專利名稱：模擬控制專用集成電路設(shè)備及用于控制高電壓電源的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種成像設(shè)備的高電壓電源(HVPS)、以及用于控制HVPS的方法。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種用于成像設(shè)備中的HVPS的模擬控制專用集成電路(ASIC)設(shè)備。
背景技術(shù)：
圖1是用于一輸出的高電壓電源(HVPS)的控制方框圖。用于一輸出的HVPS包括脈寬調(diào)制(PWM)輸入單元100、低通濾波器(LPF)110、電壓控制器120、振蕩器130、變壓器(transformer)140、倍壓器150、以及反饋單元160。圖2是圖1的電路圖的例圖。
PWM輸入單元100接收數(shù)千赫茲的PWM輸入信號(hào)，并且根據(jù)PWM輸入信號(hào)的占空比而確定輸出電壓電平。LPF 110使用RC兩級(jí)濾波器將PWM輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換成直流信號(hào)，并且使用轉(zhuǎn)換后的直流信號(hào)作為用于控制輸出電壓的參考信號(hào)。電壓控制器120用作差動(dòng)電路和控制器，其中基于從LPF 110輸出的輸出電壓參考信號(hào)和電壓檢測(cè)器(voltage sensor)信號(hào)而放大誤差信號(hào)，以檢測(cè)實(shí)際的反饋輸出電壓。振蕩器130基于電壓控制器120的輸出而通過(guò)控制晶體管的基極電流的大小來(lái)改變晶體管的發(fā)射極和集電極之間的電壓。當(dāng)振蕩器130中的晶體管的發(fā)射極和集電極之間的電壓發(fā)生改變時(shí)，串聯(lián)到振蕩器130的變壓器140的初級(jí)繞組的電壓發(fā)生改變。因而，由于高匝數(shù)比而感應(yīng)輸出電壓。倍壓器150使用包括二極管整流器和電容器的倍壓電路，從變壓器140的次級(jí)電壓生成最終的直流高電壓。反饋單元160是檢測(cè)最終的直流高電壓、通過(guò)電阻器分配輸出電壓并且防止施加異常電壓的保護(hù)電路。
如上所述，構(gòu)造變壓器140的初級(jí)側(cè)中的模擬控制單元必須裝配很多組件。也就是，模擬控制單元如圖2所示由電阻器、電容器、晶體管、集成電路(IC)和二極管構(gòu)成。圖3是傳統(tǒng)的HVPS的模擬控制單元的示例。由于存在很多組件，因此裝配過(guò)程中的工序數(shù)和工作時(shí)間增多，并且必須準(zhǔn)備印刷電路板(PCB)空間。另外，輸出電壓可能由于組件之間的特性偏差而發(fā)生失真，并且單元組件可能由于外界原因而使得出故障。
從而，需要一種改進(jìn)的、其中減少了組件的成像設(shè)備中的高電壓電源。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例的一方面是解決至少上述問(wèn)題和/或缺點(diǎn)，并且提供至少下述優(yōu)點(diǎn)。從而，本發(fā)明的實(shí)施例的一方面是提供一種用于成像設(shè)備中的高電壓電源(HVPS)的模擬控制專用集成電路(ASIC)設(shè)備、以及用于控制HVPS的方法，其通過(guò)將HVPS的變壓器的初級(jí)側(cè)中的控制單元配置為單芯片模擬ASIC，有助于空間利用、裝配過(guò)程簡(jiǎn)化、以及通過(guò)批量生產(chǎn)的成本降低。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的一方面，提供了一種用于成像設(shè)備中的高電壓電源(HVPS)的模擬控制專用集成電路(ASIC)設(shè)備。該成像設(shè)備中的HVPS包括變壓器，用于將具有預(yù)定頻率的交流信號(hào)變換成高電壓信號(hào)；以及倍壓器，通過(guò)對(duì)變壓器的次級(jí)高電壓信號(hào)進(jìn)行整流和倍壓，為成像設(shè)備中的HVPS輸出直流高電壓。該模擬控制ASIC設(shè)備包括被配置為單芯片ASIC的模擬控制電路，其使用開(kāi)關(guān)組件將預(yù)定的直流電平信號(hào)轉(zhuǎn)換成高頻開(kāi)關(guān)信號(hào)，并且將轉(zhuǎn)換后的高頻開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出到變壓器的初級(jí)繞組。
如果從倍壓器輸出的高電壓輸出信號(hào)不被反饋，則模擬控制電路可以包括電壓控制器，放大直流電平信號(hào)；脈寬調(diào)制(PWM)調(diào)制器，使用預(yù)定載波信號(hào)對(duì)從電壓控制器輸出的信號(hào)進(jìn)行PWM調(diào)制；柵極驅(qū)動(dòng)器，驅(qū)動(dòng)由PWM調(diào)制器調(diào)制的信號(hào)作為輸入開(kāi)關(guān)組件的柵極的信號(hào)；以及開(kāi)關(guān)組件，通過(guò)柵極接收柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，對(duì)所接收的驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行高頻轉(zhuǎn)換，并且將該高頻轉(zhuǎn)換信號(hào)輸出到變壓器。這里，開(kāi)關(guān)組件可以是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。
模擬控制電路還可以包括低通濾波器(LPF)，其將具有預(yù)定占空比的PWM信號(hào)轉(zhuǎn)換成直流信號(hào)，并且將轉(zhuǎn)換后的直流信號(hào)輸出到電壓控制器，以便使用該直流信號(hào)作為用于控制高電壓輸出信號(hào)的參考信號(hào)。
模擬控制電路還可以包括反饋單元，其檢測(cè)高電壓輸出信號(hào)，并且將所檢測(cè)的高電壓輸出信號(hào)反饋到電壓控制器，其中電壓控制器可以放大通過(guò)差分輸出電壓參考信號(hào)和由反饋單元檢測(cè)的倍壓器的輸出電壓而獲得的誤差信號(hào)。由反饋單元檢測(cè)的高電壓輸出信號(hào)可以是電壓或電流。反饋單元可以包括電壓檢測(cè)器，檢測(cè)并濾波高電壓輸出信號(hào)；以及保護(hù)器和整流器，緩沖由電壓檢測(cè)器檢測(cè)的信號(hào)，箝位該緩沖信號(hào)，并且將該箝位信號(hào)輸出到電壓控制器。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的另一方面，提供了一種用于成像設(shè)備中的高電壓電源(HVPS)的模擬控制專用集成電路(ASIC)設(shè)備。該模擬控制ASIC設(shè)備包括兩個(gè)或更多個(gè)上述用于成像設(shè)備中的HVPS的模擬控制設(shè)備，其被配置為單芯片ASIC。用于成像設(shè)備中的HVPS的模擬控制設(shè)備中的一些可以相互雙重連接。
根據(jù)下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明的特定示例性實(shí)施例的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加清楚，其中圖1是用于一輸出的HVPS的控制塊圖；圖2是圖1的電路圖的例圖；圖3是傳統(tǒng)的HVPS的模擬控制單元的示例；圖4是成像設(shè)備中的HVPS的方框圖，其包括應(yīng)用本發(fā)明的用于成像設(shè)備中的HVPS的模擬控制ASIC設(shè)備的示例性實(shí)施例；圖5是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的包括模擬控制單元的成像設(shè)備中的HVPS的電路圖的例圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例的示例性實(shí)現(xiàn)的方框圖，其中作為四通道高電壓輸出模擬控制電路的單芯片HVPS ASIC在單芯片ASIC中包括四個(gè)用于成像設(shè)備中的HVPS的模擬控制設(shè)備；以及圖7是本發(fā)明的示例性實(shí)施例，其中HVPS模擬控制單元包括單芯片ASIC。
整個(gè)附圖中相同的附圖標(biāo)記將被理解成是指相同的元件、特征和結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式
為了幫助全面理解本發(fā)明的實(shí)施例，提供了在本描述中定義的內(nèi)容如詳細(xì)構(gòu)造和元件。從而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，可以對(duì)這里描述的實(shí)施例進(jìn)行各種改變和修改而不脫離本發(fā)明的范圍和精神。另外，為了簡(jiǎn)明起見(jiàn)，省略了對(duì)公知功能和構(gòu)造的描述。
現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的用于成像設(shè)備中的高電壓電源(HVPS)的模擬控制專用集成電路(ASIC)設(shè)備。
圖4是成像設(shè)備中的HVPS的方框圖，其包括應(yīng)用本發(fā)明的用于成像設(shè)備中的HVPS的模擬控制ASIC設(shè)備的示例性實(shí)施例。該HVPS包括模擬控制單元40、變壓器450、以及倍壓器460。
變壓器450將具有預(yù)定頻率的交流信號(hào)變換成高電壓交流信號(hào)。倍壓器460通過(guò)對(duì)變壓器450的次級(jí)高電壓交流信號(hào)進(jìn)行整流和倍壓，為成像設(shè)備中的HVPS輸出直流高電壓。
被配置為單芯片ASIC的模擬控制單元40使用開(kāi)關(guān)組件將預(yù)定的直流電平信號(hào)轉(zhuǎn)換成高頻開(kāi)關(guān)信號(hào)，并且將轉(zhuǎn)換后的高頻開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出到變壓器450的初級(jí)繞組。模擬控制單元40包括LPF 400、電壓控制器410、PWM調(diào)制器420、柵極驅(qū)動(dòng)器430、開(kāi)關(guān)組件440、以及反饋單元470。
LPF 400將具有預(yù)定占空比的PWM信號(hào)轉(zhuǎn)換成直流信號(hào)，并且將轉(zhuǎn)換后的直流信號(hào)輸出到電壓控制器410，以便使用該直流信號(hào)作為用于控制高電壓輸出信號(hào)的參考信號(hào)。LPF 400可以被安裝在模擬控制單元40之外，而無(wú)需包括在被配置為單芯片ASIC的模擬控制單元40中。
如果從倍壓器460輸出的高電壓輸出信號(hào)不被反饋，則電壓控制器410放大LPF 400的直流電平信號(hào)。如果從倍壓器460輸出的高電壓輸出信號(hào)被反饋，則電壓控制器410還放大通過(guò)差分LPF 400的輸出電壓參考信號(hào)和由反饋單元470檢測(cè)的倍壓器460的輸出電壓而獲得的誤差信號(hào)。PWM調(diào)制器420使用預(yù)定的載波信號(hào)調(diào)制從電壓控制器410輸出的信號(hào)。
柵極驅(qū)動(dòng)器430驅(qū)動(dòng)由PWM調(diào)制器420調(diào)制的信號(hào)作為輸入開(kāi)關(guān)組件440的柵極的信號(hào)。
開(kāi)關(guān)組件440通過(guò)柵極接收柵極驅(qū)動(dòng)器430的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，對(duì)所接收的驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行高頻轉(zhuǎn)換，并且將該高頻轉(zhuǎn)換信號(hào)輸出到變壓器450。在一示例性實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)組件440可以是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。
反饋單元470檢測(cè)高電壓輸出信號(hào)，并且將所檢測(cè)的高電壓輸出信號(hào)反饋到電壓控制器410。反饋單元470包括電壓檢測(cè)器474以及保護(hù)器和整流器472。由反饋單元470檢測(cè)的高電壓輸出信號(hào)可以是電壓或電流。電壓檢測(cè)器474檢測(cè)和濾波倍壓器460的高電壓輸出信號(hào)。保護(hù)器和整流器472緩沖由電壓檢測(cè)器474檢測(cè)的信號(hào)，箝位該緩沖信號(hào)，并且將該箝位信號(hào)輸出到電壓控制器410。當(dāng)執(zhí)行開(kāi)環(huán)控制時(shí)，可以不使用反饋單元470。
圖5是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的包括模擬控制單元40的成像設(shè)備中的HVPS的電路圖的例圖。包括在圖4的模擬控制單元40中的LPF 400、電壓控制器410、PWM調(diào)制器420、柵極驅(qū)動(dòng)器430、開(kāi)關(guān)組件440、電壓檢測(cè)器474、以及保護(hù)器和整流器472分別對(duì)應(yīng)于包括在圖5的模擬控制單元50中的附圖標(biāo)記500、510、520、530、540、574和572。圖4的變壓器450和倍壓器460分別對(duì)應(yīng)于圖5的附圖標(biāo)記550和560。
現(xiàn)在將參照?qǐng)D5示意性地描述模擬控制單元50的操作。當(dāng)具有預(yù)定占空比的PWM信號(hào)被輸入到LPF 500時(shí)，從LPF 500輸出直流電平信號(hào)，并且該直流電平信號(hào)成為電壓控制器510的參考輸入信號(hào)。當(dāng)檢測(cè)從倍壓器560輸出的高電壓輸出信號(hào)并且將其反饋到電壓控制器510時(shí)，電壓控制器510放大通過(guò)差分該參考信號(hào)和反饋信號(hào)而獲得的誤差信號(hào)。將放大后的信號(hào)輸入到具有預(yù)定載波輸入信號(hào)的PWM調(diào)制器520，并且從PWM調(diào)制器520輸出具有預(yù)定占空比的PWM信號(hào)。將PWM信號(hào)輸入到柵極驅(qū)動(dòng)器530，并且由柵極驅(qū)動(dòng)器530驅(qū)動(dòng)作為開(kāi)關(guān)組件540的柵極信號(hào)。輸入到開(kāi)關(guān)組件540的柵極的信號(hào)由開(kāi)關(guān)組件540轉(zhuǎn)換，并且輸入到變壓器550的初級(jí)線圈。變壓器550將感應(yīng)到初級(jí)線圈的信號(hào)變換成次級(jí)交流高電壓。次級(jí)交流高電壓由包括二極管整流器和電容器的倍壓器560進(jìn)行倍壓，然后，生成直流高電壓。
可以將兩個(gè)或更多個(gè)上述用于成像設(shè)備中的HVPS的模擬控制設(shè)備配置為單芯片ASIC。圖6是單芯片HVPS ASIC 600的方框圖，其中單芯片HVPSASIC 600是通過(guò)將四個(gè)用于成像設(shè)備中的HVPS的模擬控制設(shè)備集成到單芯片ASIC中而實(shí)施的四通道高電壓輸出模擬控制電路。用于成像設(shè)備中的HVPS的某些模擬控制設(shè)備可以相互雙重連接。圖7是被實(shí)施為單芯片ASIC的HVPS模擬控制單元的示例性實(shí)施例。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的用于成像設(shè)備中的HVPS的模擬控制ASIC設(shè)備中，通過(guò)將高電壓變壓器的初級(jí)側(cè)中的控制單元配置為單芯片模擬ASIC而不是包括多個(gè)組件的裝配件，空間利用、裝配過(guò)程簡(jiǎn)化、以及通過(guò)批量生產(chǎn)的成本降低是可能的。也就是，通過(guò)將形成模擬控制單元的RC濾波器、電壓控制器、驅(qū)動(dòng)器和晶體管配置為單芯片ASIC，可以減少組件數(shù)。由于使用傳統(tǒng)的主CPU中的每個(gè)通道的PWM信號(hào)輸入作為PWM信號(hào)輸入，因此向傳統(tǒng)方法的移植是極佳的。從而，通過(guò)將由傳統(tǒng)的模擬控制器組成的控制單元配置為單芯片ASIC，可以大幅度地減小體積。
另外，由于使用批量生產(chǎn)的ASIC芯片，因此通過(guò)節(jié)省在傳統(tǒng)的模擬控制器中控制每個(gè)時(shí)間常量所需的時(shí)間，可以提高批量生產(chǎn)效率。
此外，可以將模擬控制ASIC設(shè)備應(yīng)用于使用直流高電壓的單激光束打印機(jī)(LBP)和TANDEM彩色LBP，從而導(dǎo)致空間利用和成本降低。
而且，不同于僅配置邏輯控制單元的一部分的傳統(tǒng)混合式集成電路方法，由于根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的模擬控制ASIC設(shè)備還可以包括諸如FET的開(kāi)關(guān)組件，因此該模擬控制ASIC設(shè)備保持模擬ASIC的特性，并且具有根據(jù)各種應(yīng)用方法的擴(kuò)展性。
盡管本發(fā)明是參照其特定示例性實(shí)施例來(lái)示出和描述的，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)其進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種修改。
對(duì)相關(guān)專利申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求2005年2月2日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2005-0009733在35U.S.C.§119(a)下的權(quán)利和利益，在此將其全文引作參考。
權(quán)利要求
1.一種用于成像設(shè)備中的高電壓電源(HVPS)的模擬控制專用集成電路(ASIC)設(shè)備，其中該成像設(shè)備中的HVPS包括變壓器，用于將具有預(yù)定頻率的交流信號(hào)變換成高電壓信號(hào)；以及倍壓器，通過(guò)對(duì)變壓器的次級(jí)高電壓信號(hào)進(jìn)行整流和倍壓，為成像設(shè)備中的HVPS輸出直流高電壓，該模擬控制ASIC設(shè)備包括被配置為單芯片ASIC的模擬控制電路，用于使用開(kāi)關(guān)組件將直流電平信號(hào)轉(zhuǎn)換成高頻開(kāi)關(guān)信號(hào)，并且將轉(zhuǎn)換后的高頻開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出到變壓器的初級(jí)繞組。
2.如權(quán)利要求1所述的模擬控制ASIC設(shè)備，其中模擬控制電路包括電壓控制器，用于放大直流電平信號(hào)；脈寬調(diào)制(PWM)調(diào)制器，用于使用載波信號(hào)調(diào)制從電壓控制器輸出的信號(hào)；以及柵極驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)由PWM調(diào)制器調(diào)制的信號(hào)作為輸入到開(kāi)關(guān)組件的柵極的信號(hào)，其中開(kāi)關(guān)組件通過(guò)柵極接收柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，對(duì)所接收的驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行高頻轉(zhuǎn)換，并且將經(jīng)過(guò)高頻轉(zhuǎn)換的信號(hào)輸出到變壓器。
3.如權(quán)利要求2所述的模擬控制ASIC設(shè)備，其中開(kāi)關(guān)組件包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。
4.如權(quán)利要求2所述的模擬控制ASIC設(shè)備，還包括低通濾波器(LPF)，用于將具有占空比的PWM信號(hào)轉(zhuǎn)換成直流信號(hào)，并且將轉(zhuǎn)換后的直流信號(hào)輸出到電壓控制器，其中該直流信號(hào)包括用于控制高電壓輸出信號(hào)的參考信號(hào)。
5.如權(quán)利要求2所述的模擬控制ASIC設(shè)備，還包括反饋單元，用于檢測(cè)高電壓輸出信號(hào)，并且將所檢測(cè)的高電壓輸出信號(hào)反饋到電壓控制器，其中電壓控制器放大通過(guò)差分輸出電壓參考信號(hào)和由反饋單元檢測(cè)的倍壓器的輸出電壓而獲得的誤差信號(hào)。
6.如權(quán)利要求5所述的模擬控制ASIC設(shè)備，其中由反饋單元檢測(cè)的高電壓輸出信號(hào)包括電壓或電流。
7.如權(quán)利要求5所述的模擬控制ASIC設(shè)備，其中反饋單元包括電壓檢測(cè)器，用于檢測(cè)并濾波高電壓輸出信號(hào)；以及保護(hù)器-整流器，用于緩沖由電壓檢測(cè)器檢測(cè)的信號(hào)，箝位該緩沖信號(hào)，并且將該箝位信號(hào)輸出到電壓控制器。
8.一種用于成像設(shè)備中的高電壓電源(HVPS)的模擬控制專用集成電路(ASIC)設(shè)備，該模擬控制ASIC設(shè)備包括至少兩個(gè)用于成像設(shè)備中的HVPS的、如權(quán)利要求1所述的模擬控制ASIC設(shè)備，其被配置為單芯片ASIC。
9.如權(quán)利要求8所述的模擬控制ASIC設(shè)備，其中用于成像設(shè)備中的HVPS的模擬控制設(shè)備中的至少兩個(gè)相互雙重連接。
10.如權(quán)利要求3所述的模擬控制ASIC設(shè)備，還包括反饋單元，用于檢測(cè)高電壓輸出信號(hào)，并且將所檢測(cè)的高電壓輸出信號(hào)反饋到電壓控制器，其中電壓控制器放大通過(guò)差分輸出電壓參考信號(hào)和由反饋單元檢測(cè)的倍壓器的輸出電壓而獲得的誤差信號(hào)。
11.一種控制用于模擬控制專用集成電路(ASIC)的高電壓電源(HVPS)的方法，該方法包括將具有預(yù)定頻率的交流信號(hào)變換成高電壓信號(hào)；通過(guò)對(duì)變壓器的次級(jí)高電壓信號(hào)進(jìn)行整流和倍壓，輸出用于成像設(shè)備中的HVPS的直流高電壓；以及將模擬控制電路配置為單芯片ASIC，以便使用開(kāi)關(guān)組件將預(yù)定的直流電平信號(hào)轉(zhuǎn)換成高頻開(kāi)關(guān)信號(hào)，并且將轉(zhuǎn)換后的高頻信號(hào)輸出到變壓器的初級(jí)繞組。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括放大直流電平信號(hào)；使用載波信號(hào)對(duì)放大后的信號(hào)輸出進(jìn)行脈寬調(diào)制；以及對(duì)由開(kāi)關(guān)組件接收的驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行高頻轉(zhuǎn)換，并且將該高頻轉(zhuǎn)換信號(hào)輸出到變壓器。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括將具有占空比的調(diào)制信號(hào)轉(zhuǎn)換成直流信號(hào)，并且將轉(zhuǎn)換后的直流信號(hào)輸出到電壓控制器，其中該直流信號(hào)包括用于控制高電壓輸出信號(hào)的參考信號(hào)。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括檢測(cè)高電壓輸出信號(hào)，并且將所檢測(cè)的高電壓輸出信號(hào)反饋到電壓控制器，其中電壓控制器放大通過(guò)差分輸出電壓參考信號(hào)和由反饋單元檢測(cè)的倍壓器的輸出電壓而獲得的誤差信號(hào)。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中由反饋單元檢測(cè)的高電壓輸出信號(hào)包括電壓或電流。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括檢測(cè)并濾波高電壓輸出信號(hào)；以及緩沖由電壓檢測(cè)器檢測(cè)的信號(hào)，箝位該緩沖信號(hào)，并且將該箝位信號(hào)輸出到電壓控制器。
全文摘要
提供了一種用于成像設(shè)備中的高電壓電源(HVPS)的模擬控制專用集成電路(ASIC)設(shè)備、以及用于控制HVPS的方法。該HVPS包括變壓器，將交流信號(hào)變換成高電壓信號(hào)；以及倍壓器，為該HVPS輸出直流高電壓。該ASIC包括被配置為單芯片ASIC的模擬控制電路，其使用開(kāi)關(guān)組件將預(yù)定的直流電平信號(hào)轉(zhuǎn)換成高頻開(kāi)關(guān)信號(hào)，并且將轉(zhuǎn)換后的高頻開(kāi)關(guān)信號(hào)輸出到變壓器的初級(jí)繞組。如果從倍壓器輸出的高電壓輸出信號(hào)不被反饋，則開(kāi)關(guān)組件對(duì)所接收的柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行高頻轉(zhuǎn)換，并且將該高頻轉(zhuǎn)換信號(hào)輸出到變壓器。
文檔編號(hào)H02M3/04GK1832314SQ20061000420
公開(kāi)日2006年9月13日 申請(qǐng)日期2006年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月2日
發(fā)明者蔡榮敏, 權(quán)重基, 吳哲宇, 趙鐘化, 韓相龍 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社