技術(shù)編號：41954534
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及半導(dǎo)體制造，特別是涉及一種半導(dǎo)體器件的工藝方法。背景技術(shù)、mems(micro?electro?mechanical?system，微電子機械系統(tǒng))工藝在半導(dǎo)體器件的制作中應(yīng)用比較廣泛。在制造具有懸空結(jié)構(gòu)的mems器件時，一般會采用熱氧化工藝或淀積工藝，在硅襯底上形成二氧化硅層。接著在二氧化硅層上形成懸空結(jié)構(gòu)，并通過濕法蝕刻工藝去除二氧化硅層位于懸空結(jié)構(gòu)下方的部分，從而釋放懸空結(jié)構(gòu)。然而，傳統(tǒng)的制作工藝易產(chǎn)生“吸膜”缺陷，降低了器件良率。技術(shù)實現(xiàn)思路、基于此，有必要針對上述問題，提...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。