本公開(kāi)總體上涉及電阻器以及用于制造電阻器的方法。更具體地，本公開(kāi)涉及包括絕緣基底和設(shè)置在絕緣基底上的電阻體的電阻器，以及用于制造該電阻器的方法。

背景技術(shù)：

1、專利文獻(xiàn)1公開(kāi)了一種片式電阻器(電阻器)，其包括絕緣基底、電阻體和一對(duì)上表面電極(電極)。電阻體設(shè)置在絕緣基底上。這對(duì)上表面電極被設(shè)置為在電阻體的兩個(gè)縱向端部處部分地覆蓋電阻體的上表面。

2、在專利文獻(xiàn)1的片式電阻器中，首先在絕緣基底上形成電阻體，在電阻體上形成一對(duì)上表面電極，然后進(jìn)行熱處理。因此，在一些情況下，可能在這對(duì)上表面電極中的至少一個(gè)電極上形成氧化物膜。結(jié)果，有時(shí)難以通過(guò)使探針與這對(duì)上表面電極中的每一個(gè)電極接觸來(lái)調(diào)整電阻體的電阻值(即進(jìn)行修整)。

3、引用清單

4、專利文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)1：jp?2020-170843?a

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)的一個(gè)目的是提供一種允許調(diào)整其電阻體的電阻值的電阻器，以及提供一種用于制造該電阻器的方法。

2、根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面的電阻器包括絕緣基底、電阻體、電極和氧氮化物膜。所述電阻體含有cr、si和n，并且設(shè)置在所述絕緣基底上。所述電極含有cu或ag中的至少一種，并且設(shè)置在所述電阻體上。所述氧氮化物膜設(shè)置在所述電阻體上。所述電極和所述氧氮化物膜在垂直于第一方向的第二方向并排布置。所述第一方向限定關(guān)于所述絕緣基底的厚度方向。所述氧氮化物膜是第一氧氮化物膜、第二氧氮化物膜或第三氧氮化物膜。所述第一氧氮化物膜被布置為與所述電極在所述第二方向上的端部接觸。所述第二氧氮化物膜被布置為在所述第二方向上在所述電極和所述第二氧氮化物膜自身之間留下間隙。所述第三氧氮化物膜被布置為在所述第一方向上與所述電極的一部分重疊。

3、根據(jù)本公開(kāi)的另一個(gè)方面的制造電阻器的方法包括基底提供步驟、電阻體形成步驟、氧氮化物膜形成步驟、氧氮化物膜除去步驟和電極形成步驟。所述基底提供步驟包括提供絕緣基底。所述電阻體形成步驟包括在所述絕緣基底上形成電阻體。所述氧氮化物膜形成步驟包括：通過(guò)對(duì)在所述電阻體形成步驟中形成的電阻體進(jìn)行熱處理而在所述電阻體上形成氧氮化物膜。所述氧氮化物膜除去步驟包括：通過(guò)蝕刻除去在所述氧氮化物膜形成步驟中形成的所述氧氮化物膜的至少一部分。所述電極形成步驟包括：在所述電阻體的已經(jīng)在所述氧氮化物膜除去步驟中除去了氧氮化物膜的這部分上形成電極。

技術(shù)特征：

1.一種電阻器，所述電阻器包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻器，其中

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電阻器，其中

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的電阻器，其中

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的電阻器，其中

6.一種用于制造電阻器的方法，所述方法包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中

9.根據(jù)權(quán)利要求6至8中任一項(xiàng)所述的方法，所述方法還包括保護(hù)涂層形成步驟，所述保護(hù)涂層形成步驟包括：形成保護(hù)涂層以覆蓋所述電阻體或所述氧氮化物膜中的至少一種。

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)所解決的問(wèn)題是使得容易調(diào)整電阻體的電阻值。根據(jù)本公開(kāi)的電阻器(1)包括絕緣基底(11)、電阻體(12)、電極(13)和氧氮化物膜(14)。電阻體(12)含有Cr、Si和N，并且設(shè)置在絕緣基底(11)上。電極(13)含有Cu和/或Ag，并且設(shè)置在電阻體(12)上。氧氮化物膜(14)設(shè)置在電阻體(12)上。電極(13)和氧氮化物膜(14)在垂直于第一方向(D1)的第二方向(D2)上并排布置，所述第一方向(D1)是絕緣基底(11)的厚度方向。氧氮化物膜(14)與電極(13)在第二方向(D2)上的端部接觸。

技術(shù)研發(fā)人員：鹽見(jiàn)基樹(shù),末次大輔,高木宣俊,野口憲路,浦川達(dá)也
受保護(hù)的技術(shù)使用者：松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營(yíng)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15