本發(fā)明涉及掩模組件，并且特別地但非排除性地涉及使用掩模組件的方法。掩模組件可以包括掩模和表膜。本發(fā)明具有與euv光刻設(shè)備和euv光刻工具有關(guān)的特別但非排他性的使用。

背景技術(shù)：

1、光刻設(shè)備是被構(gòu)造成將期望的圖案施加到襯底上的機(jī)器。光刻設(shè)備可以例如用在集成電路(ic)的制造中。光刻設(shè)備可以例如將來(lái)自圖案化裝置(例如，掩模)的圖案投影到設(shè)置在襯底上的一層輻射敏感材料(抗蝕劑)上。

2、由光刻設(shè)備使用以將圖案投影到襯底上的輻射的波長(zhǎng)確定可以在襯底上形成的特征的最小尺寸。使用作為具有在范圍4nm至20nm內(nèi)的波長(zhǎng)的電磁輻射的euv輻射的光刻設(shè)備可以用于在襯底上形成與常規(guī)光刻設(shè)備(其可以例如使用具有193nm的波長(zhǎng)的電磁輻射)相比較小的特征。

3、用于將圖案賦予光刻設(shè)備中的輻射束的掩模可以形成掩模組件的一部分。掩模組件可以包括保護(hù)掩模以免被顆粒污染物損壞的表膜。表膜可以由表膜框架支撐。

4、光刻中的表膜的使用是眾所周知的并且是完善的。euv光刻設(shè)備中的典型表膜是在使用中位于遠(yuǎn)離掩模的位置且在光刻設(shè)備的焦平面之外的膜。因?yàn)楸砟ぴ诠饪淘O(shè)備的焦平面之外，所以降落在表膜上的污染物顆粒在光刻設(shè)備中的焦點(diǎn)之外。結(jié)果，污染物顆粒的圖像沒(méi)有被投影到襯底上。如果表膜不存在，那么降落在掩模上的污染物顆粒將會(huì)被投影到襯底上并且會(huì)將缺陷引入到所投影的圖案中。

5、可能期望在euv光刻設(shè)備中使用表膜。euv光刻與duv光刻的不同之處在于，其典型地在真空中執(zhí)行并且掩模典型地是反射式的而不是透射式的。可能會(huì)出現(xiàn)當(dāng)表膜用于duv光刻時(shí)不存在的與用于euv光刻的表膜的使用有關(guān)的挑戰(zhàn)。

6、可能期望提供克服或減輕與現(xiàn)有技術(shù)相關(guān)聯(lián)的問(wèn)題的掩模組件和相關(guān)聯(lián)的方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種方法，包括以下步驟：接收掩模組件，掩模組件包括掩模和由表膜框架保持的可去除的euv透明表膜；將表膜框架和euv透明表膜從掩模上去除；使用檢查工具檢查掩模上的掩模圖案；以及隨后將由表膜框架保持的euv透明表膜附接至掩模。

2、方法是有利的，因?yàn)樗试S在沒(méi)有來(lái)自euv透明表膜(其可以對(duì)于由掩模檢查工具使用的射束是不透明的)的干擾的情況下對(duì)掩模的檢查。

3、方法可以進(jìn)一步包括：在將表膜框架和euv透明表膜從掩模上去除之后，將保持著備選表膜的備選表膜框架附接至掩模，備選表膜由對(duì)于檢查工具的檢查射束基本上透明的材料形成；以及在使用檢查工具檢查掩模上的掩模圖案之后，將由備選表膜框架保持的備選表膜從掩模上去除，以便將由表膜框架保持的euv透明表膜附接至掩模。

4、將表膜框架從掩模上去除可以包括使附接機(jī)構(gòu)從附接特征上脫離，并且將表膜框架附接至掩?？梢园ㄊ垢浇訖C(jī)構(gòu)接合至附接特征。附接特征可以被聯(lián)接至掩模，并且附接機(jī)構(gòu)可以被聯(lián)接至表膜框架。可以在通過(guò)使附接機(jī)構(gòu)從附接特征上脫離而將表膜框架和euv透明表膜從掩模上去除之后，還將附接特征聯(lián)接至掩模，使得附接特征可用于在檢查掩模上的掩模圖案之后對(duì)由表膜框架保持的euv透明表膜的隨后附接。備選表膜可以被附接至掩模使得euv透明表膜的附接特征不碰觸備選表膜。

5、附接機(jī)構(gòu)可以包括鎖定構(gòu)件，鎖定構(gòu)件被配置成與包括突起的附接特征接合。

6、隨后附接至掩模的euv透明表膜和表膜框架可以是從掩模上去除的相同的euv透明表膜和表膜框架。

7、備選表膜可以對(duì)于由掩模檢查工具使用的非euv輻射束基本上是透明的。

8、由掩模檢查工具使用的非euv輻射束可以是duv輻射束。

9、備選表膜可以對(duì)于由掩模檢查工具使用的粒子束基本上是透明的。

10、由掩模檢查工具使用的粒子束可以是電子束。

11、可以使用單獨(dú)用于備選表膜并且不用于euv透明表膜的附接的附接機(jī)構(gòu)將備選表膜附接至掩模。

12、掩?？梢栽谡麄€(gè)方法中都處于清潔的環(huán)境中。

13、方法可以進(jìn)一步包括將密封容器內(nèi)的掩模組件從光刻設(shè)備轉(zhuǎn)移到表膜去除和附接工具。

14、方法可以進(jìn)一步包括將密封容器內(nèi)的選自掩模、表膜組件或掩模組件的一項(xiàng)或多項(xiàng)從表膜去除和附接工具轉(zhuǎn)移到掩模檢查工具。

15、掩模檢查工具可以與表膜去除和附接工具被集成，使得掩模組件保持在相同環(huán)境中。

16、方法可以進(jìn)一步包括清潔掩模或表膜。

17、密封容器可以具有被配置成容納表膜的下垂的凹陷部分。

18、容器的凹陷部分與掩模組件的表膜的平面之間的間隔可以在0.5mm與1mm之間。

19、根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種方法，包括以下步驟：接收掩模組件，掩模組件包括掩模和由布置成可去除地附接至所述掩模的表膜框架保持的euv透明表膜；

20、將表膜框架和euv透明表膜從掩模上去除；將由布置成可去除地附接至掩模的備選表膜框架保持的備選表膜附接至掩模，其中備選表膜由與用于形成euv透明表膜的材料不同的材料形成，形成備選表膜的材料對(duì)于檢查工具的檢查射束基本上是透明的；使用檢查工具中的檢查射束檢查掩模上的掩模圖案；將備選表膜從掩模上去除；以及隨后將由表膜框架保持的euv透明表膜附接至掩模。

21、方法是有利的，因?yàn)樗试S在沒(méi)有來(lái)自euv透明表膜(其可以對(duì)于由掩模檢查工具使用的射束是不透明的)的干擾的情況下對(duì)掩模的檢查。

22、備選表膜框架可以與euv透明表膜框架在不同的位置處被附接至掩模。

23、根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種掩模組件容器，包括：開(kāi)口，掩模組件能夠通過(guò)該開(kāi)口被放置在容器內(nèi)；以及密封件，當(dāng)掩模組件位于容器內(nèi)時(shí)該密封件將開(kāi)口密封住，其中容器具有被配置成容納表膜的向外下垂的底板。

24、以該方式容納表膜的下垂是有利的，因?yàn)樗苊獗砟づ鲇|容器，這種碰觸容易損壞表膜。

25、當(dāng)掩模組件被保持在密封的容器中時(shí)，底板可以與表膜平面之間的距離0.5mm與1mm之間或者更大。

26、根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供了一種掩模，其設(shè)置有被配置成接收表膜框架附接機(jī)構(gòu)的突起，其中突起的底表面具有在基部的表面中限定凹部的唇部，并且其中突起通過(guò)凹部中的膠被附接至掩模。

27、以該方式附接突起是有利的，因?yàn)樗档土藦哪z的不希望的釋氣的風(fēng)險(xiǎn)。

28、膠的體積可以小于凹部的體積。

29、膠可以將突起拉向掩模，使得凹部和掩模形成保持膠的基本上封閉的空間。

30、突起可以包括在唇部中的開(kāi)口使得凹部和掩模形成部分地開(kāi)放以用于膠釋氣的空間。

31、突起可以被附接至掩模的襯底材料。

32、根據(jù)本發(fā)明的第五方面，提供了一種表膜組件容器，包括：開(kāi)口，表膜組件能夠通過(guò)該開(kāi)口被放置在容器內(nèi)；以及密封件，當(dāng)表膜組件位于容器內(nèi)時(shí)密封件將開(kāi)口密封住，其中容器具有被配置成容納表膜的向外下垂的底板。

33、以該方式容納表膜的下垂是有利的，因?yàn)樗苊獗砟づ鲇|容器，這種碰觸容易損壞表膜。

34、根據(jù)本發(fā)明的第六方面，提供了一種掩模，其設(shè)置有被配置成接收表膜框架附接機(jī)構(gòu)的至少三個(gè)突起，其中突起可去除地被附接至掩模。

35、使突起可去除地附接是有利的，因?yàn)樗试S在沒(méi)有突起存在的情況下以直接方式清潔掩模，之后可以將突起附接至掩模。

36、突起可以被附接至掩模的襯底材料。

37、根據(jù)本發(fā)明的第七方面，提供了一種制造表膜組件的方法，方法包括：在襯底上形成薄膜并將襯底材料蝕刻掉，以使薄膜露出，并且由此提供由襯底周界支撐的表膜薄膜；將支撐框架附接至襯底的與薄膜交界的部分上；在襯底的一側(cè)上提供第一蓋并且在襯底的相反側(cè)上提供第二蓋，并且將第一蓋和第二蓋夾持到一起以形成包含表膜薄膜的密封環(huán)境。

38、該方法是有利的，因?yàn)橐r底提供了用于薄膜的支撐并保持薄膜的拉緊，同時(shí)蓋用以保護(hù)薄膜。

39、第一蓋可以抵著襯底被夾持。

40、第二蓋可以抵著襯底被夾持。

41、方法可以進(jìn)一步包括將襯底的突出到第一蓋和第二蓋之外的部分切割掉。

42、襯底可以是硅晶片。

43、第二蓋可以覆蓋支撐框架，使得支撐框架位于密封環(huán)境內(nèi)。

44、第一蓋可以包括被配置成容納表膜薄膜的下垂的凹部。

45、制造表膜組件的方法可以在表膜制造位置處被執(zhí)行。

46、根據(jù)本發(fā)明的第八方面，提供了一種方法，包括以上制造表膜組件的方法，并且進(jìn)一步包括通過(guò)以下步驟形成掩模組件：將表膜定位工具附接至支撐框架；將第二蓋從表膜組件上去除；將支撐框架附接至掩模；以及使用表膜定位工具將第一蓋從表膜組件上去除。

47、表膜定位工具可以包括被接收在設(shè)置于支撐框架中的盲孔中的臂。

48、形成掩模組件的方法可以在掩模車間處被執(zhí)行。

49、方法可以進(jìn)一步包括將掩模組件放在容器內(nèi)并且將該容器密封。

50、根據(jù)本發(fā)明的第九方面，提供了一種表膜組件，包括從襯底邊界部分延伸的表膜薄膜、被附接至襯底邊界部分的支撐框架、第一蓋以及第二蓋，其中第一蓋和第二蓋設(shè)置在襯底邊界部分的相反側(cè)上并形成包含表膜薄膜的密封環(huán)境。

51、密封環(huán)境是有利的，因?yàn)樗乐刮廴疚镞M(jìn)入環(huán)境中并污染表膜薄膜。

52、第二蓋可以覆蓋支撐框架，使得支撐框架位于密封環(huán)境內(nèi)。

53、第一和第二蓋可以抵著襯底邊界部分被夾持。

54、根據(jù)本發(fā)明的第十方面，提供了一種監(jiān)測(cè)掩模組件的表膜的方法，掩模組件包括表膜組件和掩模，方法包括：測(cè)量表膜的屬性并且監(jiān)測(cè)與表膜破裂的增加的風(fēng)險(xiǎn)相關(guān)聯(lián)的屬性的改變，以及當(dāng)遇到這樣的改變時(shí)，將表膜組件從掩模上去除并用新的表膜組件替換表膜組件。

55、可以當(dāng)掩模組件在光刻設(shè)備中在原位時(shí)測(cè)量表膜的屬性。

56、屬性可以是表膜的紅外發(fā)射和/或可以是掃描掩模組件的移動(dòng)期間的表膜的偏轉(zhuǎn)。

57、方法可以包括將掩模組件轉(zhuǎn)移到掩模組件檢查工具，并隨后使用掩模組件檢查工具測(cè)量表膜的屬性。

58、可以使用以下測(cè)量技術(shù)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)來(lái)測(cè)量表膜的一個(gè)或多個(gè)屬性：euv反射測(cè)量、euv透射測(cè)量、橢偏儀、拉曼光譜法、x射線反射測(cè)量、顯微鏡檢查、共振測(cè)量、掃描熱負(fù)荷測(cè)量、抽吸或排氣期間的表膜偏轉(zhuǎn)。

59、方法可以包括將表膜組件從掩模上去除、將表膜組件轉(zhuǎn)移到表膜組件檢查工具并隨后使用表膜組件檢查工具測(cè)量表膜的屬性。

60、可以使用以下測(cè)量技術(shù)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)來(lái)測(cè)量表膜的一個(gè)或多個(gè)屬性：euv透射測(cè)量(從掩模中去除的表膜組件)、euv反射測(cè)量、雙折射測(cè)量、橢偏儀、傅立葉變換紅外光譜法、拉曼光譜、x射線反射測(cè)量、顯微鏡檢查、共振測(cè)量、歸因于壓力差的表膜位移的測(cè)量、抽吸或排氣期間的偏轉(zhuǎn)、掃描熱負(fù)荷測(cè)量、框架變形測(cè)量。

61、本發(fā)明的不同方面的特征可以與本發(fā)明的其他方面的特征組合。