專利名稱:石斛立體種植方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明屬石斛種植方法技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù):
石斛是一種極其珍貴的藥材,由于其具有增強(qiáng)免疫功能,抗腫瘤和抗衰老的獨(dú)特功效,因此在國(guó)內(nèi)中醫(yī)臨床配方和出口外銷中成藥工業(yè)原料中含有量不斷增加,國(guó)內(nèi)、國(guó)際市場(chǎng)的需求量也不斷攀升,售價(jià)一路飚升,使石斛日趨顯得珍稀名貴,由于野生石斛稀少,加之其自然生長(zhǎng)緩慢,收獲產(chǎn)量低,如今已遠(yuǎn)遠(yuǎn)滿足不了市場(chǎng)的需要,目前雖有人工栽培石斛技術(shù)應(yīng)用,但其成品率低,成材時(shí)間緩慢,少量的人工石斛仍難以彌補(bǔ)碩大的市場(chǎng)缺口。現(xiàn)有的石斛人工栽培種植方法通常都是施行的平面栽培,這種栽培技術(shù)與石斛本身的生長(zhǎng)特性有著差別。由于石斛適宜生長(zhǎng)在遮陽(yáng)、避風(fēng)、溫暖、潮濕的地方,而且善于隨樹(shù)或陡壁巖石爬附生長(zhǎng),常與苔蘚植物伴生,既具有寄生特性,又具備空中生長(zhǎng)的特性,因此其根莖應(yīng)具有良好的通風(fēng)透氣性和開(kāi)放性。但平面種植沒(méi)有考慮到石斛生長(zhǎng)的這些特性,其根部十分容易在培植土內(nèi)腐爛,而且根部埋于培植土內(nèi)透氣性很差,使石解的生長(zhǎng)十分緩慢,而且成活率、成材率都不高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的正是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種具有良好的透氣性,光照適度,營(yíng)養(yǎng)充分,能充分滿足石斛附生的特性,實(shí)現(xiàn)節(jié)約化、規(guī)模化、高產(chǎn)化的石斛立體種植方法。
本發(fā)明的目的是通過(guò)如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的。
石斛立體種植方法,是采用高1500~2500mm,寬140~400mm的墻體的兩個(gè)側(cè)面作為種植面,在墻體上均布設(shè)有公稱尺寸為30~120mm的孔洞,培植土放入孔洞內(nèi),將石斛株苗栽植在培植土上,并在墻體頂部設(shè)置滴灌裝置,以滴灌方式保持墻體濕潤(rùn),并5~8天對(duì)株苗施以營(yíng)養(yǎng)液,使整個(gè)墻體逐步生成苔蘚,利于株苗生長(zhǎng),在墻體上方設(shè)置有遮陽(yáng)網(wǎng)用以控制光照強(qiáng)度。
本發(fā)明所述的培植土的組分及重量百分比為腐熟牛糞∶鋸末粉∶過(guò)磷酸鈣=50~70%∶30~40%∶1~5%;所述的營(yíng)養(yǎng)液為MS1/4營(yíng)養(yǎng)液;本發(fā)明采取相鄰墻體之間間隔距離為800~2000mm,開(kāi)設(shè)在墻體上的孔洞每一橫排與上、下相鄰排等距離錯(cuò)位排列,每一橫排孔洞之間的中心間距為240~280mm,每相鄰兩排孔洞中心線的垂直間距為120~180mm,孔洞最大公稱尺寸為30~120mm;所采用的遮陽(yáng)網(wǎng)的透光率為20~30%。
本發(fā)明采用在墻體的兩側(cè)面開(kāi)設(shè)錯(cuò)落分布的孔洞立體種植石斛,并在洞內(nèi)填放培植土,以適合石斛的生長(zhǎng)。培植土用腐熟牛糞、鋸末粉和過(guò)磷酸鈣配比而成,定期對(duì)組培苗施以滴灌和營(yíng)養(yǎng)液,保持墻面的濕潤(rùn)度,靠濕潤(rùn)和殘留在墻體表面的營(yíng)養(yǎng)液使墻面逐步生成苔蘚,使石斛的根系爬附在苔蘚上,既具有良好的透氣性,又有一定的濕潤(rùn)度,尤其是墻體的垂直陡面,更符合石斛順壁攀緣的特性,加之以遮陽(yáng)網(wǎng)控制陽(yáng)光的照射度,使石斛能夠在良好的生長(zhǎng)環(huán)境里生長(zhǎng),長(zhǎng)長(zhǎng)的根葉,粗狀肥碩,成活率十分高,具有明顯的經(jīng)濟(jì)價(jià)值。
下面結(jié)合說(shuō)明書附圖進(jìn)一步闡述本發(fā)明的內(nèi)容。
圖1為本發(fā)明采用磚石墻體種植方法示意圖,圖2為圖1的A-A剖視圖,圖3為本發(fā)明采用夾層木板墻體種植方法示意圖。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例一如圖1、圖2所示,墻體1材料主要選擇普通燒制的粘土磚作為基材,也可以用經(jīng)加工切割的石材六面矩形體為基材。以一塊磚的寬度作為墻體厚度,靠磚與磚的錯(cuò)位放置形成孔洞2。本實(shí)施例采用長(zhǎng)×寬×厚為230×115×56mm的普通磚壘砌墻體1,墻體1的厚度為磚的寬度115mm,孔洞2為矩形孔,長(zhǎng)×寬為70×80mm,在墻體1頂部設(shè)置有管式的滴灌裝置3,培植土4采用腐熟牛糞∶鋸末∶過(guò)磷酸鈣按重量百分比60%∶37%∶3%的配比配成,將培植土4填滿孔洞2,石斛株苗5采用經(jīng)培植6~8個(gè)月的組培苗,在每一孔洞2的下方左右兩邊各種植一棵石斛苗,墻體與墻體之間的距離為1200mm,墻體視長(zhǎng)度需要在每4000mm處建筑一個(gè)磚墩7用以增加墻體的強(qiáng)度,生長(zhǎng)環(huán)境年平均溫度以15~22℃為宜,最冷控制在8℃以上,空氣濕度控制在80%以上,培植土以肥沃疏松,透氣性好,能保濕為宜。采用透光率為25%的遮陽(yáng)網(wǎng)6將種植面積全部覆蓋起來(lái),在每堵墻的頂部安裝塑料的滴灌裝置3,以保濕為目的,適時(shí)進(jìn)行滴灌,并于5~8天定期對(duì)株苗噴施以市面上直接可購(gòu)得的MS1/4的營(yíng)養(yǎng)液,或在MS1/4營(yíng)養(yǎng)液的基礎(chǔ)上再配以一些其他對(duì)石斛生長(zhǎng)有利的物質(zhì),靠濕潤(rùn)的墻面和殘留在墻體表面的營(yíng)養(yǎng)液使墻面逐步生成苔蘚,使石斛的根系爬附在苔蘚上,促進(jìn)株苗生長(zhǎng),待生長(zhǎng)至花期約4~8個(gè)月,果期6~10個(gè)月便可采集成熟石斛。
實(shí)施例二采用夾層木板作為墻體1,在木板墻體1上按錯(cuò)位方式每排以中心距為180mm均布開(kāi)設(shè)圓形孔洞2,將壁厚為5mm的經(jīng)燒制而成的陶瓷筒8插入夾層兩面的木板上對(duì)應(yīng)開(kāi)設(shè)的孔洞2內(nèi),在孔洞2內(nèi)填放培植土4,石斛的種植方法同實(shí)施例一。
權(quán)利要求
1.石斛立體種植方法,其特征是,采用高1500~2500mm,寬140~400mm的墻體(1)的兩個(gè)側(cè)面作為種植面,在墻體上均布設(shè)有公稱尺寸為30~120mm的孔洞(2),培植土(4)放入孔洞(2)內(nèi),將石斛株苗(5)栽植在培植土(4)中,并在墻體(1)頂部設(shè)置滴灌裝置(3),以滴灌方式保持墻體濕潤(rùn),并5~8天對(duì)株苗施以營(yíng)養(yǎng)液,使整個(gè)墻體逐步生成苔蘚,利于株苗生長(zhǎng),在墻體上方設(shè)置有遮陽(yáng)網(wǎng)(6)用以控制光照強(qiáng)度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石斛立體種植方法,其特征是,所述的培植土(4)的組分及重量百分比為腐熟牛糞∶鋸末粉∶過(guò)磷酸鈣=50~70%∶30~40%∶1~5%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石斛立體種植方法,其特征是,所述的營(yíng)養(yǎng)液為MS1/4營(yíng)養(yǎng)液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石斛立體種植方法,其特征是,相鄰墻體之間間隔距離為800~2000mm,開(kāi)設(shè)在墻體(1)上的孔洞(2)每一橫排與上、下相鄰排等距離錯(cuò)位排列,每一橫排孔洞之間的中心間距為240~280mm,每相鄰兩排孔洞中心線的垂直間距為120~180mm,孔洞最大公稱尺寸為30~120mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石斛立體種植方法,其特征是,遮陽(yáng)網(wǎng)(6)的透光率為20~30%。
全文摘要
石斛立體種植方法,是采用高1500~2500mm,寬140~400mm的墻體(1)的兩個(gè)側(cè)面作為種植面,在墻體上均布設(shè)有公稱尺寸為30~120mm的孔洞(2),培植土(4)放入孔洞(2)內(nèi),將石斛株苗(5)栽植在培植土(4)中,并在墻體(1)頂部設(shè)置滴灌裝置(3),以滴灌方式保持墻體濕潤(rùn),并5~8天對(duì)株苗施以營(yíng)養(yǎng)液,使整個(gè)墻體逐步生成苔蘚,利于株苗生長(zhǎng),在墻體上方設(shè)置有遮陽(yáng)網(wǎng)(6)用以控制光照強(qiáng)度。本發(fā)明使石斛能夠在良好的生長(zhǎng)環(huán)境里生長(zhǎng),且成活率高,具有明顯的經(jīng)濟(jì)價(jià)值。
文檔編號(hào)A01G25/00GK1596595SQ20041004038
公開(kāi)日2005年3月23日 申請(qǐng)日期2004年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月2日
發(fā)明者蔡仲玉, 王躍峰, 徐繼宏 申請(qǐng)人:蔡仲玉, 王躍峰, 徐繼宏