1.一種反射式等離子體納米結(jié)構(gòu)光開關(guān)，包括用于改變?nèi)肷涔馄穹较虻钠裾{(diào)制器件（4）和等離子體納米結(jié)構(gòu)（5），其特征在于：所述等離子體納米結(jié)構(gòu)（5）包括底層的金屬薄膜（1）、中間層的電介質(zhì)薄膜（2）和分布在電介質(zhì)薄膜（2）上表面的若干金屬納米環(huán)（301），且金屬納米環(huán)（301）對稱分布并形成周期排布的金屬納米環(huán)陣列（3），所述金屬納米環(huán)陣列（3）在一個方向上的排列周期為金屬納米環(huán)（301）共振波長的0.92~0.97倍，而在與該方向垂直的另外一個方向上的排列周期小于等于金屬納米環(huán)（301）共振波長的0.8倍或大于等于金屬納米環(huán)（301）共振波長的1.15倍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種反射式等離子體納米結(jié)構(gòu)光開關(guān)，其特征在于：所述金屬薄膜（1）的材質(zhì)為金、銀或銅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種反射式等離子體納米結(jié)構(gòu)光開關(guān)，其特征在于：所述電介質(zhì)薄膜（2）的材質(zhì)為二氧化硅、氧化鋁或氧化鎂。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種反射式等離子體納米結(jié)構(gòu)光開關(guān)，其特征在于：所述金屬納米環(huán)（301）的內(nèi)徑為80nm，壁厚為40nm，金屬納米環(huán)（301）在相互垂直的兩個方向的周期分別為900nm和1250nm，金屬納米環(huán)陣列（3）的厚度為40nm，電介質(zhì)薄膜（2）的厚度為60nm，金屬薄膜（1）的厚度為200nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種反射式等離子體納米結(jié)構(gòu)光開關(guān)，其特征在于：所述用于改變?nèi)肷涔馄穹较虻钠裾{(diào)制器件（4）為普克爾斯盒、TN液晶盒、法拉第盒或克爾盒。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種反射式等離子體納米結(jié)構(gòu)光開關(guān)的制備方法，首先制備等離子體納米結(jié)構(gòu)（5），然后將其與用于改變?nèi)肷涔馄穹较虻钠裾{(diào)制器件（4）組合即得到產(chǎn)品，其特征在于，所述等離子體納米結(jié)構(gòu)（5）的制備方法為：取一基底層，并在基底層上依次沉積一層金屬薄膜（1）和一層電介質(zhì)薄膜（2），然后在電介質(zhì)薄膜（2）上利用電子束刻蝕方法制備出金屬納米環(huán)陣列（3），即得到等離子體納米結(jié)構(gòu)（5）。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種反射式等離子體納米結(jié)構(gòu)光開關(guān)的制備方法，其特征在于：所述金屬薄膜（1）和電介質(zhì)薄膜（2）采用物理氣相沉積法制備。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種反射式等離子體納米結(jié)構(gòu)光開關(guān)的制備方法，其特征在于，所述利用電子束刻蝕方法制備出金屬納米環(huán)陣列（3）的具體操作為：
1）在電介質(zhì)薄膜（2）的上表面旋涂PMMA，以形成一層電子抗蝕劑層；
2）在電子抗蝕劑表面旋涂導(dǎo)電液后，利用電子束刻蝕出所需的納米環(huán)結(jié)構(gòu)陣列圖案，除去導(dǎo)電液，得到圖案化的電子抗蝕劑；
3）以圖案化的電子抗蝕劑為掩膜版，在其上沉積一層金屬薄膜；
4）除去電子抗蝕劑，從而使沉積的金屬薄膜變?yōu)榻饘偌{米環(huán)陣列（3）。