本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種彩膜基板的制造方法、彩膜基板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

顯示面板通常包括彩膜基板、陣列基板和形成于這兩個基板之間的液晶層。其中，彩膜基板通常包括多個像素區(qū)域，而每個像素區(qū)域又包括多個子像素區(qū)域，每個子像素區(qū)域中形成有一個色阻層。

相關(guān)技術(shù)中有一種彩膜基板的制造方法，在該方法中，1)在襯底基板上形成黑矩陣圖案，該黑矩陣圖案將襯底基板分隔為陣列排布的像素區(qū)域，每個像素區(qū)域又被分隔為3個子像素區(qū)域(也可以有更多個子像素區(qū)域)，每個子像素區(qū)域可以設(shè)置有開口；2)通過構(gòu)圖工藝在每個像素區(qū)域中的紅色子像素區(qū)域形成紅色色阻；3)通過構(gòu)圖工藝在每個像素區(qū)域中的藍(lán)色子像素區(qū)域形成藍(lán)色色阻；4)通過構(gòu)圖工藝在每個像素區(qū)域中的綠色子像素區(qū)域形成綠色色阻。其中，構(gòu)圖工藝通常包括：1)涂覆色阻層；2)對色阻層進(jìn)行真空干燥以減少色阻層中的溶劑；3)加熱色阻層以對色阻層進(jìn)行活化；4)待色阻層冷卻后通過曝光顯影使色阻層上形成包括多個色阻的色阻圖案；5)對色阻圖案進(jìn)行固化。

在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：在形成紅色色阻圖案后，襯底基板上形成有紅色色阻圖案的區(qū)域和未形成紅色色阻圖案的區(qū)域的段差較高，繼續(xù)形成其它色阻圖案時，如圖1-1所示，由于色阻層材料具有一定的粘度，在涂覆色阻層11后，未形成紅色色阻圖案12的區(qū)域會產(chǎn)生嚴(yán)重的凹陷d，又如圖1-2所示，這會導(dǎo)致由該色阻層形成的色阻圖案111(可以是藍(lán)色色阻)存在較大的斜面，影響該色阻圖案的顯示效果。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中形成的色阻圖案存在較大的斜面，影響了該色阻的顯示效果的問題，本發(fā)明實施例提供了一種彩膜基板的制造方法、彩膜基板和顯示裝置。所述技術(shù)方案如下：

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種彩膜基板的制造方法，用于制造包括至少兩個色阻圖案的彩膜基板，所述方法包括：

在形成有遮光圖案和第一色阻圖案的襯底基板上形成第二色阻層，所述遮光圖案包括多個像素區(qū)域，每個所述像素區(qū)域包括多個子像素區(qū)域，所述第一色阻圖案包括形成于每個像素區(qū)域的第一子像素區(qū)域中的第一色阻；

對所述第二色阻層同時進(jìn)行加壓加熱處理，以對所述第二色阻層進(jìn)行活化并降低所述第二色阻層的粘度以及溶劑含量；

在所述第二色阻層冷卻后，在所述第二色阻層上形成第二色阻圖案，所述第二色阻圖案包括形成于每個像素區(qū)域的第二子像素區(qū)域中的第二色阻。

可選地，所述在所述第二色阻層冷卻后，在所述第二色阻層上形成第二色阻圖案之前，所述方法還包括：

通過冷板對所述第二色阻層進(jìn)行冷卻。

可選地，所述在所述第二色阻層上形成第二色阻圖案之后，所述方法還包括：

對所述第二色阻圖案進(jìn)行固化處理。

可選地，所述第二色阻層的溶劑包括丙二醇甲醚醋酸酯。

可選地，所述在所述第二色阻層上形成第二色阻圖案，包括：

對所述第二色阻層進(jìn)行曝光和顯影，以在所述第二色阻層上形成所述第二色阻圖案。

可選地，所述對所述第二色阻層同時進(jìn)行加壓加熱處理，包括：

在大于大氣壓的環(huán)境下以80至120度的溫度加熱所述第二色阻層。

可選地，所述遮光圖案為黑矩陣圖案。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種彩膜基板，所述彩膜基板包括至少兩個色阻圖案，所述彩膜基板還包括襯底基板和設(shè)置在所述襯底基板上的遮光圖案、第一色阻圖案和第二色阻圖案，所述第二色阻圖案是在所述遮光圖案和所述第一色阻圖案設(shè)置在所述襯底基板之后，在所述襯底基板上設(shè)置第二色阻層，并對所述第二色阻層同時進(jìn)行加壓加熱處理，之后在所述第二色阻層冷卻后，在所述第二色阻層上設(shè)置的；

所述第一色阻圖案包括設(shè)置于每個像素區(qū)域的第一子像素區(qū)域中的第一色阻，所述第二色阻圖案包括設(shè)置于每個像素區(qū)域的第二子像素區(qū)域中的第二色阻。

可選地，所述第二色阻層的溶劑包括丙二醇甲醚醋酸酯。

本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：

通過對第二色阻層同時進(jìn)行加壓加熱處理，既降低了第二色阻層的粘度使第二色阻層上不會出現(xiàn)較大的凹陷，還對第二色阻層進(jìn)行了活化，并減少了第二色阻層中的溶劑，解決了相關(guān)技術(shù)中形成的色阻圖案存在較大的斜面的問題。達(dá)到了色阻圖案不會存在較大斜面，色阻圖案的顯示效果較好的效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1-1是相關(guān)技術(shù)中的一種彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1-2是相關(guān)技術(shù)中的另一種彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例示出的一種彩膜基板的制造方法的流程圖；

圖3-1是本發(fā)明實施例提供的另一種彩膜基板的制造方法的流程圖；

圖3-2是圖3-1所示實施例中一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-3是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-4是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-5是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-6是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-7是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-8是圖3-1所示實施例中一種彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

通過上述附圖，已示出本發(fā)明明確的實施例，后文中將有更詳細(xì)的描述。這些附圖和文字描述并不是為了通過任何方式限制本發(fā)明構(gòu)思的范圍，而是通過參考特定實施例為本領(lǐng)域技術(shù)人員說明本發(fā)明的概念。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

圖2是本發(fā)明實施例示出的一種彩膜基板的制造方法的流程圖。該彩膜基板的制造方法用于制造包括至少兩個色阻圖案的彩膜基板，該彩膜基板的制造方法可以包括如下幾個步驟：

步驟201、在形成有遮光圖案和第一色阻圖案的襯底基板上形成第二色阻層，遮光圖案包括多個像素區(qū)域，每個像素區(qū)域包括多個子像素區(qū)域，第一色阻圖案包括形成于每個像素區(qū)域的第一子像素區(qū)域中的第一色阻。

步驟202、對第二色阻層同時進(jìn)行加壓加熱處理，以對第二色阻層進(jìn)行活化并降低第二色阻層的粘度以及溶劑含量。

步驟203、在第二色阻層冷卻后，在第二色阻層上形成第二色阻圖案，第二色阻圖案包括形成于每個像素區(qū)域的第二子像素區(qū)域中的第二色阻。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的彩膜基板的制造方法，通過對第二色阻層同時進(jìn)行加壓加熱處理，既降低了第二色阻層的粘度使第二色阻層上不會出現(xiàn)較大的凹陷，還對第二色阻層進(jìn)行了活化，并減少了第二色阻層中的溶劑，解決了相關(guān)技術(shù)中形成的色阻圖案存在較大的斜面的問題。達(dá)到了色阻圖案不會存在較大斜面，色阻圖案的顯示效果較好的效果。

圖3-1是本發(fā)明實施例提供的另一種彩膜基板的制造方法的流程圖。該彩膜基板的制造方法用于制造包括至少兩個色阻圖案的彩膜基板，該彩膜基板的制造方法可以包括如下幾個步驟：

步驟301、在襯底基板上形成遮光圖案。

在使用本發(fā)明實施例提供的彩膜基板的制造方法時，首先可以在襯底基板上形成遮光圖案，該遮光圖案可以通過構(gòu)圖工藝形成。

可選的，遮光圖案為黑矩陣(英文：Black Matrix；簡稱：BM)圖案，黑矩陣圖案可以包括由多個橫縱交錯的隔擋形成的多個開口，襯底基板上，每個像素區(qū)域包括多個開口，每個子像素區(qū)域可以包括一個開口，每個子像素區(qū)域中的開口用于形成每個子像素區(qū)域中的色阻。示例性的，每個像素區(qū)域中包括三個子像素區(qū)域，這三個子像素區(qū)域可以為紅色子像素區(qū)域、藍(lán)色子像素區(qū)域和綠色子像素區(qū)域，其中，紅色子像素區(qū)域中的開口用于形成紅色色阻，藍(lán)色子像素區(qū)域用于形成藍(lán)色色阻，綠色子像素區(qū)域中的開口用于形成綠色色阻。

形成了遮光圖案的襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖3-2所示，遮光圖案22形成于襯底基板21上，遮光圖案上包含有多個開口k。又如圖3-3所示，其為圖3-2所示襯底基板的俯視圖，其中，遮光圖案22形成于襯底基板21上，遮光圖案上包含有多個開口k，區(qū)域a1可以為一個像素區(qū)域，而區(qū)域a1中的每個開口k所在的區(qū)域可以為一個子像素區(qū)域。襯底基板21可以為透明基板，具體的可以為玻璃基板。

步驟302、在形成有遮光圖案的襯底基板上形成第一色阻圖案。

在襯底基板上形成遮光圖案之后，可以繼續(xù)在形成有遮光圖案的襯底基板上形成第一色阻圖案，第一色阻圖案包括形成于每個像素區(qū)域的第一子像素區(qū)域中的第一色阻。

第一色阻圖案可以采用相關(guān)技術(shù)中的方式形成，具體可以參考相關(guān)技術(shù)，在此不再贅述。此外，第一色阻圖案的形成方式也可以參考步驟303至步驟307。

形成了第一色阻圖案的襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖3-4所示，其中，第一色阻圖案23形成于每個像素區(qū)域中的第一子像素區(qū)域(圖3-4中未標(biāo)出)中。圖3-4中其他標(biāo)記的含義可以參考圖3-2，在此不再贅述。

步驟303、在形成有第一色阻圖案的襯底基板上形成第二色阻層。

在形成第一色阻圖案之后，可以在形成有第一色阻圖案的襯底基板上形成第二色阻層。具體的，可以通過涂覆的方式在形成有第一色阻圖案的襯底基板上形成第二色阻層。第二色阻層的溶劑主要可以包括丙二醇甲醚醋酸酯(簡稱：PGMEA)。

形成了第二色阻層的襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖3-5所示，其中，第二色阻層24形成于形成有第一色阻圖案23和遮光圖案22的襯底基板21上，且由于形成有第一色阻圖案23的區(qū)域和未形成有第一色阻圖案23的區(qū)域的段差較高，因而在第二色阻層24上，未形成有第一色阻圖案23的區(qū)域形成有凹陷d。

步驟304、對第二色阻層同時進(jìn)行加壓加熱處理，以對第二色阻層進(jìn)行活化并降低第二色阻層的粘度以及溶劑含量。

在形成了第二色阻層之后，可以對第二色阻層同時進(jìn)行加壓加熱處理，以對第二色阻層進(jìn)行活化并降低第二色阻層的粘度以及溶劑含量。

具體的，可以在大于大氣壓的環(huán)境下以80至120度的溫度加熱第二色阻層。

需要說明的是，根據(jù)粘度公式η＝Aexp(ΔE_η/RT)，其中η為粘度，R為阿伏伽德羅常數(shù)，A為液體特性常數(shù)，ΔE_η為流動活化能，流動活化能是和材料成分相關(guān)的常數(shù)，T為溫度，由此可知粘度與溫度成負(fù)相關(guān)，同時，由于PGMEA的流動活化能較大，因而在第二色阻層的溶劑大部分為PGMEA時，第二色阻層的粘度隨溫度的變化較為顯著。

本步驟在剛開始對第二色阻層進(jìn)行加壓加熱處理時，會由于溫度的升高，第二色阻層的粘度降低，襯底基板上的第二色阻層會發(fā)生流動，使得第二色阻層趨于平整，同時由于是在加壓的環(huán)境下對第二色阻層進(jìn)行的加熱，提高了第二色阻層的沸點(具體可以根據(jù)色阻層的溶劑的沸點與壓力的關(guān)系來控制壓力，使得色阻層的溫度低于沸點)，避免了第二色阻層產(chǎn)生突沸對第二色阻層產(chǎn)生破壞。之后，繼續(xù)對第二色阻層進(jìn)行加壓加熱處理時，第二色阻層中的溶劑會由于溫度較高而蒸發(fā)掉，這樣就減少了第二色阻層中的溶劑，對第二色阻層進(jìn)行了預(yù)固化。同時，對第二色阻層進(jìn)行加熱處理的過程中，也對第二色阻層進(jìn)行了活化。

需要說明的是，相關(guān)技術(shù)中，在涂覆完色阻層之后，由于色阻層中的溶劑過多，無法直接進(jìn)行加熱活化(色阻層中的溶劑較多時進(jìn)行加熱會產(chǎn)生突沸，對色阻層造成破壞)，需要先通過真空干燥(英文：Vacuum drying)技術(shù)來降低色阻層中的溶劑以對色阻層進(jìn)行預(yù)固化，然后再對色阻層進(jìn)行加熱以活化色阻層，而此時色阻層中的溶劑太少，即使加熱色阻層也難以降低色阻層的粘度。而本發(fā)明通過同時對色阻層進(jìn)行加壓加熱處理，就完成了對色阻層的活化和減少溶劑的同時，使色阻層變的平整。即本發(fā)明實施例提供的彩膜基板的制造方法，簡化了彩膜基板的制作流程，減少了設(shè)備投資，縮短了產(chǎn)線長度，并使得彩膜基板中的色阻更加平整。

本步驟結(jié)束后，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖3-6所示，第二色阻層24的粘度降低后，在重力的作用下會趨于平整，第一色阻圖案23和遮光圖案22形成在襯底基板21上。

步驟305、通過冷板對第二色阻層進(jìn)行冷卻。

在對第二色阻層同時進(jìn)行加壓加熱處理后，可以通過冷板(英文：cool plate；簡稱：CP)對所述第二色阻層進(jìn)行冷卻，冷板是用于對形成有第二色阻層的襯底基板進(jìn)行冷卻的板?？蛇x的，可以通過精確冷板(英文：precise cool plate；簡稱：CPC)來對第二色阻層進(jìn)行冷卻，CPC是溫度控制更為精確的冷板。本步驟可以參考相關(guān)技術(shù)，在此不再贅述。

步驟306、在第二色阻層冷卻后，對第二色阻層進(jìn)行曝光和顯影，以在第二色阻層上形成第二色阻圖案。

在通過冷板對第二色阻層進(jìn)行冷卻之后，可以對第二色阻層進(jìn)行曝光(英文：exposure)和顯影(英文：development)，以在第二色阻層上形成第二色阻圖案，本步驟可以參考相關(guān)技術(shù)，在此不再贅述。第二色阻層可以包括形成于每個像素區(qū)域的第二子像素區(qū)域中的第二色阻。

本步驟結(jié)束后襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖3-7所示，其中，第二色阻圖案241形成于每個像素區(qū)域的第二子像素區(qū)域(圖3-7中未標(biāo)出)中。圖3-7中其他標(biāo)記的含義可以參考圖3-2，在此不再贅述。

步驟307、對第二色阻圖案進(jìn)行固化處理。

在形成了第二色阻圖案之后，可以對第二色阻圖案進(jìn)行固化處理。該固化處理可以參考相關(guān)技術(shù)，在此不再贅述?？梢酝ㄟ^烘烤的方式來對第二色阻圖案進(jìn)行固化，固化后的第二色阻圖案中的溶劑會進(jìn)一步減少。

本步驟結(jié)束后襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖3-8所示，其中，第二色阻圖案241中每個色阻都較為平坦，沒有較大的斜面，這樣，每個像素區(qū)域內(nèi)都不會存在較大的段差，彩膜基板會具有良好的顯示效果。圖3-8中其他標(biāo)記的含義可以參考圖3-2，在此不再贅述。

至本步驟結(jié)束，已經(jīng)完成了第二色阻圖案的制作，之后可以繼續(xù)進(jìn)行其他色阻圖案的制作，其他色阻圖案的制作可以參考本發(fā)明實施例的步驟303至步驟307，在此不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的彩膜基板的制造方法，通過對第二色阻層同時進(jìn)行加壓加熱處理，既降低了第二色阻層的粘度使第二色阻層上不會出現(xiàn)較大的凹陷，還對第二色阻層進(jìn)行了活化，并減少了第二色阻層中的溶劑，解決了相關(guān)技術(shù)中形成的色阻圖案存在較大的斜面的問題。達(dá)到了色阻圖案不會存在較大斜面，色阻圖案的顯示效果較好的效果。

此外，本發(fā)明實施例還提供一種彩膜基板，該彩膜基板的結(jié)構(gòu)可以如圖3-8所示，該彩膜基板包括至少兩個色阻圖案，彩膜基板還包括襯底基板21和設(shè)置在襯底基板21上的遮光圖案22、第一色阻圖案23和第二色阻圖案241，第二色阻圖案241是在遮光圖案22和第一色阻圖案23設(shè)置在襯底基板21之后，在襯底基板21上設(shè)置第二色阻層，并對第二色阻層同時進(jìn)行加壓加熱處理，之后在第二色阻層冷卻后，在第二色阻層上設(shè)置的；第一色阻圖案23包括設(shè)置于每個像素區(qū)域的第一子像素區(qū)域中的第一色阻，第二色阻圖案23包括設(shè)置于每個像素區(qū)域的第二子像素區(qū)域中的第二色阻。

可選地，第二色阻層的溶劑包括丙二醇甲醚醋酸酯。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。