技術(shù)編號：41947985
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及一種半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)、已知具有源電極、柵電極以及漏電極的場效應(yīng)晶體管(fet：field?effecttransistor)。已知在電極的延伸方向上配置兩個在電極的并列方向上排列有多個fet的fet組。已知在fet組之間設(shè)置連接于柵電極的柵極焊盤和連接于漏電極的漏極焊盤(例如專利文獻(xiàn)、)、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)：日本特開平－號公報、專利文獻(xiàn)：美國專利第號說明書、然而，由于柵極焊盤與漏極焊盤鄰接，因此會產(chǎn)生柵極/漏極寄生電容...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。