技術(shù)編號：41958765
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉積，更為具體地，涉及一種加熱裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備。背景技術(shù)、化學(xué)氣相沉積(chemical?vapor?deposition，簡稱cvd)，主要是指利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法，是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。、在現(xiàn)有的化學(xué)氣相沉積過程中，為確保反應(yīng)腔室的溫度需求，需要設(shè)置加熱器，通過加熱器支架與反應(yīng)腔室的密封連接，滿足腔室內(nèi)的密封要求。但是，目...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。