技術編號：41954608
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本申請涉及半導體設計及制備領域，更具體地，涉及半導體器件、半導體器件的制備方法以及存儲系統(tǒng)。背景技術、動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic?random?access?memory，dram)是電子系統(tǒng)中重要的存儲部件之一。以dram為例，半導體器件可包括由電容和晶體管構成的存儲單元，其中多個存儲單元可排列成二維陣列的形式。為了進一步縮小二維陣列的尺寸，晶體管可包括垂直柵極晶體管(vertical?gate?transistor，vgt)。在這種結構下，晶體管的源極和漏極分別位于晶體管的溝道的延...
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該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。
該類技術注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。