技術(shù)編號：41953512
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及半導(dǎo)體器件及集成電路，尤其涉及一種dtc的電極層的形成方法。背景技術(shù)、與傳統(tǒng)的平板電容器相比，深溝槽電容器(deep?trench?capacitor，dtc)由于具有三維的結(jié)構(gòu)因此能夠獲得超高電容密度，從而得到了廣泛的應(yīng)用。通常，dtc由金屬電極和高介電常數(shù)(high?k)介質(zhì)(介電常數(shù)大于的介質(zhì))層構(gòu)成，其通過在溝槽中多次交替沉積金屬層和高k介質(zhì)層后，通過金屬互連形成并聯(lián)的電容，從而進一步提高電容密度。、在dtc的金屬電極的制作過程中，通常使用原子層沉積(atomic?lay...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。