技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制備方法。該制備方法包括在一陣列基板上形成數(shù)據(jù)線、石墨烯源極以及柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成掃描線和柵極；在所述數(shù)據(jù)線、掃描線和柵極上形成鈍化層，并對所述石墨烯源極進行離子注入，以將部分所述石墨烯源極轉換為半導體有源層；在所述半導體有源層及所述鈍化層上分別形成漏極和ITO像素電極。通過上述方式，利用石墨烯制備石墨烯源極以及半導體有源層，能夠利用石墨烯高導電率的特性，提高陣列基板中導電效率。

技術研發(fā)人員：周志超
受保護的技術使用者：深圳市華星光電技術有限公司
技術研發(fā)日：2017.05.22
技術公布日：2017.09.12