本技術(shù)涉及l(fā)ed，特別是涉及一種直顯多合1led顆粒。

背景技術(shù)：

1、led直顯是一種先進(jìn)的顯示方式。如miniled直顯，是將miniled芯片直接作為顯示像素點(diǎn)，以此提供成像的基本單位，從而實(shí)現(xiàn)圖像顯示。其具有高亮度、寬色域、高對比度、高速響應(yīng)、低功耗和長壽命等優(yōu)勢。因為，miniled背光源實(shí)現(xiàn)相對容易，普及度會更高。miniled背光產(chǎn)品主要集中在110寸以下的顯示領(lǐng)域，應(yīng)用場景包括tv、手機(jī)、電競、車載顯示屏等。目前，miniled背光行業(yè)，投入較多，研究較深的品牌在國內(nèi)就要數(shù)tcl了，tcl已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了qled與miniled的融合，目前已經(jīng)發(fā)展到第三代，不但亮度，對比度更高，光控更好，而且顯示色域更廣，色差更低。

2、現(xiàn)有chip?led直顯四合一產(chǎn)品，使用晶片組數(shù)為4組rgb晶片，此產(chǎn)品在制程生產(chǎn)過程中因晶片組數(shù)多，使得制程良率低制造成本高，同步等間距下模組應(yīng)用成本高，對產(chǎn)品推廣及應(yīng)用有難度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的是提供了一種直顯多合1led顆粒，減少了晶片的使用，降低了使用成本，降低了應(yīng)用難度。

2、為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種直顯多合1led顆粒，包括晶片主體以及設(shè)置在所述晶片主體的第一rgb單元和第二rgb單元，所述第一rgb單元中的任意相鄰的兩個光模塊與最近的所述第二rgb單元的所述光模塊組成第三rgb單元，所述第二rgb單元中的任意相鄰的兩個所述光模塊與最近的所述第一rgb單元的所述光模塊組成第四rgb單元。

3、其中，所述第一rgb單元的光模塊位于同一直線上、所述第二rgb單元的光模塊位于同一直線上，所述第一rgb單元與所述第二rgb單元平行。

4、其中，所述第二rgb單元與所述第一rgb單元的相同類型的光模塊之間的間距相等。

5、其中，所述第三rgb單元中的所述第二rgb單元的所述光模塊位于所述第一rgb單元中的兩個所述光模塊的中垂線上，所述第四rgb單元中的所述第一rgb單元的所述光模塊位于所述第二rgb單元中的兩個所述光模塊的中垂線上。

6、其中，所述第一rgb單元的第一r光模塊、第一g光模塊、第一b光模塊中相鄰光模塊之間的間距為0.5-0.6mm，所述第二rgb單元的第二r光模塊、第二g光模塊、第二b光模塊中相鄰光模塊之間的間距為0.5-0.6mm。

7、其中，所述第一rgb單元相鄰光模塊之間的間距與所述第二rgb單元的相鄰光模塊之間的間距相等。

8、其中，所述第一rgb單元和所述第二rgb單元之間的間距為0.7-0.8mm。

9、其中，所述晶片主體為邊長為1.5-1.6mm的正方形的晶片主體。

10、本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的直顯多合1led顆粒，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)：

11、本實(shí)用新型實(shí)施例提供的直顯多合1led顆粒，通過使得第一rgb單元中的任意相鄰的兩個光模塊與最近的第二rgb單元的光模塊組成第三rgb單元，第二rgb單元中的任意相鄰的兩個光模塊與最近的第一rgb單元的光模塊組成第四rgb單元，實(shí)現(xiàn)了采用兩個rgb單元獲得四個像素點(diǎn)的功能，在現(xiàn)有晶片的基礎(chǔ)上，減少了rgb單元的使用，降低了制造成本。

技術(shù)特征：

1.一種直顯多合1led顆粒，其特征在于，包括晶片主體以及設(shè)置在所述晶片主體的第一rgb單元和第二rgb單元，所述第一rgb單元中的任意相鄰的兩個光模塊與最近的所述第二rgb單元的所述光模塊組成第三rgb單元，所述第二rgb單元中的任意相鄰的兩個所述光模塊與最近的所述第一rgb單元的所述光模塊組成第四rgb單元。

2.如權(quán)利要求1所述直顯多合1led顆粒，其特征在于，所述第一rgb單元的光模塊位于同一直線上、所述第二rgb單元的光模塊位于同一直線上，所述第一rgb單元與所述第二rgb單元平行。

3.如權(quán)利要求1所述直顯多合1led顆粒，其特征在于，所述第二rgb單元與所述第一rgb單元的相同類型的光模塊之間的間距相等。

4.如權(quán)利要求1所述直顯多合1led顆粒，其特征在于，所述第三rgb單元中的所述第二rgb單元的所述光模塊位于所述第一rgb單元中的兩個所述光模塊的中垂線上，所述第四rgb單元中的所述第一rgb單元的所述光模塊位于所述第二rgb單元中的兩個所述光模塊的中垂線上。

5.如權(quán)利要求1-4中任意一項所述直顯多合1led顆粒，其特征在于，所述第一rgb單元的第一r光模塊、第一g光模塊、第一b光模塊中相鄰光模塊之間的間距為0.5-0.6mm，所述第二rgb單元的第二r光模塊、第二g光模塊、第二b光模塊中相鄰光模塊之間的間距為0.5-0.6mm。

6.如權(quán)利要求5所述直顯多合1led顆粒，其特征在于，所述第一rgb單元相鄰光模塊之間的間距與所述第二rgb單元的相鄰光模塊之間的間距相等。

7.如權(quán)利要求6所述直顯多合1led顆粒，其特征在于，所述第一rgb單元和所述第二rgb單元之間的間距為0.7-0.8mm。

8.如權(quán)利要求7所述直顯多合1led顆粒，其特征在于，所述晶片主體為邊長為1.5-1.6mm的正方形的晶片主體。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種直顯多合1LED顆粒，包括晶片主體以及設(shè)置在晶片主體的第一RGB單元和第二RGB單元，第一RGB單元中的任意相鄰的兩個光模塊與最近的第二RGB單元的光模塊組成第三RGB單元，第二RGB單元中的任意相鄰的兩個光模塊與最近的第一RGB單元的光模塊組成第四RGB單元。通過使得第一RGB單元中的任意相鄰的兩個光模塊與最近的第二RGB單元的光模塊組成第三RGB單元，第二RGB單元中的任意相鄰的兩個光模塊與最近的第一RGB單元的光模塊組成第四RGB單元，實(shí)現(xiàn)了采用兩個RGB單元獲得四個像素點(diǎn)的功能，在現(xiàn)有晶片的基礎(chǔ)上，減少了RGB單元的使用，降低了制造成本。

技術(shù)研發(fā)人員：唐加良
受保護(hù)的技術(shù)使用者：鹽城東山精密制造有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231214
技術(shù)公布日：2025/4/10