晶圓測試裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及晶圓測試技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種晶圓測試裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體集成電路的制造過程，大致上可分為晶圓制造、晶圓測試、封裝及成品測試。晶圓(wafer)是指半導(dǎo)體集成電路制作所用的晶片，其尺寸例如為6英寸、8英寸或12英寸。晶圓制造是在晶圓上制作集成電路的過程，制作完成之后，晶圓上形成陣列排列的管芯(die)。晶圓測試(wafer test)在整個(gè)半導(dǎo)體集成電路的制造過程中十分重要，通過晶圓測試可以在第一時(shí)間確定管芯是否正常工作，從而決定是否進(jìn)行后續(xù)加工，這樣可以節(jié)約成本。特別對于MEMS芯片這種封裝成本占總成本較大比重的芯片，提高晶圓測試的效率尤為重要。
[0003]在現(xiàn)有技術(shù)中，通過測試機(jī)、測試臺以及探針卡完成晶圓測試。測試臺通過真空吸力將待測晶圓固定在測試臺的載物臺上。載物臺的吸氣孔分布設(shè)計(jì)因測試臺而異，各式各樣的設(shè)計(jì)都有，而且尺寸有大有小，同時(shí)吸氣氣壓大小設(shè)計(jì)也有差別。對于普通晶圓，可以通過現(xiàn)有技術(shù)的測試臺完成晶圓測試。一些減薄的晶圓或MEMS晶圓在通過現(xiàn)有技術(shù)的測試臺進(jìn)行晶圓測試時(shí)，真空吸力會(huì)對待測晶圓產(chǎn)生損傷或?qū)y試結(jié)果產(chǎn)生影響。
[0004]參照圖1，現(xiàn)有技術(shù)的一種載物臺100上設(shè)有環(huán)形的凹槽101和凹槽102，在凹槽101和凹槽102中設(shè)有吸氣孔，當(dāng)晶圓設(shè)置到載物臺上后，通過吸氣孔抽真空將待測晶圓固定，晶圓上之只有與凹槽101和凹槽102對應(yīng)的位置受到真空吸力，因?yàn)槭芰Σ痪?，減薄的晶圓或MEMS晶圓很容易受到損傷。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)的一種解決辦法是通過為減薄的晶圓或MEMS晶圓設(shè)計(jì)的測試臺進(jìn)行晶圓測試，但是成本過于昂貴。此外，超薄的晶圓在傳遞過程中也很容易受到損傷。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]有鑒于此，本實(shí)用新型提出一種低成本的晶圓測試裝置，能夠測試超薄的晶圓或MEMS晶圓。
[0007]本實(shí)用新型的晶圓測試裝置，包括用于承載待測晶圓的載物臺，所述載物臺包括多個(gè)吸氣孔，用于通過真空吸力固定待測晶圓，其中，所述晶圓測試裝置還包括設(shè)置于所述載物臺和待測晶圓之間的緩沖墊，所述緩沖墊包括多個(gè)通孔，用于進(jìn)一步分散所述多個(gè)吸氣空的真空吸力，使得待測晶圓均勻受力。
[0008]優(yōu)選地，所述緩沖墊的多個(gè)通孔均勻分布，使得所述多個(gè)通孔與所述多個(gè)吸氣孔配合產(chǎn)生真空吸力。
[0009]優(yōu)選地，所述緩沖墊的多個(gè)通孔非均勻分布，使得所述多個(gè)通孔與所述多個(gè)吸氣孔配合產(chǎn)生真空吸力。
[0010]優(yōu)選地，所述緩沖墊為濾紙。
[0011]優(yōu)選地，所述緩沖墊的材料為金屬或多種材料的復(fù)合層。
[0012]優(yōu)選地，所述晶圓測試裝置還包括貼覆于所述緩沖墊上的不透氣薄膜，所述不透氣薄膜用于遮蓋部分通孔。
[0013]優(yōu)選地，所述不透氣薄膜為UV膜或藍(lán)膜。
[0014]優(yōu)選地，所述晶圓測試裝置還包括設(shè)置于緩沖墊和所述待測晶圓之間的膠膜。
[0015]本實(shí)用新型的晶圓測試裝置通過緩沖墊，使待測晶圓的各部分受到均勻的真空吸力，避免晶圓受到損害。
【附圖說明】
[0016]通過以下參照附圖對本實(shí)用新型實(shí)施例的描述，本實(shí)用新型的上述以及其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更為清楚，在附圖中:
[0017]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的一種載物臺的俯視圖；
[0018]圖2是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的晶圓測試裝置的剖視圖；
[0019]圖3是圖2中的晶圓測試裝置在測試過程中的示意性結(jié)構(gòu)框圖；
[0020]圖4是根據(jù)本實(shí)用新型另一實(shí)施例的晶圓測試裝置的剖視圖；以及
[0021]圖5是圖4中的晶圓測試裝置的測試過程中的示意性結(jié)構(gòu)框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]以下基于實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行描述，但是本實(shí)用新型并不僅僅限于這些實(shí)施例。在下文對本實(shí)用新型的細(xì)節(jié)描述中，詳盡描述了一些特定的細(xì)節(jié)部分。對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說沒有這些細(xì)節(jié)部分的描述也可以完全理解本實(shí)用新型。為了避免混淆本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)，公知的方法、過程、流程、元件和電路并沒有詳細(xì)敘述。
[0023]此外，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在此提供的附圖都是為了說明的目的，并且附圖不一定是按比例繪制的。除非上下文明確要求，否則整個(gè)說明書和權(quán)利要求書中的“包括”、“包含”等類似詞語應(yīng)當(dāng)解釋為包含的含義而不是排他或窮舉的含義；也就是說，是“包括但不限于”的含義。
[0024]在本實(shí)用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語“第一”、“第二”等僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。此外，在本實(shí)用新型的描述中，除非另有說明，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上。
[0025]本實(shí)用新型涉及一種晶圓測試結(jié)構(gòu)，在進(jìn)行晶圓測試時(shí)，待測晶圓設(shè)置在晶圓測試結(jié)構(gòu)的載物臺上，待測晶圓通過真空吸力固定。
[0026]參照圖2，本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的晶圓測試裝置包括:載物臺300和緩沖墊100等。待測晶圓200例如為超薄的IC晶圓或MEMS晶圓。
[0027]載物臺300包括用于提供真空吸力的氣道310和環(huán)形的凹槽320。氣道310連接抽真空裝置。
[0028]緩沖墊100用于過渡真空吸力，改變待測晶圓受到的真空吸力的分布，使得待測晶圓受到基本一致的壓力，避免待測晶圓的受損。緩沖墊100還可以解決待測晶圓和載物臺不匹配的問題。緩沖墊100可以是帶疏松孔狀結(jié)構(gòu)的濾紙或網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的薄膜或網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的薄片。
[0029]在本實(shí)施例中，緩沖墊100為薄片結(jié)構(gòu)，可以是圓形、方形等任何合適的形狀，緩沖墊100包括均勻分布的多個(gè)通孔101。氣孔大小和分布根據(jù)實(shí)際壓力分布的需求設(shè)計(jì)，避免由于真空吸力過大或分布不均勻?qū)е麓郎y晶圓損壞。緩沖墊100根據(jù)實(shí)際需可以是金屬，或者是多種材料的復(fù)合層。
[0030]參照圖3，在工作時(shí)，緩沖墊100設(shè)置為待測晶圓200和載物臺300之間。待測晶圓200與通孔101接觸的部分受到真空吸力，使得待測晶圓200受力均勻。
[0031 ] 在一些實(shí)施例中，待測晶圓200為包括可動(dòng)結(jié)構(gòu)的MEMS晶圓，可動(dòng)結(jié)構(gòu)例如為微麥克風(fēng)、壓力傳感器等，可動(dòng)結(jié)構(gòu)直接受到真空吸力可能導(dǎo)致結(jié)構(gòu)的損壞。晶圓測試裝置還包括貼覆于緩沖墊100上的不透氣薄膜。在測試時(shí)，不透氣薄膜將可動(dòng)結(jié)構(gòu)下方的緩沖墊100的通孔封閉，使得MEMS晶圓的可動(dòng)結(jié)構(gòu)不受到吸力。
[0032]本實(shí)用新型實(shí)施例的晶圓測試裝置，能夠使待測晶圓的各部分受到均勻的真空吸力，避免晶圓受到損害。
[0033]參照圖4，本實(shí)用新型另一實(shí)施例的晶圓測試裝置包括:載物臺300、緩沖墊100以及膠膜400。待測晶圓200例如為超薄的IC晶圓或MEMS晶圓。
[0034]載物臺300包括用于提供真空吸力的氣道310和環(huán)形的凹槽320。氣道310連接抽真空裝置。
[0035]緩沖墊100用于過渡真空吸力，改變待測晶圓受到的真空吸力的分布，使得待測晶圓受到基本一致的壓力，避免待測晶圓的受損。緩沖墊100還可以解決待測晶圓和載物臺不匹配的問題。緩沖墊100可以是帶疏松孔狀結(jié)構(gòu)的濾紙或網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的薄膜或網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的薄片。
[0036]膠膜400設(shè)置在待測晶圓200和緩沖墊100之間，用于進(jìn)一步緩和真空吸力。
[0037]參照圖5，在測試中，緩沖墊100設(shè)置在載物臺300上，膠膜400設(shè)置在待測晶圓200和緩沖墊100之間，膠膜400進(jìn)一步緩沖真空吸力，避免待測晶圓200受到的過大的真空吸力而損壞。
[0038]本實(shí)施例的晶圓測試裝置，通過緩沖墊和膠膜兩次緩沖待測晶圓受到的真空吸力，避免晶圓受到損害。
[0039]以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限制本實(shí)用新型，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，本實(shí)用新型可以有各種改動(dòng)和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶圓測試裝置，包括用于承載待測晶圓的載物臺，所述載物臺包括多個(gè)吸氣孔，用于通過真空吸力固定待測晶圓，其特征在于，所述晶圓測試裝置還包括設(shè)置于所述載物臺和待測晶圓之間的緩沖墊，所述緩沖墊包括多個(gè)通孔，用于進(jìn)一步分散所述多個(gè)吸氣空的真空吸力，使得待測晶圓均勻受力。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓測試裝置，其特征在于，所述緩沖墊的多個(gè)通孔均勻分布，使得所述多個(gè)通孔與所述多個(gè)吸氣孔配合產(chǎn)生真空吸力。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓測試裝置，其特征在于，所述緩沖墊的多個(gè)通孔非均勻分布，使得所述多個(gè)通孔與所述多個(gè)吸氣孔配合產(chǎn)生真空吸力。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓測試裝置，其特征在于，所述緩沖墊為濾紙。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓測試裝置，其特征在于，所述緩沖墊的材料為金屬或多種材料的復(fù)合層。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓測試裝置，其特征在于，所述晶圓測試裝置還包括貼覆于所述緩沖墊上的不透氣薄膜，所述不透氣薄膜用于遮蓋部分通孔。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓測試裝置，其特征在于，所述不透氣薄膜為UV膜或藍(lán)膜。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓測試裝置，其特征在于，所述晶圓測試裝置還包括設(shè)置于緩沖墊和所述待測晶圓之間的膠膜。
【專利摘要】公開了一種晶圓測試裝置，包括用于承載待測晶圓的載物臺，所述載物臺包括多個(gè)吸氣孔，用于通過真空吸力固定待測晶圓，其中，所述晶圓測試裝置還包括設(shè)置于所述載物臺和待測晶圓之間的緩沖墊，所述緩沖墊包括多個(gè)通孔，用于進(jìn)一步分散所述多個(gè)吸氣空的真空吸力，使得待測晶圓均勻受力。
【IPC分類】H01L21/66
【公開號】CN204927246
【申請?zhí)枴緾N201520651305
【發(fā)明人】劉宏志, 萬蔡辛
【申請人】北京卓銳微技術(shù)有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2015年8月26日