射膠帶(UV tape)，或者經(jīng)過熱處理后很容易分離的熱敏膠帶。
[0034]步驟四、如圖2B所示，在距離所述晶圓的中間部分Ia的外側(cè)邊緣的內(nèi)側(cè)2毫米?10毫米處切割形成緩沖溝槽4，所述緩沖溝槽4采用機(jī)械切割或者激光切割的方法形成。
[0035]所述緩沖溝槽4的寬度和深度滿足能夠防止后續(xù)環(huán)切工藝中產(chǎn)生邊緣崩齒時(shí)使整個(gè)所述晶圓破碎的條件。
[0036]所述緩沖溝槽4的寬度為10微米?200微米。
[0037]所述緩沖溝槽4的深度能夠根據(jù)所述晶圓的中間部分Ia的厚度確定，理論上，所述緩沖溝槽4的深度大于等于所述晶圓的中間部分Ia減薄后的厚度；一般所述緩沖溝槽4的深度為30微米?200微米，只要能夠防止后續(xù)環(huán)切工藝中產(chǎn)生邊緣崩齒時(shí)使整個(gè)所述晶圓破碎的條件即可。圖2B中所述緩沖溝槽4的深度大于等于所述晶圓的中間部分Ia減薄后的厚度
[0038]步驟五、采用環(huán)切工藝將所述晶圓的所述支撐環(huán)Ib切除或者磨平。
[0039]本發(fā)明實(shí)施例方法的環(huán)切工藝是采用對(duì)所述晶圓的所述支撐環(huán)Ib切除的方法，首先，如圖2C所示，采用機(jī)械切割或者激光切割的方法對(duì)所述支撐環(huán)Ib的內(nèi)側(cè)進(jìn)行切割并形成闖過所述晶圓的中間部分Ia的切割槽5 ;之后，如圖2D所示，進(jìn)行取環(huán)，即將切割分離后的支撐環(huán)Ib取出。
[0040]在其它實(shí)施例方法中環(huán)切工藝也能采用研磨工藝將所述支撐環(huán)Ib磨平。
[0041]由圖2C和圖2D可知，緩沖溝槽4位于支撐環(huán)Ib的環(huán)切位置即切割槽5內(nèi)側(cè)，SP使在環(huán)切工藝中出現(xiàn)邊緣崩齒，緩沖溝槽4能將邊緣崩齒的不利影響屏蔽在緩沖溝槽4和支撐環(huán)Ib之間的區(qū)域、并不會(huì)傳遞到形成有集成電路器件的晶圓的中間部分la，所以不會(huì)使整片晶圓破碎，能降低或防止環(huán)切步驟中的碎片率。
[0042]以上通過具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但這些并非構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種太鼓減薄工藝的去環(huán)方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟一、使用太鼓減薄工藝方法對(duì)晶圓背面進(jìn)行減薄，所述晶圓的中間部分減薄到需要的厚度，所述晶圓的邊緣部分不被減薄而形成一支撐環(huán)； 步驟二、在減薄后的所述晶圓的背面完成背面工藝； 步驟三、將完成背面工藝的所述晶圓貼附在切割膠帶上并固定在劃片環(huán)上； 步驟四、在距離所述晶圓的中間部分的外側(cè)邊緣的內(nèi)側(cè)2毫米?10毫米處切割形成緩沖溝槽，所述緩沖溝槽的寬度和深度滿足能夠防止后續(xù)環(huán)切工藝中產(chǎn)生邊緣崩齒時(shí)使整個(gè)所述晶圓破碎的條件； 步驟五、采用環(huán)切工藝將所述晶圓的所述支撐環(huán)切除或者磨平。
2.如權(quán)利要求1所述的太鼓減薄工藝的去環(huán)方法，其特征在于:步驟一中對(duì)所述晶圓的中間部分進(jìn)行背面減薄后的厚度為25微米?200微米。
3.如權(quán)利要求1所述的太鼓減薄工藝的去環(huán)方法，其特征在于:步驟一中對(duì)所述支撐環(huán)的寬度為2毫米?5毫米。
4.如權(quán)利要求1所述的太鼓減薄工藝的去環(huán)方法，其特征在于:步驟四中所述緩沖溝槽采用機(jī)械切割或者激光切割的方法形成。
5.如權(quán)利要求1所述的太鼓減薄工藝的去環(huán)方法，其特征在于:步驟四中所述緩沖溝槽的寬度為10微米?200微米。
6.如權(quán)利要求1所述的太鼓減薄工藝的去環(huán)方法，其特征在于:步驟四中所述緩沖溝槽的深度大于等于所述晶圓的中間部分減薄后的厚度。
7.如權(quán)利要求1或6所述的太鼓減薄工藝的去環(huán)方法，其特征在于:步驟四中所述緩沖溝槽的深度為30微米?200微米。
8.如權(quán)利要求1所述的太鼓減薄工藝的去環(huán)方法，其特征在于:所述切割膠帶的厚度為30微米?200微米。
9.如權(quán)利要求1或9所述的太鼓減薄工藝的去環(huán)方法，其特征在于:所述切割膠帶為紫外線照射膠帶或熱敏膠帶。
10.如權(quán)利要求1所述的太鼓減薄工藝的去環(huán)方法，其特征在于:步驟五中的所述環(huán)切工藝采用機(jī)械切割或者激光切割的方法實(shí)現(xiàn)對(duì)所述支撐環(huán)的切除，或者步驟五中的所述環(huán)切工藝采用研磨的方式將所述支撐環(huán)磨平。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK104517804SQ201410363960
【公開日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年7月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月29日
【發(fā)明者】郁新舉, 劉瑋蓀, 黃錦才 申請(qǐng)人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司