本發(fā)明關于一種像素結構，尤指一種具有沿像素電極的狹縫方向設置的信號線的像素結構。

背景技術：

近年來，隨著使用者對顯示器的需求日漸提升而發(fā)展出大尺寸曲面電視，其通過固定曲率以提供觀看者更佳的觀看視角，其中觀看者能以較小的視角觀看畫面全景，并且可進一步通過影像處理以提供具有較佳景深的視覺效果。

然而，一般的曲面顯示器具有相同大小的上基板與下基板，且上基板與下基板之間具有一定的厚度，因此上基板與下基板無法以相同曲率進行彎曲，造成曲面顯示器內用以遮光的黑色矩陣(Black Matrix)發(fā)生錯位并造成漏光，進而造成畫面的亮度不均。一般而言，曲面顯示器的數(shù)據(jù)線的延伸方向大體上與曲面顯示器彎曲的方向垂直，因此平行于數(shù)據(jù)線延伸方向的部分黑色矩陣發(fā)生錯位的情形較為嚴重，故已發(fā)展出將該部分的黑色矩陣移除的設計，而在陣列基板上以金屬遮蔽層取代該部分的黑色矩陣，并將數(shù)據(jù)線移入開口區(qū)，避免數(shù)據(jù)線與金屬遮蔽層重疊，同時藉由像素電極將數(shù)據(jù)線的電壓信號屏蔽住。然而，在一般的顯示器中的像素電極具有狹縫(Slit)，其中數(shù)據(jù)線的延伸方向通常與狹縫的方向交錯且不平行，因此電場會從狹縫竄出而影響周圍液晶的導向，進而衍伸出串音(crosstalk)問題。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的之一在于提供一種具有沿像素電極的狹縫方向設置的信號線的像素結構。

本發(fā)明的一實施例提供一種像素結構，設置于基板上，其中像素結構包括掃描線、信號線以及第一像素。掃描線沿著第一方向延伸設于基板上，而信號線沿著第二方向延伸設置于基板上，其中第一方向與第二方向相交。第一像素包括開關元件以及像素電極。開關元件的柵極電性連接于掃描線。像素電極電性連接于開關元件，其中像素電極包括多個狹縫。信號線包含第一部分以及第二部分，信號線的第一部分與像素電極重疊設置，信號線的第二部分與掃描線重疊設置，而信號線的第一部分至少包含一彎折部分，信號線的彎折部分沿狹縫的方向設置，且像素電極覆蓋信號線的彎折部分的邊緣。

附圖說明

圖1A繪示了本發(fā)明顯示面板的剖面示意圖。

圖1B繪示了圖1A本發(fā)明顯示面板與其像素結構的第一實施例的元件連接示意圖。

圖1C繪示了圖1A顯示面板彎曲成曲面的剖面示意圖。

圖2繪示了本發(fā)明像素結構的第一實施例的局部放大示意圖。

圖3是沿圖2的剖線A-A’繪示的像素結構的剖視圖。

圖4繪示了本發(fā)明像素結構第一實施例的第一變化實施例的剖視圖。

圖5繪示了本發(fā)明像素結構第一實施例的第二變化實施例的剖視圖。

圖6繪示了本發(fā)明像素結構第一實施例的第三變化實施例的剖視圖。

圖7繪示了本發(fā)明像素結構的第二實施例的局部示意圖。

圖8繪示了本發(fā)明像素結構的第三實施例的局部示意圖。

圖9繪示了本發(fā)明像素結構的第四實施例的局部示意圖。

圖10繪示了圖9所示第一像素的等效電路示意圖。

圖11繪示了本發(fā)明像素結構的第五實施例的局部示意圖。

其中，附圖標記：

1、2、3、4、5 像素結構

10 顯示面板

100、120 基板

100D 顯示區(qū)

100P 周邊區(qū)

102 像素電極

104 第一漏極

106 第二漏極

108 柵極

110 源極

112 第一次像素電極

114 第二次像素電極

116 彩色濾光層

118 黑色矩陣

130 顯示介質層

BE 電極分支

C 彎折部分

D1 第一方向

D2 第二方向

DL 數(shù)據(jù)線

ME 電極主干

GL 掃描線

P1 第一部分

P2 第二部分

PX1 第一像素

PX2 第二像素

S 狹縫

SL、SL’ 信號線

SW 開關元件

T 直線部分

TD 分壓元件

TFT1 第一晶體管

TFT2 第二晶體管

W1、W2、W3、W4 寬度

Y 彎曲中心軸

Z 垂直投影方向

具體實施方式

為使熟悉本發(fā)明所屬技術領域的一般技藝者能更進一步了解本發(fā)明，下文特列舉本發(fā)明的較佳實施例，并配合所附圖式，詳細說明本發(fā)明的構成內容及所欲達成的功效。

請參考圖1A至圖3，圖1A繪示了本發(fā)明顯示面板的剖面示意圖，圖1B繪示了圖1A本發(fā)明顯示面板及其像素結構的第一實施例的元件連接示意圖，圖1C繪示了圖1A顯示面板彎曲成曲面的剖面示意圖，圖2繪示了本發(fā)明像素結構的第一實施例的局部放大示意圖，以及圖3是沿圖2的剖線A-A’繪示的像素結構的剖視圖。如圖1A與圖1B所示，本實施例介紹可作為曲面顯示面板的顯示面板10，在未彎曲情況下，其剖面示意圖如圖1A所示。顯示面板10包含基板100、基板120與設置于基板100、120之間的顯示介質層130。本實施例以顯示面板10為液晶顯示面板為例，而顯示介質層130為液晶層，但不以此為限。顯示面板10也可為其他類型的平面顯示面板或可制作成曲面面板的各種顯示面板，例如有機發(fā)光顯示面板，但不以此為限。在本實施例中，基板100為陣列基板，其上設置有呈陣列排列的像素結構1，而基板120為對向基板，其表面可設置共用電極與黑色矩陣，但不以此為限，共用電極與黑色矩陣也可各自設置于基板100表面?；?00、120包括可撓式基板或可塑形式基板，例如塑膠基板，但不以此為限。再者，基板100包括顯示區(qū)100D以及設于顯示區(qū)100D外側的周邊區(qū)100P，且像素結構1位于顯示區(qū)100D內。請同時參考圖1C，在彎曲成曲面顯示面板的情況下，本實施例顯示面板10在第一方向D1上具有彎曲曲面，顯示面板10具有沿著彎曲中心軸彎曲的顯示面，本實施例例如沿著第二方向D2作為彎曲中心軸Y，但不以此為限。像素結構1包括多條掃描線GL與多條信號線SL，掃描線GL沿著第一方向D1延伸設于基板100上，信號線SL沿著第二方向D2延伸設置于基板100上，其中第一方向D1與第二方向D2相交，因此掃描線GL與信號線SL于基板100上交織出網狀的結構。掃描線GL與信號線SL可分別由兩不同的圖案化導電層所構成，但不以此為限。在本實施例，信號線SL為數(shù)據(jù)線，分別電性連接于像素中開關元件的源極，但不以此為限。像素結構1包括多個像素，以陣列方式設置于顯示區(qū)100D內，在多個像素中包括至少一第一像素PX1，其包括開關元件SW及像素電極102，且開關元件SW與掃描線GL、信號線SL及像素電極102電性連接。開關元件SW可例如為薄膜晶體管，但不以此為限。此外，舉例而言，在像素結構1內的同一列的第一像素PX1中，奇數(shù)行的第一像素PX1的開關元件SW電性連接于其左側相鄰的信號線SL，而偶數(shù)行的第一像素PX1的開關元件SW電性連接于其右側相鄰的另一信號線SL，但不以此為限。

為了突顯本實施例的像素結構1的特色，圖2僅繪出掃描線GL、信號線SL、像素電極102及開關元件SW，其中四個第一像素PX1排列成一個2*2陣列，圖3僅繪出信號線SL的彎折部分C、像素電極102的電極分支BE及彩色濾光層116設置于基板100上，并省略基板100上的其他元件與膜層，例如開關元件SW，以突顯出信號線SL的彎折部分C和像素電極102的電極分支BE的相對設置關系。如圖2所示，像素電極102包括電極主干ME以及多條電極分支BE，其中電極主干ME沿著第一方向D1與第二方向D2延伸而具有“十字”形狀，各電極分支BE的一端連接于電極主干ME，且另一端朝向不平行于第一方向D1與第二方向D2的方向延伸而形成多個配向區(qū)，在本實施例中，電極分支BE的延伸方向與第一方向D1的夾角可以為45度、135度、225度與315度，但不以此為限。另外，相鄰的電極分支BE之間具有狹縫S，狹縫S排列的延伸方向與第一方向D1分別具有一夾角。在本實施例中，狹縫S的延伸方向與第一方向D1的夾角可以為45度、135度、225度與315度，但不以此為限。舉例而言，雖然圖2所示的各像素電極102的電極分支BE由電極主干ME往外延伸，呈現(xiàn)類似國字“米”的排列，但在其他變化實施例中，電極主干ME不同側的電極分支BE也可彼此相接而形成菱形圖案。像素電極102的材料可為透明導電材料例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或其它適合的導電材料。在本實施例中，狹縫S可以具有一致的寬度(亦即等寬度狹縫設計)，且各電極分支BE皆具有相同的寬度，但不以此為限，在其他實施例中，狹縫S或電極分支BE可具有不完全相同的寬度。

再者，信號線SL包含第一部分P1以及第二部分P2，其中第一部分P1與像素電極102重疊設置(垂直投影方向Z上重疊設置)，亦即設置在像素電極102的開口區(qū)(或稱透光區(qū))，而第二部分P2與掃描線GL重疊設置(垂直投影方向Z上重疊設置)。信號線SL的第一部分P1至少包含一彎折部分C，其中彎折部分C沿狹縫S的方向設置，而信號線SL的第二部分P2則是例如具有直線圖案。整體而言，本實施例的信號線SL如圖2所示沿著第二方向D2延伸，而在設有像素電極102的區(qū)域內，信號線SL的第一部分P1沿著狹縫S的方向排列，另在設有掃描線GL的區(qū)域內或是未設有像素電極102的區(qū)域內，信號線SL的第二部分P2則平行于第二方向D2直線延伸，但不以此為限。此外，本實施例的第二部分P2設置于兩相鄰的第一部分P1之間，且第二部分P2的兩端分別連接于兩第一部分P1。此外，如圖2與圖3所示，像素電極102覆蓋信號線SL的彎折部分C的邊緣并凸出于彎折部分C的邊緣，其中覆蓋彎折部分C邊緣的部分電極分支BE凸出于彎折部分C邊緣的寬度為W1，寬度W1約為1倍至1/3倍的彎折部分C的寬度W2，即寬度W1為1/3W2至W2。舉例而言，電極分支BE中凸出于彎折部分C邊緣的寬度W1為約1微米至約10微米，較佳為約4微米至8微米，但不以此為限。此外，本實施例的信號線SL的彎折部分C上設有兩個電極分支BE，分別覆蓋彎折部分C的左右兩側邊緣，且此兩個電極分支BE之間的狹縫S暴露出部分的彎折部分C。

請繼續(xù)參考圖2，本實施例的像素電極102包括第一次像素電極112與第二次像素電極114，開關元件SW包含第一薄膜晶體管TFT1與第二薄膜晶體管TFT2，其中第一薄膜晶體管TFT1的第一漏極104電性連接于第一次像素電極112，第二薄膜晶體管TFT2的第二漏極106電性連接于第二次像素電極114，且第一薄膜晶體管TFT1與第二薄膜晶體管TFT2可具有共用的柵極108與源極110，其中柵極108電性連接于掃描線GL，而源極110電性連接于信號線SL，且掃描線GL設置于第一次像素電極112與第二次像素電極114之間。第一次像素電極112與第二次像素電極114各自具有電極主干ME以及電極分支BE，而在第一像素PX1的區(qū)域內的信號線SL包括兩個彎折部分C，分別與第一次像素電極112以及第二次像素電極114重疊設置，且兩個彎折部分C藉由信號線SL的第二部分P2電性連接。

此外，像素結構1可另包括黑色矩陣118(圖2中以虛線標示出位置)，其例如為設置于相對于基板100的基板120上。黑色矩陣118沿著第一方向D1設置，并且覆蓋掃描線GL與開關元件SW。因此，黑色矩陣118僅覆蓋信號線SL的第二部分P2，并未沿著第二方向D2延伸而覆蓋信號線SL的第一部分P1。由于本實施例的顯示面板10以沿著第二方向D2的一假想線作為彎曲軸，而黑色矩陣118不具有沿著第二方向D2延伸的部分，因此可避免顯示面板10因彎曲而造成對向基板上的黑色矩陣118與基板100表面的第一像素PX1錯位并發(fā)生漏光。再者，像素結構1還可包括金屬遮蔽線，設于沿著第一方向D1并排的像素電極102之間，以避免相鄰像素之間發(fā)生跨越干擾或漏光問題。

如圖3所示，本實施例的像素結構1另包括彩色濾光層116設置于基板100上，位于信號線SL與像素電極102之間，但不以此為限。另外，開關元件SW(未于圖3繪出)設置于彩色濾光層116與基板100之間，換言之，本實施例的基板100可為顯示面板10的下基板或陣列基板，并可視為彩色濾光層116在陣列基板上(color filter on array，COA)。此外，像素結構1另選擇性地包括金屬遮蔽線(圖未示)，沿著第二方向D2延伸設置于不同顏色的彩色濾光層116的交界或相鄰像素的像素電極102的交界處，并位于彩色濾光層116與基板100之間，可用以遮蔽光線，并進一步避免因位于彩色濾光層116的交界的液晶分子配向異常所造成的漏光。

以下進一步說明本發(fā)明像素結構1的信號線SL具有彎折部分C的優(yōu)點。在其他條件都相同下，提供信號線為傳統(tǒng)圖案的像素結構作為對照實施例，亦即，在對照實施例的像素結構中，信號線僅具有直線圖案而不具有沿像素電極的狹縫延伸的彎折部分。在垂直串音(vertical crosstalk)的模擬中，參考畫面亮度表示整面屏幕顯示預定灰階(例如最小灰階的全黑畫面)時的亮度值，測試畫面亮度則定義為：當屏幕的中央?yún)^(qū)域顯示最大灰階而其他區(qū)域顯示預定灰階時，與中央?yún)^(qū)域在垂直方向上相鄰的區(qū)域的實際亮度值。其中，參考畫面亮度與測試畫面亮度之間的亮度差異越小，則表示垂直串音問題越小。在經模擬后，對照實施例的亮度差異為1.63％，而本實施例的亮度差異為0.66％，可知本實施例像素結構1的信號線SL因具有彎折部分C且其兩側被像素電極102所覆蓋，所以可顯著改善垂直串音問題，大幅提升顯示品質。根據(jù)本實施例，像素結構1的像素電極102覆蓋信號線SL的彎折部分C的邊緣，藉此利用像素電極102遮蔽信號線SL的電場(例如信號線SL與共通電極之間的電場)，可有效地抑制串音的現(xiàn)象。另外，由于信號線SL具有沿像素電極102的狹縫S的方向延伸的彎折部分C，因此信號線SL的電場并不會破壞像素電極102對液晶分子的配向效果，進而在不影響穿透率的情況下而可達到有效抑制串音現(xiàn)象的功效。

本發(fā)明的像素結構并不以上述實施例為限。下文將依序介紹本發(fā)明的其它變化實施例及較佳實施例的像素結構，且為了便于比較各實施例的相異處并簡化說明，在下文的各實施例中使用相同的符號標注相同的元件，且主要針對各實施例的相異處進行說明，而不再對重復部分進行贅述。

請參考圖4，其繪示了本發(fā)明像素結構第一實施例的第一變化實施例的剖視圖。如圖4所示，本變化實施例與第一實施例不同的地方在于，于信號線SL的彎折部分C上對應設置有三個像素電極102的電極分支BE，其中兩個電極分支BE設置于彎折部分C的邊緣附近，覆蓋彎折部分C的邊緣并凸出于彎折部分C的邊緣，而另一電極分支BE設置于彎折部分C中央的位置。在本變化實施例中，可藉由調整狹縫S的寬度或電極分支BE的寬度以于信號線SL的彎折部分C上對應設置如圖4的三個電極分支BE。

請參考圖5，其繪示了本發(fā)明像素結構第一實施例的第二變化實施例的剖視圖。如圖5所示，本變化實施例與第一實施例不同之處在于，覆蓋彎折部分C邊緣的電極分支BE的寬度W3大于其他未覆蓋彎折部分C邊緣的電極分支BE的寬度W4，換言之，本變化實施例的各電極分支BE的寬度并不完全相同。

請參考圖6，其繪示了本發(fā)明像素結構第一實施例的第三變化實施例的剖視圖。如圖6所示，本變化實施例與第二變化實施例不同的地方在于，信號線SL的彎折部分C上僅對應設置一個電極分支BE，該電極分支BE的寬度W3大于信號線SL的彎折部分C的寬度W2與其他電極分支BE的寬度W4，且該電極分支BE可完全覆蓋彎折部分C并凸出于彎折部分C的兩個邊緣。

請參考圖7，其繪示了本發(fā)明像素結構的第二實施例的局部示意圖。如圖7所示，本實施例與第一實施例不同的地方在于，像素結構2的信號線SL的第一部分P1另包括直線部分T，其與像素電極102重疊設置，并連接于彎折部分C。詳細而言，本實施例的第二次像素電極114的面積比第一次像素電極112的面積大，而在第二次像素電極114的區(qū)域內，信號線SL包括兩個沿第二方向D2延伸的直線部分T，其中一個直線部分T設置于第二部分P2與彎折部分C之間，并與第二部分P2及彎折部分C連接，而另一個直線部分T設置于彎折部分C與其下方另一個第一像素PX1的彎折部分C之間，并與此兩個彎折部分C連接。在本實施例中，設置第一次像素電極112的區(qū)域可例如為主像素區(qū)，且其可具有較高的電位，而設置第二次像素電極114的區(qū)域可例如為次像素區(qū)，且其可具有較低的電位，但不以此為限。另舉例而言，在需要呈現(xiàn)低灰階的情況下，可僅驅動第一次像素電極112的區(qū)域(主像素區(qū))顯示畫面，而關閉第二次像素電極114的區(qū)域(次像素區(qū))。

請參考圖8，其繪示了本發(fā)明像素結構的第三實施例的局部示意圖。如圖8所示，本實施例與第二實施例不同的地方在于，像素結構3的第二次像素電極114的區(qū)域內，信號線SL并不具有彎折部分，而是為沿第二方向D2延伸的直線部分T，并且直線部分T與第二次像素電極114重疊設置。在本實施例中，直線部分T的一端可與信號線SL的第二部分P2連接，而直線部分T的另一端可與在第二方向D2上相鄰的另一個第一像素PX1的彎折部分C連接。根據(jù)本實施例，第一像素PX1中設置第一次像素電極112的區(qū)域當作主顯示區(qū)，而設置第二次像素電極114的區(qū)域當作次顯示區(qū)，并且在顯示畫面時，主顯示區(qū)的電位會高于次顯示區(qū)。由于信號線SL電場串出造成的垂直串音問題主要會顯現(xiàn)在低灰階畫面中，若顯示面板10在低灰階畫面時只有設計主顯示區(qū)會顯示畫面，則只需設計信號線SL在主顯示區(qū)具有彎折部分C，以改善垂直串音問題，而信號線SL在次顯示區(qū)具有直線部分T，不具有彎折部分C。在本實施例中，藉由設計信號線SL在主顯示區(qū)具有彎折部分C，而在次顯示區(qū)具有直線部分T，可以改善垂直串音問題，也可減少彎折部分C的圖案對光線穿透度的影響。

請參考圖9與圖10，其中圖9繪示了本發(fā)明像素結構的第四實施例的局部示意圖，而圖10繪示了圖9所示第一像素的等效電路示意圖。如圖9與圖10所示，本實施例與第二實施例不同的地方在于，像素結構4另包括分壓元件TD，其中分壓元件TD舉例為一薄膜晶體管，與信號線SL以及掃描線GL電性連接，分壓元件TD也另與開關元件SW電性連接。本實施例像素結構4中位于同一直列(第二方向D2)的分壓元件TD皆電性連接于同一條信號線SL，但不以此為限。再者，像素結構4另包括數(shù)據(jù)線DL，其沿著第二方向D2延伸設置并電性連接于開關元件SW的源極110。數(shù)據(jù)線DL可由相同于信號線SL的圖案化導電層所構成，但不以此為限。在本實施例，數(shù)據(jù)線DL的圖案與同一像素中的信號線SL大致呈鏡向對稱，同樣包含第一部分P1以及第二部分P2，其中第一部分P1與像素電極102重疊設置(垂直投影方向Z上重疊設置)，設置在像素電極102的開口區(qū)(透光區(qū))，而第二部分P2與掃描線GL重疊設置(垂直投影方向Z上重疊設置)。數(shù)據(jù)線DL的第一部分P1至少包含一彎折部分C，沿狹縫S的方向設置，并且像素電極102覆蓋數(shù)據(jù)線DL的彎折部分C的邊緣并凸出于彎折部分C的邊緣，而數(shù)據(jù)線DL的第二部分P2例如具有直線圖案，但不以此為限。此外，像素結構4中位于同一直列的開關元件SW皆電性連接于同一條數(shù)據(jù)線DL，但不以此為限。

本實施例的開關元件SW包括第一晶體管TFT1與第二晶體管TFT2，其中第一晶體管TFT1與第二晶體管TFT2可分別包括第一漏極104與第二漏極106，并共用柵極108與源極110。第一晶體管TFT1的第一漏極104電性連接于第一次像素電極112，第二晶體管TFT2的第二漏極106電性連接于第二次像素電極114，且分壓元件TD電性連接于第二晶體管TFT2的第二漏極106。另一方面，第一晶體管TFT1的第一漏極104電性連接于第一次像素電極112，以藉由第一漏極104來驅動第一次像素電極112，其中第一次像素電極112、共通電極與液晶層(圖未示)形成液晶電容Clc，同樣的，第二晶體管TFT2的第二漏極106電性連接于第二次像素電極114，而第二次像素電極114、共通電極與液晶層也會形成另一液晶電容Clc。在本實施例中，分壓元件TD具有分配及調整電壓的功能，當與分壓元件TD連接的信號線SL傳遞高電壓的信號時，信號線SL的電場較強會使像素電極112與114具有不同的電壓，進而影響像素電極112與114所對應的液晶分子的傾倒角方向與排列行為。本實施例利用像素電極102覆蓋信號線SL的邊緣，可屏蔽信號線SL的電場，以減低信號線SL對液晶分子排列的影響。另外，信號線SL具有沿像素電極102的狹縫S的方向延伸的彎折部分C，因此信號線SL的電場并不會破壞像素電極102對液晶分子的配向效果，在不影響穿透率的情況下而可達到有效抑制串音現(xiàn)象的功效。此外，本實施例的數(shù)據(jù)線DL的圖案設計亦可達到上述的功效。再者，在本實施例的變化實施例中，數(shù)據(jù)線DL也可以不具有彎折部分C而僅具有直線圖案。

請參考圖11，其繪示了本發(fā)明像素結構的第五實施例的局部示意圖。如圖11所示，本實施例與第一實施例不同的地方在于，像素結構5包含另一信號線SL’以及與信號線SL’電性連接的第二像素PX2，在本實施例中，第一像素PX1與第二像素PX2皆僅具有單一像素電極102，亦即單一像素電極102沒有被柵極線GL區(qū)分為第一次像素電極與第二次像素電極，但不以此為限。其中，信號線SL與信號線SL’在第一方向D1上彼此相鄰并排，第一像素PX1與第二像素PX2在第二方向D2上彼此相鄰并排，其中第一像素PX1的開關元件SW電性連接于信號線SL，第二像素PX2的開關元件SW電性連接于信號線SL’，且開關元件SW設置于信號線SL與信號線SL’之間。信號線SL’至少包含一彎折部分C，其沿著第一像素PX1與第二像素PX2的像素電極102的狹縫S方向設置，且第一像素PX1與第二像素PX2的像素電極102的電極分支BE同時覆蓋了信號線SL與信號線SL’的彎折部分C的邊緣，其覆蓋方式可參考圖3，且可設計為如圖4至圖6的方式。此外，本實施例的各開關元件SW僅具有一個晶體管，分別電性連接于對應的信號線SL或信號線SL’，但不以此為限。

綜上所述，在本發(fā)明的像素結構中，信號線延伸經過設置像素電極的區(qū)域內，在此區(qū)域內的信號線具有至少一彎折部分沿著像素電極狹縫的方向延伸，而像素電極覆蓋信號線的彎折部分的邊緣。在此設計下，像素電極會遮蔽信號線的邊緣電場，可有效地抑制串音的現(xiàn)象。另外，由于信號線具有沿像素電極狹縫的方向延伸的彎折部分，因此信號線的電場并不會破壞像素電極對液晶分子的配向效果，進而在不影響穿透率的情況下而可達到有效抑制串音現(xiàn)象的功效。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應屬本發(fā)明的涵蓋范圍。