技術編號：41954501
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及集成電路工藝檢測領域，尤其涉及一種wee曝光性能的在線監(jiān)控方法。背景技術、wee(wafer?edge?exposure，晶圓邊緣曝光)工藝主要應用于半導體涂膠顯影工藝過程中，目的是去除殘留在晶圓邊緣的光刻膠。在進行wee工藝時，使涂布了光刻膠的晶圓旋轉，利用光源(如汞燈)曝光晶圓邊緣的光刻膠，經過曝光的光刻膠在顯影時被去除。、在wee工藝中，如果光源強度不足，在設定時間內對光刻膠的照射不充分，經過顯影后，會在晶圓邊緣區(qū)域殘留一些光刻膠，殘留的光刻膠較難辨別，如果不能及時去除，容易...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。