技術(shù)編號：41957159
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及半導(dǎo)體工藝，尤其涉及一種調(diào)節(jié)裝置和半導(dǎo)體工藝設(shè)備。背景技術(shù)、在實施半導(dǎo)體工藝的過程中，尤其是磁控濺射工藝過程中，需要利用磁控管組件使得靶材被濺射，從而在晶圓上產(chǎn)生薄膜。而在磁控濺射技術(shù)中，磁控管組件的水平度，以及磁控管組件到靶材的距離對于薄膜的均勻性的影響十分大。、示例性地，對于一些常見的金屬薄膜，可以利用鈦(ti)、鎳(ni)、銀(ag)等靶材通過磁控濺射工藝產(chǎn)生。在實施磁控濺射工藝的過程中，靶材到磁控管的初始標(biāo)準(zhǔn)距離一般是..mm。在磁控管的水平度較好的情況下，可...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。