本申請涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種mocvd設(shè)備中mo源輸送組件的預(yù)處理方法。

背景技術(shù)：

1、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(metal-organic?chemical?vapor?deposition，mocvd)是一種用于生長半導(dǎo)體薄膜材料的關(guān)鍵工藝技術(shù)。它被廣泛應(yīng)用于制造發(fā)光二極管(led)、激光二極管(ld)、光電探測器、太陽能電池等半導(dǎo)體器件中。通過mocvd工藝，可以在襯底表面沉積出均勻、完整的半導(dǎo)體薄膜，從而實(shí)現(xiàn)對半導(dǎo)體器件性能的精確控制和優(yōu)化。因此，mocvd在半導(dǎo)體行業(yè)中扮演著至關(guān)重要的角色，推動了半導(dǎo)體器件的發(fā)展和進(jìn)步。

2、mocvd設(shè)備是一種依賴mocvd工藝工作的設(shè)備，用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件。mocvd設(shè)備包括反應(yīng)腔，在生產(chǎn)半導(dǎo)體器件時，可以將金屬有機(jī)源(mo源)經(jīng)由輸送管路等組件通向反應(yīng)腔，以使mo源在反應(yīng)腔內(nèi)發(fā)生沉積，形成薄膜或涂層，得到外延片。但是，輸送管路等組件內(nèi)部容易發(fā)生mo源沉積，導(dǎo)致生產(chǎn)效率降低，并且還會影響產(chǎn)品質(zhì)量。

3、因此，在實(shí)際生產(chǎn)過程中，當(dāng)mo源沉積過多時，可以停止運(yùn)行mocvd設(shè)備并對沉積過多的輸送管路等組件進(jìn)行替換。之后復(fù)機(jī)mocvd設(shè)備并在輸送管路等組件中輸送某一種或幾種mo源，以清除輸送管路等組件中的干擾物質(zhì)，使得輸送管路等組件內(nèi)部條件滿足生產(chǎn)需要。但是，這一過程需要耗費(fèi)較長時間，影響產(chǎn)品產(chǎn)出?？梢姡芴鎿Q后輸送管路等組件不適用生產(chǎn)的影響，在mocvd設(shè)備生產(chǎn)過程中容易出現(xiàn)生產(chǎn)效率低下的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請實(shí)施例提供一種mocvd設(shè)備中mo源輸送組件的預(yù)處理方法，以解決傳統(tǒng)mocvd設(shè)備生產(chǎn)效率低下的問題。

2、第一方面，本申請實(shí)施例提供一種mocvd設(shè)備中mo源輸送組件的預(yù)處理方法，其中，mocvd設(shè)備包括：至少一個mo源瓶，用于提供mo源；反應(yīng)腔，用于利用mo源進(jìn)行mocvd沉積；mo源輸送組件，至少包括第一管路；第一管路包括第一主管及至少一個第一支管，第一主管通向廢氣排放端，至少一個第一支管一端與至少一個mo源瓶連接，另一端與第一主管相連通，以使mo源經(jīng)由第一支管匯入第一主管；mo源輸送組件還包括第二管路；第二管路包括第二主管及至少一個第二支管，第二主管通向反應(yīng)腔，至少一個第二支管一端與至少一個mo源瓶連接，另一端與第二主管相連通，以使mo源經(jīng)由第二支管匯入第二主管，進(jìn)而流向反應(yīng)腔；

3、方法包括：基于待處理件的類別，從至少一個mo源瓶中確定第一目標(biāo)源瓶；其中，待處理件是mo源輸送組件的備用件；在第一目標(biāo)源瓶的數(shù)量為一個時，確定待處理件的接入位置為第一目標(biāo)源瓶對應(yīng)的第一支管或者第二支管；在第一目標(biāo)源瓶的數(shù)量為多個時，確定待處理件的接入位置為第一主管或者第二主管的目標(biāo)位置；沿mo源在第一管路的流向，目標(biāo)位置位于任一第一目標(biāo)源瓶對應(yīng)的第一支管之后，或者，沿mo源在第二管路的流向，目標(biāo)位置位于任一第一目標(biāo)源瓶對應(yīng)的第二支管之后；在待處理件按照接入位置接入后，導(dǎo)通第一目標(biāo)源瓶對應(yīng)的第一支管，以使第一目標(biāo)源瓶中的mo源流經(jīng)待處理件及第一主管，并由廢氣排放端排出，或者，導(dǎo)通第一目標(biāo)源瓶對應(yīng)的第二支管，以使第一目標(biāo)源瓶中的mo源流經(jīng)待處理件及第二主管，并流向反應(yīng)腔；在流經(jīng)待處理件的mo源的使用量大于或者等于使用量閾值時，停止導(dǎo)通第一目標(biāo)源瓶對應(yīng)的第一支管，以結(jié)束預(yù)處理。

4、在一種可實(shí)現(xiàn)的方式中，導(dǎo)通第一目標(biāo)源瓶對應(yīng)的第一支管的步驟包括：從至少一個mo源瓶中確定第二目標(biāo)源瓶，第二目標(biāo)源瓶至少包括第一目標(biāo)源瓶；導(dǎo)通第二目標(biāo)源瓶對應(yīng)的第一支管。

5、在一種可實(shí)現(xiàn)的方式中，在流經(jīng)待處理件的mo源的使用量大于或者等于使用量閾值之后，停止導(dǎo)通第一目標(biāo)源瓶對應(yīng)的第一支管或者第二支管的步驟包括：在待處理件的接入位置為第一支管或者第一主管時，如果mo源的流量大于或者等于第一流量閾值，并且，如果流經(jīng)待處理件的mo源的使用量大于或者等于使用量閾值，停止導(dǎo)通第二目標(biāo)源瓶對應(yīng)的第一支管，并導(dǎo)通第二目標(biāo)源瓶對應(yīng)的第二支管；在待處理件的接入位置為第二支管或者第二主管時，如果流經(jīng)待處理件的mo源的使用量大于或者等于使用量閾值，停止導(dǎo)通第二目標(biāo)源瓶對應(yīng)的第二支管。

6、在一種可實(shí)現(xiàn)的方式中，mo源輸送組件還包括載氣管道，載氣管道中流動有載氣，載氣管道通向反應(yīng)腔；其中，載氣為氮?dú)饣驓鍤狻?/p>

7、在一種可實(shí)現(xiàn)的方式中，mo源輸送組件還包括質(zhì)量流量控制器及壓力控制器；質(zhì)量流量控制器及壓力控制器設(shè)置于第一管路、第二管路，和/或，載氣管道。

8、在一種可實(shí)現(xiàn)的方式中，mo源輸送組件還包括mo管；mocvd設(shè)備還包括至少一個雙向?qū)ㄩy門，雙向?qū)ㄩy門包括流入口、第一導(dǎo)出口及第二導(dǎo)出口；mo源瓶通過mo管與流入口連接，第一支管遠(yuǎn)離第一主管的一端與第一導(dǎo)出口連接，第二支管遠(yuǎn)離第二主管的一端與第二導(dǎo)出口連接；雙向?qū)ㄩy門用于導(dǎo)通第一支管及第二支管，以使mo源流向第一支管或者第二支管。

9、在一種可實(shí)現(xiàn)的方式中，mo源瓶的數(shù)量為多個，多個mo源瓶中分別充有不同種類的mo源。

10、在一種可實(shí)現(xiàn)的方式中，mo源的種類包括三甲基銦tmin、雙環(huán)戊二烯基鎂cp2mg、三甲基鎵tmga、三乙基鎵tega、三甲基鋁tmal、三甲基鎵tmga或者三甲基砷tmas。

11、第二方面，本申請實(shí)施例提供一種mocvd設(shè)備復(fù)機(jī)方法，應(yīng)用于mocvd設(shè)備；其中，mocvd設(shè)備至少包括mo源輸送組件；

12、方法包括：檢測mo源輸送組件內(nèi)部的mo源含量，和/或，檢測mo源輸送組件內(nèi)部的mo源流量；在mo源輸送組件內(nèi)部的mo源含量超過殘留閾值時，和/或，在mo源輸送組件內(nèi)部的mo源流量小于第三流量閾值時，確定mocvd設(shè)備處于故障狀態(tài)，停止運(yùn)行mocvd設(shè)備；響應(yīng)于mo源輸送組件被替換為待處理件，重新啟動mocvd設(shè)備；待處理件是經(jīng)過權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)的預(yù)處理方法預(yù)處理后的備用件。

13、第三方面，本申請實(shí)施例還提供一種mocvd系統(tǒng)，至少包括控制器及mocvd設(shè)備，其中，控制器用于執(zhí)行第一方面及其各個實(shí)現(xiàn)方式中的mocvd設(shè)備中mo源輸送組件的預(yù)處理方法，以及執(zhí)行第二方面中的mocvd設(shè)備復(fù)機(jī)方法，以在mocvd設(shè)備故障后復(fù)機(jī)mocvd設(shè)備。

14、本申請實(shí)施例提供一種mocvd設(shè)備中mo源輸送組件的預(yù)處理方法，使得mo源輸送組件的備用件提前被配置為滿足生產(chǎn)需要的狀態(tài)。這樣，在mo源輸送組件內(nèi)的mo源沉積過多時，可以直接利用備用件對mo源輸送組件進(jìn)行替換，縮短復(fù)機(jī)時間，提升產(chǎn)量及良品率。

技術(shù)特征：

1.一種mocvd設(shè)備中mo源輸送組件的預(yù)處理方法，其特征在于，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mocvd設(shè)備中mo源輸送組件的預(yù)處理方法，其特征在于，導(dǎo)通所述第一目標(biāo)源瓶對應(yīng)的所述第一支管或者所述第二支管的步驟包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的mocvd設(shè)備中mo源輸送組件的預(yù)處理方法，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的mocvd設(shè)備中mo源輸送組件的預(yù)處理方法，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的mocvd設(shè)備中mo源輸送組件的預(yù)處理方法，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的mocvd設(shè)備中mo源輸送組件的預(yù)處理方法，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mocvd設(shè)備中mo源輸送組件的預(yù)處理方法，其特征在于，所述mo源瓶的數(shù)量為多個，多個所述mo源瓶中分別充有不同種類的所述mo源。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的mocvd設(shè)備中mo源輸送組件的預(yù)處理方法，其特征在于，所述mo源的種類包括三甲基銦tmin、雙環(huán)戊二烯基鎂cp2mg、三甲基鎵tmga、三乙基鎵tega、三甲基鋁tmal、三甲基鎵tmga或者三甲基砷tmas。

9.一種mocvd設(shè)備復(fù)機(jī)方法，其特征在于，應(yīng)用于mocvd設(shè)備；

10.一種mocvd系統(tǒng)，其特征在于，至少包括控制器及mocvd設(shè)備，

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环NMOCVD設(shè)備中MO源輸送組件的預(yù)處理方法，方法包括：基于待處理件的類別，從至少一個MO源瓶中確定第一目標(biāo)源瓶；在待處理件按照接入位置接入后，導(dǎo)通第一目標(biāo)源瓶對應(yīng)的第一支管，以使第一目標(biāo)源瓶中的MO源流經(jīng)待處理件及第一主管，并由廢氣排放端排出，或者，導(dǎo)通第一目標(biāo)源瓶對應(yīng)的第二支管，以使第一目標(biāo)源瓶中的MO源流經(jīng)待處理件及第二主管，并流向反應(yīng)腔；在流經(jīng)待處理件的MO源的使用量大于或者等于使用量閾值之后，停止導(dǎo)通第一目標(biāo)源瓶對應(yīng)的第一支管或者第二支管，以結(jié)束預(yù)處理。該方法可以對MO源輸送組件的備用件提前進(jìn)行預(yù)處理，當(dāng)待處理件應(yīng)用至MOCVD設(shè)備中時，可以縮短復(fù)機(jī)時間，可以提高良品率。

技術(shù)研發(fā)人員：饒曉松,徐志軍,蒲健,江漢,劉勇,謝陶,陳浩
受保護(hù)的技術(shù)使用者：聚燦光電科技（宿遷）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/19