技術編號：41956589
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本申請涉及半導體，尤其涉及一種mocvd設備中mo源輸送組件的預處理方法。背景技術、金屬有機化學氣相沉積(metal-organic?chemical?vapor?deposition，mocvd)是一種用于生長半導體薄膜材料的關鍵工藝技術。它被廣泛應用于制造發(fā)光二極管(led)、激光二極管(ld)、光電探測器、太陽能電池等半導體器件中。通過mocvd工藝，可以在襯底表面沉積出均勻、完整的半導體薄膜，從而實現(xiàn)對半導體器件性能的精確控制和優(yōu)化。因此，mocvd在半導體行業(yè)中扮演著至關重要的角色，...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權(quán)，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。