本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤指一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置。

背景技術：

為了滿足液晶顯示面板的大型化，寬視角的發(fā)展需求，高級超維場開關(Advanced Super Dimension Switch，ADS)型液晶顯示面板應運而生，它是通過同一平面內狹縫電極邊緣產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間，電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率，并增大了透光效率。

然而，ADS型液晶顯示面板在受到大力擠壓時，因位于陣列基板之上的對向基板發(fā)生位移，若位于柵線上方的黑色矩陣不夠寬，則容易導致柵線側面漏光，使得液晶顯示面板的畫面品質變差。在現有技術中，通常采用屏蔽電極來屏蔽柵線上方的電場，即使由該陣列基板形成的液晶顯示面板受到外力的作用而發(fā)生位移，也不會影響液晶的偏轉，從而消除柵線周圍的漏光現象。

另外，為了避免數據線處的漏光，通常將位于數據線上方且覆蓋數據線的黑色矩陣制作的較寬，如此一來，雖然利用屏蔽電極減小了柵線上方的黑色矩陣的寬度，但液晶顯示面板的整體開口率的實際增加效果較小，液晶利用效率的實際增加效果也較小。

基于此，如何在滿足柵線屏蔽的情況下，進一步提高液晶顯示面板的開口率和透射率，是本領域技術人員亟待解決的技術問題。

技術實現要素：

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置，用以解決如何在滿足柵線屏蔽的情況下，進一步提高液晶顯示面板的開口率和透射率。

本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括：

交叉設置的多條柵線和多條數據線，設置于所述多個柵線和所述多個數據線限定區(qū)域內的多個像素電極，以及設置于所述柵線上方的屏蔽電極；其中，

所述屏蔽電極至少覆蓋所述柵線靠近所述像素電極的側邊部分；

每至少三個像素電極構成一像素結構，且各所述像素結構中的至少一個像素電極在沿著所述柵線的大致延伸方向的長度大于沿著所述數據線的大致延伸方向的長度；

構成同一所述像素結構的各像素電極分別對應連接不同的數據線；

在每相鄰的兩個所述像素結構之間的間隙處設置兩條所述數據線。

在一種可能的實施方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，所述屏蔽電極全部覆蓋所述柵線；或，所述屏蔽電極僅覆蓋所述柵線靠近所述像素電極的側邊部分。

在一種可能的實施方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，所述屏蔽電極與所述像素電極同層設置且相互絕緣。

在一種可能的實施方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，在各所述像素結構中至少存在一組按照所述數據線的大致延伸方向排列的兩個所述像素電極。

在一種可能的實施方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，按照所述數據線的大致延伸方向排列的兩個所述像素電極，在沿著所述柵線的大致延伸方向的長度大于沿著所述數據線的大致延伸方向的長度。

在一種可能的實施方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，每三個像素電極構成一矩形的像素結構；其中，兩個像素電極按照所述數據線的大致延伸方向排列，另一像素電極與按照所述數據線的大致延伸方向排列的所述兩個像素電極之間按照所述柵線的大致延伸方向排列。

在一種可能的實施方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，每四個像素電極構成一矩形的像素結構；其中，兩組按照所述數據線的大致延伸方向排列的兩個所述像素電極之間按照所述柵線的大致延伸方向排列。

在一種可能的實施方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，還包括：位于所述數據線和所述柵線上方的黑色矩陣層；其中，

在所述數據線上方且覆蓋所述數據線的所述黑色矩陣層圖案的寬度大于所述數據線的線寬。

本發(fā)明實施例還提供了一種液晶顯示面板，包括：本發(fā)明實施例提供的上述的陣列基板，與所述陣列基板相對而置的對向基板，以及設置于所述對向基板面向所述陣列基板一側或所述陣列基板面向所述對向基板一側的黑色矩陣層；其中，

在所述數據線上方且覆蓋所述數據線的所述黑色矩陣層圖案的寬度大于所述數據線的線寬。

本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述的液晶顯示面板。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置，該陣列基板包括交叉設置的多條柵線和多條數據線，設置于多個柵線和多個數據線限定區(qū)域內的多個像素電極，以及設置于柵線上方的屏蔽電極；其中，屏蔽電極至少覆蓋柵線靠近像素電極的側邊部分；每至少三個像素電極構成一像素結構，且各像素結構中的至少一個像素電極在沿著柵線的大致延伸方向的長度大于沿著數據線的大致延伸方向的長度；構成同一像素結構的各像素電極分別對應連接不同的數據線；在每相鄰的兩個像素結構之間的間隙處設置兩條數據線。因此，在不減少數據線和柵線數量的情況下，通過對數據線結構的改進，在每相鄰的兩個像素結構之間的間隙處設置兩條數據線，較大程度地縮減了各像素結構內用于覆蓋數據線的黑色矩陣的面積，增加了開口率；另外利用柵線屏蔽，減少了覆蓋柵線的黑色矩陣的面積，二者的共同作用大大地提高了液晶顯示面板的開口率，進而較大地提高了液晶顯示面板的畫面品質。

附圖說明

圖1a為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖之一；

圖1b為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖之二；

圖1c為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖之三；

圖1d為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖之四；

圖2為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板中的向錯發(fā)生位置的結構示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板中用于覆蓋數據線的黑色矩陣的結構示意圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的，技術方案，和優(yōu)點更加清晰，下面將結合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例，基于本發(fā)明中的實施例，本領域技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

下面結合附圖，對本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置的具體實施方式進行詳細地說明。

本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，如圖1a和圖1b所示，包括：交叉設置的多條柵線01和多條數據線02，設置于多個柵線01和多個數據線02限定區(qū)域內的多個像素電極，以及設置于柵線01上方的屏蔽電極03；其中，

屏蔽電極03至少覆蓋柵線01靠近像素電極的側邊部分；

每至少三個像素電極構成一像素結構，且各像素結構中的至少一個像素電極在沿著柵線01的大致延伸方向的長度大于沿著數據線02的大致延伸方向的長度；

構成同一像素結構的各像素電極分別對應連接不同的數據線02；

在每相鄰的兩個像素結構之間的間隙處設置兩條數據線02。

本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板，在不減少數據線和柵線數量的情況下，通過對數據線結構的改進，在每相鄰的兩個像素結構之間的間隙處設置兩條數據線，較大程度地縮減了各像素結構內用于覆蓋數據線的黑色矩陣的面積，增加了開口率；另外利用柵線屏蔽，減少了覆蓋柵線的黑色矩陣的面積，二者的共同作用大大地提高了液晶顯示面板的開口率，進而較大地提高了液晶顯示面板的畫面品質。

在具體實施時，為了實現屏蔽電極03對柵線01的屏蔽，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，如圖1a和1b所示，可以包括以下兩種情況：

屏蔽電極03僅覆蓋柵線01靠近像素電極的側邊部分；

或，屏蔽電極03全部覆蓋柵線01。

其中，屏蔽電極03僅覆蓋柵線01靠近像素電極的側邊部分，相當于屏蔽電極03在襯底基板上的正投影僅與柵線01在襯底基板上的正投影的邊緣重合，且重合部分沿著數據線02延伸方向的長度，可以為3微米-5微米，還可以是其他數值，在此不作限定。

需要說明的是，在由陣列基板和對向基板組成的液晶顯示面板結構中，對于ADS型液晶顯示面板，公共電極層位于陣列基板一側；對于TN型和VA型液晶顯示面板，公共電極層位于對向基板一側；因此，在具體實施時，為了便于對屏蔽電極03加載公共電極信號，實現對柵線01的屏蔽作用，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，僅適用于ADS型液晶顯示面板，其中，屏蔽電極03可以與像素電極同層設置且相互絕緣，以免與像素電極的電信號產生干擾。

在具體實施時，為了實現像素結構的改進，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，可以通過以下方式實現：

在各像素結構中至少存在一組按照數據線02的大致延伸方向排列的兩個像素電極。

其中，為了避免因像素電極與周圍的數據線02或柵線01的間距不同而導致的缺陷，因此，各像素電極與四周的間距總是保持一致。

例如，如圖1c和圖1d所示，在各像素結構04中可以存在一組按照數據線02的大致延伸方向排列的兩個像素電極，如像素電極A和像素電極B；還可以在各像素結構05中存在兩組按照數據線02的大致延伸方向排列的兩個像素電極，如像素電極A’、像素電極B’、像素電極C’、像素電極D，在此不作限定。

因此，以圖1c所示的結構為例，以及圖2所示的與該結構對應的向錯發(fā)生位置示意圖，可以計算出該結構中液晶的利用效率，計算過程如下：

像素電極A的向錯發(fā)生比例X_A為：

X_A＝a/2+a/2+c

像素電極B的向錯發(fā)生比例X_B為：

X_B＝a/2+a/2+c

像素電極C的向錯發(fā)生比例X_C為：

X_C＝a+a+b

其中，字母a、b和c分別表示該位置處的向錯發(fā)生比例，且b處的向錯比例明顯大于c處的向錯比例；從以上計算結果可知，每個像素結構中總的向錯發(fā)生比例為X_A+X_B+X_C，由于c<b，所以X_A＝X_B<X_C。

而在現有技術中，各像素結構均是由三個像素電極C橫向排列或縱向排列組成，各像素結構總的向錯發(fā)生比例為3X_C；因此，通過比較可知，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中的像素結構可有效降低向錯的發(fā)生比例，提高液晶的利用效率，進而提高顯示面板的透射率。

進一步地，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板，如圖1c所示，按照數據線02的大致延伸方向排列的兩個像素電極，在沿著柵線01的大致延伸方向的長度大于沿著數據線02的大致延伸方向的長度。

具體地，數據線02在陣列基板的襯底基板上呈縱向排列，柵線01呈橫向排列，在各像素結構04中，均存在一組呈縱向排列的像素電極A和像素電極B，其中，像素電極A和像素電極B的橫向長度大于縱向長度。

進一步地，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，每三個像素電極構成一矩形的像素結構；其中，兩個像素電極按照數據線02的大致延伸方向排列，另一像素電極與按照數據線02的大致延伸方向排列的兩個像素電極之間按照柵線01的大致延伸方向排列。

例如，如圖1c所示，像素電極A、像素電極B、像素電極C構成了一個矩形的像素結構04，其中，像素電極A和像素電極B沿著數據線02的大致延伸方向呈縱向排布，且橫向長度大于縱向長度，像素電極C位于縱向排布的像素電極A和像素電極B的右側，且像素電極C的縱向長度等于像素電極A和像素電極B的縱向長度之和，即在相鄰的兩條柵線01之間，構建了由三個呈品字形排布的像素電極組成的矩形的像素結構04，該像素結構04在襯底基板上呈陣列式周期性排布。

進一步地，在本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，每四個像素電極構成一矩形的像素結構；其中，兩組按照數據線02的大致延伸方向排列的兩個像素電極之間按照柵線01的大致延伸方向排列。

例如，如圖1d所示，像素電極A’、像素電極B’、像素電極C’、像素電極D構成了一個矩形的像素結構05，其中，像素電極A’和像素電極B’呈縱向排布，且橫向長度大于縱向長度，像素電極C’和像素電極D同為縱向排布且橫向長度大于縱向長度，即在相鄰的兩條柵線01之間，構建了由四個呈田字形排布的像素電極組成的矩形的像素結構05，該像素結構05在襯底基板上呈陣列式周期性排布。

在具體實施時，為了防止數據線02和柵線01周圍漏光，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板，如圖1c和圖1d所示，還可以包括：位于數據線02和柵線01上方的黑色矩陣層06；其中，

在數據線02上方且覆蓋數據線02的黑色矩陣層06圖案的寬度大于數據線02的線寬。

具體地，因柵線01上方設置有屏蔽電極03，可以將柵線01上方的黑色矩陣06設置為與柵線01同寬；而對于各像素結構內的數據線02上方的黑色矩陣06的寬度，可以通過以下方法計算：

以圖1c所示的結構為例，以及圖3所示的黑色矩陣06覆蓋數據線02的結構示意圖，可知一個像素結構04內包含的三條數據線02對應的黑色矩陣06的寬度M是由2個EE’的一半和1個FF’組成，即：

M＝c/2+a+b+b+a+b+b+a+c/2＝3a+4b+c

其中，a表示數據線02的線寬，b表示裕度，c表示兩條數據線02之間的間隙，通常可以設置為6.5微米。

而在現有技術中，覆蓋數據線的黑色矩陣的寬度N是由三個FF’組成，即：

N＝a/2+b+b+a+b+b+a+b+b+a/2＝3a+6b

其中，a表示數據線的線寬，b表示裕度。

由于c/2<<b，使得本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中的各像素結構內黑色矩陣的寬度明顯小于現有技術中各像素結構內黑色矩陣的寬度，提高了開口率。

基于同一發(fā)明構思，本發(fā)明實施例還提供了一種液晶顯示面板，包括：本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板，與陣列基板相對而置的對向基板，以及設置于對向基板面向陣列基板一側或陣列基板面向對向基板一側的黑色矩陣層；其中，

在數據線上方且覆蓋數據線的黑色矩陣層圖案的寬度大于數據線的線寬。

基于同一發(fā)明構思，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述的液晶顯示面板，該顯示裝置可以為：手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。該顯示裝置的實施可以參見上述液晶顯示面板的實施例，重復之處不再贅述。

本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置，該陣列基板包括交叉設置的多條柵線和多條數據線，設置于多個柵線和多個數據線限定區(qū)域內的多個像素電極，以及設置于柵線上方的屏蔽電極；其中，屏蔽電極至少覆蓋柵線靠近像素電極的側邊部分；每至少三個像素電極構成一像素結構，且各像素結構中的至少一個像素電極在沿著柵線的大致延伸方向的長度大于沿著數據線的大致延伸方向的長度；構成同一像素結構的各像素電極分別對應連接不同的數據線；在每相鄰的兩個像素結構之間的間隙處設置兩條數據線。因此，在不減少數據線和柵線數量的情況下，通過對數據線結構的改進，在每相鄰的兩個像素結構之間的間隙處設置兩條數據線，較大程度地縮減了各像素結構內用于覆蓋數據線的黑色矩陣的面積，增加了開口率；另外利用柵線屏蔽，減少了覆蓋柵線的黑色矩陣的面積，二者的共同作用大大地提高了液晶顯示面板的開口率，進而較大地提高了液晶顯示面板的畫面品質。

顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。