技術(shù)編號：41956389
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種在使用極紫外光作為曝光光源的光刻中，用于光致抗蝕劑圖案的裂痕缺陷改善的沖洗液組合物及利用其的光致抗蝕劑圖案形成方法。背景技術(shù)、通常，半導(dǎo)體是由以nm、nm或nm等波長段的紫外線作為曝光光源的光刻工藝制造，各公司為了減少關(guān)鍵線寬(以下稱為cd：criti?cal?dimension)而展開的競爭激烈。、因此，為了形成更加微細的圖案，需要更小波長段的光源。目前，利用極紫外光(euv，extreme?ultra?violet，波長為.nm)光源的光刻技術(shù)被廣泛...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。