一種復(fù)合背面電極太陽(yáng)能電池的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種復(fù)合背面電極太陽(yáng)能電池。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽(yáng)能電池分為晶體硅太陽(yáng)能電池和薄膜太陽(yáng)能電池，目前晶體硅太陽(yáng)能電池是市場(chǎng)的主流，薄膜太陽(yáng)能電池的份額不到10%。晶體硅太陽(yáng)能電池分為多晶硅太陽(yáng)能電池和單晶硅太陽(yáng)能電池。現(xiàn)有的晶體硅太陽(yáng)能電池的組成由下往上依次包括:Ag背電極1'、A1背電場(chǎng)2'、P型硅3'、N+層4'、減反膜5'和Ag正電極6'(如圖1所示)，A1背電場(chǎng)2'、P型硅3'、N+層4'和減反膜5'為層疊式設(shè)置。背面電極由Ag背電極1'和A1背電場(chǎng)2'組成，Ag背電極1'的作用是保證組件制造時(shí)焊帶和Ag背電極1'的焊接拉力；A1背電場(chǎng)2' —方面是導(dǎo)電，另一方面在太陽(yáng)能電池背面形成p+層，具有背面鈍化的效果，可以提升電池的轉(zhuǎn)換效率。
[0003]目前正面電極和背面電極主要是通過(guò)絲網(wǎng)印刷金屬漿料的方法制備而成，由于金屬漿料是流體，延展性很強(qiáng)，一旦金屬漿料在印刷過(guò)程中污染硅片的邊緣，不但會(huì)影響電池的外觀，還會(huì)導(dǎo)致太陽(yáng)能電池的漏電流增加，影響太陽(yáng)能電池的品質(zhì)。因此，目前的太陽(yáng)能電池A1背場(chǎng)離硅片邊緣的距離在0.3-1.0mm,以防止A1漿延展到硅片的邊緣，這樣就會(huì)使P型硅3'四周邊緣區(qū)域裸露(如圖1所示)，導(dǎo)致太陽(yáng)能電池的鈍化效率不理想，串聯(lián)電阻不夠低，對(duì)太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率的提升具有很大的阻力。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，提供一種復(fù)合背面電極太陽(yáng)能電池，能提高太陽(yáng)能電池的背面鈍化效果，降低太陽(yáng)能電池的串聯(lián)電阻，大大提升電池的轉(zhuǎn)換效率。
[0005]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種復(fù)合背面電極太陽(yáng)能電池，從下往上依次包括Ag背電極、A1背電場(chǎng)、P型硅、N+層、SiNx減反膜和Ag正電極，A1背電場(chǎng)、P型硅、N+層和減反膜為層疊式設(shè)置，所述A1背電場(chǎng)尺寸小于太陽(yáng)能電池邊緣尺寸，太陽(yáng)能電池背面沉積Ag薄膜或A1薄膜，Ag薄膜覆蓋所述Ag背電極和A1背電場(chǎng)和P型硅四周邊緣區(qū)域；A1薄膜覆蓋所述A1背電場(chǎng)和P型硅四周邊緣區(qū)域。
[0006]作為上述方案的改進(jìn)，所述P型硅四周邊緣區(qū)域的寬度為0.3-1.0mm。
[0007]作為上述方案的改進(jìn)，所述Ag薄膜的厚度為200-1000nm，電阻率為1.2?
1.5X10 6 Ω.cm0
[0008]作為上述方案的改進(jìn)，所述A1薄膜的厚度為200-1000nm，電阻率為2.2?
2.6X10 6 Ω.cm0
[0009]作為上述方案的改進(jìn)，所述Ag薄膜和A1薄膜為采用磁控濺射的方法制備得到的薄膜。
[0010]作為上述方案的改進(jìn)，所述Ag背電極、A1背電場(chǎng)和Ag正電極為采用絲網(wǎng)印刷的方法制備而成。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下有益效果:Ag薄膜或A1薄膜沉積在太陽(yáng)能電池的背面，一方面可以將絲網(wǎng)印刷制備的背面電極的孔洞進(jìn)行填充，降低電極電阻；另一方面，在A1背場(chǎng)和P型硅四周邊緣區(qū)域沉積金屬薄膜，其中A1薄膜不但可以降低電極電阻，還可以提高背面鈍化效果，Ag薄膜可以降低電極電阻，還具有制備簡(jiǎn)單，成本低，可以大大提高太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率的優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的太陽(yáng)能電池正面電極結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2是本實(shí)用新型的一種復(fù)合背面電極太陽(yáng)能電池背面沉積Ag薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖3是本實(shí)用新型的一種復(fù)合背面電極太陽(yáng)能電池背面沉積A1薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0016]如圖2、圖3所示，一種復(fù)合背面電極太陽(yáng)能電池，從下往上依次包括Ag背電極1、A1背電場(chǎng)2、P型硅3、N+層4、SiNx減反膜5和Ag正電極6，A1背電場(chǎng)2、P型硅3、N+層4和減反膜5為層疊式設(shè)置，A1背電場(chǎng)2尺寸小于太陽(yáng)能電池邊緣尺寸，太陽(yáng)能電池背面沉積Ag薄膜7或A1薄膜8，Ag薄膜7覆蓋所述Ag背電極1和A1背電場(chǎng)2和P型硅3四周邊緣區(qū)域；A1薄膜8覆蓋所述A1背電場(chǎng)2和P型硅3四周邊緣區(qū)域。
[0017]P型硅四周邊緣區(qū)域的寬度為0.3-1.0mm，具體的P型硅四周邊緣區(qū)域的寬度為
0.3、0.5、0.7和1.05，但不限于此。
[0018]Ag薄膜的厚度為200-1000nm，電阻率為1.2?1.5X 10 6 Ω.cm，具體的Ag薄膜的厚度為 200nm、400nm、600nm、800nm 和 lOOOnm，但不限于此；電阻率為 1.2 X 10 6 Ω.cm、
1.3 X 10 6 Ω.cm、1.4X 10 6 Ω.cm 和 1.5 X 10 6 Ω.cm，但不限于此。
[0019]A1薄膜的厚度為200-1000nm，電阻率為2.2?2.6 X 10 6 Ω.cm，具體的A1薄膜的厚度為 200nm、400nm、600nm、800nm 和 lOOOnm，但不限于此；電阻率為 2.2 X 10 6 Ω.cm、
2.3X10 6Ω.cm、2.5X10 6Ω.cm和2.6X 10 6Ω.cm，但不限于此。Ag薄膜和A1薄膜為采用磁控濺射的方法制備得到的薄膜;Ag背電極、A1背電場(chǎng)和Ag正電極為采用絲網(wǎng)印刷的方法制備而成。
[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下有益效果:Ag薄膜7或A1薄膜8沉積在太陽(yáng)能電池的背面，一方面可以將絲網(wǎng)印刷制備的背面電極1的孔洞進(jìn)行填充，降低電極電阻；另一方面，在A1背場(chǎng)2和P型硅3四周邊緣區(qū)域沉積金屬薄膜，其中A1薄膜8不但可以降低電極電阻，還可以提高背面鈍化效果，Ag薄膜7可以降低電極電阻，還具有制備簡(jiǎn)單，成本低，可以大大提高太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率的優(yōu)點(diǎn)。
[0021]以上所述是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種復(fù)合背面電極太陽(yáng)能電池，從下往上依次包括Ag背電極、A1背電場(chǎng)、P型硅、N+層、SiNx減反膜和Ag正電極，A1背電場(chǎng)、P型硅、N+層和減反膜為層疊式設(shè)置，所述A1背電場(chǎng)尺寸小于太陽(yáng)能電池邊緣尺寸，其特征在于:太陽(yáng)能電池背面沉積Ag薄膜或A1薄膜，Ag薄膜覆蓋所述Ag背電極、A1背電場(chǎng)和P型硅四周邊緣區(qū)域；A1薄膜覆蓋所述A1背電場(chǎng)和P型硅四周邊緣區(qū)域。2.如權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合背面電極太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述P型硅四周邊緣區(qū)域的寬度為0.3-1.0mm。3.如權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合背面電極太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述Ag薄膜的厚度為 200-1000nm，電阻率為 L 2 ?L 5 X 10 6 Ω.cm。4.如權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合背面電極太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述A1薄膜的厚度為 200-1000nm，電阻率為 2.2 ?2.6 X 10 6 Ω.cmo5.如權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合背面電極太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述Ag薄膜和A1薄膜為采用磁控濺射的方法制備得到的薄膜。6.如權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合背面電極太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述Ag背電極、A1背電場(chǎng)和Ag正電極為采用絲網(wǎng)印刷的方法制備而成。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種復(fù)合背面電極太陽(yáng)能電池，從下往上依次包括Ag背電極、Al背電場(chǎng)、P型硅、N+層、SiNx減反膜和Ag正電極，Al背電場(chǎng)、P型硅、N+層和減反膜為層疊式設(shè)置，所述Al背電場(chǎng)尺寸小于太陽(yáng)能電池邊緣尺寸，太陽(yáng)能電池背面沉積Ag薄膜或Al薄膜，Ag薄膜覆蓋所述Ag背電極、Al背電場(chǎng)和P型硅四周邊緣區(qū)域；Al薄膜覆蓋所述Al背電場(chǎng)和P型硅四周邊緣區(qū)域。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下有益效果：一方面能降低電極電阻；另一方面可以提高背面鈍化效果，還具有制備簡(jiǎn)單，成本低，可以大大提高太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率的優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類】H01L31/0224, H01L31/0216
【公開號(hào)】CN205122597
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520794584
【發(fā)明人】石強(qiáng), 秦崇德, 方結(jié)彬, 黃玉平, 何達(dá)能, 陳剛
【申請(qǐng)人】廣東愛(ài)康太陽(yáng)能科技有限公司
【公開日】2016年3月30日
【申請(qǐng)日】2015年10月14日