技術(shù)編號：41956343
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。背景技術(shù)、本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體器件制造的領(lǐng)域，并且更具體地涉及具有連接到背側(cè)電力輸送網(wǎng)絡(luò)的頂部源極/漏極區(qū)和底部源極/漏極區(qū)的垂直傳輸場效應(yīng)晶體管(vtfet)。、半導(dǎo)體器件通過在半導(dǎo)體襯底上方依序沉積材料的絕緣(電介質(zhì))層、導(dǎo)電層及半導(dǎo)體層且使用光刻圖案化各種層以在其上形成電路組件及元件來制造。通常，這些半導(dǎo)體器件包括形成在半導(dǎo)體襯底上制造的集成電路(ic)的多個電路。、vtfet器件允許電流從底部源極/漏極區(qū)垂直地流動到頂部源極/漏極區(qū)。在vtfet器件中，底部源極/漏極區(qū)位于最靠近...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。