一種用于控制輸出電壓的電路的制作方法
【專利摘要】本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于控制輸出電壓的電路，包括：一個(gè)或多個(gè)諧振電容、開關(guān)管和接收諧振線圈；所述一個(gè)或多個(gè)諧振電容組成等效諧振電容；所述多個(gè)諧振電容為并聯(lián)方式；所述每個(gè)諧振電容串聯(lián)一個(gè)所述開關(guān)管；當(dāng)諧振電容的數(shù)量為一個(gè)時(shí)，所述諧振電容與所述開關(guān)管串聯(lián)后與所述接收諧振線圈并聯(lián)；當(dāng)諧振電容的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，所述每個(gè)諧振電容與所述開關(guān)管串聯(lián)后與所述接收諧振線圈并聯(lián)或在諧振電容未連接所述開關(guān)管的一側(cè)串聯(lián)所述接收諧振線圈。通過控制開關(guān)管的通斷，進(jìn)而改變接收諧振線圈與一個(gè)或多個(gè)諧振電容的諧振度，能夠控制輸出電壓的電壓值，解決了輸出電壓超過終端電器的承受電壓范圍，發(fā)熱現(xiàn)象嚴(yán)重，甚至?xí)龤ЫK端電器的問題。
【專利說明】
一種用于控制輸出電壓的電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及無線供電領(lǐng)域，更具體的說，涉及一種用于控制輸出電壓的電路。
【背景技術(shù)】
[0002]磁共振無線供電是通過一個(gè)沒有磁芯的變壓器在同一個(gè)磁場(chǎng)中耦合來實(shí)現(xiàn)的，發(fā)射線圈相當(dāng)于變壓器的初級(jí)，接收線圈相當(dāng)于變壓器的次級(jí)，初級(jí)與次級(jí)之間有一定的距離，介質(zhì)是空氣或真空。接收諧振環(huán)作為無線供電的受體，它的性能影響接收電路的各種參數(shù)，如電壓、電流、紋波、熱穩(wěn)定性等。
[0003]在傳統(tǒng)變壓器中，耦合后的電壓與線圈的匝數(shù)成正比，耦合后的電流與線圈的匝數(shù)成反比。但在磁共振狀態(tài)下，接收線圈產(chǎn)生的電壓、電流與線圈的匝數(shù)的關(guān)系就沒有那么簡(jiǎn)單，就電壓而言，次級(jí)線圈匝數(shù)相同的情況下，磁共振的接收電壓可能是磁感應(yīng)的數(shù)倍、數(shù)十倍，甚至數(shù)百倍，輸出電壓超過終端電器的承受電壓范圍，發(fā)熱現(xiàn)象嚴(yán)重，甚至?xí)龤ЫK端電器。因此，亟需一種能夠控制輸出電壓的電路。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種用于控制輸出電壓的電路。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:
[0006]—種用于控制輸出電壓的電路，其特征在于，所述電路包括:
[0007]一個(gè)或多個(gè)諧振電容、開關(guān)管和接收諧振線圈；
[0008]所述一個(gè)或多個(gè)諧振電容組成等效諧振電容;所述多個(gè)諧振電容為并聯(lián)方式;所述每個(gè)諧振電容串聯(lián)一個(gè)所述開關(guān)管；
[0009]當(dāng)諧振電容的數(shù)量為一個(gè)時(shí)，所述諧振電容與所述開關(guān)管串聯(lián)后與所述接收諧振線圈并聯(lián)；
[0010]當(dāng)諧振電容的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，所述每個(gè)諧振電容與所述開關(guān)管串聯(lián)后，與所述接收諧振線圈并聯(lián)或在諧振電容未連接所述開關(guān)管的一側(cè)串聯(lián)所述接收諧振線圈。
[0011]優(yōu)選地，所述電路還包括自由諧振電容，所述自由諧振電容與所述接收諧振線圈并聯(lián)或串聯(lián)。
[0012]優(yōu)選地，當(dāng)諧振電容的數(shù)量為一個(gè)時(shí)，所述諧振電容與所述開關(guān)管串聯(lián)后與所述接收諧振線圈并聯(lián)，將諧振電容與接收諧振線圈的連接點(diǎn)與所述電路的整流器和濾波電容依次連接；
[0013]當(dāng)諧振電容的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，所述每個(gè)諧振電容與所述開關(guān)管串聯(lián)后，與所述接收諧振線圈并聯(lián)或在諧振電容未連接所述開關(guān)管的一側(cè)串聯(lián)所述接收諧振線圈，將諧振電容與接收諧振線圈的連接點(diǎn)與所述整流器和濾波電容依次連接。
[0014]優(yōu)選地，所述開關(guān)管為IGBT管或MOSFET管。
[0015]優(yōu)選地，所述開關(guān)管為兩個(gè)IGBT管或MOSFET管反向串聯(lián)連接。
[0016]優(yōu)選地，所述諧振電容的數(shù)量為三個(gè)。
[0017]優(yōu)選地，所述諧振電容的數(shù)量為兩個(gè)。
[0018]從上述技術(shù)方案可以看出，本實(shí)用新型提供了一種用于控制輸出電壓的電路，包括:一個(gè)或多個(gè)諧振電容、開關(guān)管和接收諧振線圈;所述一個(gè)或多個(gè)諧振電容組成等效諧振電容;所述多個(gè)諧振電容為并聯(lián)方式;所述每個(gè)諧振電容串聯(lián)一個(gè)所述開關(guān)管；當(dāng)諧振電容的數(shù)量為一個(gè)時(shí)，所述諧振電容與所述開關(guān)管串聯(lián)后與所述接收諧振線圈并聯(lián)；當(dāng)諧振電容的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，所述每個(gè)諧振電容與所述開關(guān)管串聯(lián)后，與所述接收諧振線圈并聯(lián)或在諧振電容未連接所述開關(guān)管的一側(cè)串聯(lián)所述接收諧振線圈。本實(shí)用新型中通過控制開關(guān)管的通斷，進(jìn)而改變接收諧振線圈與一個(gè)或多個(gè)諧振電容的諧振度，能夠控制輸出電壓的電壓值，解決了輸出電壓超過終端電器的承受電壓范圍，發(fā)熱現(xiàn)象嚴(yán)重，甚至?xí)龤ЫK端電器的問題。
【附圖說明】

[0019]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1為接收諧振線圈與等效諧振電容并聯(lián)諧振接收示意圖；
[0021]圖2為接收諧振線圈與等效諧振電容串聯(lián)諧振接收示意圖；
[0022]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的用于控制輸出電壓的電路的電路示意圖；
[0023]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的用于控制輸出電壓的電路的電路示意圖；
[0024]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例三提供的用于控制輸出電壓的電路的電路示意圖；
[0025]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例四提供的用于控制輸出電壓的電路的電路示意圖；
[0026]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例五提供的用于控制輸出電壓的電路的電路示意圖；
[0027]圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例六提供的用于控制輸出電壓的電路的電路示意圖；
[0028]圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例七提供的用于控制輸出電壓的電路的電路示意圖；
[0029]圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例八提供的用于控制輸出電壓的電路的電路示意圖；
[0030]圖11為本實(shí)用新型實(shí)施例九提供的用于控制輸出電壓的電路的電路示意圖；
[0031]圖12為本實(shí)用新型實(shí)施例十提供的用于控制輸出電壓的電路的電路示意圖；
[0032]圖13為本實(shí)用新型實(shí)施例十一提供的用于控制輸出電壓的電路的電路示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0034]為了本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠更加清楚的了解本實(shí)用新型，現(xiàn)將本實(shí)用新型的應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行一下說明，具體參照?qǐng)D1和圖2。
[0035]圖1為接收諧振線圈與等效諧振電容并聯(lián)諧振接收示意圖。其中，L2為接收諧振線圈，C2為等效諧振電容，箭頭代表磁場(chǎng)，T1、T2代表輸出端。
[0036]圖2為接收諧振線圈與等效諧振電容串聯(lián)諧振接收示意圖。其中，L2為接收諧振線圈，C2為等效諧振電容，箭頭代表磁場(chǎng)，T1、T2代表輸出端。
[0037]具體的，接收諧振線圈與等效諧振電容諧振時(shí)，線圈兩端輸出電壓，所述電壓經(jīng)過整流和濾波后，為終端電器供電。
[0038]本實(shí)用新型提供了一種用于控制輸出電壓的電路，所述電路包括:
[0039]一個(gè)或多個(gè)諧振電容、開關(guān)管和接收諧振線圈；
[0040]所述一個(gè)或多個(gè)諧振電容組成等效諧振電容;所述多個(gè)諧振電容為并聯(lián)方式;所述每個(gè)諧振電容串聯(lián)一個(gè)所述開關(guān)管；
[0041]當(dāng)諧振電容的數(shù)量為一個(gè)時(shí)，所述諧振電容與所述開關(guān)管串聯(lián)后與所述接收諧振線圈并聯(lián)；
[0042]當(dāng)諧振電容的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，所述每個(gè)諧振電容與所述開關(guān)管串聯(lián)后與所述接收諧振線圈并聯(lián)或在諧振電容未連接所述開關(guān)管的一側(cè)串聯(lián)所述接收諧振線圈。
[0043]可選的，本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，所述諧振電容的數(shù)量為三個(gè)。
[0044]可選的，本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，所述諧振電容的數(shù)量為兩個(gè)。
[0045]具體參照?qǐng)D3、圖4、圖5和圖6。圖3中使用了三個(gè)諧振電容，電路為并聯(lián)諧振環(huán)電路。其中，L2為接收諧振線圈，C2A、C2B、C2C為三個(gè)諧振電容，KA、KB、KC為開關(guān)管，Τ1、Τ2代表輸出端，箭頭代表磁場(chǎng)。當(dāng)開關(guān)管ΚΑ、ΚΒ或KC斷開或接通時(shí)，能夠調(diào)節(jié)諧振電容與接收諧振線圈L2的諧振度，例如，當(dāng)KA、ΚΒ和KC全部斷開時(shí)，此時(shí)諧振度最小，當(dāng)KA、ΚΒ和KC逐一接通時(shí)，諧振度逐漸增大，當(dāng)ΚΑ、ΚΒ和KC全部接通時(shí)，諧振度最大。通過控制諧振度進(jìn)而控制輸出電壓。
[0046]圖4中使用三個(gè)諧振電容，電路為串聯(lián)諧振環(huán)電路。其中，L2為接收諧振線圈，C2A、C2B、C2C為諧振電容，KA、KB、KC為開關(guān)管，Tl、Τ2代表輸出端，箭頭代表磁場(chǎng)。具體工作原理同圖3，在此不再贅述。
[0047]圖5和圖6介紹了三個(gè)諧振電容組成等效諧振電容的情況。
[0048]圖5中電路為并聯(lián)諧振環(huán)電路。圖中，L2為接收諧振線圈，C2A、C2B、C2C為諧振電容，T1、Τ2代表輸出端，箭頭代表磁場(chǎng)。具體的，C2A、C2B、C2C三個(gè)諧振電容組成圖1中的等效諧振電容C2，接收諧振線圈L2與諧振電容C2A、C2B和C2C并聯(lián)。
[0049 ]圖6電路為串聯(lián)諧振環(huán)電路，L2為接收諧振線圈，C2A、C2B、C2C為諧振電容，T1、Τ2代表輸出端，箭頭代表磁場(chǎng)。具體的，C2A、C2B、C2C三個(gè)諧振電容組成圖2中的等效諧振電容C2，接收諧振線圈L2與諧振電容C2A、C2B和C2C串聯(lián)。
[0050]本實(shí)施例中通過控制開關(guān)管的通斷，進(jìn)而改變接收諧振線圈與一個(gè)或多個(gè)諧振電容的諧振度，能夠控制輸出電壓的電壓值，解決了輸出電壓超過終端電器的承受電壓范圍，發(fā)熱現(xiàn)象嚴(yán)重，甚至?xí)龤ЫK端電器的問題。
[0051]可選的，本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，所述電路還包括自由諧振電容，所述自由諧振電容與所述接收諧振線圈并聯(lián)或串聯(lián)。具體參照?qǐng)D7。
[0052]圖7中包含自由諧振電容，電路為并聯(lián)諧振環(huán)電路。圖中，L2為接收諧振線圈，Cl為自由諧振電容，C2A、C2B、C2C為諧振電容，KA、KB、KC為開關(guān)管。Τ1、Τ2代表輸出端，箭頭代表磁場(chǎng)。
[0053]本實(shí)施例中，接收諧振線圈L2與自由諧振電容Cl諧振，使系統(tǒng)始終保持一定的諧振度。當(dāng)開關(guān)管KA、KB或KC斷開或接通時(shí)，能夠改變接收諧振線圈L2與自由諧振電容Cl的諧振度，輸出合適的電壓。
[0054]可選的，本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，所述開關(guān)管為IGBT管或MOSFET管。
[0055]可選的，本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，所述開關(guān)管為兩個(gè)IGBT管或MOSFET管反向串聯(lián)連接。
[0056]本實(shí)用新型中，開關(guān)管為一個(gè)IGBT管或MOSFET管，也可以為兩個(gè)IGBT管或MOSFET管反向串聯(lián)連接。具體參照?qǐng)D8和圖9。
[0057]圖8介紹了MOSFET管與諧振電容的工作原理。具體的，C2為等效諧振電容，MOSFET管101與等效諧振電容C2串聯(lián)。當(dāng)MOSFET管101導(dǎo)通時(shí)，等效諧振電容C2既可以充電也可以放電，當(dāng)MOSFET管1I斷開時(shí)，等效諧振電容C2可以充電但不可以放電。
[0058]圖9介紹了兩個(gè)MOSFET管反向串聯(lián)后與諧振電容串聯(lián)的情況。具體的，兩個(gè)MOSFET管101工作于同步狀態(tài)，C21、C22為諧振電容，當(dāng)MOSFET管101、102同時(shí)導(dǎo)通時(shí)，內(nèi)阻接近為零，這時(shí)相當(dāng)于諧振電容C21與C22串聯(lián)，此時(shí)諧振電容C21與C22既能充電也能放電；當(dāng)MOSFET管101、102同時(shí)截止時(shí)，諧振電容C21與C22開路，此時(shí)，諧振電容C21與C22不能充電也不能放電。
[0059]需要說明的是，當(dāng)開關(guān)管的數(shù)量為一個(gè)時(shí)，參照?qǐng)D8，當(dāng)開關(guān)管的數(shù)量為兩個(gè)時(shí)，參照?qǐng)D9。
[0060]本實(shí)施例中，開關(guān)管既可以為一個(gè)IGBT管或MOSFET管，也可以為兩個(gè)IGBT管或MOSFET管反向串聯(lián)連接，連接方式選擇性較強(qiáng)。
[0061]可選的，本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，當(dāng)諧振電容的數(shù)量為一個(gè)時(shí)，所述諧振電容與所述開關(guān)管串聯(lián)后與所述接收諧振線圈并聯(lián)，將諧振電容與接收諧振線圈的連接點(diǎn)與所述電路的整流器和濾波電容依次連接；
[0062]當(dāng)諧振電容的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，所述每個(gè)諧振電容與所述開關(guān)管串聯(lián)后與所述接收諧振線圈并聯(lián)或在諧振電容未連接所述開關(guān)管的一側(cè)串聯(lián)所述接收諧振線圈，將諧振電容與接收諧振線圈的連接點(diǎn)與所述電路的整流器和濾波電容依次連接。
[0063 ]參照?qǐng)D1O。圖1O介紹了控制輸出電壓電路的結(jié)構(gòu)。其中，C2A、C2B、C2C為諧振電容，101、102、103為MOSFET管，L2為諧振接收線圈，201為整流器，C3為濾波電容，箭頭代表磁場(chǎng)。
[0064]當(dāng)MOSFET管101、102、103全部導(dǎo)通時(shí)，諧振接收線圈與諧振電容的諧振度最大，諧振接收線圈L2兩端的電壓經(jīng)整流器201，濾波電容C3上得到最高電壓；當(dāng)MOSFET管101、102、103全部截止時(shí)，諧振度最小，諧振接收線圈L2兩端的電壓經(jīng)整流器201，濾波電容C3上得到最低電壓。
[0065]本實(shí)施例中，通過整流器201和濾波電容C3，能夠得到適合終端電器工作的電壓。
[0066]為了本領(lǐng)域的技術(shù)人員更加清楚的了解本實(shí)用新型，圖11、圖12和圖13介紹了三種不同情況的結(jié)構(gòu)示意圖。圖11中電路為并聯(lián)諧振環(huán)電路。MOSFET管101與102反向串聯(lián)后，分別與諧振電容C21、C22串聯(lián)，MOSFET管103與104反向串聯(lián)后，分別與諧振電容C23、C24串聯(lián)，MOSFET管105與106反向串聯(lián)后，分別與諧振電容C25、C26串聯(lián)，L2為諧振接收線圈，T1、T2為輸出端，A、B、C是三個(gè)控制端，箭頭代表磁場(chǎng)。當(dāng)三個(gè)控制端輸入高低電平信號(hào)或者是脈沖寬度調(diào)制信號(hào)時(shí)，能夠控制諧振接收線圈12與諧振電容021、022、023、024、025或026的諧振度，進(jìn)而能夠控制輸出電壓的電壓范圍。需要說明的是，當(dāng)輸入高低電平信號(hào)時(shí)，諧振度呈梯度變化，為梯度控制模式，當(dāng)輸入脈沖寬度調(diào)制信號(hào)時(shí)，諧振度呈漸變式變化，為斜率控制模式。
[0067]圖12中電路為串聯(lián)諧振環(huán)電路^OSFET管101與102反向串聯(lián)后，分別與諧振電容C21、C22串聯(lián)，MOSFET管103與104反向串聯(lián)后，分別與諧振電容C23、C24串聯(lián)，MOSFET管105與106反向串聯(lián)后，分別與諧振電容C25、C26串聯(lián)，L2為諧振接收線圈，Tl、T2為輸出端，A、B、C是三個(gè)控制端，箭頭代表磁場(chǎng)。具體工作過程請(qǐng)參照?qǐng)D11對(duì)應(yīng)的說明，在此不再贅述。
[0068]圖13中電路為并聯(lián)諧振環(huán)電路J0SFET管101與102反向串聯(lián)，MOSFET管101與諧振電容C21串聯(lián)，MOSFET管103與104反向串聯(lián)，MOSFET管103與諧振電容C23串聯(lián)，MOSFET管105與106反向串聯(lián)，MOSFET管105與諧振電容C25串聯(lián)，L2為諧振接收線圈，Tl、T2為輸出端，A、B、C是三個(gè)控制端，箭頭代表磁場(chǎng)。具體工作過程請(qǐng)參照?qǐng)D11對(duì)應(yīng)的說明，在此不再贅述。需要說明的是，圖13是在圖12的基礎(chǔ)上減少了諧振電容C22、C24、C26。
[0069]本實(shí)施例中，通過控制所述開關(guān)管的通斷，控制所述接收諧振線圈與所述一個(gè)或多個(gè)諧振電容的諧振度。能夠控制輸出電壓的電壓值，解決了輸出電壓超過終端電器的承受電壓范圍，發(fā)熱現(xiàn)象嚴(yán)重，甚至?xí)龤ЫK端電器的問題。
[0070]需要說明的是，本實(shí)用新型中介紹的實(shí)施例，只是全部實(shí)施例中的幾個(gè)舉例，并不代表所有的實(shí)施例，并且每個(gè)實(shí)施例之間可以互做補(bǔ)充。
[0071]對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于控制輸出電壓的電路，其特征在于，所述電路包括: 一個(gè)或多個(gè)諧振電容、開關(guān)管和接收諧振線圈； 所述一個(gè)或多個(gè)諧振電容組成等效諧振電容;所述多個(gè)諧振電容為并聯(lián)方式;所述每個(gè)諧振電容串聯(lián)一個(gè)所述開關(guān)管； 當(dāng)諧振電容的數(shù)量為一個(gè)時(shí)，所述諧振電容與所述開關(guān)管串聯(lián)后與所述接收諧振線圈并聯(lián)； 當(dāng)諧振電容的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，所述每個(gè)諧振電容與所述開關(guān)管串聯(lián)后，與所述接收諧振線圈并聯(lián)或在諧振電容未連接所述開關(guān)管的一側(cè)串聯(lián)所述接收諧振線圈。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述電路還包括自由諧振電容，所述自由諧振電容與所述接收諧振線圈并聯(lián)或串聯(lián)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，當(dāng)諧振電容的數(shù)量為一個(gè)時(shí)，所述諧振電容與所述開關(guān)管串聯(lián)后與所述接收諧振線圈并聯(lián)，將諧振電容與接收諧振線圈的連接點(diǎn)與所述電路的整流器和濾波電容依次連接； 當(dāng)諧振電容的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，所述每個(gè)諧振電容與所述開關(guān)管串聯(lián)后，與所述接收諧振線圈并聯(lián)或在諧振電容未連接所述開關(guān)管的一側(cè)串聯(lián)所述接收諧振線圈，將諧振電容與接收諧振線圈的連接點(diǎn)與所述整流器和濾波電容依次連接。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述開關(guān)管為IGBT管或MOSFET管。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述開關(guān)管為兩個(gè)IGBT管或MOSFET管反向串聯(lián)連接。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述諧振電容的數(shù)量為三個(gè)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述諧振電容的數(shù)量為兩個(gè)。
【文檔編號(hào)】H02J50/12GK205725178SQ201620668940
【公開日】2016年11月23日
【申請(qǐng)日】2016年6月28日
【發(fā)明人】朱斯忠, 何智, 徐寶華, 張福元
【申請(qǐng)人】中惠創(chuàng)智無線供電技術(shù)有限公司