本技術(shù)涉及一種半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種igbt模塊。

背景技術(shù)：

1、igbt(insulated?gate?bipolar?transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由(bipolar?junction?transistor，bjt)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(metal?oxidesemiconductor，mos)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有(metal－oxide－semiconductor?field－effect?transistor，mosfet)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(giant?transistor，gtr)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。gtr飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；mosfet驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。igbt綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600v及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

2、igbt模塊包括igbt芯片和frd二極管芯片，且igbt功率模塊一般是將igbt芯片和二極管芯片焊接在具有線路的散熱基板上，然后通過鍵合線或者clip這類的橋接件將芯片的電極和線路上的相應(yīng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接在一起。

3、對于高電流的igbt裝置中，里面的igbt功率單元一般具有多個(gè)igbt芯片和多個(gè)rfd芯片，為此為了進(jìn)行溫度控制，一般還設(shè)置有一個(gè)感溫器。這種igbt裝置中，為了便于散熱，外接端子一般設(shè)置在igbt功率單元的外側(cè)且與igbt功率單元具有一定距離，為了便于外接端子和igbt功率單元的連接，往往需要專門的電連接件分別與外接端子和igbt功率單元的導(dǎo)電片焊接，以將外接端子和igbt功率單元的導(dǎo)電片電連接在一起。然而，這種連接外接端子和igbt功率單元的電連接件往往是一個(gè)外接端子對應(yīng)一個(gè)電連接件，當(dāng)igbt功率單元的導(dǎo)電片與電連接件之間出現(xiàn)虛焊、漏焊等問題時(shí)，往往會使得某些外接端子失效，且由于有些外接端子流經(jīng)的電流比較大，很容易在電連接件處產(chǎn)生大量熱量，對igbt功率單元造成損傷。

4、故，急需一種解決上述問題的igbt模塊。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的是提供一種igbt模塊，可以將芯片的電極信號穩(wěn)定的輸送至外接端子中，且散熱能力佳，防止大電流驅(qū)動時(shí)損傷igbt模塊。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種igbt模塊，包括殼體、安裝于所述殼體四周框架上的外接端子、安裝于所述殼體的空腔內(nèi)的散熱板、鋪設(shè)于所述散熱板上的導(dǎo)電片、焊接于所述導(dǎo)電片上的芯片組、電連接所述導(dǎo)電片和芯片組的clip連接結(jié)構(gòu)，以及電連接所述外接端子和導(dǎo)電片的端子clip件；所述外接端子的末端延伸至所述殼體的空腔內(nèi)并形成端子焊接片，所述導(dǎo)電片上形成有與每一所述外接端子沿前后或左右相對的端子焊接區(qū)；所述端子clip件沿前后或左右設(shè)置，且其前端焊接于所述外接端子的端子焊接片上，末端焊接于所述端子焊接區(qū)上；至少一所述導(dǎo)電片上具有位置相鄰的多個(gè)端子焊接區(qū)，將位于同一導(dǎo)電片上且位置相鄰的多個(gè)端子焊接區(qū)對應(yīng)的多個(gè)外接端子稱為外接端子組，一所述外接端子組對應(yīng)一個(gè)所述端子clip件，并使該端子clip件的前端焊接于該外接端子組中每一所述外接端子的端子焊接片上，末端彎折延伸至所述端子焊接區(qū)處并焊接于所述端子焊接區(qū)上。

3、較佳地，所述端子clip件由矩形銅片彎折而成，所述端子clip件的前端寬度分別與所述外接端子組中多個(gè)所述端子焊接片的排布寬度匹配，末端寬度與位于同一導(dǎo)電片上且位置相鄰的多個(gè)端子焊接區(qū)的排布寬度匹配。

4、較佳地，一所述外接端子組中具有兩個(gè)或三個(gè)外接端子。

5、較佳地，所述導(dǎo)電片包括第一導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、第三導(dǎo)電片、第四導(dǎo)電片和第五導(dǎo)電片，所述第二導(dǎo)電片、第三導(dǎo)電片、第四導(dǎo)電片和第五導(dǎo)電片從前向后依次設(shè)置以形成第一區(qū)域，所述第一導(dǎo)電片位于所述第一區(qū)域的左側(cè)，所述芯片組包括沿前后方向依次焊接于所述第一導(dǎo)電片上的三個(gè)第一igbt芯片和三個(gè)第一frd芯片、沿前后方向依次焊接于所述第二導(dǎo)電片和第三導(dǎo)電片上的第二igbt芯片和第二frd芯片、沿左右方向依次焊接于第五導(dǎo)電片上的第三igbt芯片和第三frd芯片。

6、較佳地，所述第一區(qū)域的第二igbt芯片和第二frd芯片交錯(cuò)設(shè)置，所述第一導(dǎo)電片上的第一igbt芯片和第一frd芯片交錯(cuò)設(shè)置，且所述第一區(qū)域的第二igbt芯片在左右方向上對應(yīng)所述第一導(dǎo)電片上的第一frd芯片，且所述第一區(qū)域的第二frd芯片在左右方向上對應(yīng)所述第一導(dǎo)電片上的第一igbt芯片。本方案均衡熱量分布，增加散熱能力。

7、具體地，所述導(dǎo)電片還包括位于所述第一導(dǎo)電片遠(yuǎn)離所述第一區(qū)域一側(cè)的第二區(qū)域內(nèi)且具有端子焊接區(qū)的信號導(dǎo)電片、位于所述第一區(qū)域遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電片一側(cè)的第三區(qū)域內(nèi)且具有端子焊接區(qū)的信號導(dǎo)電片，所述clip連接結(jié)構(gòu)包括第一clip件和第二clip件，所述第一clip件的一端焊接于所述第一igbt芯片、第二igbt芯片或者第三igbt芯片的e極上，另一端焊接于第一區(qū)域或第三區(qū)域或第四導(dǎo)電片上；所述第二clip件的一端焊接于所述第一igbt芯片、第二igbt芯片或者第三igbt芯片的e極上，另一端焊接于第一區(qū)域或第三區(qū)域或第四導(dǎo)電片上。

8、具體地，所述clip連接結(jié)構(gòu)包括第三clip件，所述第三clip件上具有沿左右方向設(shè)置的三個(gè)第一焊接部和連接于相鄰兩第一焊接部之間的第一連接橋，三個(gè)所述第一焊接部分別焊接于所述第一區(qū)域中的導(dǎo)電片、一所述第一frd芯片的正極和所述第二區(qū)域的信號導(dǎo)電片上。

9、具體地，所述導(dǎo)電片還包括位于所述第一導(dǎo)電片遠(yuǎn)離所述第一區(qū)域一側(cè)的第二區(qū)域內(nèi)且具有端子焊接區(qū)的信號導(dǎo)電片，所述clip連接結(jié)構(gòu)包括第四clip件和第五clip件，所述第四clip件的兩端分別焊接于所述第一區(qū)域的導(dǎo)電片和一所述第一frd芯片的電極上，所述第五clip件跨于所述第四clip件上且其兩端分別焊接在所述第一區(qū)域中的導(dǎo)電片和所述第二區(qū)域的信號導(dǎo)電片上，第四clip件和第五clip件的跨接結(jié)構(gòu)節(jié)省空間，且防止虛焊。

10、較佳地，所述導(dǎo)電片包括第六導(dǎo)電片、第七導(dǎo)電片、第八導(dǎo)電片和第九導(dǎo)電片，所述第七導(dǎo)電片、第八導(dǎo)電片和第九導(dǎo)電片從前向后依次設(shè)置以形成第四區(qū)域，所述第六導(dǎo)電片位于所述第四區(qū)域的右側(cè)，所述第六導(dǎo)電片和第四區(qū)域位于所述第一導(dǎo)電片和第一區(qū)域的前側(cè)，所述芯片組包括沿前后方向依次焊接于所述第七導(dǎo)電片、第八導(dǎo)電片和第九導(dǎo)電片上的3個(gè)第四frd芯片、沿前后方向依次焊接于所述第六導(dǎo)電片上并與三個(gè)所述第四frd芯片位置相對的三個(gè)第五frd芯片；所述clip連接結(jié)構(gòu)包括與所述第四frd芯片對應(yīng)的第六clip件，每一所述第六clip件的兩端分別焊接于所述第四frd芯片的電極和對應(yīng)所述第四區(qū)域的導(dǎo)電片上。

11、具體地，所述導(dǎo)電片還包括具有端子焊接區(qū)的第十導(dǎo)電片和第十一導(dǎo)電片，所述第十導(dǎo)電片位于所述第七導(dǎo)電片的前側(cè)，所述第十一導(dǎo)電片與所述第六導(dǎo)電片一體連接并位于所述第十導(dǎo)電片的右側(cè)；所述clip連接結(jié)構(gòu)還包括第七clip件，所述第七clip件上具有沿前后方向設(shè)置的四個(gè)第二焊接部和連接于相鄰兩第二焊接部之間的第二連接橋，四個(gè)所述第二焊接部依次焊接于所述第十導(dǎo)電片和三個(gè)第五frd芯片的電極上。

12、較佳地，igbt模塊還包括焊接于所述導(dǎo)電片上的熱敏電阻，且焊接所述熱敏電阻的導(dǎo)電片向?qū)?yīng)外接端子方向彎折延伸形成所述端子焊接區(qū)。

13、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型端子clip件同時(shí)電連接多個(gè)外接端子，且其寬度對應(yīng)多個(gè)外接端子的寬度，不但可以將芯片的電極信號穩(wěn)定的輸送至外接端子中，而且散熱能力佳，防止大電流流經(jīng)外接端子時(shí)產(chǎn)生大量熱量損傷igbt模塊。