專利名稱：主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種有機(jī)電激發(fā)光基板及其制作方法，尤指一種保護(hù)層在驅(qū)動(dòng)組件區(qū)與發(fā)光區(qū)的交界處具有一階梯狀結(jié)構(gòu)的有機(jī)電激發(fā)光基板及其制作方法。
背景技術(shù)：
平面顯示器(Flat Panel Display)具有傳統(tǒng)陰極射線管(CRTCathodeRay Tube)顯示器不可比擬的優(yōu)勢(shì)，例如省電、無(wú)輻射與輕薄短小等，因此平面顯示器漸漸取代了陰極射線管顯示器。隨著平面顯示技術(shù)的提升，平面顯示器的產(chǎn)品價(jià)格不斷降低，使得平面顯示器更普及并朝向大顯示尺寸發(fā)展，而在現(xiàn)今各種平面顯示器之中，有機(jī)電激發(fā)光顯示器由于具有高對(duì)比與自發(fā)光等優(yōu)勢(shì)，更是目前市場(chǎng)上最受期待的產(chǎn)品。
請(qǐng)參考圖1。圖1為一現(xiàn)有有機(jī)電激發(fā)光基板10的剖面示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有有機(jī)電激發(fā)光基板10包含有一基底12，其區(qū)分為一驅(qū)動(dòng)組件區(qū)14與一發(fā)光區(qū)16。驅(qū)動(dòng)組件區(qū)14之內(nèi)設(shè)置有一薄膜晶體管18，且驅(qū)動(dòng)組件區(qū)14的薄膜晶體管18之上與發(fā)光區(qū)16中覆蓋有一第一保護(hù)層20。另外，發(fā)光區(qū)16的第一保護(hù)層20的表面具有一導(dǎo)電層22，并通過(guò)第一保護(hù)層20的一開(kāi)口24與薄膜晶體管18電連接，而第一保護(hù)層20的表面與導(dǎo)電層22的表面另具有一第二保護(hù)層26。第二保護(hù)層26于發(fā)光區(qū)16具有一開(kāi)口28，曝露出部分導(dǎo)電層22。此外，導(dǎo)電層22的表面則依序包含有一有機(jī)發(fā)光層30與一電極層32。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板，以提升顯示效果。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種制作主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板的方法。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板，包含一基底，具有一驅(qū)動(dòng)組件區(qū)與一發(fā)光區(qū)；一薄膜晶體管，設(shè)置于所述的基底的所述的驅(qū)動(dòng)組件區(qū)內(nèi)；一第一保護(hù)層，設(shè)置于所述的驅(qū)動(dòng)組件區(qū)與所述的發(fā)光區(qū)，并大體覆蓋所述的薄膜晶體管；一導(dǎo)電層，與所述的薄膜晶體管電連接，設(shè)置于所述的發(fā)光區(qū)的所述的第一保護(hù)層的表面與部分所述的驅(qū)動(dòng)組件區(qū)的所述的第一保護(hù)層的表面；以及一第二保護(hù)層，設(shè)置于所述的第一保護(hù)層的表面與所述的導(dǎo)電層的表面，所述的第二保護(hù)層于所述的發(fā)光區(qū)具有一開(kāi)口，曝露出部分所述的導(dǎo)電層，且所述的第二保護(hù)層于所述的驅(qū)動(dòng)組件區(qū)與所述的發(fā)光區(qū)的交界處具有一階梯狀結(jié)構(gòu)。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種制作主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板的方法，包含提供一基底，并于所述的基底上定義出一驅(qū)動(dòng)組件區(qū)與一發(fā)光區(qū)；于所述的基底的所述的驅(qū)動(dòng)組件區(qū)與所述的發(fā)光區(qū)內(nèi)形成一第一保護(hù)層；于部分所述的第一保護(hù)層上形成一導(dǎo)電層；于所述的第一保護(hù)層與所述的導(dǎo)電層上形成一第二保護(hù)層；以及去除位于所述的發(fā)光區(qū)的所述的第二保護(hù)層，以形成一曝露出所述的導(dǎo)電層的開(kāi)口，并去除部分位于所述的開(kāi)口附近的所述的第二保護(hù)層，使得所述的第二保護(hù)層于所述的驅(qū)動(dòng)組件區(qū)與所述的發(fā)光區(qū)的交界處具有一階梯狀結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明利用具有感旋光性的有機(jī)材料作為第二保護(hù)層，可有效提升第二保護(hù)層的厚度極限，避免發(fā)光區(qū)的結(jié)構(gòu)于蒸鍍有機(jī)發(fā)光層時(shí)受損，且第二保護(hù)層的階梯狀結(jié)構(gòu)可避免漏光問(wèn)題，使有機(jī)電激發(fā)光面板發(fā)揮正常顯示作用。


圖1為一現(xiàn)有有機(jī)電激發(fā)光基板的剖面示意圖。
圖2至圖8為本發(fā)明一較佳實(shí)施例制作一主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板的方法示意圖。
圖9為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例制作一主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板的方法示意圖。
附圖標(biāo)號(hào)10有機(jī)電激發(fā)光基板 12基底14驅(qū)動(dòng)組件區(qū)16發(fā)光區(qū)18薄膜晶體管20第一保護(hù)層22導(dǎo)電層24開(kāi)口26第二保護(hù)層28開(kāi)口30有機(jī)發(fā)光層32電極層50基底 52驅(qū)動(dòng)組件區(qū)54發(fā)光區(qū)56薄膜晶體管56a 漏極 58第一保護(hù)層60開(kāi)口 62導(dǎo)電層64第二保護(hù)層66第一光罩68開(kāi)口 69第二光罩70階梯狀結(jié)構(gòu)70a 第一平坦面70b 第一傾斜面70c 第二平坦面70d 第二傾斜面72有機(jī)發(fā)光層74電極層76上蓋
78封膠80主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光面板90半調(diào)光罩具體實(shí)施方式
以下為有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖。然而附圖僅供參考與輔助說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制者。
現(xiàn)有有機(jī)電激發(fā)光基板10的第二保護(hù)層26在驅(qū)動(dòng)組件區(qū)14與發(fā)光區(qū)16的交界處角度過(guò)大，造成第二保護(hù)層26的傾斜面的有機(jī)發(fā)光層30膜厚與平坦面厚度差異過(guò)大，而此一厚度差異將導(dǎo)致現(xiàn)有有機(jī)電激發(fā)光基板10在驅(qū)動(dòng)組件區(qū)14與發(fā)光區(qū)16的交界處產(chǎn)生漏光問(wèn)題。再者，現(xiàn)有有機(jī)電激發(fā)光基板10的第二保護(hù)層26為無(wú)機(jī)材料，例如氧化硅或氮化硅等，而由于制作工藝時(shí)間等限制由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的第二保護(hù)層26的膜厚的極限僅為3000埃。第二保護(hù)層26的膜厚不足會(huì)使得于蒸鍍后續(xù)有機(jī)發(fā)光層30時(shí)，蒸鍍制作工藝所使用的用以定義有機(jī)發(fā)光層30的蔭罩?jǐn)D壓到發(fā)光區(qū)16的既有結(jié)構(gòu)，造成結(jié)構(gòu)受損并會(huì)產(chǎn)生較多的微粒，而使發(fā)光效率不彰。
請(qǐng)參考圖2至圖8。圖2至圖8為本發(fā)明一較佳實(shí)施例制作一主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板的方法示意圖。如圖2所示，首先提供一基底50，例如一玻璃基底或一石英基底，并于基底50上定義出一驅(qū)動(dòng)組件區(qū)52與一發(fā)光區(qū)54。接著于基底50的驅(qū)動(dòng)組件區(qū)52之中形成一薄膜晶體管56，其中薄膜晶體管56可為非晶硅薄膜晶體管、低溫多晶硅薄膜晶體管或高溫多晶硅薄膜晶體管等各式晶體管，且制作薄膜晶體管56的步驟為業(yè)界所熟知，在此不再多加贅述。
如圖3所示，隨后于基底50的驅(qū)動(dòng)組件區(qū)52與發(fā)光區(qū)54內(nèi)形成一第一保護(hù)層58，并于第一保護(hù)層58對(duì)應(yīng)薄膜晶體管56的位置形成一開(kāi)口60，以曝露出薄膜晶體管56的漏極56a。接著于部分第一保護(hù)層58上形成一導(dǎo)電層62，且導(dǎo)電層62通過(guò)開(kāi)口60與薄膜晶體管56的漏極56a電連接。導(dǎo)電層62可作為本發(fā)明的主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板的陽(yáng)極之用，而導(dǎo)電層62的材料選用則依據(jù)主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板的顯示類型不同而有不同。舉例來(lái)說(shuō)，若欲制作底發(fā)光型(bottom emission type)的有機(jī)電激發(fā)光基板，則導(dǎo)電層62的材料使用透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)或上述組合，而若欲制作頂發(fā)光型(top emission type)的有機(jī)電激發(fā)光基板，則導(dǎo)電層62的材料宜使用金屬材料，例如鋁、銀或上述組合。
如圖4所示，于第一保護(hù)層58與導(dǎo)電層62上形成一第二保護(hù)層64。于本實(shí)施例中，第二保護(hù)層64選用一有機(jī)材質(zhì)，例如聚亞醯胺樹(shù)脂(polyimideresin)、壓克力樹(shù)脂(acrylic resin)或有機(jī)硅化物(organic silica)等，而選用有機(jī)材質(zhì)的優(yōu)點(diǎn)在于上述有機(jī)材質(zhì)可利用涂布方式，例如旋轉(zhuǎn)涂布方式加以形成，相較于現(xiàn)有利用蒸鍍制作工藝制作保護(hù)層的步驟，可大幅節(jié)省制作工藝時(shí)間，進(jìn)而提升第二保護(hù)層64的厚度極限。于本實(shí)施例中，第二保護(hù)層64的厚度為3微米至5微米，但不限于此。此外，本實(shí)施例的有機(jī)材質(zhì)添加感光材料后可直接利用曝光技術(shù)加以圖案化，而不需進(jìn)行刻蝕制作工藝。
接著進(jìn)行一二階段曝光制作工藝。如圖5所示，首先，利用一第一光罩66進(jìn)行一第一曝光制作工藝，去除位于發(fā)光區(qū)54的少部分第二保護(hù)層64，以形成一開(kāi)口68。如圖6所示，隨后再利用一第二光罩69進(jìn)行一第二曝光制作工藝，去除部分位于開(kāi)口68附近的第二保護(hù)層64，以于驅(qū)動(dòng)組件區(qū)52與發(fā)光區(qū)54的交界處形成一階梯狀結(jié)構(gòu)70。于本發(fā)明的方法中，二階段曝光制作工藝的目的在于使第二保護(hù)層64具有階梯狀結(jié)構(gòu)70，其中于第一曝光制作工藝時(shí)需形成較深的開(kāi)口68，因此需要較高的曝光能量，而于第二曝光制作工藝時(shí)，所欲去除的第二保護(hù)層64的厚度較淺，因此曝光能量較第一曝光制作工藝的曝光能量低。在本實(shí)施例中，第一曝光制作工藝的曝光能量與第二曝光制作工藝的曝光能量約相差10毫焦耳(mJ)至60毫焦耳，但二階段曝光制作工藝的曝光能量可視第二保護(hù)層64的厚度不同作調(diào)整而不限于此。
于本實(shí)施例中，第二保護(hù)層64的階梯狀結(jié)構(gòu)70具有一第一平坦面70a、一第一傾斜面70b、一第二平坦面70c與一第二傾斜面70d，其中第一平坦面70a與導(dǎo)電層62的表面的高度差約為3微米至5微米，亦即第二保護(hù)層64的厚度，而第二平坦面70c與導(dǎo)電層62的表面的高度差則約為3000埃至2微米。另外，第二傾斜面70d與導(dǎo)電層62的表面形成一夾角，而此夾角約略為10度至40度。值得說(shuō)明的是第二傾斜面70d與導(dǎo)電層62的夾角除了與曝光能量有關(guān)之外，與第二保護(hù)層64與導(dǎo)電層62的附著力有關(guān)，因此于設(shè)定此夾角時(shí)亦可通過(guò)調(diào)整第二保護(hù)層64的成分或黏度等參數(shù)，并配合適當(dāng)?shù)钠毓饽芰恳詼?zhǔn)確控制此夾角的范圍。
如圖7所示，接著于導(dǎo)電層62與第二保護(hù)層64上依序形成一有機(jī)發(fā)光層72與一電極層74，其中有機(jī)發(fā)光層72可視所欲顯示的像素顏色不同而選用不同的有機(jī)發(fā)光材質(zhì)，例如為紅光有機(jī)發(fā)光材質(zhì)、綠光有機(jī)發(fā)光材質(zhì)、藍(lán)光有機(jī)發(fā)光材質(zhì)或白光有機(jī)發(fā)光材質(zhì)，而電極層74作為有機(jī)電激發(fā)光基板的陰極，電極層74的材質(zhì)視有機(jī)電激發(fā)光基板的型式不同而可為透明導(dǎo)電材料或金屬導(dǎo)電材料。第二保護(hù)層64的階梯狀結(jié)構(gòu)70使得后續(xù)形成的有機(jī)發(fā)光層72在驅(qū)動(dòng)組件區(qū)52與發(fā)光區(qū)54的交界處在垂直方向的厚度差異較小，因此可避免漏光問(wèn)題。另外，第二保護(hù)層64的厚度可避免制作有機(jī)發(fā)光層70時(shí)所使用的蔭罩造成發(fā)光區(qū)54受損。
通過(guò)上述制作工藝，即可制作出本發(fā)明的主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板，此基板為主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光面板的下基板，而若欲制作出主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光面板，則需進(jìn)行下列制作工藝。如圖8所示，提供一上蓋76，例如一玻璃上蓋，并利用封膠78將上蓋76與主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板的基底50封合，即制作出主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光面板80。
上述實(shí)施例的階梯狀結(jié)構(gòu)70利用二階段曝光制作工藝制作，然而本發(fā)明的方法并不限于此而可利用灰階光罩(greytone mask)或半調(diào)光罩(halftonemask)加以制作。請(qǐng)繼續(xù)參考圖9。圖9為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例制作一主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板的方法示意圖，其中為便于比較本發(fā)明二實(shí)施例的異同，相同的組件使用相同的標(biāo)號(hào)標(biāo)注，而本實(shí)施例的步驟接續(xù)圖4后實(shí)施，且相同的步驟不再重復(fù)贅述。如圖9所示，利用一半調(diào)光罩90進(jìn)行一曝光制作工藝，通過(guò)光罩控制光照上通光量口率(Aperture Ratio)的變化，因而可以在不同位置調(diào)出不同的曝光能量，使得預(yù)定形成開(kāi)口68的區(qū)域獲得較高的曝光能量，而對(duì)應(yīng)于預(yù)定形成階梯狀結(jié)構(gòu)70的區(qū)域則獲得較低的曝光能量，如此一來(lái)即使只進(jìn)行單一曝光制作工藝同樣可形成開(kāi)口68，并于驅(qū)動(dòng)組件區(qū)52與發(fā)光區(qū)54的交界處形成階梯狀結(jié)構(gòu)70。
由上述可知，本發(fā)明利用具有感旋光性的有機(jī)材料作為第二保護(hù)層，可有效提升第二保護(hù)層的厚度極限，避免發(fā)光區(qū)的結(jié)構(gòu)于蒸鍍有機(jī)發(fā)光層時(shí)受損，且第二保護(hù)層的階梯狀結(jié)構(gòu)可避免漏光問(wèn)題，使有機(jī)電激發(fā)光面板發(fā)揮正常顯示作用。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板，其特征在于，所述的主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板包含一基底，具有一驅(qū)動(dòng)組件區(qū)與一發(fā)光區(qū)；一薄膜晶體管，設(shè)置于所述的基底的所述的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)內(nèi)；一第一保護(hù)層，設(shè)置于所述的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)與所述的發(fā)光區(qū)，并覆蓋所述的薄膜晶體管；一導(dǎo)電層，與所述的薄膜晶體管電連接，設(shè)置于所述的發(fā)光區(qū)的所述的第一保護(hù)層的表面與部分所述的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)的所述的第一保護(hù)層的表面；以及一第二保護(hù)層，設(shè)置于所述的第一保護(hù)層的表面與所述的導(dǎo)電層的表面，所述的第二保護(hù)層于所述的發(fā)光區(qū)具有一開(kāi)口，曝露出部分所述的導(dǎo)電層，且所述的第二保護(hù)層于所述的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)與所述的發(fā)光區(qū)的交界處具有一階梯狀結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板，其特征在于，其中所述的導(dǎo)電層的材質(zhì)包含氧化銦錫、氧化銦鋅、鋁、銀或上述組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板，其特征在于，其中所述的第二保護(hù)層包含一有機(jī)材質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板，其特征在于，其中所述的有機(jī)材質(zhì)包含聚亞醯胺樹(shù)脂、壓克力樹(shù)脂、有機(jī)硅化物或上述組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板，其特征在于，所述的主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板還包含一有機(jī)發(fā)光層覆蓋于所述的導(dǎo)電層的表面，以及一電極層設(shè)置于所述的有機(jī)發(fā)光層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板，其特征在于，其中所述的有機(jī)發(fā)光層還覆蓋于所述的第二保護(hù)層的表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板，其特征在于，其中所述的第二保護(hù)層的所述的階梯狀結(jié)構(gòu)具有一第一平坦面、一第一傾斜面、一第二平坦面與一第二傾斜面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板，其特征在于，其中所述的第二平坦面與所述的導(dǎo)電層的表面的高度差約為3000埃至2微米。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板，其特征在于，其中所述的第一平坦面與所述的導(dǎo)電層的表面的高度差約為3微米至5微米。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板，其特征在于，其中所述的第二傾斜面與所述的導(dǎo)電層的表面形成一夾角，且所述的夾角約為10度至40度。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板，其包含一基底具有一驅(qū)動(dòng)組件區(qū)與一發(fā)光區(qū)、一薄膜晶體管、一第一保護(hù)層、一導(dǎo)電層與所述的薄膜晶體管電連接，以及一第二保護(hù)層，設(shè)置于第一保護(hù)層的表面與導(dǎo)電層的表面。第二保護(hù)層于發(fā)光區(qū)具有一開(kāi)口，曝露出部分導(dǎo)電層，且第二保護(hù)層于驅(qū)動(dòng)組件區(qū)與發(fā)光區(qū)的交界處具有一階梯狀結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的目的在于提供一種主動(dòng)式有機(jī)電激發(fā)光基板，以提升顯示效果。
文檔編號(hào)H05B33/12GK101026186SQ20071009223
公開(kāi)日2007年8月29日 申請(qǐng)日期2007年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月2日
發(fā)明者黃淑惠, 葉孝蔚, 洪敏玲, 蕭夏彩 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司