本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造，特別是涉及一種半導(dǎo)體器件的工藝方法。

背景技術(shù)：

1、mems(micro?electro?mechanical?system，微電子機(jī)械系統(tǒng))工藝在半導(dǎo)體器件的制作中應(yīng)用比較廣泛。在制造具有懸空結(jié)構(gòu)的mems器件時(shí)，一般會(huì)采用熱氧化工藝或淀積工藝，在硅襯底上形成二氧化硅層。接著在二氧化硅層上形成懸空結(jié)構(gòu)，并通過濕法蝕刻工藝去除二氧化硅層位于懸空結(jié)構(gòu)下方的部分，從而釋放懸空結(jié)構(gòu)。然而，傳統(tǒng)的制作工藝易產(chǎn)生“吸膜”缺陷，降低了器件良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對(duì)上述問題，提供一種半導(dǎo)體器件的工藝方法。

2、一種半導(dǎo)體器件的工藝方法包括：

3、提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括襯底、位于所述襯底上的犧牲層、以及位于所述犧牲層上的懸空結(jié)構(gòu)；

4、去除所述犧牲層，以釋放所述懸空結(jié)構(gòu)；

5、對(duì)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行至少兩次脫水處理。

6、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述對(duì)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行至少兩次脫水處理的步驟包括：

7、對(duì)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行第一次脫水處理；

8、使所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)脫離脫水環(huán)境預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)；

9、對(duì)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行第二次脫水處理。

10、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一次脫水處理的處理時(shí)長(zhǎng)小于或等于所述第二次脫水處理的處理時(shí)長(zhǎng)。

11、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述脫水處理的總處理時(shí)長(zhǎng)為t，所述第一次脫水處理的處理時(shí)長(zhǎng)為t1,所述t和所述t1滿足如下關(guān)系：

12、

13、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)大于或等于3s。

14、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述脫水處理的處理溶液包括異丙醇。

15、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述去除所述犧牲層，以釋放所述懸空結(jié)構(gòu)的步驟之前，還包括：

16、對(duì)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行預(yù)脫水處理。

17、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述對(duì)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行預(yù)脫水處理的步驟之后，以及所述去除所述犧牲層，以釋放所述懸空結(jié)構(gòu)的步驟之前，還包括：

18、對(duì)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行預(yù)清洗。

19、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述去除所述犧牲層，以釋放所述懸空結(jié)構(gòu)的步驟之后，以及所述對(duì)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行至少兩次脫水處理的步驟之前，還包括：

20、對(duì)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行后清洗和后酸洗。

21、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述對(duì)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行后清洗和后酸洗的步驟包括：

22、對(duì)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行第一次后清洗；

23、對(duì)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行后酸洗；

24、對(duì)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行第二次后清洗。

25、和/或，所述對(duì)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行至少兩次脫水處理的步驟之后，還包括：

26、對(duì)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行烘干處理。

27、本申請(qǐng)實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件的工藝方法，通過在釋放懸空結(jié)構(gòu)之后，對(duì)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行至少兩次脫水處理，具體地，在該至少兩次脫水處理工藝中，后次脫水處理能夠?qū)η按蚊撍幚磉^程中的動(dòng)態(tài)平衡進(jìn)行打破，并對(duì)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)一步脫水，從而有效降低了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的殘留水，減弱殘留水表面張力對(duì)懸空結(jié)構(gòu)的影響，提升器件良率。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件的工藝方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的工藝方法，其特征在于，所述對(duì)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行至少兩次脫水處理的步驟包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的工藝方法，其特征在于，所述第一次脫水處理的處理時(shí)長(zhǎng)小于或等于所述第二次脫水處理的處理時(shí)長(zhǎng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的工藝方法，其特征在于，所述脫水處理的總處理時(shí)長(zhǎng)為t，所述第一次脫水處理的處理時(shí)長(zhǎng)為t1,所述t和所述t1滿足如下關(guān)系：

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的工藝方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)大于或等于3s。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的工藝方法，其特征在于，所述脫水處理的處理溶液包括異丙醇。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的工藝方法，其特征在于，所述去除所述犧牲層，以釋放所述懸空結(jié)構(gòu)的步驟之前，還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的工藝方法，其特征在于，所述對(duì)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行預(yù)脫水處理的步驟之后，以及所述去除所述犧牲層，以釋放所述懸空結(jié)構(gòu)的步驟之前，還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的工藝方法，其特征在于，所述去除所述犧牲層，以釋放所述懸空結(jié)構(gòu)的步驟之后，以及所述對(duì)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行至少兩次脫水處理的步驟之前，還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的工藝方法，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)涉及一種半導(dǎo)體器件的工藝方法，包括：提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括襯底、位于所述襯底上的犧牲層、以及位于所述犧牲層上的懸空結(jié)構(gòu)；去除所述犧牲層，以釋放所述懸空結(jié)構(gòu)；對(duì)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行至少兩次脫水處理。具體地，在該至少兩次脫水處理工藝中，后次脫水處理能夠?qū)η按蚊撍幚磉^程中的動(dòng)態(tài)平衡進(jìn)行打破，并對(duì)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)一步脫水，從而有效降低了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的殘留水，減弱殘留水表面張力對(duì)懸空結(jié)構(gòu)的影響，提升器件良率。

技術(shù)研發(fā)人員：陳亞威,簡(jiǎn)志宏
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15