技術(shù)編號(hào)：41952465
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造，特別涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法。背景技術(shù)、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)工藝引入sige(鍺硅，應(yīng)變硅的一種)，在pmos晶體管的源漏硅中加一定量的鍺(ge)，形成鍺硅，以產(chǎn)生應(yīng)變，使硅(si)原子之間的鍵被拉長(zhǎng)，對(duì)電子移動(dòng)的阻礙減小，對(duì)pmos晶體管的速度、功耗以及特征頻率都有較大的提升。、另外，cmos工藝還引入金屬硅化物(silicide)到多晶硅柵、源區(qū)和漏區(qū)上，以同時(shí)改善晶體管的柵、源和漏有源區(qū)的等效串聯(lián)電阻和接觸孔的接觸電阻。通常，在特征尺寸為....
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無(wú)完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。