一種超大功率cob集成白光led封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種白光LED，特別涉及一種超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有滿足照明級光通量要求的LED白光技術(shù)路線中，通常由集成COB芯片組和熒光粉膠共同構(gòu)成白光光源。所采用的LED芯片多是正裝芯片組，熒光粉膠往往直接貼附在集成LED芯片組上，由于集成LED芯片組工作時發(fā)熱量較大，往往伴隨著熒光粉膠熱老化、受激光譜效率下降及激發(fā)光譜發(fā)生紅移等系列問題，影響了出光的光品質(zhì)。
[0003]另外，目前芯片間串并聯(lián)及芯片模組外電連時通過金屬線打線工藝進(jìn)行，不但影響了光源出光面的出光效率，且工作點(diǎn)亮?xí)r是以藍(lán)寶石襯底作為主要的熱流疏導(dǎo)通道，其較差的導(dǎo)熱性大大限制了芯片集成的規(guī)模，使得光源模組的亮度難以進(jìn)一步提升。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題，在于提供一種超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu)，提升了出光品質(zhì)和導(dǎo)熱性，并能實(shí)現(xiàn)超尚殼度白光。
[0005]本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu)，包括基板和至少一 LED芯片組，所述基板正面開設(shè)有與LED芯片組數(shù)量對應(yīng)的凹腔，任一所述LED芯片組為倒裝LED芯片組，并以COB方式鍵合在對應(yīng)凹腔的底部，所述各LED芯片組之間及LED芯片組與外電路之間通過銅片實(shí)現(xiàn)電連接，且每個LED芯片組上均灌充填充膠并蓋封透明陶瓷熒光片。
[0006]進(jìn)一步的，所述LED芯片組是通過底部焊點(diǎn)與凹腔底部共晶鍵合。
[0007]進(jìn)一步的，所述凹腔為矩陣排布，且處于同一排的凹腔中段貫通連接形成長凹腔，貫通部分由所述填充膠灌充，所述封裝結(jié)構(gòu)的正、負(fù)極位于所述長凹腔的正面兩端。
[0008]進(jìn)一步的，所述基板為銅基板、氣化銷基板、類鉆炭基板或石墨稀基板。
[0009]進(jìn)一步的，所述透明陶瓷熒光片為釔鋁石榴石型透明陶瓷熒光片。
[0010]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:
[0011]1.采用倒裝芯片替代傳統(tǒng)正裝芯片，提升LED芯片組的熱疏導(dǎo)能力，實(shí)現(xiàn)無金線封裝，免除金線帶入的不利影響；
[0012]2.用透明陶瓷熒光片替代傳統(tǒng)的熒光粉膠，提升了大功率光源模組出光的光品質(zhì)；
[0013]3.LED芯片組隨凹腔為矩陣排布，可實(shí)現(xiàn)大電流驅(qū)動，可用于制備500-1000W級的超大功率光源模組，滿足場地照明等超大功率的照明需求。
【附圖說明】
[0014]下面參照附圖結(jié)合實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。
[0015]圖1是本實(shí)用新型基板的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖2是本實(shí)用新型倒裝LED芯片組的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖3是本實(shí)用新型鍵合有倒裝LED芯片組的基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖4是本實(shí)用新型透明陶瓷熒光片的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖5是本實(shí)用新型倒裝LED芯片組上封裝有透明陶瓷熒光片的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖6是本實(shí)用新型超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu)的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]請參閱圖1至圖6所示，本實(shí)用新型的超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu)，包括基板I和至少一 LED芯片組2。
[0022]所述基板I正面開設(shè)有與LED芯片組2數(shù)量對應(yīng)的凹腔12，任一所述LED芯片組2為倒裝LED芯片組，并以COB方式鍵合在對應(yīng)凹腔12的底部，所述LED芯片組2是通過底部焊點(diǎn)與凹腔12底部共晶鍵合。采用倒裝芯片替代傳統(tǒng)正裝芯片，提升LED芯片組的熱疏導(dǎo)能力。
[0023]主要如圖1所示，所述基板I上的凹腔12為矩陣排布，且處于同一排的凹腔12中段貫通連接形成長凹腔，如圖6所示，貫通部分最后會由所述填充膠3灌充，所述封裝結(jié)構(gòu)的正極13、負(fù)極14位于所述長凹腔12的正面兩端。凹腔12的數(shù)量及排布決定了 LED芯片組2的數(shù)量及排布，而如圖2所示，所述LED芯片組2內(nèi)的芯片也以矩陣式排布，該矩陣排布的凹腔12為實(shí)現(xiàn)超大功率光源模組提供基礎(chǔ)，可實(shí)現(xiàn)大電流驅(qū)動，可用于制備500-1000W級的超大功率光源模組，滿足場地照明等超大功率的照明需求。
[0024]其中，所述基板I有多種選擇，如可以為銅基板、氮化鋁基板、類鉆炭基板或石墨稀基板。
[0025]如圖6所示，所述各LED芯片組2之間及LED芯片組2與外電路之間通過銅片4實(shí)現(xiàn)電連接，實(shí)現(xiàn)無金線封裝，免除金線帶入的不利影響，提升了出光品質(zhì)和導(dǎo)熱性；且每個LED芯片組2上均灌充填充膠3并蓋封透明陶瓷熒光片5，即填膠部分不但包含陣列LED芯片組與陶瓷片之間空間，還包含芯片焊點(diǎn)與凹腔底部鍵合后的剩余空隙，以及各凹腔之間的空隙。
[0026]其中，所述透明陶瓷熒光片5為釔鋁石榴石型透明陶瓷熒光片。本實(shí)用新型用透明陶瓷熒光片5替代傳統(tǒng)的熒光粉膠，提升了大功率光源模組出光的光品質(zhì)。
[0027]雖然以上描述了本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，但是熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，我們所描述的具體的實(shí)施例只是說明性的，而不是用于對本實(shí)用新型的范圍的限定，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在依照本實(shí)用新型的精神所作的等效的修飾以及變化，都應(yīng)當(dāng)涵蓋在本實(shí)用新型的權(quán)利要求所保護(hù)的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu)，包括基板和至少一 LED芯片組，其特征在于:所述基板正面開設(shè)有與LED芯片組數(shù)量對應(yīng)的凹腔，任一所述LED芯片組為倒裝LED芯片組，并以COB方式鍵合在對應(yīng)凹腔的底部，所述各LED芯片組之間及LED芯片組與外電路之間通過銅片實(shí)現(xiàn)電連接，且每個LED芯片組上均灌充填充膠并蓋封透明陶瓷熒光片。
2.如權(quán)利要求1所述的一種超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述LED芯片組是通過底部焊點(diǎn)與凹腔底部共晶鍵合。
3.如權(quán)利要求1所述的一種超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述凹腔為矩陣排布，且處于同一排的凹腔中段貫通連接形成長凹腔，貫通部分由所述填充膠灌充。
4.如權(quán)利要求3所述的一種超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述封裝結(jié)構(gòu)的正、負(fù)極位于所述長凹腔的正面兩端。
5.如權(quán)利要求1所述的一種超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述基板為銅基板、氮化鋁基板、類鉆炭基板或石墨烯基板。
6.如權(quán)利要求1所述的一種超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述透明陶瓷熒光片為釔鋁石榴石型透明陶瓷熒光片。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種超大功率COB集成白光LED封裝結(jié)構(gòu)，包括基板和至少一LED芯片組，所述基板正面開設(shè)有與LED芯片組數(shù)量對應(yīng)的凹腔，任一所述LED芯片組為倒裝LED芯片組，并以COB方式鍵合在對應(yīng)凹腔的底部，所述各LED芯片組之間及LED芯片組與外電路之間通過銅片實(shí)現(xiàn)電連接，且每個LED芯片組上均灌充填充膠并蓋封透明陶瓷熒光片。本實(shí)用新型的封裝結(jié)構(gòu)提升了出光品質(zhì)和導(dǎo)熱性，并能實(shí)現(xiàn)超高亮度白光。
【IPC分類】H01L33-48, H01L25-075, H01L33-50
【公開號】CN204497266
【申請?zhí)枴緾N201520125081
【發(fā)明人】葉尚輝, 陳明秦, 張數(shù)江, 張國鋒
【申請人】福建中科芯源光電科技有限公司
【公開日】2015年7月22日
【申請日】2015年3月4日