背景技術(shù):
1、腫瘤治療電場(ttfields)是中頻范圍(例如,50khz至1mhz)內(nèi)的低強(qiáng)度交變電場,其可用于治療腫瘤,如美國專利第7,565,205號中描述的。通過放置在患者身體上的換能器并在換能器之間施加交流(ac)電壓來將ttfields非侵入性地誘導(dǎo)到感興趣區(qū)域中。傳統(tǒng)上,第一對換能器和第二對換能器被放置在受試者身體上。在第一時間間隔內(nèi)將ac電壓施加在第一對換能器之間,以產(chǎn)生具有大體沿前后方向延伸的場線的電場。然后,在第二時間間隔內(nèi)以相同頻率在第二對換能器之間施加ac電壓,以產(chǎn)生具有大體沿左右方向延伸的場線的電場。然后,系統(tǒng)在整個治療過程中重復(fù)這個兩步序列。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1.一種用于確定換能器的位置以將腫瘤治療電場施加到受試者身體的靶組織的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法,所述計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法,其中所述第三位置位于所述受試者的左腋下,并且所述第四位置位于所述受試者的右腋下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法,所述第三位置位于所述受試者身體的所述胸廓的所述前部,并且所述第四位置位于所述受試者的腋下,其中所述第三位置與所述第一位置不重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法,其中所述第三位置位于所述受試者身體的所述胸廓的所述后部,并且所述第四位置位于所述受試者的腋下,其中所述第三位置與所述第二位置不重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法,其中第一交變電場被模擬為由所述第一位置處的所述第一換能器和所述第二位置處的所述第二換能器產(chǎn)生,
6.一種用于將腫瘤治療電場施加到受試者身體的系統(tǒng),所述系統(tǒng)包括:
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng),其中所述第三位置位于所述受試者的左腋下,并且所述第四位置位于所述受試者的右腋下。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng),所述第三位置位于所述受試者身體的所述胸廓的所述前部,并且所述第四位置位于所述受試者的腋下,其中所述第三位置與所述第一位置不重疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng),其中所述第三位置位于所述受試者身體的所述胸廓的所述后部,并且所述第四位置位于所述受試者的腋下,其中所述第三位置與所述第二位置不重疊。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng),其中所述第一換能器、所述第二換能器、所述第三換能器或所述第四換能器的至少一個電極元件包括至少一個陶瓷盤,所述至少一個陶瓷盤適于產(chǎn)生交變電場。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng),其中所述第一換能器、所述第二換能器、所述第三換能器或所述第四換能器的所述至少一個電極元件包括聚合物膜,所述聚合物膜適于產(chǎn)生交變電場。
12.一種用于將腫瘤治療電場施加到受試者身體的方法,所述方法包括:
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中所述第三位置位于所述受試者的左腋下,并且所述第四位置位于所述受試者的右腋下。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,所述第三位置位于所述受試者身體的所述胸廓的所述前部,并且所述第四位置位于所述受試者的腋下,其中所述第三位置與所述第一位置不重疊。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中所述第三位置位于所述受試者身體的所述胸廓的所述后部,并且所述第四位置位于所述受試者的腋下,其中所述第三位置與所述第二位置不重疊。