電機(jī)保護(hù)電路和電機(jī)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及電源管理技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種電機(jī)保護(hù)電路和電機(jī)。
【背景技術(shù)】
[0002] 在運(yùn)動(dòng)控制領(lǐng)域，電源開關(guān)的閉合或斷開都會(huì)產(chǎn)生較大的浪涌及尖峰，從而產(chǎn)生 較大的瞬態(tài)電流和瞬態(tài)電壓，對電機(jī)及控制電路容易造成損壞或者使電機(jī)工作異常。因此， 有必要設(shè)計(jì)一種過流過壓保護(hù)電路來防止電流或電壓突然增大時(shí)對控制電路及電機(jī)造成 損壞。
[0003] 針對現(xiàn)有技術(shù)中電源保護(hù)電路依靠笨重的電感器、電容器、保險(xiǎn)絲或瞬態(tài)電壓抑 制器來防止電源電壓電流突變對設(shè)備及控制電路的損害的技術(shù)問題，目前尚未提出有效的 解決方案。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004] 本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種電機(jī)保護(hù)電路和電機(jī)，以至少解決現(xiàn)有技術(shù)中電源 保護(hù)電路依靠笨重的電感器、電容器、保險(xiǎn)絲或瞬態(tài)電壓抑制器來防止電源電壓電流突變 對設(shè)備及控制電路的損害的技術(shù)問題。
[0005] 根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的一個(gè)方面，提供了一種電機(jī)保護(hù)電路，包括:分壓電阻和 采樣電阻;控制芯片，分壓電阻的一端接入控制芯片，采樣電阻的兩端都接入控制芯片，用 于根據(jù)檢測到的分壓電阻兩端的電壓值對電源電壓進(jìn)行穩(wěn)定處理，和/或根據(jù)檢測到的流 經(jīng)采樣電阻的電流值產(chǎn)生關(guān)斷信號(hào);場效應(yīng)晶體管，柵極接入控制芯片，源極接入采樣電阻 的一端連接，用于根據(jù)控制芯片產(chǎn)生的關(guān)斷信號(hào)進(jìn)行關(guān)斷。
[0006] 根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的另一個(gè)方面，提供了一種電機(jī)，包括：上述電機(jī)保護(hù)電 路。
[0007] 在本實(shí)用新型實(shí)施例中，通過控制芯片檢測分壓電阻兩端的電壓值，并在判斷出 電源輸出端輸出的電壓值大于預(yù)設(shè)電壓值的情況下，將電壓值穩(wěn)定為鉗位電壓之后輸出至 負(fù)載，通過控制芯片檢測流經(jīng)采樣電阻的電流值，并在判斷出電流值大于最大電流值的情 況下，控制連接于電源和負(fù)載之間的場效應(yīng)晶體管關(guān)斷，從而實(shí)現(xiàn)在電壓突然增大時(shí)，可通 過自身的輸出鉗位電路，將輸出電壓穩(wěn)定為設(shè)置的鉗位電壓，為電機(jī)及后級(jí)電路提供安全 穩(wěn)定的工作電壓;在電流超出設(shè)置的最大閾值電流時(shí)，可通過關(guān)斷外部的MOS關(guān)來切斷輸出 電流，以達(dá)到保護(hù)后級(jí)電路和電機(jī)的目的，進(jìn)一步解決現(xiàn)有技術(shù)中電源保護(hù)電路依靠笨重 的電感器、電容器、保險(xiǎn)絲或瞬態(tài)電壓抑制器來防止電源電壓電流突變對設(shè)備及控制電路 的損害的技術(shù)問題。通過本申請?zhí)峁?shí)施例，檢測和控制過程簡便快捷，整個(gè)電機(jī)保護(hù)電路 成本低，集成度高，實(shí)用性強(qiáng)。
【附圖說明】

[0008] 此處所說明的附圖用來提供對本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分， 本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對本實(shí)用新型的不當(dāng) 限定。在附圖中：
[0009] 圖1是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的一種電機(jī)保護(hù)電路的示意圖；
[0010] 圖2是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的一種可選的電機(jī)保護(hù)電路的示意圖；以及
[0011] 圖3是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的另一種可選的電機(jī)保護(hù)電路的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012] 為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本實(shí)用新型方案，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí) 施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的 實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分的實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí) 施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng) 當(dāng)屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0013] 需要說明的是，本實(shí)用新型的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語"第一"、 "第二"等是用于區(qū)別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣 使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的本實(shí)用新型的實(shí)施例能夠以除了在這 里圖示或描述的那些以外的順序?qū)嵤?。此外，術(shù)語"包括"和"具有"以及他們的任何變形，意 圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備 不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、 方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。
[0014] 實(shí)施例1
[0015] 根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例，提供了一種電機(jī)保護(hù)電路實(shí)施例，圖1是根據(jù)本實(shí)用新型 實(shí)施例的一種電機(jī)保護(hù)電路的示意圖，如圖1所示，該電機(jī)保護(hù)電路:分壓電阻11，采樣電阻 13，控制芯片15，和場效應(yīng)晶體管17。
[0016] 其中，控制芯片15，分壓電阻11的一端接入控制芯片15，采樣電阻13的兩端都接入 控制芯片15,用于根據(jù)檢測到的分壓電阻兩端的電壓值對電源電壓進(jìn)行穩(wěn)定處理，和/或根 據(jù)檢測到的流經(jīng)采樣電阻的電流值產(chǎn)生關(guān)斷信號(hào)。
[0017] 具體地，上述預(yù)設(shè)電壓值可以是電機(jī)保護(hù)電路輸出的鉗位電壓，上述預(yù)設(shè)電流值 可以是電源線上允許通過的最大電流值。
[0018] 場效應(yīng)晶體管17,柵極接入控制芯片15,源極接入采樣電阻13的一端，用于根據(jù)控 制芯片產(chǎn)生的關(guān)斷信號(hào)進(jìn)行關(guān)斷。
[0019] 具體地，上述場效應(yīng)晶體管可以是NMOS管，型號(hào)為Π 3Β33Ν25。
[0020] 圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種可選的電機(jī)保護(hù)電路的示意圖，如圖2所示，控制 芯片的第一管腳可以是FB管腳，第二管腳可以是OUT管腳，第三管腳可以是SNS管腳，第四管 腳可以是GATE管腳，電源的輸出端連接電機(jī)保護(hù)電路的輸入端VIN，電機(jī)保護(hù)電路的輸出端 VOUT連接負(fù)載，控制芯片的VCC管腳與輸入端VIN連接，OUT管腳與輸出端VOUT連接，采樣電 阻一端與NMOS管Ql的源極連接，并連接控制芯片的SNS管腳，另一端與輸出端VOUT連接，并 連接控制芯片的OUT管腳，分壓電阻的一端接入控制芯片的FB管腳，另一端與輸出端VOUT連 接，NMOS管Ql的漏極與電機(jī)保護(hù)電路的輸入端VIN連接，柵極與控制芯片的GATE管腳連接。
[0021] 在一種可選的方案中，控制芯片可以通過檢測FB端口的電勢，確定分壓電阻兩端 的電壓值，從而確定電源輸出至電機(jī)保護(hù)電路的電壓值，將該電壓值與鉗位電壓進(jìn)行比較， 如果電源輸出的電壓值小于等于鉗位電壓，則說明電源輸出的電壓值未超過負(fù)載的安全電 壓，可以直接將該電壓值輸出至后級(jí)的電路和電機(jī);如果電源輸出的電壓值大于鉗位電壓， 則說明該電壓值超過負(fù)載的安全電壓，需要進(jìn)行過壓保護(hù)，并通過控制芯片的鉗位功能，將 輸出電壓穩(wěn)定為鉗位電壓，并通過控制芯片的OUT端口輸出至后級(jí)的電路和電機(jī)。
[0022] 在另一種可選的方案中，控制芯片可以通過檢測SNS端口和OUT端口之間的電勢 差，確定采樣電阻Rl上的電壓值，并根據(jù)歐姆定律得到流經(jīng)采樣電阻的電流值，從而得到電 源輸出的電流值，將該電流值與最大電流值進(jìn)行比較，如果電源輸出的電流值大于最大電 流值，則說明該電流超出負(fù)載的安全電流，需要進(jìn)行過流保護(hù)，并通過控制芯片GATE端口控 制NMOS管Ql關(guān)斷，切斷電源與后級(jí)的電路和電機(jī)之間的電連接，從而切斷輸出電流。
[0023] 本申請上述實(shí)施例中，通過控制芯片檢測分壓電阻兩端的電壓值，確定電源輸出 端輸出的電壓，并在判斷出電源輸出端輸出的電壓值大于預(yù)設(shè)電壓值的情況下，將電壓值 穩(wěn)定為鉗位電壓之后輸出至負(fù)載，通過控制芯片檢測流經(jīng)采樣電阻的電流值，確定電源輸 出端輸出的電流，并在判斷出電流值大于最大電流值的情況下，控制連接于電源和負(fù)載之 間的場效應(yīng)晶體管關(guān)斷，從而實(shí)現(xiàn)在電壓突然增大時(shí)，可通過自身的輸出鉗位電路，將輸出 電壓穩(wěn)定為設(shè)置的鉗位電壓，為電機(jī)及后級(jí)電路提供安全穩(wěn)定的工作電壓;在電流超出設(shè) 置的最大閾值電流時(shí)，可通過關(guān)斷外部的MOS關(guān)來切斷輸出電流，以達(dá)到保護(hù)后級(jí)電路和電 機(jī)的目的，進(jìn)一步解決現(xiàn)有技術(shù)中電源保護(hù)電路依靠笨重的電感器、電容器、保險(xiǎn)絲或瞬態(tài) 電壓抑制器來防止電源電壓電流突變對設(shè)備及控制電路的損害的技術(shù)問題。通過本申請?zhí)?供實(shí)施例，檢測和控制過程簡便快捷，整個(gè)電機(jī)保護(hù)電路成本低，集成度高，實(shí)用性強(qiáng)。 [0024] 根據(jù)本申請上述實(shí)施例，上述控制芯片的類型為LT4363-2。
[0025] 根據(jù)本申請上述實(shí)施例，分壓電阻包括：第一子分壓電阻和第二子分壓電阻，其 中，第一子分壓電阻的一端連接于采樣電阻和負(fù)載之間，第一子分壓電阻的另一端與第二 子分壓電阻的一端連接于第一節(jié)點(diǎn)Zl，并接入控制芯片的第一管腳，第二子分壓電阻的另 一端接地。
[0026] 圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一種可選的電機(jī)保護(hù)電路的示意圖，如圖3所示，控 制芯片的第一管腳可以是FB管腳，第二管腳可以是OUT管腳，第三管腳可以是SNS管腳，第四 管腳可以是GATE管腳，第五管腳可以是VCC管腳，第六管腳可以是SHDN管腳，第七管腳可以 是OV管腳，第八管腳可以是UV管腳，第十二管腳可以是TMR管腳。在一種可選的方案中，上述 第一子分壓電阻可以是電阻R4,第二子分壓電阻可以是電阻R5，R4和R5串聯(lián)連接，R4的另一 端連接控制芯片的OUT管腳，R5的另一端接地，R4和R5的連接點(diǎn)Zl接入控制芯片的FB管腳。
[0027] 根據(jù)本申請上述實(shí)施例，采樣電阻的第一端經(jīng)由場效應(yīng)晶體管接入電源，第二端 接入負(fù)載，其中，控制芯片的第二管腳接入采樣電阻的第二端與負(fù)載之間的節(jié)點(diǎn)Z2,控制芯 片的第三管腳接入采樣電阻的第一端和場效應(yīng)晶體管的源極之間的節(jié)點(diǎn)Z3。
[0028]在一種可選的方案中，如圖3所示，上述控制芯片的第二管腳可以是OUT管腳，第三 管腳可以是SNS管腳，采樣電阻可以是電阻Rl，采樣電阻Rl-端與NMOS管Ql的源極連接，并 接入控制芯片的SNS管腳，另一端與輸出端VOUT連接，并接入控制芯片的OUT管腳。
[0029]根據(jù)本申請上述實(shí)施例，控制芯片還用于根據(jù)分壓電阻的電阻值，確定預(yù)設(shè)電壓 值;控制芯片還用于根據(jù)采樣電阻的電阻值，確定預(yù)設(shè)電流值。
[0031]
[0030] 具體地，可以根據(jù)如下公式確定預(yù)設(shè)電壓值和預(yù)設(shè)電流值：
[0032]
[0033] 其中，Ureg為預(yù)設(shè)電壓值，R4和R5分別為R4和R5的電阻值，I max為預(yù)設(shè)電流值，RARl 的電阻值。
[0034] 在一種可選的方案中，可以通過改變兩個(gè)子電阻的電阻值，設(shè)置輸出的鉗位電壓， 當(dāng)子電阻R4的電阻值為49.9ΚΩ，子電阻R5的電阻值為4.7ΚΩ時(shí)，根據(jù)上述計(jì)算公式可以得 到鉗位電壓為14.8V?？梢酝ㄟ^改變采樣電阻Rl的電阻值，設(shè)置電源線上允許通過的最大電 流值，當(dāng)采樣電阻Rl的電阻值為12.5πιΩ時(shí)，根據(jù)上述計(jì)算公式可以得到最大電流值為4A。
[0035] 根據(jù)本申請上述實(shí)施例，上述電機(jī)保護(hù)電路還包括：
[0036] 保護(hù)電阻，一端與電源連接，另一端與控制芯片連接。
[0037] 根據(jù)本申請上述實(shí)施例，保護(hù)電阻包括:第一子保護(hù)電阻，第二子保護(hù)電阻和第三 子保護(hù)電阻，其中，第一子保護(hù)電阻的一端連接于場效應(yīng)晶體管的漏極和電源之間，第一子 保護(hù)電阻的另一端與第二子保護(hù)電阻的一端連接于第二節(jié)點(diǎn)Ζ4,并接入控制芯片的第八管 腳，第二子保護(hù)電阻的另一端與第三子保護(hù)電阻的一端連接于第三節(jié)點(diǎn)Ζ5,并接入控制芯 片的第七管腳，第三子保護(hù)電阻的另一端接地。
[0038]在一種可選的方案中，如圖3所示，上述控制芯片的第七管腳可以是OV管腳，第八 管腳可以是UV管腳，第一子保護(hù)電阻，第二子保護(hù)電阻和第三子保護(hù)電阻可以分別是電阻 R6，電阻R7和電阻R8，R6、R7和R8串聯(lián)連接，R6的另一端與輸入端VIN連接，R8的另一端接地， R6和R7的連接點(diǎn)Ζ4接入控制芯片的UV管腳，R6和R7的連接點(diǎn)Ζ5接入控制芯片的OV管腳。
[0039] 根據(jù)本申請上述實(shí)施例，控制芯片還用于根據(jù)保護(hù)電阻的電阻值，確定過壓電壓 值和欠壓電壓值;控制芯片還用于在檢測到保護(hù)電阻兩端的電壓值大于過壓電壓值，或者 小于欠壓電壓值的情況下，發(fā)出關(guān)斷信號(hào)。
[0040] 具體地，根據(jù)如下公式確定過壓電壓值和欠壓電壓值：
[0041]
[0042]
[0043] 其中，Uov為過壓電壓值，Uuv為欠壓電壓值，R6，R7和R8分別為保護(hù)電阻中的R6，R7和 R8的電阻值。
[0044] 在一種可選的方案中，可以通過改變?nèi)齻€(gè)子電阻的電阻值，設(shè)置過壓電壓值和欠 壓電壓值，當(dāng)子電阻R6的電阻值為100Κ Ω，子電阻R7的電阻值為11. IK Ω，子電阻R8的電阻 值為IOKΩ時(shí)，根據(jù)上述計(jì)算公式可以得到過壓電壓值為15.4V，欠壓電壓值為7.3V。控制芯 片可以在檢測到電源輸出端輸出的電壓值之后，進(jìn)一步判斷該電壓值是否大于15.4V或者 小于7.3V，如果判斷出電壓值大于15.4V時(shí)，或者判斷出電壓值小于7.3V時(shí)，則通過GATE端 口控制NMOS管Ql關(guān)斷，切斷電源與后級(jí)的電路和電機(jī)之間的電路，從而切斷輸出電壓。
[0045]根據(jù)本申請上述實(shí)施例，上述電機(jī)保護(hù)電路還包括：
[0046]電容，一端接入控制芯片的第十二管腳，另一端接地，用于根據(jù)控制芯片發(fā)出的充 電信號(hào)進(jìn)行充電。
[0047]在一種可選的方案中，如圖3所示，上述控制芯片的第十二管腳可以是TMR管腳，電 容可以是C2,電容C2的一端接控制芯片的TMR管腳，另一端接地?？刂菩酒梢栽贆z測到電 源輸出的電壓值大于過壓電壓值，或者小于欠壓電壓值時(shí)，控制電容C2進(jìn)行充電，并在充電 的過程中，實(shí)時(shí)檢測電容C2的電壓值。
[0048]控制芯片還用于在檢測到電容的電壓值大于等于第一預(yù)設(shè)值的情況下，發(fā)出關(guān)斷 信號(hào)。
[0049] 具體地，上述第一預(yù)設(shè)值可以是1.375V。
[0050] 在一種可選的方案中，控制芯片可以在檢測到電容C2的電壓值到達(dá)1.375V時(shí)，控 制GATE端口的匪OS管Ql關(guān)斷，從而切斷電源輸出端至后級(jí)的電路和電機(jī)輸入端的連接，保 護(hù)后級(jí)的電路和電機(jī)。
[0051] 根據(jù)本申請上述實(shí)施例，控制芯片還用于控制電容繼續(xù)進(jìn)行充電，在充電過程中 當(dāng)檢測到電容的電壓值大于等于第二預(yù)設(shè)值時(shí)，控制電容進(jìn)行放電，在放電過程中當(dāng)檢測 到電容的電壓值小于等于第三預(yù)設(shè)值，且檢測到保護(hù)電阻兩端的電壓值和/或流經(jīng)采樣電 阻的電流值滿足導(dǎo)通條件時(shí)，發(fā)出導(dǎo)通信號(hào)。
[0052]場效應(yīng)晶體管還用于根據(jù)接收到的導(dǎo)通信號(hào)進(jìn)行導(dǎo)通。
[0053] 具體地，上述第二預(yù)設(shè)值可以是4.3V，上述第三預(yù)設(shè)值可以是0.5V。
[0054] 在一種可選的方案中，控制芯片可以在控制匪OS管Ql關(guān)斷之后，繼續(xù)控制電容C2 進(jìn)行充電，并在充電的過程中實(shí)時(shí)檢測電容C2的電壓值，當(dāng)檢測到電容C2的電壓值達(dá)到 4.3V時(shí)，控制電容C2進(jìn)行放電，并在放電過程中實(shí)時(shí)檢測電容C2的電壓，當(dāng)檢測到電容C2的 電壓值降至0.5V時(shí)，控制芯片檢測電源輸出的電壓值是否滿足導(dǎo)通條件，或者電源輸出的 電流值是否滿足導(dǎo)通條件，如果滿足導(dǎo)通條件，則控制NMOS管Ql導(dǎo)通。
[0055] 根據(jù)本申請上述實(shí)施例，控制芯片還用于在場效應(yīng)晶體管關(guān)斷之后，開始計(jì)時(shí)，并 當(dāng)計(jì)時(shí)時(shí)間到達(dá)預(yù)設(shè)時(shí)間，且檢測到保護(hù)電阻兩端的電壓值和/或流經(jīng)采樣電阻的電流值 滿足導(dǎo)通條件時(shí)，發(fā)出導(dǎo)通信號(hào)。
[0056] 場效應(yīng)晶體管還用于根據(jù)接收到的導(dǎo)通信號(hào)進(jìn)行導(dǎo)通。
[0057] 具體地，上述延時(shí)時(shí)間可以是控制芯片的冷卻時(shí)間，可以如下公式確定：
[0058]
[0059] 其中，t為預(yù)設(shè)時(shí)間，&為02的電容值。
[0060] 在一種可選的方案中，當(dāng)電容C2的電容值為0. UiF時(shí)，根據(jù)上述公式可以計(jì)算得到 冷卻時(shí)間為336ms，控制芯片可以在匪OS管Ql關(guān)斷之后，開始計(jì)時(shí)，當(dāng)計(jì)時(shí)時(shí)間到達(dá)336ms 時(shí)，控制芯片檢測電源輸出的電壓值是否滿足導(dǎo)通條件，或者電源輸出的電流值是否滿足 導(dǎo)通條件，如果滿足導(dǎo)通條件，則控制NMOS管Ql導(dǎo)通。
[0061] 此處需要說明的是，上述控制芯片根據(jù)電容的電壓值控制場效應(yīng)晶體管導(dǎo)通和控 制芯片根據(jù)計(jì)時(shí)時(shí)間控制場效應(yīng)晶體管導(dǎo)通，兩種方案的實(shí)現(xiàn)效果均為控制芯片在控制 NMOS管Ql關(guān)斷之后，等待一段冷卻時(shí)間在控制NMOS管Ql導(dǎo)通。
[0062] 根據(jù)本申請上述實(shí)施例，控制芯片還用于在檢測到保護(hù)電阻兩端的電壓值大于等 于欠壓電壓值，且小于等于過壓電壓值的情況下，和/或在檢測到流經(jīng)采樣電阻的電流值小 于等于預(yù)設(shè)電流值的情況下，發(fā)出導(dǎo)通信號(hào)。
[0063] 在一種可選的方案中，當(dāng)控制芯片因?yàn)榕袛喑鲭娫摧敵龅碾妷褐荡笥谶^壓電壓 15.4V，或者小于7.3V而控制匪OS管Ql關(guān)斷之后，控制芯片可以在電容C2的電壓值降至 0.5V，或者計(jì)時(shí)時(shí)間到達(dá)336ms時(shí)，判斷電源輸出的電壓值是否大于等于7.3V，且小于等于 15.4V，并在電壓值大于等于7.3V，且小于等于15.4V時(shí)，控制匪OS管Ql導(dǎo)通;如果電壓值小 于7.3V，或者大于15.4V，則需等待電源輸出的電壓值恢復(fù)至7.3V~15.4V范圍內(nèi)再控制 NMOS管Ql導(dǎo)通。
[0064] 在另一種可選的方案中，當(dāng)控制芯片因?yàn)榕袛喑鲭娫摧敵龅碾娏髦荡笥谧畲箅娏?值4A而控制匪OS管Ql關(guān)斷之后，控制芯片可以在電容C2的電壓值降至0.5V，或者計(jì)時(shí)時(shí)間 到達(dá)336ms時(shí)，判斷電源輸出的電流值是否小于等于4A，并在電流值小于等于4A時(shí)，控制 NMOS管Ql導(dǎo)通;如果電流值大于4A，則需等待電源輸出的電流值低于設(shè)定的最大電流4A時(shí) 再控制NMOS管Ql導(dǎo)通。
[0065] 本申請上述實(shí)施例中，在持續(xù)過壓欠壓和過流的情況下，通過切斷外接的匪OS管 Q1，使電源的輸出端與負(fù)載的輸入端斷開，從而不會(huì)損壞保護(hù)電路本身，并且當(dāng)電壓電流恢 復(fù)正常值時(shí)，電源的輸出端和負(fù)載的輸入端會(huì)重新導(dǎo)通，使整個(gè)電機(jī)保護(hù)電路工作正常，從 而實(shí)現(xiàn)電機(jī)保護(hù)電路的發(fā)生過流過壓故障時(shí)，具有重新接通功能的目的。
[0066] 根據(jù)本申請上述實(shí)施例，上述電路還包括：
[0067]第一保護(hù)電阻，一端接入控制芯片的第五管腳和第六管腳，另一端連接于場效應(yīng) 晶體管的漏極和電源之間。
[0068]第二保護(hù)電阻，一端接入控制芯片的第四管腳，另一端與場效應(yīng)晶體管的柵極連 接。
[0069] 保護(hù)電容，一端連接于采樣電阻和負(fù)載之間，另一端接地。
[0070] 在一種可選的方案中，如圖3所示，上述控制芯片的第五管腳可以是VCC管腳，第六 管腳可以是SHDN管腳，第一保護(hù)電阻可以是電阻R2,第二保護(hù)電阻可以是R3,保護(hù)電容可以 是Cl，電阻R2的一端與輸入端VIN和NMOS管Ql的漏極連接，另一端接入控制芯片的VCC管腳 和SHDN管腳，電阻R3的連接NMOS管Ql的柵極，另一端接入控制芯片的GATE管腳，Cl 一端連接 輸出端V0UT，另一端接地，電阻R2和電阻R3用于進(jìn)行限流，電容Cl用于對電流尖峰進(jìn)行濾 波。
[0071] 需要說明的是，如圖3所示，電阻R2,電阻R3和電容Cl的選擇，以及控制芯片VCC管 腳和SHDN管腳的連接方式可以參考linear公司的LT4363數(shù)據(jù)手冊，由于本申請中沒有使用 FLT管腳被置低以提示電源系統(tǒng)有異常的功能，因此控制芯片ENOUT管腳和FLT管腳沒有進(jìn) 行連接，實(shí)際使用過程中可以根據(jù)需要進(jìn)行連接。
[0072] 根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供了一種控制電機(jī)保護(hù)電路的方法實(shí)施例，該方法包括如 下步驟：
[0073]步驟S102,控制芯片檢測接入控制芯片的分壓電阻兩端的電壓值，并判斷電壓值 是否大于預(yù)設(shè)電壓值，和/或檢測流經(jīng)兩端都接入控制芯片的采樣電阻的電流值，并判斷電 流值是否大于預(yù)設(shè)電流值。
[0074] 具體地，上述控制芯片可以是LT4363-2芯片，上述預(yù)設(shè)電壓值可以是電機(jī)保護(hù)電 路輸出的鉗位電壓，上述預(yù)設(shè)電流值可以是電源線上允許通過的最大電流值。
[0075]如圖3所示，控制芯片的第一管腳可以是FB管腳，第二管腳可以是OUT管腳，第三管 腳可以是SNS管腳，第四管腳可以是GATE管腳，電源的輸出端連接電機(jī)保護(hù)電路的輸入端 VIN，電機(jī)保護(hù)電路的輸出端VOUT連接負(fù)載，控制芯片的VCC管腳與輸入端VIN連接，OUT管腳 與輸出端VOUT連接，采樣電阻一端與匪OS管Ql的源極連接，并連接控制芯片的SNS管腳，另 一端與輸出端VOUT連接，并連接控制芯片的OUT管腳，分壓電阻的一端接入控制芯片的FB管 腳，另一端與輸出端VOUT連接，NMOS管Ql的漏極與電機(jī)保護(hù)電路的輸入端VIN連接，柵極與 控制芯片的GATE管腳連接。
[0076]在一種可選的方案中，控制芯片可以通過檢測FB管腳的電勢，確定分壓電阻兩端 的電壓值，從而確定電源輸出端輸出至電機(jī)保護(hù)電路的電壓值，將該電壓值與鉗位電壓進(jìn) 行比較，如果電源輸出端輸出的電壓值大于鉗位電壓，則說明該電壓值超過負(fù)載的安全電 壓，需要進(jìn)行過壓保護(hù)。
[0077]在另一種可選的方案中，控制芯片可以通過檢測SNS管腳和OUT管腳之間的電勢 差，確定采樣電阻上的電壓值，并根據(jù)歐姆定律得到流經(jīng)采樣電阻的電流值，從而得到電源 輸出的電流值，將該電流值與最大電流值進(jìn)行比較，如果電源輸出的電流值大于最大電流 值，則說明該電流超出負(fù)載的安全電流，需要進(jìn)行過流保護(hù)。
[0078] 步驟S104,在電壓值大于預(yù)設(shè)電壓值的情況下，控制芯片將電壓值穩(wěn)定為預(yù)設(shè)電 壓值之后輸出至負(fù)載。
[0079] 具體地，上述負(fù)載可以是后級(jí)的電路和電機(jī)。
[0080] 在一種可選的方案中，控制芯片可以在檢測電源輸出的電壓值大于預(yù)設(shè)電壓值， 即出現(xiàn)過壓現(xiàn)象時(shí)，通過控制芯片的鉗位功能，將輸出電壓穩(wěn)定為鉗位電壓，并通過控制芯 片的OUT管腳輸出至后級(jí)的電路和電機(jī)。
[0081] 步驟S106,在電流值大于預(yù)設(shè)電流值的情況下，控制芯片控制連接于電源和負(fù)載 之間的場效應(yīng)晶體管關(guān)斷，以斷開電源與負(fù)載的電連接。
[0082] 具體地，上述場效應(yīng)晶體管可以是NMOS管。
[0083] 在一種可選的方案中，控制芯片可以在檢測電源輸出的電流值大于最大電流值， 即出現(xiàn)過流現(xiàn)象時(shí)，通過控制芯片GATE管腳控制匪OS管Ql關(guān)斷，切斷電源與后級(jí)的電路和 電機(jī)之間的電連接，從而切斷輸出電流。
[0084] 本申請上述實(shí)施例中，通過控制芯片檢測分壓電阻兩端的電壓值，確定電源輸出 端輸出的電壓，并在判斷出電源輸出端輸出的電壓值大于預(yù)設(shè)電壓值的情況下，將電壓值 穩(wěn)定為鉗位電壓之后輸出至負(fù)載，通過控制芯片檢測流經(jīng)采樣電阻的電流值，確定電源輸 出端輸出的電流，并在判斷出電流值大于最大電流值的情況下，控制連接于電源和負(fù)載之 間的場效應(yīng)晶體管關(guān)斷，從而實(shí)現(xiàn)在電壓突然增大時(shí)，可通過自身的輸出鉗位電路，將輸出 電壓穩(wěn)定為設(shè)置的鉗位電壓，為電機(jī)及后級(jí)電路提供安全穩(wěn)定的工作電壓;在電流超出設(shè) 置的最大閾值電流時(shí)，可通過關(guān)斷外部的MOS關(guān)來切斷輸出電流，以達(dá)到保護(hù)后級(jí)電路和電 機(jī)的目的，進(jìn)一步解決現(xiàn)有技術(shù)中電源保護(hù)電路依靠笨重的電感器、電容器、保險(xiǎn)絲或瞬態(tài) 電壓抑制器來防止電源電壓電流突變對設(shè)備及控制電路的損害的技術(shù)問題。通過本申請?zhí)?供實(shí)施例，檢測和控制過程簡便快捷，整個(gè)電機(jī)保護(hù)電路成本低，集成度高，實(shí)用性強(qiáng)。
[0085] 根據(jù)本申請上述實(shí)施例，在步驟S102,控制芯片檢測接入控制芯片的分壓電阻兩 端的電壓值，并判斷電壓值是否大于預(yù)設(shè)電壓值，和/或檢測流經(jīng)兩端都接入控制芯片的采 樣電阻的電流值，并判斷電流值是否大于預(yù)設(shè)電流值之前，上述方法還包括如下步驟：
[0086] 步驟S112,控制芯片根據(jù)分壓電阻的電阻值，根據(jù)如下公式確定預(yù)設(shè)電壓值：
[0087]
[0088]其中，Ureg為預(yù)設(shè)電壓值，R4和R5分別為分壓電阻中的第一子分壓電阻和第二子分 壓電阻的電阻值，第一子分壓電阻的一端連接于采樣電阻和負(fù)載之間，第一子分壓電阻的 另一端與第二子分壓電阻的一端連接于第一節(jié)點(diǎn)Zl，并接入控制芯片的第一管腳，第二子 分壓電阻的另一端接地。
[0089]在一種可選的方案中，如圖3所示，上述控制芯片的第一管腳可以是FB管腳，第一 子分壓電阻可以是R4,第二子分壓電阻可以是R5，R4和R5串聯(lián)連接，R4的另一端連接控制芯 片的OUT管腳，R5的另一端接地，R4和R5的連接點(diǎn)Z1接入控制芯片的FB管腳。可以通過改變 兩個(gè)子電阻的電阻值，設(shè)置輸出的鉗位電壓，當(dāng)子電阻R4的電阻值為49.9ΚΩ，子電阻R5的 電阻值為4.7ΚΩ時(shí)，根據(jù)上述計(jì)算公式可以得到鉗位電壓為14.8V。
[0090] 步驟S114,控制芯片根據(jù)采樣電阻的電阻值，根據(jù)如下公式確定預(yù)設(shè)電流值：
[0091]
[0092]其中，Imax為預(yù)設(shè)電流值,R1為采樣電阻的電阻值，控制芯片的第二管腳接入采樣 電阻的第二端與負(fù)載之間的節(jié)點(diǎn)Z2,控制芯片的第三管腳接入采樣電阻的第一端和場效應(yīng) 晶體管的源極之間的節(jié)點(diǎn)Z3。
[0093]在一種可選的方案中，如圖3所示，上述控制芯片的第二管腳可以是OUT管腳，第三 管腳可以是SNS管腳，采樣電阻可以是電阻Rl，采樣電阻Rl-端與NMOS管Ql的源極連接，并 接入控制芯片的SNS管腳，另一端與輸出端VOUT連接，并接入控制芯片的OUT管腳?？梢酝ㄟ^ 改變采樣電阻Rl的電阻值，設(shè)置電源線上允許通過的最大電流值，當(dāng)采樣電阻Rl的電阻值 為12.5m Ω時(shí)，根據(jù)上述計(jì)算公式可以得到最大電流值為4A。
[0094] 此處需要說明的是，上述步驟S112和步驟S114的執(zhí)行順序可以互換，本發(fā)明對此 不作具體限定?？蛇x地，控制芯片可以先根據(jù)采樣電阻的電阻值確定預(yù)設(shè)電流值，然后在根 據(jù)分壓電阻的電阻值確定預(yù)設(shè)電壓值。
[0095]根據(jù)本申請上述實(shí)施例，在步驟S102,控制芯片檢測接入控制芯片的分壓電阻兩 端的電壓值之后，上述方法還包括如下步驟：
[0096] 步驟S122,控制芯片判斷接入控制芯片的保護(hù)電阻兩端的電壓值是否大于過壓電 壓值，或者小于欠壓電壓值。
[0097] 具體地，上述過壓電壓值和欠壓電壓值可以根據(jù)保護(hù)電壓的需求進(jìn)行設(shè)置。
[0098] 步驟S124,在保護(hù)電阻兩端的電壓值大于過壓電壓值，或者小于欠壓電壓值的情 況下，控制芯片控制場效應(yīng)晶體管關(guān)斷。
[0099] 在一種可選的方案中，控制芯片可以在檢測到保護(hù)電阻兩端的電壓值之后，進(jìn)一 步判斷該電壓值是否大于過壓電壓值或者小于欠壓電壓值，如果判斷出電壓值大于過壓電 壓值時(shí)，或者判斷出電壓值小于欠壓電壓值時(shí)，則通過GATE管腳控制NMOS管Ql關(guān)斷，切斷電 源與后級(jí)的電路和電機(jī)之間的電路，從而切斷輸出電壓。
[0100]根據(jù)本申請上述實(shí)施例，在步驟Sl 22，控制芯片判斷接入控制芯片的保護(hù)電阻兩 端的電壓值是否大于過壓電壓值，或者小于欠壓電壓值之前，上述方法還包括如下步驟： [0101]步驟S1232,控制芯片根據(jù)保護(hù)電阻的電阻值，根據(jù)如下公式確定過壓電壓值和欠 壓電壓值，
[0102]
[0103]
[0104] 其中，保護(hù)電阻的一端與電源的輸出端連接，另一端與控制芯片連接，Uov為過壓電 壓值，Uuv為欠壓電壓值，R6，R 7和R8分別為保護(hù)電阻中的第一子電阻，第二子電阻和第三子電 阻的電阻值，第一子保護(hù)電阻的一端連接于場效應(yīng)晶體管的漏極和電源之間，第一子保護(hù) 電阻的另一端與第二子保護(hù)電阻的一端連接于第二節(jié)點(diǎn)Z4,并接入控制芯片的第八管腳， 第二子保護(hù)電阻的另一端與第三子保護(hù)電阻的一端連接于第三節(jié)點(diǎn)Z5,并接入控制芯片的 第七管腳，第三子保護(hù)電阻的另一端接地。
[0105] 在一種可選的方案中，如圖3所示，上述控制芯片的第七管腳可以是OV管腳，第八 管腳可以是UV管腳，第一子保護(hù)電阻，第二子保護(hù)電阻和第三子保護(hù)電阻可以分別是電阻 R6，電阻R7和電阻R8，R6、R7和R8串聯(lián)連接，R6的另一端與輸入端VIN連接，R8的另一端接地， R6和R7的連接點(diǎn)Z4接入控制芯片的UV管腳，R6和R7的連接點(diǎn)Z5接入控制芯片的OV管腳?？?以通過改變?nèi)齻€(gè)子電阻的電阻值，設(shè)置過壓電壓值和欠壓電壓值，當(dāng)子電阻R6的電阻值為 100ΚΩ，子電阻R7的電阻值為11.1ΚΩ，子電阻R8的電阻值為10ΚΩ時(shí)，根據(jù)上述計(jì)算公式可 以得到過壓電壓值為15.4V，欠壓電壓值為7.3V。
[0106] 根據(jù)本申請上述實(shí)施例，步驟S106,控制芯片控制場效應(yīng)晶體管關(guān)斷包括如下步 驟：
[0107] 步驟S1062,控制芯片控制接入控制芯片的第十二管腳的電容進(jìn)行充電，并檢測電 容的電壓值。
[0108] 在一種可選的方案中，如圖3所示，上述控制芯片的第十二管腳可以是TMR管腳，電 容可以是C2,電容C2的一端接控制芯片的TMR端，另一端接地?？刂菩酒梢栽贆z測到電源 輸出的電壓值大于過壓電壓值，或者小于欠壓電壓值時(shí)，控制電容C2進(jìn)行充電，并在充電的 過程中，實(shí)時(shí)檢測電容C2的電壓值。
[0109] 步驟S1064,在電容的電壓值大于等于第一預(yù)設(shè)值的情況下，控制芯片控制場效應(yīng) 晶體管關(guān)斷。
[0110] 具體地，上述第一預(yù)設(shè)值可以是1.375V。
[0111] 在一種可選的方案中，控制芯片可以在檢測到電容C2的電壓值到達(dá)1.375V時(shí)，控 制GATE管腳的匪OS管Ql關(guān)斷，從而切斷電源輸出端至后級(jí)的電路和電機(jī)輸入端的連接，保 護(hù)后級(jí)的電路和電機(jī)。
[0112] 根據(jù)本申請上述實(shí)施例，在步驟S106,控制芯片控制場效應(yīng)晶體管關(guān)斷之后，上述 方法還包括如下步驟：
[0113]步驟S132，控制芯片控制電容繼續(xù)進(jìn)行充電，并實(shí)時(shí)檢測電容在充電過程中的電 壓值。
[0114] 在一種可選的方案中，控制芯片可以在控制匪OS管Ql關(guān)斷之后，繼續(xù)控制電容C2 進(jìn)行充電，并在充電的過程中實(shí)時(shí)檢測電容C2的電壓值。
[0115]步驟S134，在充電過程中，當(dāng)電容的電壓值大于等于第二預(yù)設(shè)值時(shí)，控制芯片控制 電容進(jìn)行放電，并繼續(xù)檢測電容在放電過程中的電壓值。
[0116] 具體地，上述第二預(yù)設(shè)值可以是4.3V。
[0117] 在一種可選的方案中，控制芯片可以當(dāng)檢測到電容C2的電壓值達(dá)到4.3V時(shí)，控制 電容C2進(jìn)行放電，并在放電過程中實(shí)時(shí)檢測電容C2的電壓。
[0118] 步驟S136,在放電過程中，當(dāng)電容的電壓值小于等于第三預(yù)設(shè)值，且檢測到保護(hù)電 阻兩端的電壓值和/或流經(jīng)采樣電阻的電流值滿足導(dǎo)通條件時(shí)，控制芯片控制場效應(yīng)晶體 管導(dǎo)通。
[0119] 具體地，上述第三預(yù)設(shè)值可以是0.5V。
[0120] 在一種可選的方案中，控制芯片可以當(dāng)檢測到電容C2的電壓值降至0.5V時(shí)，控制 芯片檢測電源輸出的電壓值是否滿足導(dǎo)通條件，或者電源輸出的電流值是否滿足導(dǎo)通條 件，如果滿足導(dǎo)通條件，則控制NMOS管Ql導(dǎo)通。
[0121] 根據(jù)本申請上述實(shí)施例，在步驟S106,控制芯片控制場效應(yīng)晶體管關(guān)斷之后，上述 方法還包括如下步驟：
[0122] 步驟S142,控制芯片開始計(jì)時(shí)，當(dāng)計(jì)時(shí)時(shí)間到達(dá)預(yù)設(shè)時(shí)間，且檢測到保護(hù)電阻兩端 的電壓值和/或流經(jīng)采樣電阻的電流值滿足導(dǎo)通條件時(shí)，控制場效應(yīng)晶體管導(dǎo)通，其中，預(yù) 設(shè)時(shí)間可以根據(jù)如下公式確定：
[0123]
[0124] 其中，t為預(yù)設(shè)時(shí)間，(：2為電容的電容值，電容的一端接入控制芯片的第十二管腳， 另一端接地。
[0125] 具體地，上述延時(shí)時(shí)間可以是控制芯片的冷卻時(shí)間。
[0126] 在一種可選的方案中，當(dāng)電容C2的電容值為0. UiF時(shí)，根據(jù)上述公式可以計(jì)算得到 冷卻時(shí)間為336ms，控制芯片可以在匪OS管Ql關(guān)斷之后，開始計(jì)時(shí)，當(dāng)計(jì)時(shí)時(shí)間到達(dá)336ms 時(shí)，控制芯片檢測電源輸出的電壓值是否滿足導(dǎo)通條件，或者電源輸出的電流值是否滿足 導(dǎo)通條件，如果滿足導(dǎo)通條件，則控制NMOS管Ql導(dǎo)通。
[0127] 此處需要說明的是，上述步驟S132至S136和步驟S142兩種方案的實(shí)現(xiàn)方式不同， 但是本質(zhì)都是控制芯片在控制NMOS管Ql關(guān)斷之后，需要等待一段時(shí)間在控制匪OS管Ql導(dǎo) 通，因此可以根據(jù)實(shí)際電路的需要選擇兩種方案中的任意一種。
[0128] 根據(jù)本申請上述實(shí)施例，控制芯片控制場效應(yīng)晶體管導(dǎo)通包括如下步驟：
[0129] 步驟S152,控制芯片判斷接入控制芯片的保護(hù)電阻兩端的電壓值是否大于等于欠 壓電壓值，且小于等于過壓電壓值，其中，在接入控制芯片的保護(hù)電阻兩端的電壓值大于等 于欠壓電壓值，且小于等于過壓電壓值的情況下，控制場效應(yīng)晶體管導(dǎo)通。
[0130] 在一種可選的方案中，當(dāng)控制芯片因?yàn)榕袛喑鲭娫摧敵龅碾妷褐荡笥谶^壓電壓 15.4V，或者小于7.3V而控制匪OS管Ql關(guān)斷之后，控制芯片可以在電容C2的電壓值降至 0.5V，或者計(jì)時(shí)時(shí)間到達(dá)336ms時(shí)，判斷電源輸出的電壓值是否大于等于7.3V，且小于等于 15.4V，并在電壓值大于等于7.3V，且小于等于15.4V時(shí)，控制匪OS管Ql導(dǎo)通;如果電壓值小 于7.3V，或者大于15.4V，則需等待電源輸出的電壓值恢復(fù)至7.3V~15.4V范圍內(nèi)再控制 NMOS管Ql導(dǎo)通。
[0131] 步驟S154,控制芯片判斷流經(jīng)采樣電阻的電流值是否小于等于預(yù)設(shè)電流值，其中， 在流經(jīng)采樣電阻的電流值小于等于預(yù)設(shè)電流值的情況下，控制場效應(yīng)晶體管導(dǎo)通。
[0132] 在一種可選的方案中，當(dāng)控制芯片因?yàn)榕袛喑鲭娫摧敵龅碾娏髦荡笥谧畲箅娏髦?4A而控制NMOS管Ql關(guān)斷之后，控制芯片可以在電容C2的電壓值降至0.5V，或者計(jì)時(shí)時(shí)間到 達(dá)336ms時(shí)，判斷電源輸出的電流值是否小于等于4A，并在電流值小于等于4A時(shí)，控制匪OS 管Ql導(dǎo)通；如果電流值大于4A，則需等待電源輸出的電流值低于設(shè)定的最大電流4A時(shí)再控 制NMOS管Ql導(dǎo)通。
[0133] 本申請上述實(shí)施例中，在持續(xù)過壓欠壓和過流的情況下，通過切斷外接的匪OS管 Q1，使電源的輸出端與負(fù)載的輸入端斷開，從而不會(huì)損壞保護(hù)電路本身，并且當(dāng)電壓電流恢 復(fù)正常值時(shí)，電源的輸出端和負(fù)載的輸入端會(huì)重新導(dǎo)通，使整個(gè)電機(jī)保護(hù)電路工作正常，從 而實(shí)現(xiàn)電機(jī)保護(hù)電路的發(fā)生過流過壓故障時(shí)，具有重新接通功能的目的。
[0134] 實(shí)施例2
[0135] 根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例，提供了一種電機(jī)，該電機(jī)包括實(shí)施例1中提供的電機(jī)保護(hù) 電路。
[0136] 上述本實(shí)用新型實(shí)施例序號(hào)僅僅為了描述，不代表實(shí)施例的優(yōu)劣。
[0137] 在本實(shí)用新型的上述實(shí)施例中，對各個(gè)實(shí)施例的描述都各有側(cè)重，某個(gè)實(shí)施例中 沒有詳述的部分，可以參見其他實(shí)施例的相關(guān)描述。
[0138] 以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技 術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和 潤飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種電機(jī)保護(hù)電路，其特征在于，包括： 分壓電阻和采樣電阻； 控制芯片，所述分壓電阻的一端接入所述控制芯片，所述采樣電阻的兩端都接入所述 控制芯片，用于根據(jù)檢測到的所述分壓電阻兩端的電壓值對電源電壓進(jìn)行穩(wěn)定處理，和/或 根據(jù)檢測到的流經(jīng)所述采樣電阻的電流值產(chǎn)生關(guān)斷信號(hào)； 場效應(yīng)晶體管，柵極接入所述控制芯片，源極接入所述采樣電阻的一端，用于根據(jù)所述 控制芯片產(chǎn)生的所述關(guān)斷信號(hào)進(jìn)行關(guān)斷。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述控制芯片的類型為LT4363-2。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述分壓電阻包括:第一子分壓電阻和第 二子分壓電阻，其中，所述第一子分壓電阻的一端連接于所述采樣電阻和負(fù)載之間，所述第 一子分壓電阻的另一端與所述第二子分壓電阻的一端連接于第一節(jié)點(diǎn)，并接入所述控制芯 片的第一管腳，所述第二子分壓電阻的另一端接地。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述采樣電阻的第一端經(jīng)由所述場效應(yīng)晶 體管接入電源，第二端接入負(fù)載，其中，所述控制芯片的第二管腳接入所述采樣電阻的第二 端與負(fù)載之間的節(jié)點(diǎn)，所述控制芯片的第三管腳接入所述采樣電阻的第一端和所述場效應(yīng) 晶體管的源極之間的節(jié)點(diǎn)。5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于， 所述控制芯片還用于根據(jù)所述分壓電阻的電阻值，確定預(yù)設(shè)電壓值； 所述控制芯片還用于根據(jù)所述采樣電阻的電阻值，確定預(yù)設(shè)電流值。6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述電路還包括： 保護(hù)電阻，一端與所述電源連接，另一端與所述控制芯片連接。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路，其特征在于，所述保護(hù)電阻包括:第一子保護(hù)電阻，第二 子保護(hù)電阻和第三子保護(hù)電阻，其中，所述第一子保護(hù)電阻的一端連接于所述場效應(yīng)晶體 管的漏極和所述電源之間，所述第一子保護(hù)電阻的另一端與所述第二子保護(hù)電阻的一端連 接于第二節(jié)點(diǎn)，并接入所述控制芯片的第八管腳，所述第二子保護(hù)電阻的另一端與所述第 三子保護(hù)電阻的一端連接于第三節(jié)點(diǎn)，并接入所述控制芯片的第七管腳，第三子保護(hù)電阻 的另一端接地。8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路，其特征在于， 所述控制芯片還用于根據(jù)所述保護(hù)電阻的電阻值，確定過壓電壓值和欠壓電壓值； 所述控制芯片還用于根據(jù)在檢測到所述保護(hù)電阻兩端的電壓值大于所述過壓電壓值， 或者小于所述欠壓電壓值的情況下，發(fā)出所述關(guān)斷信號(hào)。9. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述電路還包括： 電容，一端接入所述控制芯片的第十二管腳，另一端接地，用于根據(jù)控制芯片發(fā)出的充 電信號(hào)進(jìn)行充電； 所述控制芯片還用于在檢測到所述電容的電壓值大于等于預(yù)設(shè)值的情況下，發(fā)出所述 關(guān)斷信號(hào)。10. 根據(jù)權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的電路，其特征在于， 所述控制芯片還用于在所述場效應(yīng)晶體管關(guān)斷之后，控制電容繼續(xù)進(jìn)行充電； 所述控制芯片還用于當(dāng)檢測到電容的電壓值大于等于第二預(yù)設(shè)值時(shí)，控制所述電容進(jìn) 行放電； 所述場效應(yīng)晶體管還用于根據(jù)接收到的導(dǎo)通信號(hào)進(jìn)行導(dǎo)通。11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路，其特征在于，所述控制芯片還用于當(dāng)檢測到所述電容 兩端的電壓值小于等于第三預(yù)設(shè)值時(shí)，在檢測到保護(hù)電阻兩端的電壓值大于等于欠壓電壓 值，且小于等于過壓電壓值的情況下，和/或在檢測到流經(jīng)所述采樣電阻的電流值小于等于 預(yù)設(shè)電流值的情況下，發(fā)出所述導(dǎo)通信號(hào)。12. 根據(jù)權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的電路，其特征在于， 所述控制芯片還用于在所述場效應(yīng)晶體管關(guān)斷之后，開始計(jì)時(shí)； 所述場效應(yīng)晶體管還用于根據(jù)接收到的導(dǎo)通信號(hào)進(jìn)行導(dǎo)通。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的電路，其特征在于，所述控制芯片還用于當(dāng)計(jì)時(shí)時(shí)間到達(dá)預(yù) 設(shè)時(shí)間時(shí)，在檢測到保護(hù)電阻兩端的電壓值大于等于欠壓電壓值，且小于等于過壓電壓值 的情況下，和/或在檢測到流經(jīng)所述采樣電阻的電流值小于等于預(yù)設(shè)電流值的情況下，發(fā)出 所述導(dǎo)通信號(hào)。14. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，所述電路還包括： 第一保護(hù)電阻，一端接入所述控制芯片的第五管腳和第六管腳，另一端連接于所述場 效應(yīng)晶體管的漏極和電源之間； 第二保護(hù)電阻，一端接入所述控制芯片的第四管腳，另一端與所述場效應(yīng)晶體管的柵 極連接； 保護(hù)電容，一端連接于所述采樣電阻和負(fù)載之間，另一端接地。15. -種電機(jī)，其特征在于，包括權(quán)利要求1至14中任意一項(xiàng)所述的電機(jī)保護(hù)電路。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種電機(jī)保護(hù)電路和電機(jī)。其中，該電機(jī)保護(hù)電路包括：分壓電阻和采樣電阻；控制芯片，分壓電阻的一端接入控制芯片，采樣電阻的兩端都接入控制芯片，用于根據(jù)檢測到的分壓電阻兩端的電壓值對電源電壓進(jìn)行穩(wěn)定處理，和/或根據(jù)檢測到的流經(jīng)采樣電阻的電流產(chǎn)生關(guān)斷信號(hào)；場效應(yīng)晶體管，柵極接入控制芯片，源極接入采樣電阻的一端，用于根據(jù)控制芯片產(chǎn)生的關(guān)斷信號(hào)進(jìn)行關(guān)斷。本實(shí)用新型解決了現(xiàn)有技術(shù)中電源保護(hù)電路依靠笨重的電感器、電容器、保險(xiǎn)絲或瞬態(tài)電壓抑制器來防止電源電壓電流突變對設(shè)備及控制電路的損害的技術(shù)問題。
【IPC分類】H02H7/09
【公開號(hào)】CN205385285
【申請?zhí)枴緾N201521142559
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請人】深圳光啟合眾科技有限公司
【公開日】2016年7月13日
【申請日】2015年12月31日