本發(fā)明涉及將等離子體涂層沉積到對(duì)顏色變化敏感的基底上的改善方法，其優(yōu)選地通過(guò)等離子體聚合且優(yōu)選地在低壓下進(jìn)行。
背景技術(shù)：
：：等離子體涂層和尤其是低壓等離子體涂層目前廣泛被用于給基底增添功能性，例如親水性、疏水性、親油性、耐刮傷性和/或屏蔽防護(hù)性(barriercoatings)。在一些基底，特別是深色基底、例如黑色、灰色、深藍(lán)色、深綠色、深紫色基底以及具有高光澤的表面或低的表面粗糙度(例如柔和觸感的表面或拋光表面)的基底上，這些基底在處理之后顏色趨于變深是不希望的現(xiàn)象。有時(shí)，彩虹樣的變色變得可見(jiàn)。在那些其中基底為被最終消費(fèi)者原樣使用的材料或物體的情形中，這種顏色變化(無(wú)論是顏色的變深或彩虹效應(yīng)的出現(xiàn))對(duì)于最終用戶(hù)變得可見(jiàn)是不希望的。為了解決該問(wèn)題，申請(qǐng)人已經(jīng)發(fā)明了所謂的“等離子體擴(kuò)散器”，其容許在使變色效應(yīng)大大下降至不存在的情況下沉積納米涂層，同時(shí)基底的性能未受到不利影響。本發(fā)明容許在生產(chǎn)線末端以及在生產(chǎn)期間處理產(chǎn)品。申請(qǐng)人注意到，對(duì)于含鹵素的涂層、例如用于賦予基底親水性和/或親油性的含氟涂層，變色效應(yīng)是最強(qiáng)的。所述效應(yīng)在黑色、深藍(lán)色、深綠色和深灰色表面上最顯著。在高光澤的、高反射的表面以及還有在具有肉眼可見(jiàn)水平上的相當(dāng)平滑的表面的表面、如平的塑料部件(例如(手持式)電子器件的外殼)或由紡織品制成的服裝或片上，所述效應(yīng)是顯著的。申請(qǐng)人注意到，變色對(duì)于期間以靜態(tài)方式涂覆基底的分批(間歇)工藝是較顯著的。在靜態(tài)工藝中，服裝和紡織品的片例如固定在垂直方位上，或者在具有水平方位的盤(pán)狀(板狀，tray-wise)系統(tǒng)中可以涂覆塑料部件和電子器件。在開(kāi)發(fā)等離子體工藝的初期，所使用的系統(tǒng)的體積受到限制，例如小于10升、甚至小于5升或小于1升。這樣的小系統(tǒng)已經(jīng)被設(shè)計(jì)成主要用在半導(dǎo)體工業(yè)中，其由于所述系統(tǒng)的有限尺寸而具有良好的等離子體均勻性和濃度分布，以及良好的可控工藝參數(shù)。所述系統(tǒng)的設(shè)計(jì)被優(yōu)化并對(duì)于高精確地處理較小量和/或有限量的產(chǎn)品通常是復(fù)雜的。變色在這種類(lèi)型的設(shè)備中不成問(wèn)題，因?yàn)榇幚淼漠a(chǎn)品小且所述系統(tǒng)也是如此。Yasuda,H.和Hsu,T.描述了具有大約1.26cm3或0.00126l的腔室體積的4mm直徑和10cm長(zhǎng)度的圓柱狀玻璃腔室的應(yīng)用(“SomeAspectsofPlasmaPolymerizationInvestigatedbyPulsedR.F.Discharge”,JournalofPolymerScience:PolymerChemistryEdition,vol.15,81-97(1977)；和“SomeAspectsofPlasmaPolymerizationofFluorine-ContainingOrganicCompounds”,JournalofPolymerScience:PolymerChemistryEdition,vol.15,2411-2425(1977))。PanchalingamV.等人描述了具有大約2.4升的腔室體積的10cm直徑和30.5cm長(zhǎng)度的圓柱狀玻璃腔室的應(yīng)用(“PulsedPlasmadischargePolymercoatings”,ASAIOJournal,1993,M305-M309)。Hynes,A.M等人描述了5cm直徑和490cm3(0.49升)體積的圓柱狀玻璃反應(yīng)器的應(yīng)用(“PlasmaPolymerizationoftrifluoromethyl-substitutedPerfluorocyclohexanemonomers”,Macromolecules1996,29,18-21，和“PulsedPlasmaPolymerizationofPerfluorocyclohexane”,Macromolecules1996,29,4220-4225)。美國(guó)專(zhuān)利No.4,737,379(EnergyConversiondevicesInc.)描述了例如用于將鈍化目的用的不含氫的硬質(zhì)合金涂層以及其它(a.o.)沉積到例如半導(dǎo)體上的具有管狀腔室或器皿的小型等離子體設(shè)備。美國(guó)專(zhuān)利No.4,686,113(FairchildSemiconductorCorporation)描述了由作為腔室的石英管組成的用于感應(yīng)涂覆例如用在半導(dǎo)體應(yīng)用中的硅基底的等離子體設(shè)備。英國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.2,220,006(PhilipsElectronicAssociated)描述了用于涂覆或蝕刻基底(例如半導(dǎo)體)的等離子體腔室的應(yīng)用。在說(shuō)明書(shū)中，提到了電極為大約15cmx15cm且在實(shí)施例中處理的樣品具有100mm的直徑，表明為用于處理小物體的小型系統(tǒng)。在減壓下使用的腔室的其它實(shí)例為用于原子層沉積工藝(ALD)的腔室。這些工藝非常復(fù)雜，且若干篇現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)涉及到這些ALD真空腔室的設(shè)計(jì)以保證良好的加工。典型地，這些系統(tǒng)具有受限的體積，因?yàn)檩^大型的系統(tǒng)導(dǎo)致不太可控的工藝參數(shù)，且因此導(dǎo)致性能較差的處理。例如，美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.2009/255,470(BeneqOy)描述了通過(guò)ALD工藝處理小型物體的ALD反應(yīng)器，其中以氣體可通過(guò)全部壁進(jìn)入反應(yīng)腔室而優(yōu)化氣體分布的方式選擇設(shè)計(jì)。第三頁(yè)顯示用于處理具有200mm直徑的一個(gè)或多個(gè)硅樣品的具有230mm內(nèi)徑的腔室。美國(guó)專(zhuān)利No.US4,389,973(OyLohjaAB)描述了ALD反應(yīng)器的多種復(fù)雜設(shè)計(jì)，以?xún)?yōu)化工藝和所得的涂層。該工藝使用氣相擴(kuò)散屏障以分離ALD工藝的各(單個(gè))反應(yīng)步驟。而且，開(kāi)發(fā)了用于處理有限數(shù)量的具有受限尺寸的樣品的系統(tǒng)。美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.2010/166,955(CambridgeNanoTechInc.)描述了具有一個(gè)或多個(gè)垂直設(shè)置在彼此之上的較小的矩形反應(yīng)腔室的裝置，其中每次將一個(gè)基底放置于一個(gè)反應(yīng)腔室中。典型的腔室具有20升的體積且用來(lái)通過(guò)ALD(原子層沉積)或ALE(原子層外延)將膜片沉積到用在LCD中的基底上。優(yōu)化所述腔室的設(shè)計(jì)以獲得基本均勻的流動(dòng)方向和速度。所述設(shè)計(jì)是復(fù)雜的，且待涂覆的基底的尺寸以及生產(chǎn)能力(throughout)受到限制。EP專(zhuān)利申請(qǐng)No.1,933,608(TonenChemicalCorporation)描述了通過(guò)等離子體氣體吹到多孔主體(多孔坯體)或通過(guò)將等離子體吸取通過(guò)多孔主體或兩者的組合來(lái)等離子體處理多孔主體的方法和裝置。然而，這不保證所期望的具有均勻散布的涂層。特別當(dāng)將該技術(shù)應(yīng)用到無(wú)孔主體時(shí)，這將形成非對(duì)稱(chēng)性涂層，而且當(dāng)應(yīng)用到多孔主體時(shí)，隨著等離子體氣體的輸送，從供應(yīng)等離子體氣體的一側(cè)至多孔主體的相反側(cè)仍會(huì)不同。進(jìn)一步地，將所述基底通過(guò)多孔主體支持在一側(cè)上。盡管留出一些等離子體氣體的通道，但是這仍然將由于多孔主體和基底之間的接觸而一定程度地限制等離子體氣體進(jìn)入到基底的支持側(cè)，且在所述側(cè)形成非均勻的涂層。美國(guó)專(zhuān)利No.4,096,315(NASA)描述了用通過(guò)低溫等離子體聚合工藝沉積的耐磨涂層涂覆光學(xué)塑料基底的方法。同樣，沒(méi)有提到保證在基底表面上的均勻散布。聲稱(chēng)當(dāng)在170°F(76.67℃)的溫度下儲(chǔ)存168小時(shí)時(shí)沒(méi)有看到變色。然而，應(yīng)注意，該方法關(guān)注的是光學(xué)塑料基底(具體地，用于照相機(jī)、投影儀、望遠(yuǎn)鏡和其它光學(xué)儀器的棱鏡)而不是較深色的基底的涂層，因此在美國(guó)專(zhuān)利No.4,096,315的基底上需要透明涂層。本發(fā)明旨在解決的問(wèn)題使自身主要定位于較深色的基底，且因此NASA專(zhuān)利的沒(méi)有變色證據(jù)的主張?jiān)诒旧舷挛牡挠^點(diǎn)看來(lái)應(yīng)被考慮。進(jìn)一步地，美國(guó)專(zhuān)利No.4,096,315涉及具有20nm的優(yōu)選厚度的薄涂層。申請(qǐng)人已經(jīng)注意到，所施加的涂層越厚，變色變得越顯著，從而在申請(qǐng)人所期望的涂層厚度范圍內(nèi)變成非常現(xiàn)實(shí)的問(wèn)題。本發(fā)明涉及例如用于等離子體加工的具有較大體積以在單次加工運(yùn)行中處理多個(gè)樣品的反應(yīng)腔室。這容許具有高生產(chǎn)能力和所述處理的優(yōu)異性能的組合。本發(fā)明的貢獻(xiàn)在于，在視覺(jué)效果方面改善所述工藝，同時(shí)保持了所述處理物(treatment)例如等離子體涂層的其它特性。今天，技術(shù)被采納的關(guān)鍵參數(shù)之一是生產(chǎn)能力(在一天、一周、一個(gè)月或一年內(nèi)可被處理的物件的數(shù)量)。為了應(yīng)對(duì)不同市場(chǎng)中的消費(fèi)者對(duì)增大生產(chǎn)能力的要求，已經(jīng)構(gòu)造了較大的系統(tǒng)。這些年來(lái)通過(guò)大量研究已經(jīng)將小于1升可用區(qū)域的小的研發(fā)系統(tǒng)按比例增大至幾百至數(shù)千升的系統(tǒng)。例如，申請(qǐng)人已經(jīng)開(kāi)發(fā)出具有500升體積(其中在單個(gè)批次可處理例如多達(dá)300個(gè)智能手機(jī))和甚至更大體積(對(duì)于用于涂覆紡織品卷(roll)的卷筒到卷筒(roll-to-roll)系統(tǒng)，高達(dá)10000升)的分批系統(tǒng)。這些大生產(chǎn)規(guī)模的機(jī)械的主要挑戰(zhàn)是等離子體密度或等離子體強(qiáng)度如何能在整個(gè)可用區(qū)域上平均地和均勻地分布。眾所周知，這樣的大型系統(tǒng)的等離子體均勻性和等離子體分布比在小型研發(fā)系統(tǒng)中要差。為了優(yōu)化均勻性，已經(jīng)進(jìn)行研究，但是由于所述設(shè)備的許多組件(泵開(kāi)口、氣體入口、盤(pán)/支架、電極等)裝備在所述腔室中，具有100％均勻的等離子體分布是非常困難的、甚至是不可能的。結(jié)果，在黑色基底和/或具有高光澤和/或平滑表面的基底上的變色由于腔室內(nèi)部的不平均的等離子體均勻性而確實(shí)顯現(xiàn)出來(lái)。對(duì)于這種變色問(wèn)題，等離子體參數(shù)的優(yōu)化不提供解決方案。變色限制了其中可使用等離子體工藝給產(chǎn)品增加價(jià)值的應(yīng)用和市場(chǎng)。等離子體涂層的使用、特別地在最終商品表面(finishedgoodlevel)上的使用受到限制，因?yàn)檫@些產(chǎn)品打算面向消費(fèi)者直接銷(xiāo)售。當(dāng)然，消費(fèi)者不太可能購(gòu)買(mǎi)具有變色、不均勻顏色或彩虹樣光彩(發(fā)光，shine)的物品。其中等離子體涂層的使用由于變色問(wèn)題可受到限制的最終商品的實(shí)例為零售市場(chǎng)中的手持式電子器件，例如智能手機(jī)、移動(dòng)電話、書(shū)寫(xiě)板(tablet)、個(gè)人數(shù)字助理(PDAs)、導(dǎo)航系統(tǒng)、揚(yáng)聲器、電臺(tái)(headingair)、頭戴式耳機(jī)等。其它實(shí)例為服裝和衣物的紡織品，例如運(yùn)動(dòng)和戶(hù)外衣物，鞋子和設(shè)備，或者用在個(gè)人保護(hù)設(shè)備(PPE)-醫(yī)療應(yīng)用、潔凈室、消防員、警員、郵遞員等中的鞋子、衣物和設(shè)備。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：申請(qǐng)人已經(jīng)意外地發(fā)現(xiàn)一種大程度減少變色的方式，且在一些情況中，變色在處理之后是看不見(jiàn)的。通過(guò)使用所謂的“等離子體擴(kuò)散器”使變色減少成為可能，其中將擴(kuò)散器材料放置在產(chǎn)品或物體和至少一個(gè)或多個(gè)電極(例如一個(gè)或各個(gè)所述射頻(RF)電極)之間的區(qū)域中。擴(kuò)散器材料擴(kuò)散等離子體，導(dǎo)致較均一和均勻的分布，且意外地導(dǎo)致變色問(wèn)題的緩解。因此，本發(fā)明涉及至少部分地防止由等離子體涂覆工藝引起的基底變色的方法，其通過(guò)在將所述等離子體沉積到所述基底上形成涂層之前和/或期間擴(kuò)散等離子體而進(jìn)行。在一種實(shí)施方式中，所述基底通過(guò)預(yù)處理等離子體進(jìn)行預(yù)處理，其中所述預(yù)處理等離子體在所述預(yù)處理等離子體與所述基底反應(yīng)之前和/或期間進(jìn)行擴(kuò)散，由此優(yōu)選清潔、活化和/或蝕刻所述基底。本發(fā)明還涉及借助預(yù)處理等離子體通過(guò)所述預(yù)處理等離子體在所述預(yù)處理等離子體和所述基底的反應(yīng)之前和/或期間進(jìn)行擴(kuò)散來(lái)預(yù)處理基底的方法，其優(yōu)選地在施加等離子體涂覆基底的方法之前進(jìn)行，其中優(yōu)選地清潔、活化和/或蝕刻所述基底。本發(fā)明還涉及適于、優(yōu)選配置成用于實(shí)施根據(jù)本發(fā)明的方法的等離子體涂覆裝置。因此，本發(fā)明涉及用于將等離子體涂層施加到基底的等離子體涂覆裝置，優(yōu)選地在低壓下且優(yōu)選以等離子體聚合涂覆進(jìn)行，所述裝置具有包括接地(M)電極、射頻(RF)電極和用于使所述基底附近的等離子體密度均勻的等離子體擴(kuò)散器，優(yōu)選地將所述等離子體擴(kuò)散器放置在所述電極之間。本發(fā)明還涉及適于、優(yōu)選配置成用于根據(jù)本發(fā)明的等離子體涂覆裝置中的等離子體擴(kuò)散器，用于實(shí)施根據(jù)本發(fā)明的方法的根據(jù)本發(fā)明的裝置的用途、和通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的方法和/或裝置處理的產(chǎn)品(其優(yōu)選地包括紡織品)。在一種實(shí)施方式中，所述等離子體包括單體，且優(yōu)選地其中所述涂層為聚合物涂層。在一種實(shí)施方式中，所述等離子體以低壓、優(yōu)選地以低于大氣壓力的壓力、更優(yōu)選地以低于1000毫托的壓力和/或優(yōu)選地高于5毫托的壓力提供。在一種實(shí)施方式中，所述等離子體通過(guò)等離子體擴(kuò)散材料進(jìn)行擴(kuò)散，優(yōu)選地包括除去、放置、更換(replace)和/或重置所述擴(kuò)散材料的步驟。在一種實(shí)施方式中，在油排斥性、噴霧試驗(yàn)(spaytest)和可洗性方面的涂層性能未受到不利的影響。在一種實(shí)施方式中，所述基底在具有包括接地(M)電極、射頻(RF)電極和等離子體擴(kuò)散器的等離子體腔室的等離子體涂覆裝置中進(jìn)行涂覆，所述等離子體擴(kuò)散器用于使所述基底附近的等離子體密度均勻以降低所述基底在加工之后的變色，所述等離子體擴(kuò)散器優(yōu)選包括一種或多種置于所述電極之間的所述等離子體擴(kuò)散器材料，所述等離子體擴(kuò)散器材料優(yōu)選地為可以平的、彎曲的或折疊的片的形式。在一種實(shí)施方式中，存在以下特征的一項(xiàng)或組合：-將等離子體擴(kuò)散器材料放置在待涂覆的一個(gè)或多個(gè)基底和射頻電極之間；-將等離子體擴(kuò)散器材料放置在待涂覆的一個(gè)或多個(gè)基底和接地電極之間；-將等離子體擴(kuò)散器材料放置在待涂覆的一個(gè)或多個(gè)基底和接地電極之間且在待涂覆的一個(gè)或多個(gè)基底和射頻電極之間；-面向等離子體腔室的壁將等離子體擴(kuò)散器材料放置在所述基底的至少一側(cè)、多側(cè)處以形成膠態(tài)(colloidal)等離子體擴(kuò)散器；和/或-將等離子體擴(kuò)散器材料片以圓柱狀包繞在待涂覆的一個(gè)或多個(gè)基底的周?chē)?。在一種實(shí)施方式中，等離子體擴(kuò)散以選擇性方式例如通過(guò)在區(qū)域中除去或加入擴(kuò)散器材料以相應(yīng)地減少或增加等離子體擴(kuò)散而進(jìn)行。在一種實(shí)施方式中，所述等離子體擴(kuò)散器包括放置在所述等離子體腔室中的等離子體擴(kuò)散器材料，所述等離子體擴(kuò)散器材料優(yōu)選為片的形式。在一種實(shí)施方式中，所述等離子體擴(kuò)散器材料包括開(kāi)孔的(opencell)聚合物結(jié)構(gòu)體，例如非編織物(non-woven)、編織物、針織物(knit)、膜片(membrane)、膜(film)或箔；和/或開(kāi)孔的金屬結(jié)構(gòu)體，例如網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)體。在一種實(shí)施方式中，在不使用框架的情況下或在框架的支持下將等離子體擴(kuò)散器放置在等離子體腔室中。在一種實(shí)施方式中，等離子體擴(kuò)散器包括打開(kāi)手段，例如拉鏈、鈕扣、維可牢條(Velcrostrip)或膠帶。進(jìn)一步地，申請(qǐng)人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)等離子體擴(kuò)散器的使用不限于一個(gè)等離子體腔室或者一組等離子體工藝或低壓等離子體工藝。等離子體擴(kuò)散器可用在較小的系統(tǒng)中，但是特別地適合用于其中等離子體腔室內(nèi)的等離子體擴(kuò)散器較不均一的較大系統(tǒng)。等離子體擴(kuò)散器可用于寬范圍的工藝參數(shù)，這使得等離子體擴(kuò)散器可用于寬范圍的工藝、系統(tǒng)和基底。工藝參數(shù)的實(shí)例在不施加任何限制的情況下為：-較低和較高的單體流量，例如1sccm-500sccm，例如5sccm-150sccm；-以脈沖模式或以連續(xù)波模式施加的功率，例如，當(dāng)以脈沖的功率模式施加時(shí)，脈沖重復(fù)頻率可為100Hz-10kHz，具有大約0.05-50％的工作循環(huán)(占空比，dutycycle)，其中最佳參數(shù)取決于所使用的單體；-較低和較高的基礎(chǔ)壓力和工作壓力，例如5毫托-200毫托基礎(chǔ)壓力和10毫托-500毫托的工作壓力；-短的和長(zhǎng)的過(guò)程，例如5秒-120分鐘。本領(lǐng)域技術(shù)人員不會(huì)使用等離子體擴(kuò)散器來(lái)解決變色問(wèn)題，因?yàn)樗麑㈩A(yù)料到由于擴(kuò)散器在一定程度上遮蔽(shield)產(chǎn)品暴露于等離子體而引起的性能水平的下降。如果將預(yù)料到性能-涂層厚度、油排斥性、水接觸角、噴霧試驗(yàn)、可洗性等-的下降，那么本領(lǐng)域技術(shù)人員不會(huì)使用等離子體擴(kuò)散器，因?yàn)樵诮鉀Q變色問(wèn)題的同時(shí)保持所述性能是關(guān)鍵。意外地，申請(qǐng)人已經(jīng)注意到，盡管等離子體在等離子體腔室中進(jìn)行擴(kuò)散，但是等離子體處理的性能，例如-在防水和/或防油涂層的情形中-油排斥性水平、水接觸角和洗滌性能，保持在相同水平下。這是所述等離子體擴(kuò)散器的無(wú)法預(yù)料到的優(yōu)勢(shì)，因?yàn)楸绢I(lǐng)域技術(shù)人員本來(lái)會(huì)預(yù)料到由于通過(guò)將擴(kuò)散器材料放置在至少一個(gè)RF電極或多個(gè)RF電極和待處理的產(chǎn)品之間導(dǎo)致的一定程度的遮蔽而引起的性能變差(逆向，opposite)即下降。附圖說(shuō)明圖1A-1H顯示根據(jù)本發(fā)明的其中擴(kuò)散器材料置于射頻(RF)電極和待涂覆的一個(gè)或多個(gè)基底和/或用于容納一個(gè)基底或多個(gè)基底的盤(pán)之間的實(shí)施方式。圖2A-2H顯示根據(jù)本發(fā)明的其中擴(kuò)散器材料置于接地(M)電極和待涂覆的一個(gè)或多個(gè)基底和/或用于容納一個(gè)基底或多個(gè)基底的盤(pán)之間的實(shí)施方式。圖3A-3J顯示根據(jù)本發(fā)明的其中將擴(kuò)散器材料相繼地、同時(shí)地或交替地放置在RF電極和待涂覆的一個(gè)基底或多個(gè)基底和/或用于容納一個(gè)基底或多個(gè)基底的盤(pán)之間的實(shí)施方式。圖4A-4F顯示根據(jù)本發(fā)明的其中將擴(kuò)散器材料至少部分地放置在以水平方向基本平行的電極布置(裝置，set-up)所配置的電極和待涂覆的一個(gè)基底或多個(gè)基底和/或用于容納一個(gè)基底或多個(gè)基底的盤(pán)之間，以及在與所述電極基本垂直的方向上圍繞所述基底和/或盤(pán)進(jìn)一步至少部分放置所述擴(kuò)散器材料的實(shí)施方式。圖5A-5C顯示根據(jù)本發(fā)明的其中將擴(kuò)散器材料至少部分放置于在垂直方向基本平行的電極布置所配置的電極和待涂覆的一個(gè)基底或多個(gè)基底之間以及在與所述電極基本垂直的方向上圍繞所述基底還至少部分地放置所述擴(kuò)散器材料的實(shí)施方式。圖6A-6D顯示根據(jù)本發(fā)明的其中圍繞待涂覆的一個(gè)或多個(gè)基底和/或用于容納一個(gè)基底或多個(gè)基底的盤(pán)以圓柱狀的方式至少部分地放置擴(kuò)散器材料的實(shí)施方式。圖7A-7B顯示根據(jù)本發(fā)明的其中圍繞待涂覆的一個(gè)或多個(gè)基底和/或用于容納一個(gè)基底或多個(gè)基底的盤(pán)以膠粒的方式至少部分地放置擴(kuò)散器材料的實(shí)施方式。圖8-9B顯示根據(jù)本發(fā)明的具有不同于膠態(tài)和圓柱狀的形狀的3D-等離子體擴(kuò)散器的實(shí)施方式，該形狀當(dāng)被認(rèn)為更好時(shí)也可使用。具體實(shí)施方式在本說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)中進(jìn)一步對(duì)等離子體擴(kuò)散器的概念進(jìn)行解釋?zhuān)医柚鷮?shí)施例和附圖，以下將變得明晰：等離子體擴(kuò)散器是容易使用的、是多用途的(versatile)和可適用的。如本文使用的，以下術(shù)語(yǔ)具有以下含義：本文所使用的“一個(gè)”、“一種”和“這個(gè)”是指單數(shù)或復(fù)數(shù)，除非上下文明確地另有規(guī)定。舉例來(lái)說(shuō)，“一個(gè)電極”是指一個(gè)或不止一個(gè)電極，“一個(gè)基底”是指一個(gè)或不止一個(gè)基底，“一個(gè)盤(pán)”是指一個(gè)或不止一個(gè)盤(pán)。本文所使用的表示可測(cè)量的值例如參數(shù)、量、持續(xù)時(shí)間等的“約”意指涵蓋偏離具體值+/-20％或更小、優(yōu)選地+/-10％或更小、更優(yōu)選地+/-5％或更小、甚至更優(yōu)選地+/-1％或更小、和仍然更優(yōu)選地+/-0.1％或更小的變量，迄今為止，這樣的變量對(duì)于在所披露的發(fā)明中實(shí)施是適當(dāng)?shù)?。然而，?yīng)理解，修飾詞“約”所指的數(shù)值本身也是明確披露的。本文所使用的“包括(comprise)”、“包括(comprising)”“包括(comprises)”和“包括(comprisedof)”與“包含(include)”、“包含(including)”、“包含(includes)”或“具有(contain)”、具有(containing)”和“具有(contains)”是包含性或開(kāi)放式術(shù)語(yǔ)，其規(guī)定隨后的例如組件的存在且不排除或排斥另外的未記載的本領(lǐng)域已知的或這里所披露的組件、特征、元素、部件、步驟的存在。通過(guò)端點(diǎn)記載的數(shù)值范圍包括落在該范圍內(nèi)的所有整數(shù)和分?jǐn)?shù)以及所記載的端點(diǎn)。其設(shè)計(jì)可以如下方式進(jìn)行選擇：等離子體擴(kuò)散器可在每批次使用時(shí)在所述腔室中具有固定位置的方式，或者例如通過(guò)使用裝載架(loadingrack)隨受益于等離子體擴(kuò)散器的使用的產(chǎn)品一起獨(dú)立地安裝于所述腔室中的方式。這減少了來(lái)自等離子體擴(kuò)散器的操作，使得在大批量生產(chǎn)中，生產(chǎn)量得以保證且不受限于過(guò)多的另外的操作和時(shí)間放縱(loose)。進(jìn)一步地，等離子體擴(kuò)散器可用在很多種加工條件和等離子體腔室中。例如等離子體擴(kuò)散器可用在脈沖等離子體加工和連續(xù)波加工兩者中，因?yàn)閮烧叩墓β试O(shè)置往往不僅在深色基底例如黑色、灰色、深藍(lán)色、深綠色、深紫色基底上呈現(xiàn)變色，而且在具有高光澤表面或低表面粗糙度的基底(例如柔和觸感的表面或拋光表面)上呈現(xiàn)變色。多虧所述等離子體擴(kuò)散器(其出乎意外獲得良好的結(jié)果)的設(shè)想易于使用且可適用于消費(fèi)者的需要或需要等離子體處理的產(chǎn)品，更多應(yīng)用和市場(chǎng)可受益于來(lái)自等離子體加工的附加價(jià)值。因?yàn)槿肷涔?無(wú)論它是日光、直射陽(yáng)光、TL光等-的波長(zhǎng)很大程度上全部被吸收，所以黑色和深色基底在人眼看來(lái)是黑色的或深色的。所述入射光中僅一小部分從所述表面反射。全部基底具有一定的構(gòu)相(拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，topology)或平滑度。變色是由于在樣品上的涂層厚度的小的(納米)變化而在涂覆后出現(xiàn)在平滑表面上。這導(dǎo)致表面的納米粗糙度，從而使得深色至黑色基底所反射的光的一部分更多漫反射。因?yàn)樗龉庖苑且?guī)則漫射方式反射，所以由不同波長(zhǎng)所構(gòu)成的光可發(fā)生衍射，從而導(dǎo)致彩虹樣變色。該效應(yīng)對(duì)于較長(zhǎng)的加工時(shí)間更顯著，在此期間沉積的涂層通常比在縮短的等離子體時(shí)間的情況下厚。當(dāng)涂層厚度較大時(shí)，納米粗糙度也可較大，從而導(dǎo)致更顯著的變色效應(yīng)。因此，在一種實(shí)施方式中，施加到基底的涂層包括大于20nm、優(yōu)選地大于50nm、甚至更優(yōu)選地大于100nm的厚度。對(duì)于具有與可見(jiàn)光的波長(zhǎng)相當(dāng)?shù)暮穸?、例如最小可?jiàn)光波長(zhǎng)的十分之一和最大可見(jiàn)光波長(zhǎng)的10倍之間的厚度，所述變色也尤其顯著。因此，在一種實(shí)施方式中，施加到基底上的涂層包括大于10nm、優(yōu)選地大于20nm、甚至更優(yōu)選地大于100nm的厚度，和/或小于5000nm、優(yōu)選地小于2500nm、更優(yōu)選地小于1000nm的厚度。申請(qǐng)人開(kāi)發(fā)出所謂的“等離子體擴(kuò)散器”，其降低由等離子體腔室內(nèi)部不平均的等離子體分布所帶來(lái)的效應(yīng)，和導(dǎo)致遍及所述腔室更均勻的等離子分布和等離子體密度。歸因于此，基底上的涂層的納米粗糙度降低，導(dǎo)致入射光中反射部分的漫反射減少。結(jié)果，彩虹樣色彩和/或其它顏色變化可降低最高100％。本發(fā)明的等離子體擴(kuò)散器和/或方法可用在全部類(lèi)型的很多不同形狀和尺寸的基底和材料中。所述變色效應(yīng)在大型裝置中更顯著。盡管在小型裝置中，通過(guò)改變工藝參數(shù)和反應(yīng)腔室的優(yōu)化設(shè)計(jì)可將所述變色效應(yīng)補(bǔ)償至可接受的(合理的)程度，但是在較大的裝置中，由于較大的體積和腔室內(nèi)的若干組件(例如電極、盤(pán)、氣體入口、泵出口等)這并不總是可行的。因此，在一種實(shí)施方式中，將本發(fā)明的方法施加到具有如下體積的反應(yīng)腔室中：其為大于0.1l、優(yōu)選地大于0.2l、更優(yōu)選地大于0.3l、甚至更優(yōu)選地大于0.4l、還更優(yōu)選地大于0.5l、也更優(yōu)選地大于0.6l、還甚至更優(yōu)選地大于0.8l、還更優(yōu)選地大于1l、甚至還更優(yōu)選地大于2l、還更優(yōu)選地大于5l、也更優(yōu)選地大于10l、也更優(yōu)選地大于20l。本發(fā)明容許處理大的基底或同時(shí)處理很多基底，例如可放置在所述裝置的盤(pán)中的很多物品。因此，在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，一個(gè)基底、多個(gè)基底、容納一個(gè)或多個(gè)基底的盤(pán)和/或全部基底的組合尺寸具有至少一個(gè)大于10cm、優(yōu)選地大于20cm、更優(yōu)選地大于30cm的尺寸。已經(jīng)觀察到的另一效應(yīng)是如果基底和一個(gè)或多個(gè)電極之間的距離變小則變色加劇。這可歸因于等離子體密度的小的不均勻，其可產(chǎn)生自電極的幾何形狀或所述幾何形狀的小的不均勻或其它效應(yīng)。如果將基底放置在一個(gè)或多個(gè)電極的近旁，則這些不均勻性將導(dǎo)致涂層厚度的不均勻，且由此變色增加。根據(jù)本發(fā)明的等離子體擴(kuò)散器和/或方法的使用容許將所述基底靠近電極放置，同時(shí)至少部分地避免變色。這容許對(duì)于特定數(shù)量或尺寸的待涂覆的基底使用較小的反應(yīng)腔室，或者在具有既定尺寸的反應(yīng)腔室中涂覆較大數(shù)量或尺寸的基底。因此，在一種實(shí)施方式中，反應(yīng)腔室具有小于10000l、優(yōu)選地小于5000l、更優(yōu)選地小于3000l、還更優(yōu)選地小于2500l的體積。例如，具有深色至黑色的表面部分的以片形式的紡織品或服裝，例如戶(hù)外、運(yùn)動(dòng)和休閑紡織品或用于保護(hù)性穿戴物例如PPE(個(gè)人防護(hù)設(shè)備)的技術(shù)服裝，在未經(jīng)涂覆的物件和經(jīng)涂覆的物件之間將顯示不出顏色差異。服裝為衣著物品，例如但不限于夾克、褲子、帽子、手套和外套。其它紡織品產(chǎn)品可為3D物件，例如鞋子、花邊(透孔織品，lace)、袋子、背包、帳篷、圍巾等。紡織品可為天然的、人造的或合成的纖維或者前述材料的任意共混物。材料的實(shí)例包括但不限于：合成的：聚丙烯(PP)，聚乙烯(PE)，聚氯乙烯(PVC)，聚苯乙烯(PS)，聚苯硫醚(PPS)，聚丙烯腈(PAN)，聚氨酯(PUR)，聚脲，聚四氟乙烯(PTFE)和膨體聚四氟乙烯(ePTFE)，聚酯(PES)-例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、再生的PET和聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯(PBT)，聚酰胺(PA)-例如PA6、PA66和PA12，聚芳酰胺，氨綸(聚氨酯-聚脲的共聚物)。天然的和人造的：棉花、纖維素、醋酸纖維素、絲、羊毛等。混紡物:50:50的棉花/PES、99:1的PES/碳、92:8的再生的PES/氨綸、80/20的PA6/氨綸等。所述紡織品可為非編織的、編織的或針織的結(jié)構(gòu)體，膜片(微米纖維膜片和納米纖維膜片兩者)，膜，箔，或由至少兩層非編織的、編織的或針織的結(jié)構(gòu)體、膜片、膜或箔制成的復(fù)合材料，其中所述層可為相同的紡織品結(jié)構(gòu)體或不同的結(jié)構(gòu)體。這樣的復(fù)合材料的實(shí)例為由編織的紡織品、膜片和可為非編織的或編織的背層(反面層，backinglayer)的夾層結(jié)構(gòu)組成的層壓體。這樣的復(fù)合材料的另一實(shí)例為由用作背層的非編織的紡織品和直接在所述背層上產(chǎn)生的膜片組成的層壓體。本發(fā)明的等離子體擴(kuò)散器在其上已經(jīng)呈現(xiàn)益處的其它基底為3D-造型的塑料部件，例如手持式器件(例如電話、智能手機(jī)、書(shū)寫(xiě)板、膝上型電腦、GPS系統(tǒng)等)的外殼或眼鏡的外殼。用于制造這樣的塑料部件的所有類(lèi)型的聚合物可使用本發(fā)明的等離子體擴(kuò)散器進(jìn)行涂覆以高度減少不希望的顏色變化，該聚合物例如(但不限于)：聚烯烴例如聚丙烯(PP)和聚乙烯(PE)，聚氯乙烯(PVC)，聚酰胺(PA)，聚酯(PES)，聚苯乙烯(PS)，聚四氟乙烯(PTFE)等。等離子體擴(kuò)散器也可用來(lái)避免電子器件例如印刷電路板(PCB)、助聽(tīng)器、頭戴式耳機(jī)、揚(yáng)聲器等的涂層變色。這些產(chǎn)品經(jīng)常由多種材料例如塑料和導(dǎo)電金屬組成。等離子體擴(kuò)散器也可用來(lái)避免在光學(xué)組件例如透鏡、反射鏡(鏡子，mirror)和在如下玻璃上的變色：其用在多種應(yīng)用，例如照相機(jī)、手持式電子器件(例如書(shū)寫(xiě)板和智能手機(jī))，以及運(yùn)動(dòng)應(yīng)用，例如潛水護(hù)目鏡、游泳護(hù)目鏡、羅盤(pán)手表等?？陕?lián)想到的其它應(yīng)用為用在汽車(chē)市場(chǎng)、公路沿線、家里等的反射鏡。特別地，對(duì)于由于涂層的不均勻性引起的變色更敏感且其中變色例如彩虹樣光彩更容易看見(jiàn)的較大組件可受益于在等離子體處理期間使用等離子體擴(kuò)散器。因此，等離子體-擴(kuò)散器的原理為等離子體的擴(kuò)散以獲得更均勻的較小不平均的等離子體分布，實(shí)現(xiàn)更一致的處理，其導(dǎo)致在所述基底的一個(gè)表面或多個(gè)表面上較少的變色。優(yōu)選地，等離子體擴(kuò)散包括擴(kuò)散器材料且優(yōu)選地由擴(kuò)散器材料制成，且任選地包括支持所述擴(kuò)散器材料的框架。在第一實(shí)施方式中，等離子體擴(kuò)散器材料包括開(kāi)孔的聚合物結(jié)構(gòu)體,例如紡織品結(jié)構(gòu)體，例如非編織的、編織的、針織的結(jié)構(gòu)體，或膜片，或平的聚合物結(jié)構(gòu)體例如箔或膜。優(yōu)選地，該聚合物結(jié)構(gòu)體具有容許所述等離子體以受控的方式通過(guò)所述等離子體擴(kuò)散器到達(dá)待涂覆的基底的一定的孔隙度和透氣性。紡織品結(jié)構(gòu)體可包括一種聚合物或兩種或更多種聚合物的組合。可使用的聚合物可為(但不限于)：聚烯烴例如聚丙烯(PP)和聚乙烯(PE)，聚氯乙烯(PVC)，聚酰胺(PA)，聚酯(PES)，聚苯乙烯(PS)，聚四氟乙烯(PTFE)等。優(yōu)選地，使用具有低水分含量的聚合物，例如聚酯，例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)。為了決定最佳布置，通常從等離子體擴(kuò)散器的基礎(chǔ)設(shè)計(jì)出發(fā)，通過(guò)使用常規(guī)技術(shù)可將規(guī)則的紡織品結(jié)構(gòu)體用作等離子體擴(kuò)散器。在又一實(shí)施方式中，等離子體擴(kuò)散器材料包括開(kāi)孔的金屬結(jié)構(gòu)體，例如金屬網(wǎng)。用于制造所述網(wǎng)的金屬可為致密的或較開(kāi)口的(open)。所述網(wǎng)可包括任何金屬，例如鋁、鋼、不銹鋼等。當(dāng)所述電極在等離子體腔室中的布置是水平的時(shí)，待處理(例如涂覆)的一個(gè)或每個(gè)所述基底放置在基本水平的方位上。例如，一個(gè)或每個(gè)所述基底可放置于盤(pán)或穿孔容器之上或之中，所述盤(pán)或穿孔容器放置在所述電極之間且平行于所述電極以水平方位放置。取決于所述基底的形狀和尺寸，所述基底可以水平方位、垂直方位或中間方位放置在所述盤(pán)中。該布置可例如用來(lái)處理手持式電子器件或電子組件、裝配體或子裝配體。所述水平布置還可用來(lái)處理紡織品產(chǎn)品，例如鞋子、手套等。當(dāng)所述電極在等離子體腔室中的布置是豎直的時(shí)，待處理(例如涂覆)的一個(gè)或每個(gè)所述基底以基本豎直的方位放置。例如，一個(gè)或每個(gè)所述基底可懸掛在所述電極之間預(yù)想到的基底區(qū)域(或“縫隙(slot)”)中。它們可通過(guò)使用在等離子體腔室內(nèi)部容許所述表面最好地暴露于等離子體的夾具或支架或其它構(gòu)造來(lái)懸掛。取決于基底和一個(gè)或多個(gè)縫隙的尺寸，可將一個(gè)或多個(gè)基底懸掛在一個(gè)“縫隙”中。所述豎直的布置可例如用來(lái)處理紡織品產(chǎn)品，例如衣服(毛線衫、夾克、T恤、短褲、褲子、圍巾)以及紡織品片和其它紡織品物品例如背包、繩索等。使用水平或豎直的布置取決于待處理的基底。申請(qǐng)人還發(fā)現(xiàn)，等離子體擴(kuò)散器材料的孔隙度或開(kāi)口度可對(duì)降低多大的變色產(chǎn)生影響。所述結(jié)構(gòu)體的開(kāi)口越少(越致密)，則變色降低越大，這由實(shí)施例將變得明晰。通過(guò)使用較致密或較厚的材料或者通過(guò)將多個(gè)層放置于彼此之上可獲得開(kāi)口較少的網(wǎng)。通過(guò)使用在彼此之上的多個(gè)層，對(duì)于較不易變色的區(qū)域可使用單層，而對(duì)于較關(guān)鍵的區(qū)域可使用雙層或甚至三層。這實(shí)現(xiàn)了根據(jù)待處理的部件和其在等離子體腔室內(nèi)的位置而改變等離子體擴(kuò)散器的布置。在一些實(shí)施方式中，優(yōu)選不遮蔽全部表面。例如，擴(kuò)散器材料可定尺寸為只覆蓋暴露的基底或盤(pán)表面部分。這是申請(qǐng)人稱(chēng)之為的“選擇性等離子體擴(kuò)散器”。是否將全部表面抑或部分表面用來(lái)擴(kuò)散取決于待處理的基底、等離子體腔室的構(gòu)造和所使用的工藝參數(shù)和分子(molecule)。例如，在借助等離子體聚合涂覆電子組件的水平裝置中，可優(yōu)選只遮蔽盤(pán)或穿孔容器的角落而不是遮蔽大的表面。在一些實(shí)施方式中，在存在高變色傾向之處，可以考慮使用較厚的擴(kuò)散器材料，或者使用在彼此之上的兩個(gè)擴(kuò)散器材料片。當(dāng)進(jìn)一步地在本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)中使用“片”或“側(cè)”時(shí)，其意指擴(kuò)散器材料，而不管其是單層或在彼此之上的多層，且不管其是全尺寸的片或是為了選擇性擴(kuò)散而具有受限尺寸的片。而且，不僅通過(guò)在某些區(qū)域處除去擴(kuò)散器材料而且還通過(guò)加入擴(kuò)散器材料可形成選擇性等離子體擴(kuò)散器。例如，可優(yōu)選的是，在某些區(qū)域中例如在角落處使用雙層擴(kuò)散材料，以便甚至更多地?cái)U(kuò)散等離子體。優(yōu)選地，等離子體擴(kuò)散器包括設(shè)置在所述電極之間的一種或多種等離子體擴(kuò)散器材料，其用于使所述基底附近的等離子體密度均勻化以減少所述基底在加工之后的變色。所述等離子體擴(kuò)散器材料優(yōu)選地為可以平的、彎曲的或折疊的片的形式。等離子體擴(kuò)散器可例如還包括放置在不同高度或位置處的不同材料，例如不同密度或粒度(meshsize)的材料，用于例如選擇性地?cái)U(kuò)散等離子體。在其最簡(jiǎn)單的形式中，等離子體擴(kuò)散器由放置在一個(gè)基底或多個(gè)基底和一個(gè)電極或每個(gè)電極之間的擴(kuò)散器材料片組成。這種類(lèi)型的等離子體擴(kuò)散器可視作2D-等離子體擴(kuò)散器。優(yōu)選地，選擇2D-等離子體擴(kuò)散器的尺寸，使得其等于或大于基底或盤(pán)的全部表面以在總的基底或盤(pán)表面的上方擴(kuò)散等離子體。優(yōu)選地，當(dāng)使用2D-等離子體擴(kuò)散器時(shí)，將擴(kuò)散器材料放置在一個(gè)或每個(gè)所述射頻電極和一個(gè)或每個(gè)所述基底之間。圖1A顯示以水平布置的2D-等離子體擴(kuò)散器，其中僅單個(gè)盤(pán)101、單個(gè)射頻(RF)電極102和單個(gè)接地電極(M)103被示出。將待處理的基底放置在盤(pán)101中。將擴(kuò)散器材料104放置在盤(pán)101和RF電極102之間。圖1B顯示由兩個(gè)圖1A的構(gòu)造組成的水平裝置，其例如用在較大的等離子體腔室中以在一次單加工運(yùn)行中容許更多的待處理的基底。將待處理(例如涂覆)的基底放置在位于例如RF電極102和M電極103之間的盤(pán)101中。將擴(kuò)散器材料片104放置在每個(gè)盤(pán)101和RF電極102之間。在一些實(shí)施方式中，可優(yōu)選的是，使用不在各盤(pán)101和各RF電極104之間的等離子體擴(kuò)散器，如圖1C中所描繪的。取決于待處理的基底的尺寸，擴(kuò)散器材料片104可放置在盤(pán)101(圖1D)之上-例如當(dāng)基底被放置在盤(pán)中的高度未超過(guò)盤(pán)的高度時(shí)。在另一實(shí)施方式中，擴(kuò)散器材料片104可放置在距盤(pán)101一定的距離處(圖1E)。基底或盤(pán)和擴(kuò)散器材料之間以及擴(kuò)散器材料和RF電極之間的距離可變化，且應(yīng)根據(jù)涂層在加工之后的性能和根據(jù)變色減少進(jìn)行確定。圖1F顯示其中將待處理的基底111放置在由RF電極112和M電極113確定的縫隙中的豎直實(shí)施方式。擴(kuò)散器材料片114放置在基底111和RF電極112之間。圖1G顯示其中重復(fù)圖1H的構(gòu)造的豎直實(shí)施方式。三個(gè)待處理的基底111放置在由RF電極112和M電極113確定的一個(gè)縫隙內(nèi)。擴(kuò)散器材料片放置在基底111和RF電極112之間。在一些實(shí)施方式中，可優(yōu)選使用并非在所有縫隙中的等離子體擴(kuò)散器，如圖1H所描繪的。在另一實(shí)施方式中，擴(kuò)散器材料片設(shè)置在一個(gè)或每個(gè)所述接地電極(M)和一個(gè)或每個(gè)所述基底之間。圖2A顯示以水平布置的2D-等離子體擴(kuò)散器，其中僅顯示單個(gè)盤(pán)201、單個(gè)射頻(RF)電極202和單個(gè)接地電極(M)203。將待處理的基底放置在盤(pán)201中。將擴(kuò)散器材料204放置在盤(pán)201和M電極203之間。圖2B顯示由兩個(gè)圖2A的構(gòu)造組成的水平裝置，其例如用在較大的等離子體腔室中以在一個(gè)單加工運(yùn)行中容許更多的待處理的基底。將待處理(例如待涂覆)的基底放置在位于例如RF電極202和M電極203之間的盤(pán)201中。將擴(kuò)散器材料片204放置在各盤(pán)201和M電極203之間。在一些實(shí)施方式中，可優(yōu)選使用不在各盤(pán)201和各電極203之間的等離子體擴(kuò)散器，如圖2C中所描繪的。取決于待處理的基底的尺寸，擴(kuò)散器材料片204可放置在盤(pán)201的底部處(圖2D)。在另一實(shí)施方式中，擴(kuò)散器材料片204可放置在距盤(pán)201一定的距離處(圖2E)。基底或盤(pán)和擴(kuò)散器材料之間以及擴(kuò)散器材料和M電極之間的距離可變化，且其應(yīng)根據(jù)涂層在加工之后的性能和根據(jù)變色減少進(jìn)行確定。圖2F顯示其中待涂覆的基底211放置在由RF電極212和M電極213確定的縫隙中的豎直實(shí)施方式。擴(kuò)散器材料片214放置在基底211和M電極213之間。圖2G顯示其中重復(fù)圖2F的構(gòu)造的豎直實(shí)施方式。三個(gè)待處理的基底211放置在由RF電極212和M電極213確定的一個(gè)縫隙內(nèi)。擴(kuò)散器材料片放置在基底211和M電極213之間。在一些實(shí)施方式中，可優(yōu)選使用并非在所有縫隙中的等離子體擴(kuò)散器。如圖2H所描繪的。在另一實(shí)施方式中，擴(kuò)散器材料片放置在一個(gè)或每個(gè)所述射頻電極和一個(gè)或每個(gè)所述基底之間，以及在一個(gè)或每個(gè)所述接地電極和一個(gè)或每個(gè)所述基底之間。該布置在本申請(qǐng)中仍被認(rèn)為是2D-等離子體擴(kuò)散器，因?yàn)閮蓚€(gè)擴(kuò)散器材料片是彼此平行的。圖3A顯示以水平布置的2D-等離子體擴(kuò)散器，其中僅顯示單個(gè)盤(pán)301、單個(gè)射頻(RF)電極302和單個(gè)接地電極(M)303。待處理的基底放置在盤(pán)301中。擴(kuò)散器材料304放置在盤(pán)301和RF電極302之間以及在盤(pán)301和M電極303之間。圖3B顯示由兩個(gè)圖3A的構(gòu)造組成的水平布置，其例如用在較大的等離子體腔室中以在一個(gè)單次加工運(yùn)行中容許更多的待處理的基底。待處理(例如待涂覆)的基底放置在位于例如RF電極302和M電極303之間的盤(pán)301中。擴(kuò)散器材料片304放置在各盤(pán)301和RF電極302之間，以及在各盤(pán)301和M電極303之間。在一些實(shí)施方式中，可優(yōu)選使用不在各盤(pán)301和各RF電極302之間以及不在各盤(pán)301和各M電極303之間的等離子體擴(kuò)散器，如借助圖2C中的示例性構(gòu)造所給出的。取決于待處理的基底的尺寸，擴(kuò)散器材料片304可放置在盤(pán)301之上和在盤(pán)301之下(圖3D)。在另一實(shí)施方式中，擴(kuò)散器材料片304可在兩個(gè)方向上放置在距盤(pán)301一定距離處(圖3E)。在又一實(shí)施方式中，擴(kuò)散器材料片304可放置在盤(pán)301之上和朝向M電極303放置在距盤(pán)301一定距離處(圖3F)。在又一實(shí)施方式中，擴(kuò)散器材料片304可朝向RF電極302放置在距盤(pán)301一定距離處和可放置在盤(pán)301之下(圖3G)。在基底或盤(pán)和擴(kuò)散器材料之間以及在擴(kuò)散器材料和M電極之間的距離可變化，且其根據(jù)涂層在加工之后的性能和根據(jù)變色減少進(jìn)行確定。圖3H顯示其中待處理的基底311放置在由RF電極312和M電極313確定的縫隙中的豎直實(shí)施方式。擴(kuò)散器材料片314放置在基底311和RF電極312之間以及在基底311和M電極313之間。圖3I顯示其中重復(fù)圖3H的構(gòu)造的豎直實(shí)施方式。三個(gè)待處理的基底311放置在由RF電極312和M電極313確定的一個(gè)縫隙中。擴(kuò)散器材料片314放置在基底311和RF電極312之間以及在基底311和M電極313之間。在一些實(shí)施方式中，可優(yōu)選使用并非在所有縫隙中的等離子體擴(kuò)散器，如圖3J所描繪的。優(yōu)選地，基底和2D-等離子體擴(kuò)散器之間的距離為1mm-150mm，更優(yōu)選為2mm-100mm，例如5mm-75mm，更優(yōu)選為10mm-50mm，例如50、45、40、39、38、37、36、35、34、33、32、31、30、29、28、27、26、25、24、23、22、21、20、19、18、17、16、15、14、13、12、11或10mm。優(yōu)選地，2D-等離子體擴(kuò)散器和等離子體腔室的一個(gè)電極或多個(gè)電極之間的距離為5mm-250mm，更優(yōu)選為10mm-200mm，例如15mm-150mm，例如150、145、140、135、130、125、120、115、110、105、100、95、90、85、80、75、70、65、60、55、50、45、40、35、30、25、20或15mm。2D-等離子體擴(kuò)散器易于使用，但是其在一些情況下可提供受限的擴(kuò)散。在其中要求更大擴(kuò)散的那些情形中，可使用3D-等離子體擴(kuò)散器。3D-等離子體擴(kuò)散器的形狀和側(cè)的數(shù)量可變化，但是通常等離子體擴(kuò)散器的至少一側(cè)或一個(gè)表面與電極不是完全平行的。3D-等離子體擴(kuò)散器可構(gòu)造在框架的周?chē)?，但是在一些?shí)施方式中，不使用框架且等離子體擴(kuò)散器只由擴(kuò)散器材料組成。框架是否被推薦取決于等離子體擴(kuò)散器的形狀、布置和尺寸。框架優(yōu)選為用作其周?chē)胖玫入x子體擴(kuò)散器材料的主體的剛性或半剛性結(jié)構(gòu)體。框架可具有一定的柔性但是需要足夠堅(jiān)固(strong)以便在擴(kuò)散器沒(méi)有坍塌的的風(fēng)險(xiǎn)下支撐等離子體擴(kuò)散器材料且與待處理的基底相接觸?？蚣芸捎蛇m于用在低壓等離子體設(shè)備內(nèi)的所有材料例如-但不限于-鋁、鋼(例如不銹鋼)、聚合物(例如HDPE、PS、PP和PTFE(稱(chēng)為特氟綸)、和前述的任意混合物構(gòu)成。框架可由裝配在一起的棒組成，棒具有圓形橫截面、矩形或正方形橫截面。橫截面優(yōu)選具有1cm2或更小的表面。在一些水平實(shí)施方式中，盤(pán)本身可用作框架。在最簡(jiǎn)單的方式中，3D-等離子體擴(kuò)散器可視為其上加入另外擴(kuò)散器材料的2D-等離子體擴(kuò)散器。圖4A顯示水平電極布置的等離子體擴(kuò)散器。該等離子體擴(kuò)散器可由圖3A中所示的等離子體擴(kuò)散器所產(chǎn)生。待處理的一個(gè)基底或多個(gè)基底放置在設(shè)置在RF電極402和M電極403之間的盤(pán)401上。等離子體擴(kuò)散器404在盤(pán)401周?chē)鷺?gòu)造，且包括位于在盤(pán)401和RF電極402之間的頂側(cè)405、位于在盤(pán)401和M電極403之間的底側(cè)406(其因此相當(dāng)于圖3A的擴(kuò)散器)，且還包括后側(cè)407。后側(cè)407與電極402和403的平面垂直，且連接頂側(cè)405和底側(cè)406。前側(cè)保持開(kāi)放，這容許所述一個(gè)基底或多個(gè)基底在盤(pán)401上容易定位。等離子體擴(kuò)散器404的側(cè)405和406在盤(pán)(或基底)和電極之間以一定距離放置，且側(cè)407在盤(pán)401和等離子體腔室的后壁之間以一定距離放置。在該實(shí)施方式中，框架用于將擴(kuò)散器材料保持在原位。在另一實(shí)施方式中，等離子體擴(kuò)散器沒(méi)有后側(cè)但是具有前側(cè)。在又一實(shí)施方式中，由圖4B所描繪的，等離子體擴(kuò)散器404再次構(gòu)造在盤(pán)401的周?chē)?，且等離子體擴(kuò)散器404和盤(pán)401兩者放置在RF電極402和M電極403之間。等離子體擴(kuò)散器404具有頂側(cè)405、底側(cè)406、后側(cè)407和前側(cè)408。只有左側(cè)和右側(cè)未填充任何擴(kuò)散器材料。該實(shí)施方式可用于將等離子體擴(kuò)散遠(yuǎn)離電極，同時(shí)使得前體分子容易地進(jìn)入到等離子體擴(kuò)散器和基底(或盤(pán))之間的區(qū)域中成為可能。等離子體擴(kuò)散器404的側(cè)405和406在盤(pán)(或基底)和電極之間以一定距離放置，側(cè)407可在盤(pán)401和等離子體腔室的后壁之間以一定距離放置，以及側(cè)408可在盤(pán)401和等離子體腔室的前壁之間以一定距離放置。在該實(shí)施方式中，框架用來(lái)將擴(kuò)散器材料保持在原位。圖4C顯示圖4B的等離子體擴(kuò)散器，其中現(xiàn)在同樣地左側(cè)409和右側(cè)410填充有等離子體擴(kuò)散器材料。等離子體擴(kuò)散器現(xiàn)在為具有填充有等離子體擴(kuò)散器材料的6個(gè)側(cè)(全部側(cè))的膠態(tài)。等離子體擴(kuò)散器404的側(cè)405和406在盤(pán)(或基底)和電極之間以一定距離放置，側(cè)407在盤(pán)401和等離子體腔室的后壁之間以一定距離放置，側(cè)408在盤(pán)401和等離子體腔室的前壁之間以一定距離放置，側(cè)409在盤(pán)401和腔室的左壁之間以一定的距離放置，以及側(cè)410在盤(pán)401和等離子體腔室的右壁之間以一定距離放置。在該實(shí)施方式中，框架用來(lái)將擴(kuò)散器材料保持在原位。優(yōu)選地，對(duì)于通過(guò)圖4A-4C示意性描繪的實(shí)施方式，在放置在等離子體擴(kuò)散器內(nèi)的基底和等離子體擴(kuò)散器的擴(kuò)散器材料之間的距離為1mm-150mm，更優(yōu)選為2mm-100mm，例如5mm-75mm，更優(yōu)選為10mm-50mm，例如50、45、40、39、38、37、36、35、34、33、32、31、30、29、28、27、26、25、24、23、22、21、20、19、18、17、16、15、14、13、12、11或10mm。優(yōu)選地，等離子體擴(kuò)散器與等離子體腔室的電極平行的側(cè)和電極之間的距離為5mm-250mm，更優(yōu)選為10mm-200mm，例如15mm-150mm，例如150、145、140、135、130、125、120、115、110、105、100、95、90、85、80、75、70、65、60、55、50、45、40、35、30、25、20或15mm。優(yōu)選地，等離子體擴(kuò)散器與電極的平面垂直的側(cè)和等離子體腔室與等離子體擴(kuò)散器的所述側(cè)平行的壁之間的距離為5mm-250mm，更優(yōu)選為10mm-200mm，例如15mm-150mm，例如150、145、140、135、130、125、120、115、110、105、100、95、90、85、80、75、70、65、60、55、50、45、40、35、30、25、20或15mm。圖4D顯示圖4C的等離子體擴(kuò)散器，其中盤(pán)401本身用作框架。這對(duì)于具有不超過(guò)盤(pán)401的尺寸(特別是高度)的尺寸的基底是可行的。結(jié)果，盤(pán)中的基底和等離子體擴(kuò)散器材料之間的距離等于基底和盤(pán)之間的距離-換言之，在盤(pán)和擴(kuò)散器材料之間不存在距離。對(duì)于比盤(pán)401的高度高的基底，可構(gòu)造框架以在基底和等離子體擴(kuò)散器404的頂側(cè)407之間形成一定的距離。對(duì)于擴(kuò)散器的其它側(cè)406、407、408、409和410，所述盤(pán)可用作框架。這描繪于圖4E中。還可考慮到其它變型，例如，側(cè)409和410設(shè)置在盤(pán)401和側(cè)壁之間。是否將所述盤(pán)作為框架用于一個(gè)或多個(gè)側(cè)的選擇取決于待處理的基底、其形狀、尺寸和組成、其定位、以及等離子體腔室和盤(pán)的設(shè)計(jì)。盡管優(yōu)選將等離子體擴(kuò)散器材料施加到基底和RF電極之間，但是在一些情形中，特別是當(dāng)涂層厚度是關(guān)鍵時(shí)，可考慮將擴(kuò)散器材料不施加到基底和RF電極之間而是施加到其它位置。當(dāng)?shù)入x子體處理(例如等離子體涂覆)電子組件、子裝配體、裝配體或器件時(shí)，優(yōu)選使用其中將電子組件、子裝配體、裝配體或器件放置在盤(pán)上的水平布置。對(duì)于涂覆沉積到這樣的基底上，等離子體在容納基底的盤(pán)和RF電極之間不進(jìn)行擴(kuò)散可能是有利的，以保證一定的涂層厚度。然而，等離子體擴(kuò)散器優(yōu)選用在盤(pán)的經(jīng)選擇的表面上-其是所謂的“選擇性等離子體擴(kuò)散”。圖4F顯示可能的選擇性等離子體擴(kuò)散器的示意性代表。等離子體擴(kuò)散器材料以膠態(tài)形狀放置，不具有頂側(cè)和底側(cè)以及擴(kuò)散面積減少的其它四側(cè)(前、后、左、右)。選擇性擴(kuò)散的范圍-由此多少擴(kuò)散器材料被取走-取決于待處理的基底、其尺寸、形狀、材料、組成、和工藝參數(shù)、等離子體腔室的布置等。圖4F使用只安裝在所述盤(pán)的4個(gè)角落處的選擇性等離子體擴(kuò)散器，以便等離子體在所述盤(pán)的角落處進(jìn)行擴(kuò)散，其中典型地，注意到較高的等離子體密度，導(dǎo)致較大的變色。對(duì)于圖4B-4E的實(shí)施方式，可預(yù)想到使打開(kāi)所述擴(kuò)散器變?nèi)菀椎姆绞?，例如拉鏈、鈕扣、維可牢或膠帶。對(duì)于圖4A-4C的實(shí)施方式，擴(kuò)散器借助在等離子體腔室內(nèi)具有固定位置的框架可在等離子體腔室中具有固定的位置。在兩批次之間，打開(kāi)所述擴(kuò)散器(僅圖4B-4E)，且可將盤(pán)401取出、倒空、再填充、和放置在等離子體腔室中。替代地，所述盤(pán)可部分或完全地用作等離子體擴(kuò)散器的框架，在兩次加工之間可將等離子體擴(kuò)散器404和盤(pán)401一起從等離子體腔室中取出。接著，將經(jīng)處理的基底穿過(guò)不具有擴(kuò)散器材料的一側(cè)或多側(cè)(例如圖4A的前側(cè))或者通過(guò)借助拉鏈、鈕扣、維可牢或膠帶打開(kāi)所述擴(kuò)散器從所述盤(pán)中取出。圖5A顯示豎直的電極布置的等離子體擴(kuò)散器。該等離子體擴(kuò)散器可由圖3H中顯示的等離子體擴(kuò)散器所產(chǎn)生。待處理的一個(gè)基底或多個(gè)基底501放置在由RF電極502和M電極503所標(biāo)記的縫隙。等離子體擴(kuò)散器504構(gòu)造在基底501的周?chē)?，且包括位于基?01和RF電極502之間的左側(cè)505、位于基底501和M電極503之間的右側(cè)506(其因此相當(dāng)于圖3H的擴(kuò)散器)，且還包括后側(cè)507。后側(cè)507與電極502和503的平面垂直，且連接左側(cè)405和右側(cè)406。前側(cè)保持開(kāi)放，這容許一個(gè)基底或多個(gè)基底在縫隙中容易定位。等離子體擴(kuò)散器504的側(cè)505和506以一定距離放置在基底和電極之間，且側(cè)507以一定距離放置在基底501和等離子體腔室的后壁之間。在該實(shí)施方式中，框架可用來(lái)將擴(kuò)散器材料保持在原位，但是為了需要將等離子體擴(kuò)散器保持在原位，等離子體擴(kuò)散器504還可在沒(méi)有框架的情況下附著到等離子體腔室的頂側(cè)，因?yàn)樗鰯U(kuò)散器材料是懸掛著的。在另一實(shí)施方式中，等離子體擴(kuò)散器不具有后側(cè)但是具有前側(cè)。在由圖5B所描繪的又一實(shí)施方式中，等離子體擴(kuò)散器504再次構(gòu)造在基底501的周?chē)?，且等離子體擴(kuò)散器504和基底501兩者放置在RF電極502和M電極503之間。等離子體擴(kuò)散器504具有左側(cè)505、右側(cè)506、后側(cè)507和前側(cè)508。只有頂部和底部平面未填充有任何擴(kuò)散器材料。該實(shí)施方式可用來(lái)擴(kuò)散等離子體遠(yuǎn)離所述電極，同時(shí)使得前體分子容易地進(jìn)入到等離子體擴(kuò)散器和基底之間的區(qū)域中成為可能。等離子體擴(kuò)散器504的側(cè)505和506以一定距離放置在基底501和電極之間，側(cè)507以一定距離放置在基底501和等離子體腔室的后壁之間，且側(cè)508以一定距離放置在基底501和等離子體腔室的前壁之間。在該實(shí)施方式中，框架可用來(lái)將所述擴(kuò)散器材料保持在原位，但是這不是必須的，因?yàn)閿U(kuò)散器材料具有懸掛姿態(tài)(position)且保持自身的形狀和位置。圖5C顯示圖5B的等離子體擴(kuò)散器，其中現(xiàn)在頂側(cè)509和底側(cè)510也填充有等離子體擴(kuò)散器材料。等離子體擴(kuò)散器為膠粒狀，具有填充有等離子體擴(kuò)散器材料的6側(cè)(全部側(cè))。等離子體擴(kuò)散器504的側(cè)505和506以一定距離放置在基底和電極之間，側(cè)507以一定距離放置在基底和等離子體腔室的后壁之間，側(cè)508以一定距離放置在基底501和等離子體腔室的前壁之間，側(cè)509以一定距離放置在基底501和所述腔室的頂壁之間，且側(cè)510以一定距離放置在基底501和等離子體腔室的后壁之間。在該實(shí)施方式中，框架可用來(lái)將擴(kuò)散器材料保持在原位，但是其不是必須的，因?yàn)閿U(kuò)散器材料具有懸掛姿態(tài)且保持自身的形狀和位置。對(duì)于圖5B和5C的實(shí)施方式，可預(yù)想到使打開(kāi)所述擴(kuò)散器變?nèi)菀椎氖侄危缋?、鈕扣、維可牢或膠帶。對(duì)于圖5A-5C的實(shí)施方式，擴(kuò)散器借助在等離子體腔室內(nèi)具有固定位置的框架可在等離子體腔室中具有固定的位置。在兩批次之間，打開(kāi)擴(kuò)散器(僅圖5B和5C)，并可取出基底501，且將新的基底放置在等離子體擴(kuò)散器內(nèi)的等離子體腔室中。替代地，等離子體擴(kuò)散器504可以當(dāng)需要時(shí)可以從等離子體腔室取出的方式進(jìn)行設(shè)置。優(yōu)選地，對(duì)于由圖5A-5C示意性描繪的實(shí)施方式，放置在等離子體擴(kuò)散器內(nèi)的基底和等離子體擴(kuò)散器的擴(kuò)散器材料之間的距離為1mm-150mm，更優(yōu)選為2mm-100mm，例如5mm-75mm，更優(yōu)選地10mm-50mm，例如50、45、40、39、38、37、36、35、34、33、32、31、30、29、28、27、26、25、24、23、22、21、20、19、18、17、16、15、14、13、12、11或10mm。優(yōu)選地，等離子體擴(kuò)散器的與等離子體腔室的電極平行的側(cè)和電極之間的距離為5mm-250mm，更優(yōu)選為10mm-200mm，例如15mm-150mm，例如150、145、140、135、130、125、120、115、110、105、100、95、90、85、80、75、70、65、60、55、50、45、40、35、30、25、20或15mm。優(yōu)選地，等離子體擴(kuò)散器的與電極的表面垂直的側(cè)和等離子體腔室的與等離子體擴(kuò)散器的所述側(cè)平行的壁之間的距離可為5mm-250mm，更優(yōu)選為10mm-200mm，例如15mm-150mm，例如150、145、140、135、130、125、120、115、110、105、100、95、90、85、80、75、70、65、60、55、50、45、40、35、30、25、20或15mm。3D-等離子體擴(kuò)散器的另一種形狀為圓柱體形狀。擴(kuò)散器材料片是折疊的，使得通過(guò)將例如擴(kuò)散器材料片的左側(cè)和右側(cè)彼此連接獲得管狀。圖6A顯示圓柱狀等離子體擴(kuò)散器604如何可以水平布置用在盤(pán)601的周?chē)?。保持等離子體擴(kuò)散器材料604和盤(pán)601之間的一定距離。等離子體擴(kuò)散器604適合在水平設(shè)置的RF電極602和M電極603之間的空間中。等離子體擴(kuò)散器的左側(cè)和右側(cè)是開(kāi)放的以容許前體分子以受控的方式進(jìn)入擴(kuò)散器和設(shè)置在盤(pán)601中的一個(gè)基底或多個(gè)基底之間的空間。為了容許容易地打開(kāi)等離子體擴(kuò)散器，可預(yù)想到拉鏈、鈕扣、維可牢條或膠帶。等離子體擴(kuò)散器優(yōu)選安裝到框架上，且在等離子體腔室中具有固定位置，或在每次加工之后可與所述盤(pán)一起被取出。圖6B顯示圖6A的等離子體擴(kuò)散器，其中左側(cè)605和右側(cè)606現(xiàn)在也填充有擴(kuò)散器材料?；妆P(pán)601設(shè)置在等離子體擴(kuò)散器604的內(nèi)部體積中。等離子體擴(kuò)散器604設(shè)置在RF電極602和M電極603之間。為了容許容易地打開(kāi)等離子體擴(kuò)散器，可預(yù)想到拉鏈、鈕扣、維可牢條或膠帶。等離子體擴(kuò)散器優(yōu)選安裝到框架上且在等離子體腔室中可具有固定位置，或在每次加工之后可與所述盤(pán)一起被取出。盡管對(duì)于水平布置的等離子體腔室(水平設(shè)置的電極)可使用圓柱體形狀，但是對(duì)于水平方位優(yōu)選使用膠態(tài)等離子體擴(kuò)散器。圓柱狀等離子體擴(kuò)散器非常適于用在豎直布置的電極中，因?yàn)榭蓪U(kuò)散器材料片容易地包繞在懸掛于等離子體腔室中的基底的周?chē)?。圖6C顯示圓柱狀等離子體擴(kuò)散器614的示意性代表，其包繞在一個(gè)或多個(gè)基底611的周?chē)以O(shè)置在由豎直設(shè)置的RF電極612和M電極613標(biāo)記的縫隙內(nèi)。等離子體擴(kuò)散器614的頂側(cè)和底側(cè)是開(kāi)放的以容許前體分子以受控的方式進(jìn)入擴(kuò)散器和一個(gè)基底或多個(gè)基底之間的空間。為了容許容易地打開(kāi)等離子體擴(kuò)散器，可預(yù)想到拉鏈、鈕扣、維可牢條或膠帶。等離子體擴(kuò)散器可安裝到框架上，但是其也可在沒(méi)有框架的情況下使用，而將其附著到等離子體腔室的頂側(cè)。等離子體擴(kuò)散器614可在等離子體腔室中具有固定位置，或者在每次加工之后可與基底一起被取出。圖6D顯示圓柱狀等離子體擴(kuò)散器614的示意性代表，其包繞在一個(gè)或多個(gè)基底611的周?chē)以O(shè)置在由豎直設(shè)置的RF電極612和M電極613區(qū)分的縫隙。等離子體擴(kuò)散器614的頂側(cè)615和底側(cè)616也填充有擴(kuò)散器材料。為了容許容易地打開(kāi)等離子體擴(kuò)散器，可預(yù)想到拉鏈、鈕扣、維可牢條或膠帶。等離子體擴(kuò)散器可安裝到框架上，但是也可在沒(méi)有框架的情況下使用，而將其附著到等離子體腔室的頂側(cè)。等離子體擴(kuò)散器614在等離子體腔室中可具有固定位置，或者在每次加工之后可隨所述基底一起被取出。優(yōu)選地，對(duì)于通過(guò)圖6A-6D示意性描繪的實(shí)施方式，放置在等離子體擴(kuò)散器內(nèi)的基底和等離子體擴(kuò)散器的擴(kuò)散器材料之間的距離因等離子體擴(kuò)散器材料的彎曲形狀而在任何位置處均不相同，且其為1mm-150mm，更優(yōu)選為2mm-100mm，例如5mm-75mm，更優(yōu)選地10mm-50mm，例如50、45、40、39、38、37、36、35、34、33、32、31、30、29、28、27、26、25、24、23、22、21、20、19、18、17、16、15、14、13、12、11或10mm。優(yōu)選地，等離子體擴(kuò)散器的側(cè)和電極和/或等離子體腔室的壁之間的距離為5mm-250mm，更優(yōu)選為10mm-200mm，例如15mm-150mm，例如150、145、140、135、130、125、120、115、110、105、100、95、90、85、80、75、70、65、60、55、50、45、40、35、30、25、20或15mm。由于等離子體擴(kuò)散器材料在任何位置處不具有平的形狀，所述距離在不同位置之間可變化。具有不同于膠態(tài)和圓柱狀的形狀的3D-等離子體擴(kuò)散器當(dāng)被認(rèn)為更好時(shí)也可使用。圖7A、7B、8、9A和9B給出了一些示意性代表，但是顯然還可聯(lián)想到其它關(guān)于這些形狀的變型。圖7A顯示具有表示半球的形狀的等離子體擴(kuò)散器704。該等離子體擴(kuò)散器優(yōu)選地用于水平布置，正如該示意性代表中所顯示的。等離子體擴(kuò)散器704放置在安裝在RF電極702和M電極703之間的盤(pán)701的頂部。優(yōu)選地使用框架將等離子體擴(kuò)散器保持在原位。所述盤(pán)701的底側(cè)也可覆蓋有擴(kuò)散器材料，但是在一些情況下不建議這樣做。盤(pán)701的底部是否被覆蓋取決于所述布置、待處理的所述基底等。圖7B顯示圍繞盤(pán)701的具有球形的等離子體擴(kuò)散器704。該等離子體擴(kuò)散器優(yōu)選地用于水平布置，正如在該示意圖中所顯示的。盤(pán)701放置等離子體擴(kuò)散器704內(nèi)，該等離子體擴(kuò)散器704進(jìn)而放置在RF電極702和M電極703之間。優(yōu)選使用框架將等離子體擴(kuò)散器保持在原位。參考圖7A和7B，為了容許容易地打開(kāi)等離子體擴(kuò)散器，可預(yù)想到拉鏈、鈕扣、維可牢條或膠帶。優(yōu)選地，在每次加工之后將等離子體擴(kuò)散器704隨盤(pán)701一起從等離子體腔室中取出，且然后打開(kāi)等離子體擴(kuò)散器704以將經(jīng)處理的基底從盤(pán)701移除。然后，將盤(pán)701再次裝滿待處理的基底，關(guān)閉等離子體擴(kuò)散器704并將其與盤(pán)701一起放回到等離子體腔室中。優(yōu)選地，放置在等離子體擴(kuò)散器內(nèi)的基底和等離子體擴(kuò)散器材料之間的距離由于等離子體擴(kuò)散器的彎曲形狀而不是恒定值，且其為1mm-150mm，更優(yōu)選為2mm-100mm，例如5mm-75mm，更優(yōu)選為10mm-50mm，例如50、45、40、39、38、37、36、35、34、33、32、31、30、29、28、27、26、25、24、23、22、21、20、19、18、17、16、15、14、13、12、11或10mm。優(yōu)選地，等離子體擴(kuò)散器材料和電極和/或等離子體腔室的壁之間的距離由于等離子體擴(kuò)散器的彎曲形狀而不是恒定的，且其為5mm-250mm，更優(yōu)選為10mm-200mm，例如15mm-150mm，例如150、145、140、135、130、125、120、115、110、105、100、95、90、85、80、75、70、65、60、55、50、45、40、35、30、25、20或15mm。圖8顯示具有描繪晶坡面(dome)的形狀的等離子體擴(kuò)散器804。該等離子體擴(kuò)散器優(yōu)選用于水平布置，正如在該示意圖中所顯示的。等離子體擴(kuò)散器804放置在安裝在RF電極802和M電極803之間的盤(pán)801的頂部上。優(yōu)選地，使用框架805將等離子體擴(kuò)散器原位保持。所述盤(pán)801的底側(cè)也可覆蓋有擴(kuò)散器材料，但是在一些情況下不建議這樣做。盤(pán)801的底部是否被覆蓋取決于布置、待處理的基底等。優(yōu)選地，放置在等離子體擴(kuò)散器內(nèi)的基底和等離子體擴(kuò)散器材料之間的距離由于等離子體擴(kuò)散器的彎曲形狀而不是恒定值，且其為1mm-150mm，更優(yōu)選為2mm-100mm，例如5mm-75mm，更優(yōu)選地10mm-50mm，例如50、45、40、39、38、37、36、35、34、33、32、31、30、29、28、27、26、25、24、23、22、21、20、19、18、17、16、15、14、13、12、11或10mm。優(yōu)選地，等離子體擴(kuò)散器材料和電極和/或等離子體腔室的壁之間的距離由于等離子體擴(kuò)散器的彎曲形狀而不是恒定的，且其為5mm-250mm，更優(yōu)選為10mm-200mm，例如15mm-150mm，例如150、145、140、135、130、125、120、115、110、105、100、95、90、85、80、75、70、65、60、55、50、45、40、35、30、25、20或15mm。圖9A和9B顯示具有描繪隧道的形狀的等離子體擴(kuò)散器904。曲率半徑可取決于待處理的基底的尺寸而變化。該等離子體擴(kuò)散器優(yōu)選地用于水平布置，正如在該示意圖中所顯示的。等離子體擴(kuò)散器904放置在安裝在RF電極902和M電極903之間的盤(pán)901的頂部上。優(yōu)選使用框架905將等離子體擴(kuò)散器原位保持。盤(pán)901的底側(cè)也可覆蓋有擴(kuò)散器材料，但是在一些情況下不建議這樣做。盤(pán)901的底部是否被覆蓋取決于布置、待處理的基底等。優(yōu)選地，放置在等離子體擴(kuò)散器內(nèi)的基底和等離子體擴(kuò)散器材料之間的距離由于等離子體擴(kuò)散器的彎曲形狀而不是恒定值，且其為1mm-150mm，更優(yōu)選為2mm-100mm，例如5mm-75mm，更優(yōu)選為10mm-50mm，例如50、45、40、39、38、37、36、35、34、33、32、31、30、29、28、27、26、25、24、23、22、21、20、19、18、17、16、15、14、13、12、11或10mm。優(yōu)選地，等離子體擴(kuò)散器材料和電極和/或等離子體腔室的壁之間的距離由于等離子體擴(kuò)散器的彎曲形狀而不是恒定的，且其為5mm-250mm，更優(yōu)選為10mm-200mm，例如15mm-150mm，例如150、145、140、135、130、125、120、115、110、105、100、95、90、85、80、75、70、65、60、55、50、45、40、35、30、25、20或15mm。本發(fā)明的優(yōu)勢(shì)在于：減少、甚至消除在著深色表面-例如深綠色、深藍(lán)色、深灰色和黑色物體-上或者在具有高表面光澤或低表面粗糙度的基底(例如柔和觸感的表面或拋光表面)上典型可見(jiàn)的不希望的變色效應(yīng)；根據(jù)待處理的基底的尺寸或按照所需的變色減少，通過(guò)改變等離子體擴(kuò)散器材料、等離子體擴(kuò)散器的形狀、填充有擴(kuò)散器材料的側(cè)的數(shù)量或借助使用多層擴(kuò)散器材料或借助將擴(kuò)散器材料從側(cè)面部分地除去的擴(kuò)散度(選擇性等離子體擴(kuò)散)多用途地布置等離子體擴(kuò)散器；對(duì)水接觸角、噴霧試驗(yàn)、油等級(jí)(油面，oillevel)沒(méi)有影響；對(duì)洗滌性沒(méi)有影響；不需要修改機(jī)械設(shè)計(jì)；在現(xiàn)有的等離子體腔室中容易實(shí)施；通過(guò)使用在等離子體腔室內(nèi)的固定位置或可移動(dòng)的位置和通過(guò)使用容許容易地打開(kāi)等離子體擴(kuò)散器的固定手段而容易地操縱?，F(xiàn)在將闡述本發(fā)明且借助以下的實(shí)施例對(duì)其進(jìn)一步進(jìn)行描述。這些實(shí)施例在這里給出只用于參考，且對(duì)本發(fā)明的以上提及的各方面不施加限制。實(shí)施例實(shí)施例1實(shí)施例1闡明了所述等離子體擴(kuò)散器由其制成的材料的開(kāi)口度(openness)的影響。已經(jīng)使用如下三種不同的擴(kuò)散器材料：非編織物、編織物和箔。全部三種材料以如圖4E所描繪的同一水平布置、而且在與其中設(shè)置單體入口的腔室的壁平行的左側(cè)和右側(cè)開(kāi)放的情況下使用。非編織物以單層和雙層布置使用。根據(jù)如下表1，使用每個(gè)等離子體擴(kuò)散器在490l的大的等離子體腔室中進(jìn)行相同的等離子體聚合過(guò)程：參數(shù)值單體丙烯酸1H,1H,2H,2H-十七氟癸基酯時(shí)間10分鐘電極初級(jí)的(primary)–RF/M流量40sccm基礎(chǔ)壓力20毫托工作壓力40毫托功率50W功率模式連續(xù)波頻率13.56MHz表1：根據(jù)實(shí)施例1的工藝參數(shù)數(shù)據(jù)和結(jié)果呈現(xiàn)在表2中：表2：使用四種不同的等離子體擴(kuò)散器材料進(jìn)行的綜合試驗(yàn)根據(jù)表2顯然的是，所述織物開(kāi)口(單層非編織物->雙層非編織物->編織物->箔)越少，變色減少越好，同時(shí)涂層厚度未因從一種擴(kuò)散器材料至另一種擴(kuò)散器材料而受到不利的影響。然而，對(duì)于全部四種等離子體擴(kuò)散器，使用等離子體擴(kuò)散器的工藝的涂層厚度小于不使用等離子體擴(kuò)散器的工藝的涂層厚度。使用雙層和單層的非編織物的試驗(yàn)清楚地顯示，使用雙層獲得了更好的變色減少。實(shí)施例2實(shí)施例2顯示與其中安裝單體入口的壁平行的兩側(cè)的開(kāi)口度的影響。已經(jīng)使用了實(shí)施例1的單層非編織物等離子體擴(kuò)散器，具有100％開(kāi)放的左側(cè)和右側(cè)，且現(xiàn)在也具有僅25％開(kāi)放的側(cè)。根據(jù)表1的參數(shù)進(jìn)行加工。結(jié)果可見(jiàn)于表3中。表3：使用四種不同的等離子體擴(kuò)散器材料完成的試驗(yàn)綜述根據(jù)表3顯然的是，較不開(kāi)放的側(cè)對(duì)變色減少具有正面影響，且油等級(jí)未受影響。然而，使用該等離子體擴(kuò)散器沉積的涂層薄得多，這可對(duì)不存在變色進(jìn)行了解釋。在其中所要滿足的標(biāo)準(zhǔn)為一定的油排斥性水平的情況中，可考慮這種較閉合的等離子體擴(kuò)散器。但是，在其中要求最小涂層厚度和變色減少的組合的情形中，更好的是使用具有100％開(kāi)放的兩側(cè)的較少開(kāi)口的擴(kuò)散器材料-參見(jiàn)實(shí)施例1。實(shí)施例3實(shí)施例3闡明通過(guò)使用等離子體擴(kuò)散器所述樣品的洗滌性能未受影響的事實(shí)。由100％再生的PES制成的編織的紡織品樣品豎直懸掛在等離子體擴(kuò)散器中。與其中設(shè)置單體入口的壁平行的頂側(cè)和底側(cè)是100％開(kāi)放的。在不存在和存在等離子體擴(kuò)散器的情況下已涂覆的紡織品樣品上實(shí)施5分鐘預(yù)處理和10分鐘涂覆的工藝。用于實(shí)施所述涂覆工藝的工藝參數(shù)在表4中給出。參數(shù)預(yù)處理的值涂覆步驟的值單體/氣體氬氣丙烯酸1H,1H,2H,2H-十三氟辛基酯時(shí)間5分鐘10分鐘電極初級(jí)的–RF/M初級(jí)的–RF/M流量1000sccm40sccm基礎(chǔ)電壓50毫托15毫托工作電壓200毫托20毫托功率600W100W功率模式連續(xù)波連續(xù)波頻率13.56MHz13.56MHz表4：根據(jù)實(shí)施例3的工藝參數(shù)經(jīng)涂覆的紡織品已經(jīng)根據(jù)ISO15797(2002)進(jìn)行了工業(yè)洗滌。一個(gè)完整的洗滌循環(huán)包括以下步驟：1.在75℃下且在沒(méi)有光學(xué)增白劑的情況下每千克干燥的紡織品材料使用20g的IPSOHF234進(jìn)行洗滌；2.在干燥箱中進(jìn)行干燥；在一個(gè)洗滌循環(huán)之后，根據(jù)ISO9073-第17部分和ISO4920進(jìn)行噴霧試驗(yàn)。接著，完成另外四個(gè)洗滌循環(huán)且重復(fù)油排斥性試驗(yàn)和噴霧試驗(yàn)(5次洗滌之后測(cè)量的值)。根據(jù)表5顯然的是，在來(lái)自在等離子體擴(kuò)散器內(nèi)處理的樣品和未使用等離子體擴(kuò)散器涂覆的樣品的噴霧結(jié)果中沒(méi)有注意到差異。表5：洗滌結(jié)果實(shí)施例4根據(jù)圖4F的選擇性等離子體擴(kuò)散器已經(jīng)被用在具有5個(gè)盤(pán)的490升的腔室中。擴(kuò)散器材料(在該實(shí)施例中為特氟綸)放置在全部五個(gè)盤(pán)的全部四個(gè)角落中，超過(guò)20cm的長(zhǎng)度。第二擴(kuò)散器通過(guò)將擴(kuò)散器材料(同樣為特氟綸)(超過(guò)10cm的長(zhǎng)度)放置在全部五個(gè)盤(pán)的所有四個(gè)角落中而形成。工藝參數(shù)呈現(xiàn)在表6中。還在沒(méi)有等離子體擴(kuò)散器的情況下進(jìn)行相同的工藝。該試驗(yàn)的目的是檢驗(yàn)是否能夠減少在印刷電路板(PCB)上的變色，以及是否能夠改善涂層厚度的均一性。結(jié)果呈現(xiàn)在表7中。參數(shù)值單體丙烯酸1H,1H,2H,2H-十七氟癸基酯時(shí)間45分鐘電極RF/M流量40sccm基礎(chǔ)電壓15毫托工作電壓20毫托功率40W功率模式連續(xù)波頻率13.56MHz表6：根據(jù)實(shí)施例4的工藝參數(shù)根據(jù)表7顯然的是，對(duì)于除第五個(gè)盤(pán)(位置最低的盤(pán))之外的全部盤(pán)，等離子體擴(kuò)散器使StDev(％)高度降低，從而導(dǎo)致均一性更好的厚度。應(yīng)指出的是，對(duì)于全部盤(pán)，使用等離子體擴(kuò)散器的涂層厚度較小，如由實(shí)施例1和2顯然得到的。表7：不同布置的厚度和標(biāo)準(zhǔn)偏差(％)當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3 當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3