技術(shù)編號(hào)：41947751
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體地，涉及一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備及其點(diǎn)火腔室。背景技術(shù)、在濕氧氧化工藝設(shè)備工作時(shí)，外點(diǎn)火裝置通過加熱器加熱使點(diǎn)火腔室中實(shí)現(xiàn)氫氣和氧氣反應(yīng)，為工藝腔室提供純凈的高溫水蒸氣，用于在硅片表面生成氧化膜。隨著市場(chǎng)進(jìn)步，工藝需求也隨之提升，需要硅片表面生長(zhǎng)厚度較薄、膜質(zhì)均勻、顆粒少的氧化膜。、為了滿足工藝需求，點(diǎn)火腔室在氫氧燃燒過程中通入適量氮?dú)猓♂屗魵?，從而生成膜質(zhì)均勻，厚度較薄、顆粒較少的氧化膜?，F(xiàn)有技術(shù)中通入氮?dú)獾墓苈分袝?huì)因?yàn)楦邷厮魵鈹U(kuò)散作用生成冷凝水，造成顆粒超標(biāo)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。