本發(fā)明涉及集成電路工藝檢測領域，尤其涉及一種wee曝光性能的在線監(jiān)控方法。

背景技術：

1、wee(wafer?edge?exposure，晶圓邊緣曝光)工藝主要應用于半導體涂膠顯影工藝過程中，目的是去除殘留在晶圓邊緣的光刻膠。在進行wee工藝時，使涂布了光刻膠的晶圓旋轉，利用光源(如汞燈)曝光晶圓邊緣的光刻膠，經(jīng)過曝光的光刻膠在顯影時被去除。

2、在wee工藝中，如果光源強度不足，在設定時間內(nèi)對光刻膠的照射不充分，經(jīng)過顯影后，會在晶圓邊緣區(qū)域殘留一些光刻膠，殘留的光刻膠較難辨別，如果不能及時去除，容易對晶圓以及放置晶圓的載片臺造成污染，影響產(chǎn)品良率。因此，通常需定時檢測wee機臺的光源的曝光表現(xiàn)是否穩(wěn)定，以及時獲知wee機臺的光源照度是否出現(xiàn)了衰減。

3、為了了解wee機臺的光源的曝光表現(xiàn)，通常采用停機檢測的方式，具體在wee機臺停機狀態(tài)下，操作者手動拆下設備中連接光源的光纖頭，利用照度計檢測光源的照度。但是，這種停機檢測方式在檢測時需拆裝光纖頭，操作較復雜，容易造成光纖彎折損壞，而且停機檢測耗時耗力，不利于提高生產(chǎn)效率。

技術實現(xiàn)思路

1、為了及時了解wee機臺的光源的曝光表現(xiàn)，并且避免停機檢測，簡化操作，提高生產(chǎn)效率，本發(fā)明提供一種wee曝光性能的在線監(jiān)控方法。

2、本發(fā)明提供的wee曝光性能的在線監(jiān)控方法包括如下步驟：

3、在線獲取wee機臺曝光充分所需的最短曝光時長的信息，包括：利用所述wee機臺對測試晶圓進行晶圓邊緣曝光工藝并顯影，所述測試晶圓包括多個邊緣曝光區(qū)，其中，對各個所述邊緣曝光區(qū)采用不同的曝光時長進行曝光；檢測各所述邊緣曝光區(qū)是否曝光充分，根據(jù)曝光充分且曝光時長最短的所述邊緣曝光區(qū)得到所述wee機臺當前曝光充分所需的最短曝光時長的信息；以及

4、監(jiān)控所述最短曝光時長的信息，并根據(jù)監(jiān)控結果獲取所述wee機臺的光源的曝光表現(xiàn)。

5、可選地，監(jiān)控所述最短曝光時長的信息，并根據(jù)監(jiān)控結果獲取所述wee機臺的光源的曝光表現(xiàn)包括：

6、采用同一所述光源在多個時間點分別在線獲取對應的所述最短曝光時長的信息，得到多個所述最短曝光時長的信息；以及

7、根據(jù)多個所述最短曝光時長的信息判斷所述光源的光強穩(wěn)定性。

8、可選地，監(jiān)控所述最短曝光時長的信息，并根據(jù)監(jiān)控結果獲取所述wee機臺的光源的曝光表現(xiàn)包括：

9、利用至少兩臺所述wee機臺分別在線獲取曝光充分所需的最短曝光時長的信息；以及

10、比較至少兩臺所述wee機臺對應的所述最短曝光時長的信息，得到至少兩臺所述wee機臺的光源的光強差異。

11、可選地，多個所述邊緣曝光區(qū)等分所述測試晶圓的邊緣區(qū)域。

12、可選地，所述測試晶圓的邊緣包括沿周向依次排布的12個所述邊緣曝光區(qū)。

13、可選地，對各個所述邊緣曝光區(qū)采用不同的曝光時長進行曝光包括：沿順時針或者逆時針依次對各個所述邊緣曝光區(qū)進行曝光，并且，沿順時針或者逆時針依次對各個所述邊緣曝光區(qū)進行曝光，并且，根據(jù)曝光先后順序，逐步增加或者逐步減少所述曝光時長。

14、可選地，所述測試晶圓的邊緣具有定位槽口，利用wee機臺對測試晶圓進行晶圓邊緣曝光工藝包括：

15、對所述定位槽口所在的邊緣曝光區(qū)進行曝光；以及

16、沿順時針或者逆時針依次對其它所述邊緣曝光區(qū)進行曝光，并且，每個所述邊緣曝光區(qū)的曝光時長相較于前一個所述邊緣曝光區(qū)的曝光時長增加一大于0的設定值。

17、可選地，所述設定值為3秒～7秒。

18、可選地，所述定位槽口所在的邊緣曝光區(qū)以所述定位槽口與所述測試晶圓的圓心的連線對稱。

19、可選地，根據(jù)曝光先后順序?qū)Ω魉鲞吘壠毓鈪^(qū)進行順次編號，在線獲取所述最短曝光時長的信息時，記錄曝光充分且曝光時長最短的所述邊緣曝光區(qū)的編號，以根據(jù)曝光充分且曝光時長最短的所述邊緣曝光區(qū)的編號的變化獲取所述wee機臺的光源的曝光表現(xiàn)。

20、可選地，根據(jù)曝光先后順序，各所述邊緣曝光區(qū)相對于所述定位槽口與所述測試晶圓的圓心的連線的偏轉角度逐漸增大；在線獲取所述最短曝光時長的信息時，記錄曝光充分且曝光時長最短的所述邊緣曝光區(qū)對應的所述偏轉角度，以根據(jù)曝光充分且曝光時長最短的所述邊緣曝光區(qū)的所述偏轉角度的變化獲取所述wee機臺的光源的曝光表現(xiàn)。

21、本發(fā)明提供的wee曝光性能的在線監(jiān)控方法中，在線獲取wee機臺曝光充分所需的最短曝光時長的信息，并監(jiān)控該信息，根據(jù)監(jiān)控結果獲取所述wee機臺的光源的曝光表現(xiàn)，即可以得到所述wee機臺的曝光性能。所述在線監(jiān)控方法在獲得wee機臺中光源的曝光表現(xiàn)的同時，不需要停機檢測，可以簡化操作，有助于提高生產(chǎn)效率。

技術特征：

1.一種wee曝光性能的在線監(jiān)控方法，其特征在于，包括：

2.如權利要求1所述的在線監(jiān)控方法，其特征在于，監(jiān)控所述最短曝光時長的信息，并根據(jù)監(jiān)控結果獲取所述wee機臺的光源的曝光表現(xiàn)包括：

3.如權利要求1所述的在線監(jiān)控方法，其特征在于，監(jiān)控所述最短曝光時長的信息，并根據(jù)監(jiān)控結果獲取所述wee機臺的光源的曝光表現(xiàn)包括：

4.如權利要求1所述的在線監(jiān)控方法，其特征在于，多個所述邊緣曝光區(qū)等分所述測試晶圓的邊緣區(qū)域。

5.如權利要求4所述的在線監(jiān)控方法，其特征在于，所述測試晶圓包括沿周向依次排布的12個所述邊緣曝光區(qū)。

6.如權利要求1所述的在線監(jiān)控方法，其特征在于，對各個所述邊緣曝光區(qū)采用不同的曝光時長進行曝光包括：

7.如權利要求6所述的在線監(jiān)控方法，其特征在于，所述測試晶圓的邊緣具有定位槽口，利用wee機臺對所述測試晶圓進行晶圓邊緣曝光工藝包括：

8.如權利要求7所述的在線監(jiān)控方法，其特征在于，所述設定值為3秒～7秒。

9.如權利要求7所述的在線監(jiān)控方法，其特征在于，所述定位槽口所在的邊緣曝光區(qū)以所述定位槽口與所述測試晶圓的圓心的連線對稱。

10.如權利要求1至9任一項所述的在線監(jiān)控方法，其特征在于，根據(jù)曝光先后順序?qū)Ω魉鲞吘壠毓鈪^(qū)進行順次編號，在線獲取所述最短曝光時長的信息時，記錄曝光充分且曝光時長最短的所述邊緣曝光區(qū)的編號，以根據(jù)曝光充分且曝光時長最短的所述邊緣曝光區(qū)的編號的變化獲取所述wee機臺的光源的曝光表現(xiàn)。

11.如權利要求7至9任一項所述的在線監(jiān)控方法，其特征在于，根據(jù)曝光先后順序，各所述邊緣曝光區(qū)相對于所述定位槽口與所述測試晶圓的圓心的連線的偏轉角度逐漸增大；在線獲取所述最短曝光時長的信息時，記錄曝光充分且曝光時長最短的所述邊緣曝光區(qū)對應的所述偏轉角度，以根據(jù)曝光充分且曝光時長最短的所述邊緣曝光區(qū)的所述偏轉角度的變化獲取所述wee機臺的光源的曝光表現(xiàn)。

技術總結
本發(fā)明涉及一種WEE曝光性能的在線監(jiān)控方法。所述在線監(jiān)控方法在線獲取WEE機臺曝光充分所需的最短曝光時長的信息并監(jiān)控該信息，根據(jù)監(jiān)控結果獲取所述WEE機臺的光源的曝光表現(xiàn)，在線獲取所述最短曝光時長的信息包括：利用所述WEE機臺對測試晶圓進行晶圓邊緣曝光工藝并顯影，所述測試晶圓包括多個邊緣曝光區(qū)，其中，對各個所述邊緣曝光區(qū)采用不同的曝光時長進行曝光；檢測各邊緣曝光區(qū)是否曝光充分，根據(jù)曝光充分且曝光時長最短的邊緣曝光區(qū)得到所述WEE機臺當前曝光充分所需的最短曝光時長的信息。所述在線監(jiān)控方法在獲得WEE機臺的光源的曝光表現(xiàn)的同時，不需要停機檢測，可以簡化操作，有助于提高生產(chǎn)效率。

技術研發(fā)人員：李平貴,周凱濤
受保護的技術使用者：芯恩（青島）集成電路有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/5/15