本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，尤其是涉及一種基于alinassb體材料作倍增區(qū)的雪崩光電二極管及其制備方法。

背景技術(shù)：

光電探測器在軍事和國民經(jīng)濟的各個領(lǐng)域有著廣泛的用途，在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業(yè)自動控制、光度計量等；在紅外波段主要用于導(dǎo)彈制導(dǎo)、紅外熱成像、紅外遙感等方面。近些年來，由于光通信系統(tǒng)快速發(fā)展，對接收機的響應(yīng)度和響應(yīng)速度要求越來越高，也對光電探測器的靈敏度提出了更高的要求。

現(xiàn)有的光電探測器中，pin光電二極管具有結(jié)構(gòu)簡單、制備工藝容易實現(xiàn)、可以承受較高反偏壓、線性輸出范圍較寬等優(yōu)點，其典型器件硅pin大面積光電探測器廣泛應(yīng)用于激光探測系統(tǒng)、快速脈沖探測儀等，但是由于pin光電二極管的本征i層電阻很大、輸出電流小，在進行微弱光探測時，其探測靈敏度相對偏低，需要借助前置放大器對信號進行前置放大然后再檢測，這就使得探測靈敏度受外部放大器的熱噪聲限制，使得通信系統(tǒng)的中繼距離變短，所需中繼站數(shù)目增多，提高了整個系統(tǒng)的運行成本；而雪崩光電二極管(avalanchephoto-diode，apd)可以提供比pin光電二極管高5db～10db的靈敏度，在微弱光探測方面相較pin光電二極管有著較大的優(yōu)勢。

然而，針對目前對光電探測器的高靈敏度需求來說，現(xiàn)有的雪崩光電二極管apd仍需要進一步提高其探測靈敏度。雪崩光電二極管apd由于其內(nèi)部產(chǎn)生增益而具有較高的靈敏度，但同時其增益的隨機性會伴隨著額外的噪聲，且傳統(tǒng)的apd采用si、inp、inalas等材料作倍增區(qū)，存在增益-帶寬積的限制，即高增益時，由于雪崩建立時間增加，帶寬會降低，從而限制了接收機的響應(yīng)速度，因此，需要提出一種低噪聲、高增益-帶寬積、低暗電流、高響應(yīng)的apd，以滿足光電探測器的高靈敏度需求。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

(一)要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明提供了一種基于alinassb體材料作倍增區(qū)的雪崩光電二極管及其制備方法，以至少部分解決以上所提出的技術(shù)問題。

(二)技術(shù)方案

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種基于alinassb體材料作倍增區(qū)的雪崩光電二極管，包括：襯底100；緩沖層200，外延于襯底100之上；n型歐姆接觸層300，外延于緩沖層200之上且橫截面為“凸”的形狀，其下半部分與襯底100的形狀一致，其上半部分為圓柱狀；雪崩倍增層400，外延于n型歐姆接觸層300上半部分上表面之上，由alxin1-xasysb1-y體材料制備，摻雜濃度小于10¹⁶cm^-3，x的取值范圍為：0≤x≤1，y的取值范圍為：0.08≤y≤1；p型電荷層500，外延于雪崩倍增層400之上；光吸收層600，外延于p型電荷層500之上；以及p型歐姆接觸層700，外延于光吸收層600之上。

在本發(fā)明的一個實施例中，基于alinassb體材料作倍增區(qū)的雪崩光電二極管還包括：鈍化層800，沉積于n型歐姆接觸層300下半部分的上表面之上以及雪崩倍增層400、p型電荷層500、光吸收層600和p型歐姆接觸層700的外側(cè)；p型電極910，沉積于p型歐姆接觸層700之上，呈環(huán)形，其外側(cè)與鈍化層800接觸；n型電極920，沉積于n型歐姆接觸層300下半部分之上，呈環(huán)形，其內(nèi)、外側(cè)均與鈍化層800接觸；以及通光孔1000，為p型歐姆接觸層700上表面未覆蓋p型電極910的空間。

在本發(fā)明的一個實施例中，雪崩倍增層400的制備材料alxin1-xasysb1-y中的al組分x以及as組分y滿足如下關(guān)系式：

對于inp襯底，x取值為：0.48≤x≤1，

對于gasb襯底，x取值為：0≤x≤1，

在本發(fā)明的一個實施例中，襯底100選用如下材料中的一種制備：gasb、inp和inas；緩沖層200與襯底100的制備材料相同；n型歐姆接觸層300選用摻te的gasb材料，摻雜濃度為3×10¹⁸cm^-3，其厚度介于400nm～600nm之間；雪崩倍增層400的厚度介于200nm～5μm之間，p型電荷層500采用p型離子摻雜的alxin1-xasysb1-y體材料，摻雜濃度介于5×10¹⁶cm^-3～5×10¹⁷cm^-3之間，其厚度介于20nm～200nm之間；光吸收層600選用以下材料中的一種或幾種：gasb、inx’ga1-x’as、alx”in1-x”asy”sb1-y”、inx”’ga1-x”’asy”’sb1-y”’、inas/gasb超晶格和inas/alsb超晶格，以上材料的摻雜濃度小于10¹⁶cm^-3，厚度介于200nm～5μm之間，其中，x’，x”，x”’，y”，y”’表示各元素的組分，取值范圍介于0至1之間；p型歐姆接觸層700選用be摻雜的gasb材料，摻雜濃度為5×10¹⁸cm^-3，其厚度介于150nm～250nm之間；鈍化層800包括：電鍍層810和介質(zhì)膜層820，其中，介質(zhì)膜層820包覆于電鍍層810的外側(cè)。

在本發(fā)明的一個實施例中，電鍍層810選用的材料為硫，其厚度介于25nm～35nm之間；介質(zhì)膜層820選用的材料為sio2或zns，其厚度介于150nm～250nm之間；p型電極910與n型電極920均選用自下而上沉積的金屬層ti/pt/au制備。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種基于alinassb體材料作倍增區(qū)的雪崩光電二極管的制備方法，包括：在襯底100上方依次外延生長緩沖層200、n型歐姆接觸層300、雪崩倍增層400、p型電荷層500、光吸收層600以及p型歐姆接觸層700，得到外延片；在制備好的外延片上通過標準光刻技術(shù)以及濕法腐蝕或干法刻蝕制作臺面，刻蝕深度到達n型歐姆接觸層300，使n型歐姆接觸層300的橫截面為“凸”的形狀；

其中，臺面包括：n型歐姆接觸層300下半部分的上表面、上半部分的側(cè)面；依次外延的雪崩倍增層400、p型電荷層500、光吸收層600和p型歐姆接觸層700的外側(cè)；以及p型歐姆接觸層700的上表面。

在本發(fā)明的一個實施例中，基于alinassb體材料作倍增區(qū)的雪崩光電二極管的制備方法還包括：在臺面上沉積鈍化層800，利用光刻進行刻蝕，刻蝕臺面上方的鈍化層形成刻蝕孔1001，用于制作p型電極和通光孔；在臺面四周刻蝕環(huán)形電極窗口1100，刻蝕深度至n型歐姆接觸層300下半部分上表面，用于制作n型電極；沉積環(huán)形的p型電極910與n型電極920，其中，p型電極910沉積于刻蝕孔1001邊緣，內(nèi)側(cè)未覆蓋電極的空間即為通光孔1000，n型電極920沉積于電極窗口1100上；以及剝離去除p型電極910和n型電極920以外的金屬，完成雪崩光電二極管的制備。

在本發(fā)明的一個實施例中，沉積鈍化層800的方法包括：在臺面上通過電鍍沉積一層電鍍層810，然后繼續(xù)沉積介質(zhì)膜層820，包覆于電鍍層的外側(cè)。

在本發(fā)明的一個實施例中，通過電鍍沉積一層電鍍層810的方法包括：電鍍層選用的材料為硫，在無水硫化鈉的乙二醇溶液中進行電鍍的操作；電鍍層的厚度介于25nm～35nm之間。

在本發(fā)明的一個實施例中，外延生長的方式采用分子束外延mbe；沉積介質(zhì)膜層的方式采用磁控濺射；濕法腐蝕采用磷酸、檸檬酸、雙氧水配制成的濕法腐蝕液進行腐蝕；干法刻蝕采用感應(yīng)耦合等離子體刻蝕icp技術(shù)。

(三)有益效果

從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明提供的基于alinassb體材料作倍增區(qū)的雪崩光電二極管及其制備方法，至少具有以下有益效果之一：

1、采用alinassb體材料作為雪崩倍增層，具有單載流子離化特性，空穴基本不離化，唯有電子離化，從而使電子、空穴離化系數(shù)相差較大，噪聲大大降低；不存在由于雪崩建立時間而產(chǎn)生的增益-帶寬積限制，可以實現(xiàn)高增益-帶寬積，滿足高靈敏度需求；

2、雪崩倍增層alxin1-xasysb1-y可以根據(jù)不同襯底的晶格常數(shù)確定非故意摻雜的al組分x及as組分y，通過增加a1組分可以增加雪崩倍增區(qū)的禁帶寬度，甚至使雪崩倍增區(qū)變?yōu)殚g接帶隙材料，可以有效降低隧穿暗電流；另外在滿足晶格匹配的同時可以通過調(diào)控禁帶寬度實現(xiàn)能帶工程方面的設(shè)計，在保證高靈敏度的同時拓寬了適用范圍；

3、光吸收層可以根據(jù)所需吸收波長采用和襯底晶格匹配的非故意摻雜的iii-v族材料，覆蓋范圍從短波到長波紅外，表現(xiàn)出較高的靈活性。

附圖說明

圖1a和圖1b分別為根據(jù)本發(fā)明實施例基于alinassb體材料作倍增區(qū)的雪崩光電二極管的垂直剖面結(jié)構(gòu)與立體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為根據(jù)本發(fā)明實施例基于alinassb體材料作倍增區(qū)的雪崩光電二極管的制備方法的流程圖。

圖3為實施圖2所示基于alinassb體材料作倍增區(qū)的雪崩光電二極管的制備方法流程各步驟對應(yīng)的垂直剖面結(jié)構(gòu)示意圖，其中，(a)為制備好的外延片的結(jié)構(gòu)圖，(b)為通過刻蝕得到臺面的結(jié)構(gòu)示意圖，(c)為在臺面上沉積鈍化層后得到的結(jié)構(gòu)示意圖，(d)為光刻后得到通光孔與電極窗口的結(jié)構(gòu)示意圖，(e)為沉積p型電極與n型電極，剝離去除p型電極與n型電極之外的金屬后的結(jié)構(gòu)示意圖。

【符號說明】

100-襯底；200-緩沖層；

300-n型歐姆接觸層；400-雪崩倍增層；

500-p型電荷層；600-光吸收層；

700-p型歐姆接觸層；

800-鈍化層；

810-電鍍層；820-介質(zhì)膜層；

910-p型電極；920-n型電極；

1000-通光孔；1100-電極窗口

1001-刻蝕孔。

具體實施方式

本發(fā)明提供了一種基于alinassb體材料作倍增區(qū)的雪崩光電二極管及其制備方法，通過采用alinassb體材料作為雪崩倍增層，具有單載流子離化特性，不存在由于雪崩建立時間而產(chǎn)生的增益-帶寬積限制，具有低噪聲、高增益-帶寬積的優(yōu)點，同時可以通過采用不同晶格常數(shù)的襯底來實現(xiàn)對其禁帶寬度的調(diào)控，有效降低了暗電流，在滿足光電探測器高靈敏度需求的同時，還可以實現(xiàn)能帶工程的設(shè)計，拓寬了其適用范圍。

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合具體實施例，并參照附圖，對本發(fā)明作進一步詳細說明。

在本發(fā)明的一個示例性實施例中，提供了一種基于alinassb體材料作倍增區(qū)的雪崩光電二極管。圖1a和圖1b分別為根據(jù)本發(fā)明實施例基于alinassb體材料作倍增區(qū)的雪崩光電二極管的垂直剖面結(jié)構(gòu)與立體結(jié)構(gòu)示意圖，參照圖1a和圖1b所示，基于alinassb體材料作倍增區(qū)的雪崩光電二極管，包括：

襯底100；

緩沖層200，位于襯底之上，與襯底上表面接觸；

n型歐姆接觸層300，位于緩沖層200之上，與緩沖層200上表面接觸，橫截面呈“凸”的形狀，其下半部分與襯底100的形狀一致，其上半部分為圓柱狀，；

雪崩倍增層400，位于n型歐姆接觸層300之上，與其上表面接觸，由alxin1-xasysb1-y體材料制備，摻雜濃度小于10¹⁶cm^-3，x的取值范圍為：0≤x≤1，y的取值范圍為：0.08≤y≤1；

p型電荷層500，位于雪崩倍增層400之上，與其上表面接觸；

光吸收層600，位于p型電荷層500之上，與其上表面接觸；

p型歐姆接觸層700，位于光吸收層600之上，與其上表面接觸；

鈍化層800，包覆于臺面?zhèn)缺诘耐鈧?cè)，覆蓋臺面的上表面和下表面的一部分；

p型電極910，呈環(huán)形，位于臺面上表面之上，與p型歐姆接觸層700的上表面接觸，外側(cè)與鈍化層800接觸；

通光孔1000，為p型歐姆接觸層700上表面未覆蓋p型電極910的空間；

n型電極920，呈環(huán)形，位于臺面下表面之上，與n型歐姆接觸層300的上表面接觸，內(nèi)、外側(cè)均與鈍化層800接觸；

其中，臺面包括：n型歐姆接觸層300下半部分的上表面、上半部分的側(cè)面；依次外延的雪崩倍增層400、p型電荷層500、光吸收層600和p型歐姆接觸層700的外側(cè)；以及p型歐姆接觸層700的上表面。

下面對本實施例基于alinassb體材料作倍增區(qū)的雪崩光電二極管的各個部分做詳細介紹。表1為本實施例基于alinassb體材料作倍增區(qū)的雪崩光電二極管的結(jié)構(gòu)選用的材料及具體參數(shù)表。

襯底100由gasb、inp或inas材料中的一種制備，本實施例中襯底100選用gasb材料；

緩沖層200也選用gasb材料，外延生長于gasb襯底上；其厚度介于150nm～300nm之間；本實施例緩沖層200厚度為200nm；

表1雪崩光電二極管的各部分的材料及具體參數(shù)表

n型歐姆接觸層300選用摻te的gasb材料，外延生長于緩沖層200之上；其厚度介于400nm～600nm之間，本實施例其厚度為500nm；n型離子的摻雜濃度為3×10¹⁸cm^-3；

緩沖層200是在襯底100上外延得到的，故其形狀與襯底一致，本實施例中以矩形襯底為例，但本發(fā)明不局限于矩形，還可以是圓形、扇形或者其他符合實際生產(chǎn)工藝的襯底形狀；

n型歐姆接觸層300是外延于緩沖層200之上，后又經(jīng)過刻蝕上半部分得到的，故其下半部分與襯底的形狀一致，上半部分呈圓柱形，橫截面呈現(xiàn)“凸”的形狀；

雪崩倍增層400由非故意摻雜的alxin1-xasysb1-y體材料制備，可以根據(jù)不同襯底的晶格常數(shù)調(diào)控alxin1-xasysb1-y的al組分x以及as組分y，實現(xiàn)晶格匹配，其中y的取值依賴于x的取值；

例如：對于inp襯底，x的范圍是0.48≤x≤1，對于gasb襯底，x的范圍是0≤x≤1，

其中，雪崩倍增層400的厚度介于200nm～5μm之間；

本實施例中，非故意摻雜的雪崩倍增層400為：al0.8in0.2as0.2338sb0.7662，其厚度為1μm；

p型電荷層500采用p型離子摻雜的alxin1-xasysb1-y體材料，其厚度介于20nm～200nm之間，摻雜濃度介于5×10¹⁶cm^-3～5×10¹⁷cm^-3之間；

本實施例選用be摻雜的al0.8in0.2as0.23385b0.7662，其厚度為150nm，摻雜濃度為1.3×10¹⁷cm^-3；

gasb、inx’ga1-x’as、alx”in1-x”asy”sb1-y”、inx”’ga1-x”’asy”’sb1-y”’、inas/gasb超晶格和inas/alsb超晶格，其吸收波長覆蓋范圍為：短波到長波紅外；其中，x’，x”，x”’，y”，y”’表示各元素的組分，取值范圍介于0至1之間；

光吸收層600的厚度介于200nm～5μm之間，本實施例中光吸收層600采用非故意摻雜的gasb材料，厚度為1μm；

p型歐姆接觸層700選用be摻雜的gasb材料，其厚度介于150nm～250nm之間，本實施例其厚度為200nm，p型離子的摻雜濃度為5×10¹⁸cm^-3；

鈍化層800包括電鍍層810和介質(zhì)膜層820，其中電鍍層810為硫，介質(zhì)膜層820選用sio2或zns，介質(zhì)膜層包覆于電鍍層的外側(cè)；

p型電極910與n型電極920均采用自下而上沉積的金屬層ti/pt/au；

與傳統(tǒng)的雪崩光電二極管apd相比，在光吸收層600和雪崩倍增層400之間設(shè)置p型電荷層500，實現(xiàn)對電場分布的調(diào)控作用，將吸收區(qū)與倍增區(qū)分離，保證了雪崩倍增層400中的al0.8in0.2as0.2338sb0.7662發(fā)生明顯倍增時，gasb窄禁帶光吸收層600的電場強度足夠小而不至于發(fā)于雪崩或隧穿，而其大小又能夠保證光吸收區(qū)的電子、空穴通過漂移機制得以分離；

需要說明的是，本實施例中光吸收層、雪崩倍增層以及緩沖層的摻雜濃度均小于1×10¹⁶cm^-3，通常為1×10¹⁵cm^-3的量級，非故意摻雜在本文中的含義表示其摻雜濃度為材料生長過程中自主產(chǎn)生的，不是通過離子注入、或者其他摻雜的手段實現(xiàn)的，但本發(fā)明并不局限于此，其他途徑只要滿足相關(guān)摻雜濃度也符合要求。

在本發(fā)明的另一個示例性實施例中，提供了一種上述實施例所示基于alinassb體材料作倍增區(qū)的雪崩光電二極管的制備方法。

圖2為根據(jù)本發(fā)明實施例基于alinassb體材料作倍增區(qū)的雪崩光電二極管的制備方法的流程圖；圖3為實施圖2所示基于alinassb體材料作倍增區(qū)的雪崩光電二極管的制備方法流程各步驟對應(yīng)的垂直剖面結(jié)構(gòu)示意圖，其中，(a)為制備好的外延片的結(jié)構(gòu)圖，(b)為通過刻蝕得到臺面的結(jié)構(gòu)示意圖，(c)為在臺面上沉積鈍化層后得到的結(jié)構(gòu)示意圖，(d)為光刻后得到通光孔與電極窗口的結(jié)構(gòu)示意圖，(e)為沉積p型電極與n型電極，剝離去除p型電極與n型電極之外的金屬后的結(jié)構(gòu)示意圖。

參照圖2和圖3所示，基于alinassb體材料作倍增區(qū)的雪崩光電二極管的制備方法，包括：

步驟s202：在制備好的外延片上通過標準光刻技術(shù)以及濕法腐蝕或干法刻蝕制作臺面，刻蝕深度到達n型歐姆接觸層；

上述制備外延片的過程為：依次在襯底100上方外延生長緩沖層200、n型歐姆接觸層300、雪崩倍增層400、p型電荷層500、光吸收層600以及p型歐姆接觸層700；外延生長后的結(jié)果示意圖如圖3中(a)所示；

外延生長采用分子束外延mbe的方式；

濕法腐蝕采用磷酸、檸檬酸、雙氧水配制成的濕法腐蝕液進行腐蝕；干法刻蝕采用感應(yīng)耦合等離子體刻蝕icp技術(shù)；

臺面包括：n型歐姆接觸層300下半部分的上表面、上半部分的側(cè)面；依次外延的雪崩倍增層400、p型電荷層500、光吸收層600和p型歐姆接觸層700的外側(cè)；以及p型歐姆接觸層700的上表面；本實施例中刻蝕深度為2.6μm，刻蝕到n型接觸層；刻蝕后的結(jié)果示意圖如圖3中(b)所示；

步驟s204：在臺面上沉積鈍化層800，然后進行標準光刻，刻蝕臺面上方的鈍化層800形成刻蝕孔1001，用于制作p型電極和通光孔；在臺面四周刻蝕環(huán)形電極窗口1100，刻蝕深度至n型歐姆接觸層300下半部分上表面，用于制作n型電極；

鈍化層800包括電鍍層810和介質(zhì)膜層820，沉積鈍化層包括：在臺面上通過電鍍沉積一層電鍍層，然后繼續(xù)沉積介質(zhì)膜層，包覆于電鍍層的外側(cè)；其中，電鍍層為硫，介質(zhì)膜層為sio2或zns，沉積完鈍化層的結(jié)果示意圖如圖3中(c)所示；

本實施例中電鍍層為硫，介質(zhì)膜層為sio2，采用硫?qū)逾g化是為了飽和臺面?zhèn)缺诘膽覓戽I，減小表面漏電流，起到增加物理鈍化的效果；

本實施例中沉積鈍化層和制備出刻蝕孔、電極窗口包括：

在無水硫化鈉的乙二醇溶液中將外延片電鍍30nm的硫，然后用磁控濺射沉積一層200nm的sio2覆蓋在硫上面；

光刻并用hf緩沖液腐蝕sio2和硫，在臺面上方開出一個略小于臺面大小的刻蝕孔1001用于制作p型電極和通光孔；在臺面四周刻蝕環(huán)形電極窗口1100，用于制作n型電極；通過刻蝕形成刻蝕孔1001和電極窗口1100的結(jié)果示意圖如圖3中(d)所示；

步驟s206：沉積環(huán)形的p型電極910與n型電極920，其中，p型電極沉積于刻蝕孔1001邊緣，內(nèi)側(cè)未覆蓋電極的空間即為通光孔1000，n型電極920沉積于電極窗口上，剝離去除p型電極和n型電極以外的金屬，完成雪崩光電二極管的制備，結(jié)果圖如圖3中(e)所示；

p型電極910與n型電極920均為依次沉積的ti/pt/au三種金屬。

綜上所述，本實施例提供的基于alinassb體材料作倍增區(qū)的雪崩光電二極管的制備方法，通過采用alinassb體材料作為雪崩倍增層，具有單載流子離化特性，不存在由于雪崩建立時間而產(chǎn)生的增益-帶寬積限制，具有低噪聲、高增益-帶寬積的優(yōu)點，同時可以通過采用不同晶格常數(shù)的襯底來實現(xiàn)對其禁帶寬度的調(diào)控，有效降低了暗電流，在滿足光電探測器高靈敏度需求的同時，還可以實現(xiàn)能帶工程的設(shè)計，拓寬了其適用范圍；并且光吸收層可以根據(jù)所需吸收波長采用和襯底晶格匹配的非故意摻雜的iii-v族材料，覆蓋范圍從短波到長波紅外，表現(xiàn)出較高的靈活性。

還需要說明的是，本文可提供包含特定值的參數(shù)的示范，但這些參數(shù)無需確切等于相應(yīng)的值，而是可在可接受的誤差容限或設(shè)計約束內(nèi)近似于相應(yīng)值。實施例中提到的方向用語，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，僅是參考附圖的方向，并非用來限制本發(fā)明的保護范圍。此外，除非特別描述或必須依序發(fā)生的步驟，上述步驟的順序并無限制于以上所列，且可根據(jù)所需設(shè)計而變化或重新安排。并且上述實施例可基于設(shè)計及可靠度的考慮，彼此混合搭配使用或與其他實施例混合搭配使用，即不同實施例中的技術(shù)特征可以自由組合形成更多的實施例。

當然，根據(jù)實際需要，本發(fā)明提供的基于alinassb體材料作倍增區(qū)的雪崩光電二極管的制備方法還包含其他的常用制備方法和步驟，由于同發(fā)明的創(chuàng)新之處無關(guān)，此處不再贅述。

應(yīng)該注意的是上述實施例對本發(fā)明進行說明而不是對本發(fā)明進行限制，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離所附權(quán)利要求的范圍的情況下可設(shè)計出替換實施例。在權(quán)利要求中，不應(yīng)將位于括號之間的任何參考符號構(gòu)造成對權(quán)利要求的限制。

以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。