專利名稱：超低相位噪聲數(shù)字鎖相同軸介質(zhì)振蕩器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
超低相位噪聲數(shù)字鎖相同軸介質(zhì)振蕩器
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型產(chǎn)品屬于微波混合集成電路領(lǐng)域，是一種超低相位噪聲數(shù)字鎖相 CDRO (同軸介質(zhì)振蕩器)。
背景技術(shù)：
超低相位噪聲本振源在微波通信、衛(wèi)星通信、雷達(dá)、導(dǎo)航、制導(dǎo)、電子對抗、測試儀 表等系統(tǒng)中都有著廣泛的應(yīng)用，其性能的優(yōu)劣會直接影響相位調(diào)制系統(tǒng)的性能，對數(shù)字通 信系統(tǒng)的誤碼率也有重要影響。超低相位噪聲本振源的實現(xiàn)方法主要有直接頻率合成、模 擬鎖相合成和數(shù)字鎖相合成三種。直接頻率合成和模擬鎖相合成容易實現(xiàn)低相位噪聲性 能，但他們功耗大、電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜而且可靠性差。新發(fā)展起來的數(shù)字鎖相合成技術(shù)彌補了傳 統(tǒng)本振源技術(shù)的缺點，具有輸出頻率可通過程序靈活設(shè)置、電路結(jié)構(gòu)簡單和可靠性高的優(yōu) 點，通過合理設(shè)計電路相位噪聲可接近或達(dá)到直接頻率合成、模擬鎖相合成的水平。隨著數(shù) 字鎖相字?jǐn)?shù)的發(fā)展和器件水平的提高，數(shù)字鎖相CDRO在超低相位噪聲微波本振源的應(yīng)用 將更加廣發(fā)。

發(fā)明內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供一種電路緊湊、功耗低和成本低的超低 相位噪聲數(shù)字鎖相同軸介質(zhì)振蕩器。數(shù)字鎖相CDRO是微波本振源的一種重要的實現(xiàn)技術(shù)。近年來，隨著微波毫米波技 術(shù)的迅猛發(fā)展，對工作在微波頻段的本振源提出了越來越高的要求。數(shù)字鎖相CDRO結(jié)構(gòu)簡 單，頻率設(shè)置靈活，并能獲得優(yōu)良的相位噪聲性能，是當(dāng)前主流的微波本振源技術(shù)。本實用新型是通過以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問題的一種超低相位噪聲數(shù)字鎖 相同軸介質(zhì)振蕩器，包括同軸介質(zhì)振蕩器電路板、鎖相環(huán)電路板、三倍頻電路板、放大電路 板、腔體、SMA接頭、電源穿心電容和鎖定指示穿心電容，所述介質(zhì)振蕩器電路板、鎖相環(huán)電 路板、三倍頻電路板、放大電路板均安裝在腔體內(nèi)，SMA接頭、電源穿心電容和鎖定指示穿心 電容安裝在腔體的側(cè)端，所述介質(zhì)振蕩器電路板分別與鎖相環(huán)電路板、三倍頻電路板相連 接，所述鎖相環(huán)電路板、三倍頻電路板分別連接到放大電路板，所述SMA接頭與放大電路板 的微帶線輸出端口連接，所述電源穿心電容和鎖定指示穿心電容的引腳一端與鎖相環(huán)電路 板中相應(yīng)微帶線連接，電源穿心電容的另一端作為直流輸入接口，鎖定指示穿心電容的另 一端作為鎖定指示信號輸出接口。所述三倍頻電路板、放大電路板分別通過釬焊焊接在腔體內(nèi)左側(cè)的上部和下部， 所述同軸介質(zhì)振蕩器電路板、鎖相環(huán)電路板分別用螺絲固定安裝在腔體內(nèi)右側(cè)，同軸介質(zhì) 振蕩器電路板和鎖相環(huán)電路板分別位于腔體內(nèi)右側(cè)的下部和上部，所述SMA接頭用螺絲固 定在腔體的左上端，通過其內(nèi)導(dǎo)體與放大電路板微帶線輸出端口連接，所述電源穿心電容 和鎖定指示穿心電容焊接在腔體的右側(cè)上端。所述介質(zhì)振蕩器電路板與鎖相環(huán)電路板、三倍頻電路板之間通過穿過腔體隔墻的短同軸線連接，所述鎖相環(huán)電路板、三倍頻電路板與放大電路板之間也通過穿過腔體隔墻 的短同軸線連接。本實用新型超低相位噪聲數(shù)字鎖相同軸介質(zhì)振蕩器的優(yōu)點在于電路緊湊、功耗 低、成本低、安裝方便牢固，便于批量生產(chǎn)，抗震性能更佳。

下面參照附圖結(jié)合實施例對本實用新型作進一步的描述。圖1是本實用新型超低相位噪聲數(shù)字鎖相同軸介質(zhì)振蕩器的結(jié)構(gòu)圖。
具體實施方式請參閱圖1，本實用新型超低相位噪聲數(shù)字鎖相同軸介質(zhì)振蕩器包括CDR0(同軸 介質(zhì)振蕩器)電路板1、PLL (鎖相環(huán))電路板2、三倍頻電路板3、放大電路板4、腔體5、SMA 接頭6、螺絲7、電源穿心電容8和鎖定指示穿心電容9共九部分。所述⑶RO電路板1、PLL (鎖相環(huán))電路板2、三倍頻電路板3和放大電路板4完 成振蕩頻率產(chǎn)生、鎖定、倍頻和放大，各電路板基板材料為FR-4，所有使用的電子元器件為 貼片元器件。腔體5用來安放各電路板，完成機械固定、電磁兼容和散熱等功能，材料為硬 鋁。SMA接頭6完成超低相位噪聲數(shù)字鎖相CDRO信號的輸出，材料為不銹鋼鍍金。螺絲7 用來固定SMA接頭6。電源穿心電容8和鎖定指示穿心電容9分別用于直流輸入和鎖定指 示信號輸出。加工好電路板后，將電子元器件焊接到各電路板上，再用螺絲將電路板安放于 腔體，最后安裝SMA接頭6和電源穿心電容8和鎖定指示穿心電容9。具體的安裝流程如下所述三倍頻電路板3、放大電路板4分別通過釬焊焊接在腔 體5內(nèi)左側(cè)的上部和下部，然后焊接三倍頻電路板3、放大電路板4上的電子元器件；通過 一小段同軸線穿過腔體5隔墻連接三倍頻電路板3、放大電路板4 ；在CDRO電路板1、PLL (鎖 相環(huán))電路板2上焊接電子元器件，然后將CDRO電路板1、PLL (鎖相環(huán))電路板2安裝在腔 體內(nèi)右側(cè)，⑶RO電路板1和PLL電路板2分別位于腔體5內(nèi)右側(cè)的下部和上部，通過⑶RO 電路板1和PLL電路板2上的螺絲定位孔用M2螺絲將⑶RO電路板1和PLL電路板2固定 在腔體5 ；所述⑶RO電路板1與PLL(鎖相環(huán))電路板2以及與三倍頻電路板3之間均通 過穿過腔體5隔墻的短同軸線連接；所述PLL電路板2與放大電路板4之間也通過穿過腔 體5隔墻的短同軸線連接；所述SMA接頭6為信號輸出器件，用螺絲7固定在腔體5的左上 端，通過其內(nèi)導(dǎo)體與放大電路板4微帶線輸出端口連接；電源穿心電容8和鎖定指示穿心電 容9焊接在腔體5的右側(cè)上端，它們引腳的一端與PLL電路板2中相應(yīng)微帶線連接，另一端 通過航空導(dǎo)線(未畫出)與外部電路連接；圖1中虛線表示連接各電路板的短同軸線。
權(quán)利要求1.一種超低相位噪聲數(shù)字鎖相同軸介質(zhì)振蕩器，其特征在于包括同軸介質(zhì)振蕩器電 路板、鎖相環(huán)電路板、三倍頻電路板、放大電路板、腔體、SMA接頭、電源穿心電容和鎖定指示 穿心電容，所述介質(zhì)振蕩器電路板、鎖相環(huán)電路板、三倍頻電路板、放大電路板均安裝在腔 體內(nèi)，SMA接頭、電源穿心電容和鎖定指示穿心電容安裝在腔體的側(cè)端，所述介質(zhì)振蕩器電 路板分別與鎖相環(huán)電路板、三倍頻電路板相連接，所述鎖相環(huán)電路板、三倍頻電路板分別連 接到放大電路板，所述SMA接頭與放大電路板的微帶線輸出端口連接，所述電源穿心電容 和鎖定指示穿心電容的引腳一端與鎖相環(huán)電路板中相應(yīng)微帶線連接，電源穿心電容的另一 端作為直流輸入接口，鎖定指示穿心電容的另一端作為鎖定指示信號輸出接口。
2.如權(quán)利要求1所述的超低相位噪聲數(shù)字鎖相同軸介質(zhì)振蕩器，其特征在于所述三 倍頻電路板、放大電路板分別通過釬焊焊接在腔體內(nèi)左側(cè)的上部和下部，所述同軸介質(zhì)振 蕩器電路板、鎖相環(huán)電路板分別用螺絲固定安裝在腔體內(nèi)右側(cè)，同軸介質(zhì)振蕩器電路板和 鎖相環(huán)電路板分別位于腔體內(nèi)右側(cè)的下部和上部，所述SMA接頭用螺絲固定在腔體的左上 端，通過其內(nèi)導(dǎo)體與放大電路板微帶線輸出端口連接，所述電源穿心電容和鎖定指示穿心 電容焊接在腔體的右側(cè)上端。
3.如權(quán)利要求1所述的超低相位噪聲數(shù)字鎖相同軸介質(zhì)振蕩器，其特征在于所述介 質(zhì)振蕩器電路板與鎖相環(huán)電路板、三倍頻電路板之間通過穿過腔體隔墻的短同軸線連接， 所述鎖相環(huán)電路板、三倍頻電路板與放大電路板之間也通過穿過腔體隔墻的短同軸線連 接。
專利摘要一種超低相位噪聲數(shù)字鎖相同軸介質(zhì)振蕩器，包括CDRO電路板、PLL電路板、三倍頻電路板、放大電路板、腔體、SMA接頭、電源穿心電容和鎖定指示穿心電容，CDRO電路板、PLL電路板、三倍頻電路板、放大電路板均安裝在腔體內(nèi)，SMA接頭、電源穿心電容和鎖定指示穿心電容安裝在腔體的側(cè)端，所述CDRO電路板分別與PLL電路板、三倍頻電路板相連接，所述PLL電路板、三倍頻電路板分別連接到放大電路板，所述SMA接頭與放大電路板的微帶線輸出端口連接，所述電源穿心電容和鎖定指示穿心電容的引腳一端與PLL電路板中相應(yīng)微帶線連接，電源穿心電容的另一端作為直流輸入接口，鎖定指示穿心電容的另一端作為鎖定指示信號輸出接口。本實用新型具有電路緊湊、功耗低和成本低的優(yōu)點。
文檔編號H03L7/099GK201789489SQ20102026157
公開日2011年4月6日 申請日期2010年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月14日
發(fā)明者劉勁松, 吳華夏, 張驍勇, 王 華, 竇增昌 申請人:安徽華東光電技術(shù)研究所