一種超寬帶高性能六位移相器芯片的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型屬于電子通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種超寬帶高性能六位移相器芯片。本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種用以滿足在超寬帶應(yīng)用場(chǎng)景下能保持高性能的超寬帶高性能六位移相器芯片，包括電感L1、第一電容C1、第二電容C2、P型MOS管Q1、接地GND、射頻輸入IN、射頻輸出OUT，控制電平Bx。本實(shí)用新型采用交換線路和高通或低通濾波器的最佳組合，降低相位誤差低沒，從而提高精度、減小芯片內(nèi)部通路插損?？梢宰層脩舻南到y(tǒng)性能提升；增加快速清零結(jié)構(gòu)，讓開關(guān)速度顯著減小，提高系統(tǒng)效率。
【專利說明】
一種超寬帶高性能六位移相器芯片
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型屬于電子通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種超寬帶高性能六位移相器芯片。【背景技術(shù)】
[0002]根據(jù)頻率劃分，毫米波一般指的是波長(zhǎng)介于1mm?10mm的電磁波，隨著無線通信的發(fā)展，射頻開關(guān)得到了廣泛的應(yīng)用，如雷達(dá)/基站信號(hào)收發(fā)系統(tǒng)、測(cè)試儀表儀器。在此前提下，人們對(duì)于移相器提出了越來越高的要求，如超寬帶、低插損、多通道、移相組合靈活和小型化等。
[0003]移相器(PS，phase shifter)是用作射頻信號(hào)相位移動(dòng)的器件，應(yīng)用于雷達(dá)、基站、 儀表儀器等廣品。因此，超寬帶、尚性能的移相器，對(duì)于提尚系統(tǒng)性能起到了關(guān)鍵性的作用?！緦?shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種用以滿足在超寬帶應(yīng)用場(chǎng)景下能保持高性能的超寬帶高性能六位移相器芯片。
[0005]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種超寬帶高性能六位移相器芯片，包括電感L1、第一電容C1、第二電容C2、P型M0S管Q1、接地GND、射頻輸入IN、射頻輸出 0UT、控制電平Bx，
[0006]所述第一電容C1、電感L1、第二電容C2依次連接，所述P型M0S管Q1具有柵極、漏極、 源極，所述P型M0S管Q1的漏極與第二電容C2連接，源極與第一電容C1連接，柵極與控制電平 Bx連接；
[0007]所述接地GND連接在電感L1、第二電容C2之間，所述射頻輸入IN連接在P型M0S管Q1 的源極與第一電容C1之間，所述射頻輸出OUT連接在電感L1、第一電容C1之間。
[0008]進(jìn)一步的是，還包括微帶線，所述微帶線一端連接在射頻輸出OUT與電感L1之間， 另一端連接在射頻輸入IN與P型M0S管Q1的源極之間。
[0009]實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型采用交換線路和高通或低通濾波器的最佳組合，降低相位誤差低沒，從而提高精度、減小芯片內(nèi)部通路插損。可以讓用戶的系統(tǒng)性能提升;增加快速清零結(jié)構(gòu)，讓開關(guān)速度顯著減小，提高系統(tǒng)效率?！靖綀D說明】

[0010]圖1是本實(shí)用新型的電路示意圖。【具體實(shí)施方式】
[0011]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
[0012]如圖1所示，本實(shí)用新型的一種超寬帶高性能六位移相器芯片，包括電感L1、第一電容C1、第二電容C2、P型M0S管Q1、接地GND、射頻輸入IN、射頻輸出OUT、控制電平Bx，
[0013]所述第一電容C1、電感L1、第二電容C2依次連接，所述P型M0S管Q1具有柵極、漏極、 源極，所述P型M0S管Q1的漏極與第二電容C2連接，源極與第一電容C1連接，柵極與控制電平 Bx連接；[〇〇14]所述接地GND連接在電感L1、第二電容C2之間，所述射頻輸入IN連接在P型M0S管Q1 的源極與第一電容C1之間，所述射頻輸出OUT連接在電感L1、第一電容C1之間。優(yōu)選的實(shí)施方式是，還包括微帶線，所述微帶線一端連接在射頻輸出OUT與電感L1之間，另一端連接在射頻輸入IN與P型M0S管Q1的源極之間。[0〇15] 本實(shí)用新型采用-3V/0V負(fù)電平邏輯控制；當(dāng)控制電平Bx為-3V時(shí)，P型M0S管Q1關(guān)閉，射頻信號(hào)從射頻輸入IN進(jìn)過經(jīng)第一電容C1、微帶線流向射頻輸出0UT，射頻信號(hào)相位未實(shí)現(xiàn)移動(dòng)；當(dāng)控制電平Bx為0V時(shí)，P型M0S管Q1導(dǎo)通，射頻信號(hào)從射頻輸入IN進(jìn)過經(jīng)電感L1、 第二電容C2組成的濾波網(wǎng)絡(luò)、導(dǎo)通的P型M0S管Q1流向射頻輸出OUT，射頻信號(hào)進(jìn)行特定角度的移相。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種超寬帶高性能六位移相器芯片，其特征在于，包括電感L1、第一電容Cl、第二電 容C2、P型MOS管Q1、接地GND、射頻輸入IN、射頻輸出OUT、控制電平Bx，所述第一電容Cl、電感L1、第二電容C2依次連接，所述P型M0S管Q1具有柵極、漏極、源 極，所述P型M0S管Q1的漏極與第二電容C2連接，源極與第一電容C1連接，柵極與控制電平Bx 連接；所述接地GND連接在電感L1、第二電容C2之間，所述射頻輸入IN連接在P型M0S管Q1的源 極與第一電容C1之間，所述射頻輸出OUT連接在電感L1、第一電容C1之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超寬帶高性能六位移相器芯片，其特征在于，還包括微帶 線，所述微帶線一端連接在射頻輸出OUT與電感L1之間，另一端連接在射頻輸入IN與P型M0S 管Q1的源極之間。
【文檔編號(hào)】H01P1/18GK205692941SQ201620592341
【公開日】2016年11月16日
【申請(qǐng)日】2016年6月17日 公開號(hào)201620592341.7, CN 201620592341, CN 205692941 U, CN 205692941U, CN-U-205692941, CN201620592341, CN201620592341.7, CN205692941 U, CN205692941U
【發(fā)明人】羅力偉, 王祈鈺
【申請(qǐng)人】四川益豐電子科技有限公司