本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種改善屏蔽柵溝槽器件源漏間電容的方法。

背景技術(shù)：

1、功率器件需求越來(lái)越低的開關(guān)損耗、越來(lái)越小的關(guān)斷時(shí)間，其中重要措施是降低器件的輸出電容coss。

2、對(duì)于如圖1和2所示的lrsgt(屏蔽柵溝槽器件)，源極多晶硅和柵極的重疊部分cgs是輸出電容coss的重要組成部分。

3、該處ipo(柵極間介質(zhì)層)是通過(guò)爐管氧化與gox(柵氧化層)同時(shí)生長(zhǎng)，如何增加該處ipo厚度成為重中之重。

4、為解決上述問(wèn)題，需要提出一種新型的改善屏蔽柵溝槽器件源漏間電容的方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種改善屏蔽柵溝槽器件源漏間電容的方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中源極多晶硅和柵極的重疊部分的柵極間介質(zhì)層影響輸出電容的問(wèn)題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種改善屏蔽柵溝槽器件源漏間電容的方法，包括：

3、步驟一、提供襯底，在所述襯底上形成深溝槽，在所述襯底和所述深溝槽上形成第一柵介質(zhì)層，之后形成覆蓋所述襯底且填充剩余所述深溝槽的為第一導(dǎo)電類型的源極多晶硅層，刻蝕所述源極多晶硅層至所需高度；

4、步驟二、利用第一導(dǎo)電類型的離子注入對(duì)所述源極多晶硅層進(jìn)行摻雜，以提高所述源極多晶硅層的摻雜濃度；

5、步驟三、刻蝕所述第一柵介質(zhì)層形成位于所述源極多晶硅層和所述襯底之間的淺溝槽，在所述淺溝槽中淀積第二柵介質(zhì)層，所述源極多晶硅層上的所述第二柵介質(zhì)層相對(duì)于其他處的厚度較厚；

6、步驟四、形成填充所述淺溝槽的柵極多晶硅層。

7、優(yōu)選地，步驟一中利用光刻、刻蝕的方法形成所述深溝槽。

8、優(yōu)選地，步驟一中的所述第一導(dǎo)電類型為n型。

9、優(yōu)選地，步驟一中利用濕法刻蝕所述源極多晶硅層至所需高度。

10、優(yōu)選地，步驟一中的所述第一柵介質(zhì)層的材料為二氧化硅。

11、優(yōu)選地，步驟二中的所述離子注入的離子源為as，注入能量為30-100kev，注入劑量為1e15-1e17。

12、優(yōu)選地，步驟三中的所述刻蝕的方法為濕法刻蝕。

13、優(yōu)選地，步驟三中的所述第二柵介質(zhì)層的材料為二氧化硅。

14、優(yōu)選地，步驟四中利用淀積、多晶硅回刻蝕的方法形成填充所述淺溝槽的所述源極多晶硅層。

15、優(yōu)選地，所述方法還包括：在所述襯底上形成位于所述源極多晶硅一側(cè)的體區(qū)；形成位于所述體區(qū)上的源區(qū)以及引出所述源區(qū)的源極金屬；形成位于所述襯底背面的漏極金屬。

16、如上所述，本發(fā)明的改善屏蔽柵溝槽器件源漏間電容的方法，具有以下有益效果：

17、本發(fā)明能夠增加?xùn)艠O多晶硅層與源極多晶硅層之間第二柵介質(zhì)層的厚度，降低輸出電容。

技術(shù)特征：

1.一種改善屏蔽柵溝槽器件源漏間電容的方法，其特征在于，至少包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善屏蔽柵溝槽器件源漏間電容的方法，其特征在于：步驟一中利用光刻、刻蝕的方法形成所述深溝槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善屏蔽柵溝槽器件源漏間電容的方法，其特征在于：步驟一中的所述第一導(dǎo)電類型為n型。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善屏蔽柵溝槽器件源漏間電容的方法，其特征在于：步驟一中利用濕法刻蝕所述源極多晶硅層至所需高度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善屏蔽柵溝槽器件源漏間電容的方法，其特征在于：步驟一中的所述第一柵介質(zhì)層的材料為二氧化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善屏蔽柵溝槽器件源漏間電容的方法，其特征在于：步驟二中的所述離子注入的離子源為as，注入能量為30-100kev，注入劑量為1e15-1e17。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善屏蔽柵溝槽器件源漏間電容的方法，其特征在于：步驟三中的所述刻蝕的方法為濕法刻蝕。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善屏蔽柵溝槽器件源漏間電容的方法，其特征在于：步驟三中的所述第二柵介質(zhì)層的材料為二氧化硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善屏蔽柵溝槽器件源漏間電容的方法，其特征在于：步驟四中利用淀積、多晶硅回刻蝕的方法形成填充所述淺溝槽的所述源極多晶硅層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善屏蔽柵溝槽器件源漏間電容的方法，其特征在于：所述方法還包括：在所述襯底上形成位于所述源極多晶硅一側(cè)的體區(qū)；形成位于所述體區(qū)上的源區(qū)以及引出所述源區(qū)的源極金屬；形成位于所述襯底背面的漏極金屬。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種改善屏蔽柵溝槽器件源漏間電容的方法，提供襯底，在襯底上形成深溝槽，在襯底和深溝槽上形成第一柵介質(zhì)層，之后形成覆蓋襯底且填充剩余深溝槽的為第一導(dǎo)電類型的源極多晶硅層，刻蝕源極多晶硅層至所需高度；利用第一導(dǎo)電類型的離子注入對(duì)源極多晶硅層進(jìn)行摻雜，以提高源極多晶硅層的摻雜濃度；刻蝕第一柵介質(zhì)層形成位于源極多晶硅層和襯底之間的淺溝槽，在淺溝槽中淀積第二柵介質(zhì)層，源極多晶硅層上的第二柵介質(zhì)層相對(duì)于其他處的厚度較厚；形成填充淺溝槽的柵極多晶硅層。本發(fā)明能夠增加?xùn)艠O多晶硅層與源極多晶硅層之間第二柵介質(zhì)層的厚度，降低輸出電容。

技術(shù)研發(fā)人員：邱立軍,衛(wèi)樂(lè)平,王麗,馬棟,張繼亮,錢佳成
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15