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一種射頻電路開關(guān)芯片、射頻電路、天線裝置及電子設(shè)備的制作方法

文檔序號:11253590閱讀:355來源:國知局
一種射頻電路開關(guān)芯片、射頻電路、天線裝置及電子設(shè)備的制造方法

本發(fā)明涉及移動通信領(lǐng)域,具體涉及一種射頻電路開關(guān)芯片、射頻電路、天線裝置及電子設(shè)備。



背景技術(shù):

隨著終端技術(shù)的發(fā)展,移動終端已經(jīng)開始從以前簡單地提供通話設(shè)備漸漸變成一個通用軟件運行的平臺。該平臺不再以提供通話管理為主要目的,而是提供一個包括通話管理、游戲娛樂、辦公記事、移動支付等各類應(yīng)用軟件在內(nèi)的運行環(huán)境,隨著大量的普及,已經(jīng)深入至人們的生活、工作的方方面面。

目前,移動終端能夠支持的通信頻段越來越多。例如,lte(longtermevolution,長期演進)通信信號可以包括頻率在700mhz至2700mhz之間的信號。移動終端能夠支持的射頻信號可以分為低頻信號、中頻信號和高頻信號。其中,低頻信號、中頻信號以及高頻信號各自又包括多個子頻段信號。每個子頻段信號都需要通過天線發(fā)射到外界。

載波聚合(carrieraggregation,簡稱ca)技術(shù),可以將多個子頻段信號聚合在一起,以提高網(wǎng)絡(luò)上下行傳輸速率。然而,全球各個通信市場的頻率資源互不相同。不同區(qū)域的通信運營商擁有不同的通信頻譜分配,因此也就存在不同的載波聚合的頻段組合需求。

由上可知,當(dāng)前的載波聚合能夠進行聚合的頻段單一,缺乏多樣性,無法滿足上述需求。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本發(fā)明實施例提供一種射頻電路開關(guān)芯片、射頻電路、天線裝置及電子設(shè)備,可以提高電子設(shè)備對射頻信號進行載波聚合的多樣性。

第一方面,本發(fā)明實施例提供一種射頻電路開關(guān)芯片,包括:第一開關(guān)、第二開關(guān)、功率放大器以及合路器;其中

所述第一開關(guān)的輸入端包括中頻端口和高頻端口,所述中頻端口用于收發(fā)中頻射頻信號,所述高頻端口用于收發(fā)高頻射頻信號;

所述第二開關(guān)的輸入端包括低頻端口,所述低頻端口用于收發(fā)低頻射頻信號;

所述功率放大器,與所述第一開關(guān)和第二開關(guān)的輸入端口連接;

所述合路器,用于通過所述第一開關(guān)和第二開關(guān)的選擇性接通實現(xiàn)低頻信號與中頻信號載波聚合或低頻信號與高頻信號載波聚合。

第二方面,本發(fā)明實施例還提供了一種射頻電路,包括射頻收發(fā)器、射頻電路開關(guān)芯片以及天線,所述射頻收發(fā)器、射頻電路開關(guān)芯片以及天線依次連接;

所述射頻電路開關(guān)芯片包括第一開關(guān)、第二開關(guān)、功率放大器以及合路器;其中

所述第一開關(guān)的輸入端包括中頻端口和高頻端口,所述中頻端口用于收發(fā)中頻射頻信號,所述高頻端口用于收發(fā)高頻射頻信號;

所述第二開關(guān)的輸入端包括低頻端口,所述低頻端口用于收發(fā)低頻射頻信號;

所述功率放大器,與所述第一開關(guān)和第二開關(guān)的輸入端口連接;

所述合路器,用于通過所述第一開關(guān)和第二開關(guān)的選擇性接通實現(xiàn)低頻信號與中頻信號載波聚合或低頻信號與高頻信號載波聚合。

第三方面,本發(fā)明還提供一種天線裝置,包括上述射頻電路。

第四方面,本發(fā)明還提供一種電子設(shè)備,包括殼體和電路板,該電路板安裝在該殼體內(nèi)部,該電路板上設(shè)置有射頻電路,該射頻電路為上述射頻電路。

本發(fā)明實施例提供的射頻電路開關(guān)芯片,能夠控制不同頻段的射頻信號進行載波聚合,從而可以提高電子設(shè)備對射頻信號進行載波聚合的多樣性。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實施例提供的電子設(shè)備的分解示意圖。

圖2是本發(fā)明實施例提供的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明實施例提供的射頻電路的第一種結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是本發(fā)明實施例提供的射頻電路的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是本發(fā)明實施例提供的射頻電路的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6是本發(fā)明實施例提供的射頻電路開關(guān)芯片的第一種結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7是本發(fā)明實施例提供的射頻電路開關(guān)芯片的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8是本發(fā)明實施例提供的射頻電路開關(guān)芯片的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9是本發(fā)明實施例提供的射頻電路的第四種結(jié)構(gòu)示意圖。

圖10是本發(fā)明實施例提供的電子設(shè)備的另一結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。

在本發(fā)明的描述中,需要理解的是,術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”、“順時針”、“逆時針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系,僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述,而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作,因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外,術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的,而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個所述特征。在本發(fā)明的描述中,“多個”的含義是兩個或兩個以上,除非另有明確具體的限定。

在本發(fā)明的描述中,需要說明的是,除非另有明確的規(guī)定和限定,術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解,例如,可以是固定連接,也可以是可拆卸連接,或一體地連接;可以是機械連接,也可以是電連接或可以相互通訊;可以是直接相連,也可以通過中間媒介間接相連,可以是兩個元件內(nèi)部的連通或兩個元件的相互作用關(guān)系。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言,可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

在本發(fā)明中,除非另有明確的規(guī)定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接觸,也可以包括第一和第二特征不是直接接觸而是通過它們之間的另外的特征接觸。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公開提供了許多不同的實施方式或例子用來實現(xiàn)本發(fā)明的不同結(jié)構(gòu)。為了簡化本發(fā)明的公開,下文中對特定例子的部件和設(shè)置進行描述。當(dāng)然,它們僅僅為示例,并且目的不在于限制本發(fā)明。此外,本發(fā)明可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或參考字母,這種重復(fù)是為了簡化和清楚的目的,其本身不指示所討論各種實施方式和/或設(shè)置之間的關(guān)系。此外,本發(fā)明提供了的各種特定的工藝和材料的例子,但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識到其他工藝的應(yīng)用和/或其他材料的使用。

本發(fā)明實施例提供一種電子設(shè)備。該電子設(shè)備可以是智能手機、平板電腦等設(shè)備。參考圖1和圖2,電子設(shè)備100包括蓋板101、顯示屏102、電路板103、電池104以及殼體105。

其中,蓋板101安裝到顯示屏102上,以覆蓋顯示屏102。蓋板101可以為透明玻璃蓋板。在一些實施例中,蓋板101可以是用諸如藍寶石等材料制成的玻璃蓋板。

顯示屏102安裝在殼體105上,以形成電子設(shè)備100的顯示面。顯示屏102可以包括顯示區(qū)域102a和非顯示區(qū)域102b。顯示區(qū)域102a用于顯示圖像、文本等信息。非顯示區(qū)域102b不顯示信息。非顯示區(qū)域102b的底部可以設(shè)置指紋模組、觸控電路等功能組件。

電路板103安裝在殼體105內(nèi)部。電路板103可以為電子設(shè)備100的主板。電路板103上可以集成有攝像頭、接近傳感器以及處理器等功能組件。同時,顯示屏102可以電連接至電路板103。

在一些實施例中,電路板103上設(shè)置有射頻(rf,radiofrequency)電路。射頻電路可以通過無線網(wǎng)絡(luò)與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備(例如,服務(wù)器、基站等)或其他電子設(shè)備(例如,智能手機等)通信,以完成與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備或其他電子設(shè)備之間的信息收發(fā)。

在一些實施例中,如圖3所示,射頻電路200包括射頻收發(fā)器21、濾波單元23、射頻電路開關(guān)芯片24以及天線25。其中,濾波單元23、射頻電路開關(guān)芯片24以及天線25依次連接。

射頻收發(fā)器21具有發(fā)射端口tx和接收端口rx。發(fā)射端口tx用于發(fā)射射頻信號(上行信號),接收端口rx用于接收射頻信號(下行信號)。射頻收發(fā)器21的發(fā)射端口tx與功率放大單元22連接,接收端口rx與濾波單元23連接。

濾波單元23用于對射頻收發(fā)器21發(fā)射的上行信號進行濾波,并將濾波后的上行信號發(fā)送到天線25。濾波單元23還用于對天線25接收的下行信號進行濾波,并將濾波后的下行信號發(fā)送到射頻收發(fā)器21。

射頻電路開關(guān)芯片24用于選擇性接通射頻收發(fā)器21與天線25之間的通信頻段。射頻電路開關(guān)芯片24的詳細(xì)結(jié)構(gòu)和功能將在下文進行描述。

天線25用于將射頻收發(fā)器21發(fā)送的上行信號發(fā)射到外界,或者從外界接收射頻信號,并將接收到的下行信號發(fā)送到射頻收發(fā)器21。

在一些實施例中,射頻電路200還可以包括控制電路。其中,控制電路與射頻電路開關(guān)芯片24連接??刂齐娐愤€可以與電子設(shè)備100中的處理器連接,以根據(jù)處理器的指令控制射頻電路開關(guān)芯片24的狀態(tài)。

在一些實施例中,如圖4所示,射頻收發(fā)器21包括高頻端口21h、中頻端口21m以及低頻端口21l。其中,高頻端口21h、中頻端口21m、低頻端口21l可以分別包括多個射頻發(fā)射端口和多個射頻接收端口。高頻端口21h用于收發(fā)高頻射頻信號,中頻端口21m用于收發(fā)中頻射頻信號,低頻端口21l用于收發(fā)低頻射頻信號。

需要說明的是,上述高頻射頻信號、中頻射頻信號、低頻射頻信號只是相對概念,并無絕對的頻率范圍區(qū)分。

例如,射頻收發(fā)器21包括9個射頻發(fā)射端口a1、a2、a3、a4、a5、a6、a7、a8、a9,以及9個射頻接收端口b1、b2、b3、b4、b5、b6、b7、b8、b9。

其中,a1、a2、a3為高頻發(fā)射端口,用于發(fā)射高頻射頻信號(例如,band7、band40、band41等頻段的射頻信號)。b1、b2、b3為高頻接收端口,用于接收高頻射頻信號。a4、a5、a6為中頻發(fā)射端口,用于發(fā)射中頻射頻信號(例如,band1、band2、band3等頻段的射頻信號)。b4、b5、b6為中頻接收端口,用于接收中頻射頻信號。a7、a8、a9為低頻發(fā)射端口,用于發(fā)射低頻射頻信號(例如,band8、band12、band20等頻段的射頻信號)。b7、b8、b9為低頻接收端口,用于接收低頻射頻信號。

需要說明的是,上述實施例僅以射頻收發(fā)器21的高頻端口21h、中頻端口21m、低頻端口21l分別包括3個射頻發(fā)射端口和3個射頻接收端口為例進行說明。在其他一些實施例中,高頻端口21h、中頻端口21m、低頻端口21l還可以分別包括其他數(shù)量的射頻發(fā)射端口和射頻接收端口。只需滿足高頻端口21h、中頻端口21m、低頻端口21l各自所包括的射頻發(fā)射端口和射頻接收端口的數(shù)量相同并且大于1即可。

濾波單元23包括9個雙工器231、232、233、234、235、236、237、238、239。其中,雙工器231、232、233、234、235、236、237、238、239分別與射頻收發(fā)器21的射頻發(fā)射端口a1、a2、a3、a4、a5、a6、a7、a8、a9連接。并且,雙工器231、232、233、234、235、236、237、238、239分別與射頻收發(fā)器21的射頻接收端口b1、b2、b3、b4、b5、b6、b7、b8、b9連接。

射頻電路開關(guān)芯片24的輸入端包括9個子輸入端口c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9。其中,子輸入端口c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9分別與雙工器231、232、233、234、235、236、237、238、239連接。

其中,上述濾波單元23還可以包括其他數(shù)量的濾波器和雙工器,如圖5所示,該濾波單元23可以包括4個濾波器以及5個雙工器。

在長期演進(longtermevolution,簡稱lte)通訊網(wǎng)絡(luò)中,根據(jù)雙工方式的不同,lte的通訊頻段分為頻分雙工(frequencydivisionduplex,簡稱fdd)和時分雙工(timedivisionduplex,簡稱tdd)兩種類型。處在fdd模式下的通訊頻段,上下行通訊鏈路使用不同的頻率,此時射頻電路中需要雙工器對上下行通訊信號進行濾波處理。處在tdd模式下的通訊頻段,上下行通訊鏈路使用相同的頻率,在不同的時隙進行射頻信號的傳輸,此時射頻電路中需要濾波器對上下行通訊信號進行濾波處理。

因此,實際應(yīng)用中,濾波單元23中包括的濾波器數(shù)量和雙工器數(shù)量取決于射頻收發(fā)器21發(fā)射的各個頻段的射頻信號所處的雙工模式。處于fdd模式的頻段,射頻發(fā)射端口和射頻接收端口連接的是雙工器;處于tdd模式的頻段,射頻發(fā)射端口和射頻接收端口連接的是濾波器。

參考圖6,在一些實施例中,射頻電路開關(guān)芯片24包括第一開關(guān)241、第二開關(guān)242、第三開關(guān)243、功率放大單元22以及合路器244。

其中,第一開關(guān)241、第二開關(guān)242、第三開關(guān)243均為單刀多擲開關(guān)。例如,第一開關(guān)241包括3個子輸入端口c1、c2、c3,第二開關(guān)242包括3個子輸入端口c4、c5、c6,第三開關(guān)243包括3個子輸入端口c7、c8、c9。第一開關(guān)241、第二開關(guān)242、第三開關(guān)243的輸出端均連接到合路器244的輸入端。

功率放大單元22包括9個放大器221、222、223、224、225、226、227、228、229,分別與子輸入端口c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9連接。

合路器244可以為三頻合路器。合路器244的輸出端連接到天線25。

需要說明的是,上述連接關(guān)系僅表示元器件之間的直接連接,并不代表互相連接的元器件之間處于電性接通狀態(tài)。

在一些實施例中,子輸入端口c1、c2、c3可以分別與射頻收發(fā)器21中的高頻端口連接,子輸入端口c4、c5、c6可以分別與射頻收發(fā)器21中的中頻端口連接,子輸入端口c7、c8、c9可以分別與射頻收發(fā)器21中的低頻端口連接。

當(dāng)開關(guān)241接通c1、c2、c3中的任意一路,開關(guān)242接通c4、c5、c6中的任意一路,開關(guān)243斷開時,合路器244可以實現(xiàn)高頻信號與中頻信號載波聚合。

當(dāng)開關(guān)241接通c1、c2、c3中的任意一路,開關(guān)242斷開,開關(guān)243接通c7、c8、c9中的任意一路時,合路器244可以實現(xiàn)高頻信號與低頻信號載波聚合。

當(dāng)開關(guān)241斷開,開關(guān)242接通c4、c5、c6中的任意一路,開關(guān)243接通c7、c8、c9中的任意一路時,合路器244可以實現(xiàn)中頻信號與低頻信號載波聚合。

當(dāng)開關(guān)241接通c1、c2、c3中的任意一路,開關(guān)242接通c4、c5、c6中的任意一路,開關(guān)243接通c7、c8、c9中的任意一路時,合路器244可以實現(xiàn)高頻信號、中頻信號與低頻信號載波聚合。

例如,子輸入端口c1可以與射頻收發(fā)器21中的高頻頻段band40發(fā)射端口連接,子輸入端口c4可以與射頻收發(fā)器21中的中頻頻段band3發(fā)射端口連接,子輸入端口c7可以與射頻收發(fā)器21中的低頻頻段band12發(fā)射端口連接。

當(dāng)開關(guān)241接通c1,開關(guān)242接通c4,合路器244可以實現(xiàn)band40與band3的載波聚合。

進一步地,當(dāng)開關(guān)243接通c7時,合路器244可以實現(xiàn)band40、band3、band12的載波聚合。

當(dāng)開關(guān)241接通c1,開關(guān)242斷開,開關(guān)243接通c7時,合路器244可以實現(xiàn)band40與band12的載波聚合。

當(dāng)開關(guān)241斷開,開關(guān)242接通c4,開關(guān)243接通c7,合路器244可以實現(xiàn)band3與band12的載波聚合。

參考圖7,在該實施例中,射頻電路開關(guān)芯片24包括第一開關(guān)245、第二開關(guān)246、功率放大單元22以及合路器244。

其中,第一開關(guān)245、第二開關(guān)246均為單刀多擲開關(guān)。例如,第一開關(guān)245包括6個子輸入端口c1、c2、c3、c4、c5、c6,第二開關(guān)246包括3個子輸入端口c7、c8、c9。第一開關(guān)245、第二開關(guān)246與所述合路器244的輸入端連接。

當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)245接通c1、c2、c3的任意一路,第二開關(guān)246接通c7、c8、c9的任意一路,合路器244可以實現(xiàn)高頻信號與低頻信號載波聚合;

當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)245接通c4、c5、c6的任意一路,第二開關(guān)246接通c7、c8、c9的任意一路,合路器244可以實現(xiàn)中頻信號與低頻信號載波聚合。

如圖8所示,在一些實施例中,第一開關(guān)245和第二開關(guān)246可以封裝形成開關(guān)芯片247。

其中,上述合路器244可以為雙頻合路器,合路器244的輸出端鏈接到天線25。

在一些實施例中,子輸入端口c1、c2、c3可以分別與射頻收發(fā)器21中的高頻端口連接,子輸入端口c4、c5、c6可以分別與射頻收發(fā)器21中的中頻端口連接,子輸入端口c7、c8、c9可以分別與射頻收發(fā)器21中的低頻端口連接。

參考圖9,圖9為射頻電路200的結(jié)構(gòu)示意圖。其中,射頻收發(fā)器21包括9個射頻發(fā)射端口a1、a2、a3、a4、a5、a6、a7、a8、a9,以及9個射頻接收端口b1、b2、b3、b4、b5、b6、b7、b8、b9。

其中,a1、a2、a3為高頻發(fā)射端口,用于發(fā)射高頻射頻信號(例如,band7、band40、band41等頻段的射頻信號)。b1、b2、b3為高頻接收端口,用于接收高頻射頻信號。a4、a5、a6為中頻發(fā)射端口,用于發(fā)射中頻射頻信號(例如,band1、band2、band3等頻段的射頻信號)。b4、b5、b6為中頻接收端口,用于接收中頻射頻信號。a7、a8、a9為低頻發(fā)射端口,用于發(fā)射低頻射頻信號(例如,band8、band12、band20等頻段的射頻信號)。b7、b8、b9為低頻接收端口,用于接收低頻射頻信號。

需要說明的是,上述實施例僅以射頻收發(fā)器21的高頻端口、中頻端口、低頻端口分別包括3個射頻發(fā)射端口和3個射頻接收端口為例進行說明。在其他一些實施例中,高頻端口、中頻端口、低頻端口還可以分別包括其他數(shù)量的射頻發(fā)射端口和射頻接收端口。只需滿足高頻端口、中頻端口、低頻端口各自所包括的射頻發(fā)射端口和射頻接收端口的數(shù)量相同并且大于1即可。

功率放大單元22包括9個放大器221、222、223、224、225、226、227、228、229。其中,放大器221、222、223、224、225、226、227、228、229分別與射頻收發(fā)器21的射頻發(fā)射端口a1、a2、a3、a4、a5、a6、a7、a8、a9連接。

功率放大單元22用于對射頻收發(fā)器21發(fā)射的上行信號進行放大,并將放大后的上行信號發(fā)送到濾波單元23。

射頻電路開關(guān)芯片24包括第一開關(guān)245、第二開關(guān)246、功率放大單元22以及合路器244。

第一開關(guān)245、第二開關(guān)246均為單刀多擲開關(guān)。例如,第一開關(guān)245包括6個子輸入端口c1、c2、c3、c4、c5、c6,第二開關(guān)246包括3個子輸入端口c7、c8、c9。子輸入端口c1、c2、c3、c4、c5、c6、c7、c8、c9分別與雙工器231、232、233、234、235、236、237、238、239連接。

本發(fā)明實施例中,射頻電路開關(guān)芯片24可以控制射頻收發(fā)器21的高頻端口與低頻端口接通第一合路器244,以實現(xiàn)高頻信號與低頻信號載波聚合;還可以控制射頻收發(fā)器21的中頻端口與低頻端口接通第一合路器244,以實現(xiàn)中頻信號與低頻信號載波聚合。射頻電路開關(guān)芯片24能夠控制不同頻段的射頻信號進行載波聚合,從而可以提高電子設(shè)備100對射頻信號進行載波聚合的多樣性。并且針對內(nèi)銷產(chǎn)品而言,無需實現(xiàn)高、中、低三個頻段的載波聚合,也可以減少非載波聚合頻段的插損。

繼續(xù)參考圖1和圖2。其中,電池104安裝在殼體105內(nèi)部。電池104用于為電子設(shè)備100提供電能。

殼體105用于形成電子設(shè)備100的外部輪廓。殼體105的材質(zhì)可以為塑料或金屬。殼體105可以一體成型。

參考圖10,圖10本發(fā)明實施例提供的電子設(shè)備100的另一結(jié)構(gòu)示意圖。電子設(shè)備100包括天線裝置10、存儲器20、顯示單元30、電源40以及處理器50。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解,圖10中示出的電子設(shè)備100的結(jié)構(gòu)并不構(gòu)成對電子設(shè)備100的限定。電子設(shè)備100可以包括比圖示更多或更少的部件,或者組合某些部件,或者不同的部件布置。

其中,天線裝置10包括上述任一實施例中所描述的射頻電路200。天線裝置10可以通過無線網(wǎng)絡(luò)與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備(例如,服務(wù)器)或其他電子設(shè)備(例如,智能手機)通信,完成與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備或其他電子設(shè)備之間的信息收發(fā)。

存儲器20可用于存儲應(yīng)用程序和數(shù)據(jù)。存儲器20存儲的應(yīng)用程序中包含有可執(zhí)行程序代碼。應(yīng)用程序可以組成各種功能模塊。處理器50通過運行存儲在存儲器20的應(yīng)用程序,從而執(zhí)行各種功能應(yīng)用以及數(shù)據(jù)處理。

顯示單元30可用于顯示由用戶輸入到電子設(shè)備100的信息或提供給用戶的信息以及電子設(shè)備100的各種圖形用戶接口。這些圖形用戶接口可以由圖形、文本、圖標(biāo)、視頻和其任意組合來構(gòu)成。顯示單元30可包括顯示面板。

電源40用于給電子設(shè)備100的各個部件供電。在一些實施例中,電源40可以通過電源管理系統(tǒng)與處理器50邏輯相連,從而通過電源管理系統(tǒng)實現(xiàn)管理充電、放電、以及功耗管理等功能。

處理器50是電子設(shè)備100的控制中心。處理器50利用各種接口和線路連接整個電子設(shè)備100的各個部分,通過運行或執(zhí)行存儲在存儲器20內(nèi)的應(yīng)用程序,以及調(diào)用存儲在存儲器20內(nèi)的數(shù)據(jù),執(zhí)行電子設(shè)備100的各種功能和處理數(shù)據(jù),從而對電子設(shè)備100進行整體監(jiān)控。

此外,電子設(shè)備100還可以包括攝像頭模塊、藍牙模塊等,在此不再贅述。

具體實施時,以上各個模塊可以作為獨立的實體來實現(xiàn),也可以進行任意組合,作為同一或若干個實體來實現(xiàn),以上各個模塊的具體實施可參見前面的方法實施例,在此不再贅述。

需要說明的是,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解上述實施例的各種方法中的全部或部分步驟是可以通過程序來指令相關(guān)的硬件來完成,該程序可以存儲于計算機可讀存儲介質(zhì)中,如存儲在終端的存儲器中,并被該終端內(nèi)的至少一個處理器執(zhí)行,在執(zhí)行過程中可包括如信息發(fā)布方法的實施例的流程。其中,存儲介質(zhì)可以包括:只讀存儲器(rom,readonlymemory)、隨機存取記憶體(ram,randomaccessmemory)、磁盤或光盤等。

以上對本發(fā)明實施例提供的一種射頻電路開關(guān)芯片、射頻電路、天線裝置及電子設(shè)備進行了詳細(xì)介紹,其各功能模塊可以集成在一個處理芯片中,也可以是各個模塊單獨物理存在,也可以兩個或兩個以上模塊集成在一個模塊中。上述集成的模塊既可以采用硬件的形式實現(xiàn),也可以采用軟件功能模塊的形式實現(xiàn)。本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述,以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想;同時,對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員,依據(jù)本發(fā)明的思想,在具體實施方式及應(yīng)用范圍上均會有改變之處,綜上所述,本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。

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