技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種低電容單向TVS器件，包括反向并聯(lián)的兩個低電容二極管，其中一個低電容二極管與TVS二極管串聯(lián)；本發(fā)明還提供一種低電容單向TVS器件制造方法，所述方法包括以下步驟：襯底材料準(zhǔn)備、氧化、P+型埋層區(qū)光刻、硼離子注入及推結(jié)、外延生長、外延層氧化、隔離區(qū)光刻、磷離子注入及推結(jié)、N?基區(qū)光刻、磷離子注入及推結(jié)、N基區(qū)光刻、磷離子注入及推結(jié)、P+注入?yún)^(qū)光刻、硼離子注入及推結(jié)、N+注入?yún)^(qū)光刻、磷離子注入及推結(jié)、引線孔光刻、蒸鋁、鋁反刻、減薄、背面金屬化。本發(fā)明通過TVS二極管與低電容二極管的串聯(lián)，起到了降低器件的電容值作用，保證了電子產(chǎn)品在使用中，不會因?yàn)門VS器件的寄生電容過大，影響其正常的工作。

技術(shù)研發(fā)人員：徐玉豹;鄒有彪;童懷志;劉宗賀;廖航;王泗禹;王禺
受保護(hù)的技術(shù)使用者：安徽富芯微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.22
技術(shù)公布日：2017.09.15