技術(shù)編號：41960250
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本技術(shù)涉及半導(dǎo)體制造和加工領(lǐng)域，特別是涉及一種垂直型ald設(shè)備。背景技術(shù)、ald(原子層沉積)是一種精密的薄膜沉積技術(shù)，它允許用戶以原子級的控制來生長材料薄膜。這種技術(shù)在半導(dǎo)體、光伏、led(發(fā)光二極管)、mems(微機(jī)電系統(tǒng))和許多其他領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。ald設(shè)備通過交替引入兩種不同的氣相前驅(qū)體到反應(yīng)室中，在基底表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，形成所需的薄膜。、請參考圖和圖，為現(xiàn)有技術(shù)中常見的兩種ald設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，圖為空間型ald設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，需要鍍膜的電池片放置在載盤中，滾...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。