本公開涉及原子層沉積(ALD)，且特別是涉及使用自組裝單層(SAM)形成ALD抑制層的方法。

通過引用將本文提及的任何出版物或?qū)＠募娜抗_內(nèi)容并入本文中。

背景技術(shù)：

ALD是一種以極受控制的方式在襯底上沉積薄膜的方法。使用兩種或更多種呈蒸氣形式的化學(xué)品(即“工藝氣體”)和；順序地且以自限制方式使其在該襯底(例如硅晶片)表面上反應(yīng)來控制該沉積工藝。重復(fù)該順序工藝以一層接一層地建構(gòu)該薄膜層，其中所述層是原子等級。

使用ALD以形成各式各樣的膜，例如用于先進(jìn)柵極和電容器電介質(zhì)的二元、三元和四元氧化物，以及用于互連屏障和電容器電極的金屬基化合物。

該典型ALD工藝將第一工藝氣體引入單一工藝室內(nèi)。在此環(huán)境中置放該襯底持續(xù)短時(shí)間周期以將該表面暴露至第一工藝氣體。一旦該襯底表面飽和有該第一工藝氣體，就將該第一工藝氣體泵送出該室。接著使惰性或清洗氣體流經(jīng)該室。然后將第二工藝氣體引入該室內(nèi)。該第二工藝氣體與被該第一工藝氣體飽和的該襯底表面反應(yīng)。在第二工藝氣體流入該室內(nèi)之前使該惰性或清洗氣體流經(jīng)該室的目的是確保移除所有初始未反應(yīng)的第一工藝氣體。第二工藝氣體與飽和有第一工藝氣體的該襯底表面反應(yīng)。

一旦完成此第二反應(yīng)工藝，就移除該第二工藝氣體且再次用惰性或清洗氣體清洗該室。接著，將該第一工藝氣體引入該室內(nèi)并重復(fù)全部反應(yīng)順序直至獲得所需厚度的ALD膜。

在一種類型的ALD工藝中，該ALD膜覆蓋該襯底的整個(gè)表面。然而，當(dāng)形成半導(dǎo)體器件時(shí)，通常優(yōu)選在界定3D半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的工藝中在該襯底的選擇區(qū)域中形成ALD膜。盡管這可使用物理掩蔽方法(例如光致抗蝕劑型掩蔽)進(jìn)行，但是這樣的掩蔽方法是工藝密集且耗時(shí)的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本文公開的方法可用于在包括天然金屬氧化物(MO_x)的金屬M(fèi)層上形成ALD抑制層。該方法包括使用包含金屬Q(mào)的還原氣體來進(jìn)行天然金屬氧化物MO_X的原位還原，以形成M+MQ_yO_x形式的“金屬+金屬氧化物”層。接著將M+MQ_yO_x層暴露至呈蒸氣相的SAM分子以在該M+MQ_yO_x層上形成SAM層。示例性SAM分子是硫醇，其是含有結(jié)合碳的巰基團(tuán)的有機(jī)硫化合物。

本公開的一個(gè)方面是一種在覆蓋有該金屬M(fèi)的氧化物層(下文稱為“金屬氧化物層”)的金屬M(fèi)上形成ALD抑制層的方法。該方法包括：a)通過將該金屬氧化物層暴露至包括金屬Q(mào)的還原氣體來還原該金屬氧化物層，以在該金屬M(fèi)上形成M+MQ_xO_y層；和b)將該M+MQ_xO_y層暴露至呈蒸氣相的自組裝單層(下文稱為“SAM”)分子，其中該SAM分子在該M+MQ_xO_y層上形成SAM層，該SAM層為ALD抑制的。

本公開的另一方面是上述的方法，其中該金屬M(fèi)是Cu、Ni、Fe或Co，和該金屬Q(mào)是Al、Hf、Zr、Si、Ti或Zn。

本公開的另一方面是上述的方法，其中該SAM分子是硫醇分子。

本公開的另一方面是上述的方法，其中該金屬M(fèi)是銅，該金屬氧化物層由氧化銅制成，該還原氣體包含三甲基鋁(TMA)，該SAM分子是硫醇分子，和M+MQ_xO_y層是Cu+CuAlO₂層。

本公開的另一方面是上述的方法，其中步驟a)在120℃和250℃間的溫度下進(jìn)行。

本公開的另一方面是上述的方法，其中步驟a)和b)在小于1乇的真空條件下進(jìn)行。

本公開的另一方面是上述的方法，其中該金屬氧化物層具有范圍在1nm至5nm的厚度。

本公開的另一方面是上述的方法，其中該ALD抑制層基本上抑制其上的ALD膜的形成持續(xù)至少100次ALD循環(huán)。

本公開的另一方面是上述的方法，其中該ALD抑制層基本上抑制其上的ALD膜的形成持續(xù)至少150次ALD循環(huán)。

本公開的另一方面是上述的方法，該方法進(jìn)一步包括在半導(dǎo)體襯底上形成金屬M(fèi)作為圖案化金屬層。

本公開的另一方面是上述的方法，將該金屬M(fèi)在半導(dǎo)體襯底的介電層上形成為圖案。并且該方法進(jìn)一步包括通過在該介電層以及覆蓋該金屬M(fèi)的SAM層上進(jìn)行ALD工藝來進(jìn)行選擇性區(qū)域ALD，由此在該介電層上但不在SAM層上形成ALD膜。

本公開的另一方面是上述的方法，其中該介電層是氧化物層。

本公開的另一方面是上述的方法，該方法進(jìn)一步包括移除該SAM層。

本公開的另一方面是上述的方法，其中在少于720秒內(nèi)進(jìn)行步驟a)。

本文公開的方法使得能夠通過例如在半導(dǎo)體器件的金屬電極上選擇性形成該ALD抑制層來進(jìn)行選擇性區(qū)域ALD(S-ALD)。該方法減少在制造集成電路期間所需的加工步驟數(shù)目，因?yàn)槠湎龑τ谕ǔＥc常規(guī)S-ALD方法相關(guān)的多個(gè)光刻、蝕刻和沉積步驟的需要。

本公開的一個(gè)方面是一種進(jìn)行選擇性區(qū)域原子層沉積(以下稱為“S-ALD”)的方法。該方法包括a)在由半導(dǎo)體襯底支撐的介電層上界定金屬M(fèi)層(下文稱為“金屬層”)，其中該金屬層界定圖案，且其中用該金屬M(fèi)的氧化物層(下文稱為“金屬氧化物層”)覆蓋該金屬層；b)通過將該金屬氧化物層暴露至包括金屬Q(mào)的還原氣體來還原該金屬氧化物層以在該金屬層上形成M+MQ_xO_y層；c)將M+MQ_xO_y層與介電層暴露至呈蒸氣相的自組裝單層(SAM)分子，其中該SAM分子在該M+MQ_xO_y層上形成SAM層以界定ALD抑制層，和其中在該介電層上不形成SAM層；和d)進(jìn)行ALD工藝以沉積ALD膜，其中該ALD膜在該介電層上但不在該SAM層上形成。

本公開的另一方面是上述的方法，其中該金屬M(fèi)是Cu、Ni、Fe或Co，和該金屬Q(mào)是Al、Hf、Zr、Si、Ti或Zn。

本公開的另一方面是上述的方法，該方法進(jìn)一步包括移除該SAM層的步驟e)。

本公開的另一方面是上述的方法，其中在720秒內(nèi)進(jìn)行步驟b)。

本公開的另一方面是上述的方法，其中該SAM分子由硫醇分子組成。

本公開的另一方面是上述的方法，其中該介電層包含SiO₂層。

本公開的另一方面是上述的方法，其中該金屬M(fèi)是銅，該金屬氧化物層由氧化銅制成，該還原氣體包含三甲基鋁(TMA)，該SAM分子是硫醇分子，和M+MQ_xO_y層是Cu+CuAlO₂層。

本公開的另一方面是上述的方法，其中該SAM層基本上抑制其上的ALD膜的形成持續(xù)至少100次ALD循環(huán)。

本公開的另一方面是上述的方法，其中該SAM層基本上抑制其上的ALD膜的形成持續(xù)至少150次ALD循環(huán)。

本公開的另一方面是上述的方法，其中步驟b)在120℃和250℃之間的溫度下進(jìn)行。

本公開的另一方面是上述的方法，其中步驟b)和c)在小于1乇的真空條件下進(jìn)行。

本公開的另一方面是上述的方法，其中該金屬氧化物層具有范圍在1nm至5nm的厚度。

本公開的另一方面是上述的方法，其中該還原氣體包含三甲基鋁(TMA)或烷基酰胺。

本公開的另一方面是上述的方法，其中步驟b)、c)和d)在單一ALD室中進(jìn)行。

在以下的詳細(xì)說明中提出額外的特征和優(yōu)點(diǎn)，且本領(lǐng)域技術(shù)人員將自該描述而易于得知部分特征和優(yōu)點(diǎn)，或通過實(shí)踐如所撰寫的其說明書和權(quán)利要求書以及附圖中所述的實(shí)施方案來認(rèn)知部分特征和優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)了解的是，以上的一般描述和以下的詳細(xì)說明兩者僅是示例性的，且旨在提供用于了解權(quán)利要求的屬性和特性的概述或框架。

附圖說明

包括附圖以提供進(jìn)一步的理解，并將其結(jié)合至本說明書中并構(gòu)成說明書的一部分。附圖描述了一種或多種實(shí)施方案，并與詳細(xì)說明一起用于解釋各種不同實(shí)施方案的原理和操作。如此，將根據(jù)下文結(jié)合附圖的詳細(xì)說明而更加全面地理解本公開，其中：

圖1至圖4是示例性金屬化襯底的橫截面視圖，其顯示在該金屬化襯底上形成ALD抑制的SAM層的方法的不同步驟；

圖5是Cu₂O層的厚度對時(shí)間t(s)的曲線圖，如由原位光譜橢圓偏振計(jì)在20個(gè)連續(xù)脈沖的還原氣體下以60s的脈沖間間隔觀察到，其中該還原氣體呈TMA(曲線A)、TDMAHf(曲線B)和TDMAZr(曲線C)的形式，其說明了所給的還原氣體如何減少Cu₂O層的厚度。

圖6是該ALD膜HfN_x的所測厚度對ALD循環(huán)數(shù)目N的曲線圖，其是針對在具有天然氧化銅Cu₂O的現(xiàn)有銅襯底上(曲線A)、在具有硫醇但無還原預(yù)處理的銅上(曲線B)、和在具有TMA還原預(yù)處理并使用硫醇SAM分子的銅上(曲線C)沉積的ALD膜，后者顯示ALD抑制性質(zhì)，其中該ALD膜生長被有效地延遲超過150次ALD循環(huán)；

圖7是ALD膜HfN_x的所測厚度對ALD循環(huán)數(shù)目N的曲線圖，其顯示該ALD膜在SiO₂+SAM層上(曲線A)、在未還原的銅+SAM層上(曲線B)和在還原的銅+SAM層上(曲線C)的生長，說明了該ALD抑制的SAM層相對于還原的銅(大于150次ALD循環(huán))如何在SiO₂上幾乎無抑制(約5次ALD循環(huán))。

圖8A是俯視圖且圖8B是沿圖8A的線A-A的橫截面視圖，其顯示具有SiO₂層的示例性金屬化襯底，其中圖案化金屬層在該SiO₂層上形成；和

圖9A至圖9D是類似圖8B的橫截面視圖，其說明了用于在圖8A和圖8B的金屬化襯底上進(jìn)行S-ALD的示例性方法步驟，其中ALD抑制層在該圖案化金屬層區(qū)段上形成，使得該ALD膜可在該SiO₂層上且不在該圖案化金屬層上形成。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在詳細(xì)參考本公開的各個(gè)不同的實(shí)施方案，在附圖中說明了其實(shí)例。只要可能，在所有圖式中相同或相似的標(biāo)記數(shù)字和符號用于意指相同或相似的部件。圖式并非按比例繪示，且本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解圖式已經(jīng)被簡化以說明本公開的重要方面。

以下所提出的權(quán)利要求被納入并構(gòu)成該詳細(xì)說明的一部分。

在一些圖式中為了參考而示出卡式坐標(biāo)，其并不旨在關(guān)于方向或取向進(jìn)行限制。

在以下討論中，“SAM層”意指自組裝分子層，即自組裝單層。

并且在以下討論中，術(shù)語“SAM分子”意指能夠形成具有其它SAM分子的SAM層的分子。以下討論的SAM分子的實(shí)例是1-十八烷硫醇。

現(xiàn)在關(guān)于圖1至4的橫截面視圖來描述進(jìn)行選擇性區(qū)域原子層沉積(S-ALD)的方法的實(shí)例。在第一步驟中，提供具有上表面12的襯底10。在一個(gè)實(shí)例中，襯底10是Si晶片。襯底10的上表面12用金屬層20覆蓋，該金屬層20用天然金屬氧化物的層22(下文稱為“金屬氧化物層”)覆蓋。在一個(gè)實(shí)例中，金屬層20的金屬是銅(Cu)，而金屬氧化物層22中的天然金屬氧化物是氧化銅(Cu₂O)。在此點(diǎn)，具有金屬層20和金屬氧化物層22的襯底10構(gòu)成金屬化襯底10M。金屬層20的金屬在此稱為“M”。金屬氧化物層22的厚度可非常薄，例如在1nm至5nm厚的范圍中。金屬M(fèi)的實(shí)例是銅、鎳、鐵和鈷。

參考圖2，在第二步驟中，將圖1的金屬化襯底10M置于ALD反應(yīng)器系統(tǒng)的ALD室30的內(nèi)部32中。接著將ALD腔室30的內(nèi)部32帶至真空條件(例如小于1乇的壓力)且加熱金屬化襯底10M至120℃或高于120℃(例如至150℃或170℃或最高至250℃)的溫度。真空條件限制殘留氧量，其可導(dǎo)致正在形成的金屬氧化物的更多量。增加的溫度有助于在如下所述的后續(xù)步驟中的化學(xué)反應(yīng)。

參考圖3，在第三步驟中，將金屬化晶片10M且特別是其上的金屬氧化物層22暴露于含有金屬Q(mào)的還原氣體40。在一個(gè)實(shí)例中，還原氣體40是三甲基鋁(TMA)或包括三甲基鋁，其中金屬Q(mào)是鋁。在另一個(gè)實(shí)例中，還原氣體40是金屬烷基酰胺或包括金屬烷基酰胺，其中金屬Q(mào)是Hf、Zr、Si或Ti。并且在一個(gè)實(shí)例中，其它烷基金屬有機(jī)前體例如二乙基鋅可用作還原氣體40。

還原氣體40還原金屬氧化物層22，由此移除金屬氧化物層22。所需還原氣體40的暴露長度和數(shù)量是待移除的天然金屬氧化物的屬性、其厚度、金屬化襯底10M的溫度及所用還原氣體40的類型的函數(shù)。此氧化-還原步驟的結(jié)果是在金屬層20上形成的M+MQ_yO_x形式的“金屬+金屬氧化物”層50。金屬+金屬氧化物層50具有表面52。在其中還原氣體40的金屬Q(mào)是鋁且其中金屬層20的金屬M(fèi)是銅的一個(gè)實(shí)例中，金屬+金屬氧化物層50可具有Cu+CuAlO₂形式。

進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，其中使用M＝銅的金屬層20及具有1nm至3nm厚度的氧化銅的金屬氧化物層22形成金屬化襯底10M。將銅基金屬化襯底10M在真空(0.1乇)下加熱到150℃至170℃且采用10至20個(gè)連續(xù)脈沖的TMA作為還原氣體40來移除天然氧化銅層22，其中TMA脈沖是0.015s長及2s至60s分隔。原位觀察氧化銅層22的還原且在10次TMA暴露后其厚度逐漸減少至約1nm的厚度。還注意到采用呈TDMAHf(其中金屬Q(mào)＝Hf)及TDMAZr(其中Q＝Zr)形式的還原氣體40的脈沖還觀察到由該銅還原引起的視厚度(apparent thickness)減少，還原氣體40是常用于通過ALD來沉積HfO₂和ZrO₂的反應(yīng)氣體。

來自這個(gè)銅基實(shí)例的金屬+金屬氧化物層50包括金屬Cu且金屬-氧化鋁具有前述的CuAlO₂形式。

圖5是氧化銅層22的厚度對時(shí)間(s)的曲線圖，如由原位光譜橢圓偏振計(jì)在20個(gè)連續(xù)脈沖的還原氣體40以60s的脈沖間間隔觀察到，還原氣體40呈TMA(曲線A)、TDMAHf(曲線B)和TDMAZr(曲線C)的形式，說明了所給的還原氣體40如何減少Cu₂O層22的厚度。

參考圖4，在第四步驟中將金屬+金屬氧化物層50立即暴露至包括SAM分子60的SAM蒸氣。示例性SAM蒸氣是硫醇，例如1-十八烷硫醇。該SAM分子60可有效地沉積在金屬+金屬氧化物層50的不含氧化物的表面52上以提供由SAM分子60(例如硫醇分子)界定的高度堆積的自組裝單層(“SAM層”)60L。在該工藝中的此點(diǎn)，金屬化襯底10M稱為SAM涂覆的襯底(“SAMS”)10S。

在一個(gè)實(shí)例中，氧化-還原步驟和SAMS沉積步驟可各在相同ALD室30中進(jìn)行，但還原步驟可在不同ALD室30中進(jìn)行，優(yōu)選反應(yīng)表面未暴露于空氣(例如使用密封的轉(zhuǎn)移箱)。

SAM蒸氣暴露步驟可由幾秒至數(shù)小時(shí)變化，但在實(shí)驗(yàn)中證明600s的暴露時(shí)間足以達(dá)到在銅基金屬化襯底10M上硫醇分子60的良好SAM層60L。

堆積SAM分子60的SAM層60L(能夠由金屬化襯底10M的還原預(yù)處理實(shí)現(xiàn))構(gòu)成ALD抑制層，即對沉積ALD膜的有效屏障層。SAM層60L延遲ALD膜的成核和生長持續(xù)相對大數(shù)目(例如N>100)的ALD循環(huán)。

在方法的一個(gè)實(shí)例中，原位還原步驟可使用含Q還原氣體40在兩個(gè)步驟中(例如金屬氧化物層22的ALD形成(例如10-30nm)，接著金屬氧化物層22的原位還原)進(jìn)行以獲得金屬+金屬氧化物層50。

實(shí)驗(yàn)

還在襯底10上進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，使用物理氣相沉積(PVD)用銅層20金屬化該襯底10，天然氧化銅的頂部金屬氧化物層22具有在1nm和3nm之間的厚度。金屬化襯底10M是原樣(即無預(yù)清潔)裝載在ALD反應(yīng)器中。所用的特定ALD反應(yīng)器是Ul tratech Cambr idge Nanotech Savannah^TM反應(yīng)器?？焖俚貙⒔饘倩r底10M帶至真空(0.1乇)且在150℃至170℃之間的溫度下加熱。

將連續(xù)脈沖的TMA引入ALD室30中且通過原位光譜橢圓偏振法實(shí)時(shí)觀察天然氧化銅的還原。發(fā)現(xiàn)10至20個(gè)0.015s持續(xù)時(shí)間的TMA脈沖足以完成天然氧化銅層22的還原。在圖5的實(shí)例中脈沖是60s間隔，但該脈沖可具有其它周期，例如5秒間隔或更短。還可以用TMA或其它還原氣體40的連續(xù)流替代脈沖。因此，在一個(gè)實(shí)例中，金屬氧化物層22的還原在600秒(s)，即10分鐘內(nèi)進(jìn)行。在另一個(gè)實(shí)例中，金屬氧化物層22的還原可在720s，即12分鐘內(nèi)進(jìn)行。還證實(shí)了少于2分鐘的還原。

接著將所還原的金屬表面在真空下暴露于1-十八烷硫醇蒸氣持續(xù)600s以獲得在還原的銅的頂部上的致密SAM層60L。通過在經(jīng)由ALD在銅/SAMS襯底頂部上沉積HfN_x金屬氮化物期間監(jiān)控該成核抑制而原位表征SAM層60L的品質(zhì)(即堆積密度)。金屬氮化物的生長成功地被延遲至針對硫醇涂覆的銅樣品的最高達(dá)150次ALD循環(huán)相對于針對裸銅/氧化銅的0次ALD循環(huán)，以及針對具有硫醇但無TMA預(yù)處理的銅/氧化銅的10次ALD循環(huán)。在暴露至硫醇處理的SiO₂表面上也沒有觀察到顯著抑制。因此可實(shí)行此原位還原方法以促進(jìn)銅表面上的選擇性區(qū)域ALD。

通過光譜橢圓偏振法原位監(jiān)控暴露至ALD中常用的其它化學(xué)品的銅/氧化銅表面，該化學(xué)品例如是金屬烷基酰胺，即四(二甲氨基)鉿(TDMAHf)或四(二甲氨基)鋯(TDMAZr)，指出還可以用這些前體還原氧化銅。可有效地使用的其它還原氣體40包括鈦烷基酰胺、硅烷基酰胺和二乙基鋅。

圖6是ALD膜HfN_x的所測厚度對ALD循環(huán)數(shù)目N的曲線圖，其是針對在具有天然氧化銅的原樣銅襯底上(曲線A)、具有硫醇SAM層60L但無還原預(yù)處理的銅上(曲線B)、和在具有TMA預(yù)處理的硫醇的銅上(曲線C)沉積的ALD膜，后一曲線顯示ALD抑制性質(zhì)，其中ALD膜的生長有效地被延遲N>150次ALD循環(huán)。圖6的數(shù)據(jù)表明需要金屬氧化物層22的還原預(yù)處理以移除金屬氧化物層22從而能夠形成ALD抑制的SAM層60L。

在一個(gè)實(shí)例中，使SAM涂覆的襯底10S經(jīng)受ALD工藝，以意圖使用在170℃的溫度下沉積的TDMAHf和氨(NH₃)在SAM層60L上生長HfN_x的ALD膜。圖7是ALD膜HfN_x的所測厚度()對ALD循環(huán)數(shù)目N的曲線圖。該曲線圖顯示ALD膜在SiO₂+SAM層上(曲線A)、在未還原的銅+SAM層上(曲線B)和還原的銅+SAM層上(曲線C)的生長。這三個(gè)曲線說明了ALD抑制的SAM層60L如何相對于還原的銅(生長僅發(fā)生在N>150次ALD循環(huán))在SiO₂上幾乎不抑制(生長發(fā)生開始在N＝5次ALD循環(huán))。還觀察到該TMA預(yù)處理和后續(xù)硫醇SAM沉積是選擇性的，當(dāng)使用相同方法時(shí)有效硫醇SAM層60L沉積在Cu+CuAlO₂層50上但不在SiO₂上。這表明在該預(yù)處理的二氧化硅表面上的ALD工藝期間不存在顯著成核抑制。

S-ALD方法實(shí)例

本公開的一個(gè)方面包括進(jìn)行S-ALD，其作為在半導(dǎo)體器件的制造中形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝的一部分。

圖8A是俯視圖且圖8B是示例性金屬化襯底10M的橫截面視圖(沿線A-A)，該金屬化襯底10M包括在襯底10的上表面12上的介電層100(例如氧化物，例如SiO₂膜)和在氧化物膜上的金屬層20。金屬層20經(jīng)圖案化且界定電極。金屬圖案20包括金屬氧化物層22。氧化物膜可為用于半導(dǎo)體加工的任何氧化物，其中SiO₂是一個(gè)示例性氧化物。

圖9A至9D是當(dāng)使襯底10經(jīng)受提供ALD抑制的SAM層60L的上述方法時(shí)沿線A-A取得的金屬化襯底10M的橫截面視圖。參考圖9A，使圖案化金屬層20的金屬氧化物層22經(jīng)受上述還原工藝，其在圖案化金屬層20上形成金屬+金屬氧化物層50。如上所述，金屬+金屬氧化物層50可容納SAM分子60。

參考圖9B，接著將SAM分子60引入ALD室30的內(nèi)部32中以在由圖案化金屬層20界定的金屬+金屬氧化物層50的區(qū)段頂部上形成ALD抑制的SAM層60L。SAM分子60不在介電層100上自組裝以使得此層100保持可用于ALD涂覆。

參考圖9C和圖9D，進(jìn)行ALD工藝110，其在介電層100上但不在ALD抑制的SAM層60L的區(qū)段上沉積ALD膜120。一旦完成ALD工藝且在S iO₂層100上形成ALD膜120，就使用溫和的蝕刻劑移除ALD抑制的SAM層60L，留下具有金屬+金屬氧化物層50和ALD涂覆的介電層100的金屬電極。

對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將明顯的是，可以在不背離如在所附權(quán)利要求中限定的本公開的精神或范圍的情況下做出對于本文描述的本公開的優(yōu)選實(shí)施方案的各種不同的改變。因此，本公開覆蓋改變和變化，只要它們落入所附權(quán)利要求及其等價(jià)物的范圍內(nèi)。