專利名稱：聚焦環(huán)和具有該聚焦環(huán)的基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及聚焦環(huán)和具有該聚焦環(huán)的基板處理裝置。
背景技術(shù)：
近年，隨著制造半導(dǎo)體設(shè)備的半導(dǎo)體晶片(以下，單獨(dú)稱為“晶片”)的大口徑的發(fā)展，要求在晶片的邊緣部例如從晶片的邊緣開始向中心方向10_以下的范圍也得到半導(dǎo)體設(shè)備?？墒?，由于對晶片實(shí)施等離子體處理的等離子體中的自由基的分布受到對象物的溫度分布的影響，所以為了通過自由基對晶片整體實(shí)施均勻的處理需要進(jìn)行控制使得晶片的邊緣部的溫度與該晶片其他部分的溫度大致相同。因此，現(xiàn)有技術(shù)開發(fā)了為了使聚焦環(huán)的輻射熱減少，對聚焦環(huán)進(jìn)行溫度調(diào)整進(jìn)而進(jìn)行冷卻的技術(shù)。但是，當(dāng)因?yàn)槔鋮s聚焦環(huán)而晶片整體的溫度極端地降低時(shí)，作為涂布在晶片上的圖案掩膜的抗蝕劑膜變得容易被等離子體削減，因此為了防止晶片整體的溫度極端地降低，申請人開發(fā)出在被冷卻的聚焦環(huán)(以下稱為“內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)”)的外側(cè)還設(shè)置另外的聚焦環(huán)(以下稱為“外側(cè)聚焦環(huán)”)，且不冷卻該另外的聚焦環(huán)而積極加熱的技術(shù)(例如參照專利文獻(xiàn)I)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :US-2010-0213171-A1

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明想要解決的問題但是，一般地，堆積物在溫度差較大的兩個(gè)部件的縫隙中容易附著到低溫的部件， 因此本發(fā)明者確認(rèn)了當(dāng)使用由上述的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和外側(cè)聚焦環(huán)組成的、即兩分割聚焦環(huán)時(shí)，在兩個(gè)聚焦環(huán)的縫隙中堆積物容易附著到內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)。內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和外側(cè)聚焦環(huán)的縫隙狹窄，等離子體難以進(jìn)入，因此通過灰化 (ashing)等除去附著到內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)的堆積物是比較困難的。因而，為了除去堆積物需要使腔室進(jìn)行大氣開放后取出內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)，從該內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)擦去堆積物。其結(jié)果是，有使基板處理裝置的工作效率降低的問題。另外，在基板處理裝置中，載置有內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和外側(cè)聚焦環(huán)的基座(susceptor) 被冷卻，其溫度變得比內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)低，因此內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和基座的溫度差變大，即使在內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和基座的縫隙中堆積物也附著到基座。由于內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和基座的縫隙也狹窄，所以為了除去堆積物需要使腔室進(jìn)行大氣開放后取出內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)，使基座露出之后擦去堆積物。其結(jié)果是，還是有使基板處理裝置的工作效率降低的問題。本發(fā)明的目的是提供能夠防止在溫度差大的兩個(gè)部件的縫隙中堆積物附著到低溫的部件的聚焦環(huán)和具有該聚焦環(huán)的基板處理裝置。
用于解決課題的方法為了達(dá)成上述目的，技術(shù)方案I記載的聚焦環(huán)包圍配置于基板處理裝置的處理室內(nèi)的基板的邊緣，其特征在于，包括與上述基板相鄰地配置且被冷卻的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)；包圍該內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)且不被冷卻的外側(cè)聚焦環(huán)；和配置于上述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和上述外側(cè)聚焦環(huán)的縫隙的石英部件。技術(shù)方案2記載的聚焦環(huán)，其特征在于在技術(shù)方案I記載的聚焦環(huán)中，上述石英部件暴露于在上述處理室內(nèi)的產(chǎn)生等離子體的處理空間。技術(shù)方案3記載的聚焦環(huán)，其特征在于在技術(shù)方案I或2記載的聚焦環(huán)中，在上述處理室內(nèi)配置至少載置上述基板和上述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)的載置臺，上述石英部件介于上述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和上述載置臺之間。為了達(dá)成上述目的，技術(shù)方案4記載的基板處理裝置，包括收容基板的處理室和包圍上述處理室內(nèi)配置的基板的邊緣的聚焦環(huán)，其特征在于上述聚焦環(huán)包括與上述基板鄰接地配置且被冷卻的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)；包圍該內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)且不被冷卻的外側(cè)聚焦環(huán)；和配置于上述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和上述外側(cè)聚焦環(huán)的縫隙的石英部件。為了達(dá)成上述目的，技術(shù)方案5記載的基板處理裝置，包括收容基板的處理室、包圍配置于上述處理室內(nèi)的基板的邊緣的聚焦環(huán)和載置上述基板和上述聚焦環(huán)的載置臺，其特征在于上述聚焦環(huán)包括與上述基板鄰接地配置且被冷卻的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和包圍該內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)且不被冷卻的外側(cè)聚焦環(huán)，上述載置臺被冷卻而成為比上述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)更低溫，在上述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和上述載置臺的縫隙配置有石英部件。技術(shù)方案6記載的基板處理裝置，其特征在于在技術(shù)方案5記載的基板處理裝置中，上述石英部件介于上述載置臺中載置上述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)的載置面和上述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)之間。技術(shù)方案7記載的基板處理裝置，其特征在于在技術(shù)方案6記載的基板處理裝置中，上述石英部件被延伸而配置于上述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和上述外側(cè)聚焦環(huán)的縫隙。為了達(dá)成上述目的，技術(shù)方案8記載的基板處理裝置，包括收容基板的處理室； 包圍配置于上述處理室內(nèi)的基板的邊緣的聚焦環(huán)；載置上述基板和上述聚焦環(huán)的載置臺； 和對上述聚焦環(huán)和上述載置臺的縫隙供給氣體的氣體供給裝置，其特征在于上述聚焦環(huán)包括與上述基板鄰接地配置且被冷卻的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)；和包圍該內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)且不被冷卻的外側(cè)聚焦環(huán)，上述氣體供給裝置對上述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)與上述外側(cè)聚焦環(huán)的縫隙、和上述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)與上述載置臺的縫隙中的至少一個(gè)供給氣體。技術(shù)方案9記載的基板處理裝置，其特征在于在技術(shù)方案8記載的基板處理裝置中，上述氣體供給裝置供給的氣體是氧氣。技術(shù)方案10記載的基板處理裝置，其特征在于在技術(shù)方案8記載的基板處理裝置中，上述氣體供給裝置供給的氣體是惰性氣體。技術(shù)方案11記載的基板處理裝置，其特征在于在技術(shù)方案8記載的基板處理裝置中，上述氣體供給裝置供給的氣體是處理氣體。為了達(dá)成上述目的，技術(shù)方案12記載的聚焦環(huán)，包圍配置于基板處理裝置的處理室內(nèi)的基板的邊緣，其特征在于，包括與上述基板鄰接地配置且被冷卻的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)；和包圍該內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)且不被冷卻的外側(cè)聚焦環(huán)，上述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)具有暴露于上述處理室內(nèi)的處理空間且以覆蓋上述外側(cè)聚焦環(huán)的一部分的方式突出的薄板狀的突出部。技術(shù)方案13記載的聚焦環(huán)，其特征在于在技術(shù)方案12記載的聚焦環(huán)中，上述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)具有的突出部的厚度是I. 7mm以上且2. Omm以下。為了達(dá)成上述目的，技術(shù)方案14記載的基板處理裝置，包括收容基板的處理室和包圍配置于上述處理室內(nèi)的基板的邊緣的聚焦環(huán)，其特征在于上述聚焦環(huán)包括與上述基板鄰接地配置且被冷卻的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和包圍該內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)且不被冷卻的外側(cè)聚焦環(huán)，上述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)具有暴露于上述處理室內(nèi)的處理空間且以覆蓋上述外側(cè)聚焦環(huán)的一部分的方式突出的薄板狀的突出部。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，由于在內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和外側(cè)聚焦環(huán)的縫隙配置石英部件，所以在內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和外側(cè)聚焦環(huán)的縫隙中當(dāng)?shù)入x子體與石英部件接觸時(shí)產(chǎn)生氧自由基，促進(jìn)基于該氧自由基的堆積物的分解去除。其結(jié)果是，能夠防止在溫度差大的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和外側(cè)聚焦環(huán)的縫隙中堆積物附著到低溫的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)。根據(jù)本發(fā)明，由于在內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和載置臺的縫隙配置石英部件，所以在內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和載置臺的縫隙中當(dāng)?shù)入x子體與石英部件接觸時(shí)產(chǎn)生氧自由基，促進(jìn)基于該氧自由基的堆積物的分解去除。其結(jié)果是，能夠防止在溫度差大的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和載置臺的縫隙中堆積物附著到溫度更低的載置臺。根據(jù)本發(fā)明，由于氣體供給裝置對內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)與外側(cè)聚焦環(huán)的縫隙、和內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)與載置臺的縫隙中的至少一個(gè)供給氣體，所以被供給的氣體推出成為進(jìn)入到內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)與外側(cè)聚焦環(huán)的縫隙、和內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)與載置臺的縫隙的堆積物的根源的反應(yīng)生成物。其結(jié)果是，能夠防止在溫度差大的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和外出聚焦環(huán)的縫隙中堆積物附著到低溫的內(nèi)側(cè)的聚焦環(huán)，還有防止在溫度差大的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和載置臺的縫隙中堆積物附著到更低溫的載置臺。根據(jù)本發(fā)明，由于內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)具有暴露于處理室內(nèi)的處理空間且以覆蓋外側(cè)聚焦環(huán)的方式突出的薄板狀的突出部，所以該突出部受到來自處理空間中的等離子體的輻射熱而溫度上升，在該突出部附近內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和外側(cè)聚焦環(huán)的溫度差減小。其結(jié)果是，至少在突出部附近，能夠防止在內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和外側(cè)聚焦環(huán)的縫隙中堆積物附著到低溫的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)。


圖I是概略地表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式涉及的基板處理裝置的的結(jié)構(gòu)的圖。圖2是概略地表示圖I的基板處理裝置具有的聚焦環(huán)的結(jié)構(gòu)的放大截面圖，圖 2(A)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)，圖2(B)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)的第I變形例， 圖2 (C)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)的第2變形例，圖2 (D)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)的第3變形例，圖2 (E)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)的第4變形例，圖2 (F)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)的第5變形例。圖3是概略地表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式涉及的基板處理裝置具有的聚焦環(huán)的結(jié)構(gòu)的放大截面圖，圖3(A)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)，圖3 (B)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)的第I變形例，圖3(C)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)的第2變形例，圖3(D)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)的第3變形例。 圖4是概略地表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式涉及的基板處理裝置具有的聚焦環(huán)的結(jié)構(gòu)的放大截面圖，圖4(A)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)，圖4(B)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)的第I變形例。圖5是概略地表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式涉及的基板處理裝置具有的聚焦環(huán)的結(jié)構(gòu)的放大截面圖。
圖6是概略地表示能夠除去附著的堆積物的基板處理裝置具有的聚焦環(huán)附近的結(jié)構(gòu)的放大截面圖，圖6(A)表不第I例，圖6(B)表不第2例。
圖7是概略地表示能夠除去附著的堆積物的基板處理裝置具有的聚焦環(huán)附近的結(jié)構(gòu)的放大截面圖，圖7 (A)表示第3例，圖7 (B)表示第4例。
圖8是概略地表示能夠除去附著的堆積物的基板處理裝置具有的聚焦環(huán)附近的結(jié)構(gòu)的放大截面圖，圖8 (A)表示第5例，圖8 (B)表示第6例，圖8 (C)表示第7例，圖8 (D)表示第8例。
符號說明
W晶片
10基板處理
12基座
25聚焦環(huán)
25a內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)
25b外側(cè)聚焦環(huán)
25c、25d塊部件
25e凸緣部
35氣體供給口
36、38激光
37激光導(dǎo)向部件
39、40推進(jìn)銷
41接地部件
42接地電極
43正電位電極
44電磁鐵具體實(shí)施方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
首先，對本發(fā)明的第I實(shí)施方式涉及的基板處理裝置進(jìn)行說明。
圖I是概略地表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。本基板處
理裝置對作為基板的半導(dǎo)體設(shè)備用的晶片(以下僅稱為“晶片”)進(jìn)行等離子體蝕刻處理。
在圖I中，基板處理裝置10，例如具有收容直徑300mm的晶片W的腔室11，并在該腔室11內(nèi)配置有載置晶片W的圓柱狀的基座12 (載置臺)。在基板處理裝置10中，由腔室 11的內(nèi)側(cè)壁和基座12的側(cè)面形成側(cè)面排氣路13。在該側(cè)面排氣路13的中途配置有排氣板14。排氣板14是具有多個(gè)貫穿孔的板狀部件，作為將腔室11內(nèi)部隔離為上部和下部的隔離板發(fā)揮作用。在被排氣板14隔離的腔室11內(nèi)部的上部(以下稱為“處理室”)15的內(nèi)部空間(處理空間)如后述產(chǎn)生等離子體。另外，腔室11內(nèi)部的下部(以下稱為“排氣室(集合管manifold) ”) 16與排出腔室11內(nèi)的氣體的排氣管17連接。排氣板14捕捉或反射在處理室15產(chǎn)生的等離子體，防止其向集合管16泄漏。在排氣管17 連接 TMP(Turbo Molecular Pump)和 DP(Dry Pump)(均未圖不)，這些泵對腔室11內(nèi)進(jìn)行抽真空減壓。具體而言，DP將腔室11內(nèi)從大氣壓減壓至中真空狀態(tài) (例如I. 3X IOPa(O. ITorr)以下)，TMP與DP協(xié)作將腔室11內(nèi)減壓到比中真空狀態(tài)壓力更低的高真空狀態(tài)(例如I. 3 X 10_3Pa (I. OX I(T5Torr)以下)。而且，腔室11內(nèi)的壓力由 APC閥(未圖示)控制。腔室11內(nèi)的基座12經(jīng)由第I匹配器19與第I高頻電源18連接，且經(jīng)由第2匹配器21與第2高頻電源20連接，第I高頻電源18對基座12施加比較低的頻率例如2MHz 的離子引入用的高頻電力，第2高頻電源20對基座12施加比較高的頻率例如60MHz的等離子體生成用的高頻電力。由此，基座12作為電極發(fā)揮作用。另外，第I匹配器19和第2匹配器21降低來自基座12的高頻電力的反射，使高頻電力的對基座12的施加頻率為最大。在基座12的上部邊緣部以該基座12的中央部分向圖中上方突出的方式形成有臺階。在該基座12的中央部分的頂端配置有由在內(nèi)部具有靜電電極板22的陶瓷形成的靜電卡盤23。靜電電極板22與直流電源24連接，當(dāng)對靜電電極板22施加正的直流電壓時(shí)， 在晶片W中的靜電卡盤23 —側(cè)的面(以下稱為“背面”)產(chǎn)生負(fù)電位，在靜電電極板22和晶片W的背面之間產(chǎn)生電位差，通過由該電位差引起的庫侖力或約翰遜·拉別克(Johnsen Rahbek)力，晶片W被靜電卡盤23吸附保持。另外，基座12在內(nèi)部具有由制冷劑流路構(gòu)成的冷卻機(jī)構(gòu)(未圖示)，該冷卻機(jī)構(gòu)通過經(jīng)由基座12吸收與等離子體接觸而溫度上升的晶片W的熱，來防止晶片W的溫度變?yōu)樗谕臏囟纫陨?。考慮傳熱效率和電極機(jī)能，基座12由導(dǎo)電體例如鋁構(gòu)成，但是為了防止導(dǎo)電體暴露到等離子體產(chǎn)生的處理室15，該基座12的側(cè)面通過由電介體例如石英(SiO2)構(gòu)成的側(cè)面保護(hù)部件26覆蓋。而且，在基座12的上部以包圍被靜電卡盤23吸附保持的晶片W的方式向基座12 的臺階(載置面)和側(cè)面保護(hù)部件26載置聚焦環(huán)25。聚焦環(huán)25是由包圍晶片W的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a和包圍該內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的外側(cè)聚焦環(huán)25b構(gòu)成的兩分割聚焦環(huán)，內(nèi)側(cè)聚焦環(huán) 25a和外側(cè)聚焦環(huán)25b由硅(Si)或碳化硅(SiC)構(gòu)成。S卩，聚焦環(huán)25由半導(dǎo)體構(gòu)成，因此使等離子體的分布區(qū)域不僅在晶片W上而且擴(kuò)大至該聚焦環(huán)25上，將晶片W的邊緣部上的等離子體的密度維持為與該晶片W的中央部上的等離子體的密度相同的程度。由此，確保對晶片W的整個(gè)面實(shí)施的等離子體蝕刻處理的均勻性。內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a主要被載置在基座12的臺階，外側(cè)聚焦環(huán)25b主要被載置在側(cè)面保護(hù)部件26，但在內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a和基座12之間，如后述的圖2(A)所示，隔有由具有傳熱特性的傳熱性硅橡膠等形成的傳熱片34。傳熱片34將與等離子體接觸而溫度上升的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的熱向基座12進(jìn)行傳熱,使熱被該基座12的冷卻機(jī)構(gòu)吸收。另一方面，由于在外側(cè)聚焦環(huán)25b和側(cè)面保護(hù)部件26之間沒有隔著任何部件，所以當(dāng)處理室15的內(nèi)部空間被減壓時(shí)，在外側(cè)聚焦環(huán)25b和側(cè)面保護(hù)部件26之間產(chǎn)生真空絕熱層，與等離子體接觸而溫度上升的外側(cè)聚焦環(huán)25b的熱不向側(cè)面保護(hù)部件26傳熱，其結(jié)果是，外側(cè)聚焦環(huán)25b不被冷卻，外側(cè)聚焦環(huán)25b的溫度被維持較高的狀態(tài)。由此，能夠?qū)?nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的溫度維持在所期望的低溫，并且能夠?qū)⑼鈧?cè)聚焦環(huán)25b的溫度維持在高溫。在腔室11的頂部以與基座12相對的方式配置有噴淋頭27。噴淋頭27包括上部電極板28 ;可裝卸地吊掛該上部電極板28的冷卻板29 ;和覆蓋該冷卻板29的蓋體30。上部電極板28由具有沿厚度方向貫穿的多個(gè)氣體孔31的圓板狀部件構(gòu)成。在冷卻板29的內(nèi)部設(shè)置有緩沖室32，該緩沖室32與處理氣體導(dǎo)入管33連接。在基板處理裝置10中，從處理氣體導(dǎo)入管33向緩沖室32供給的處理氣體經(jīng)由氣體孔31被導(dǎo)入處理室15的內(nèi)部空間，該被導(dǎo)入的處理氣體被從第2高頻電源20經(jīng)由基座 12向處理室15的內(nèi)部空間施加的等離子體生成用的高頻電力激勵(lì)，成為等離子體。該等離子體中的離子被第I高頻電源18對基座12施加的離子吸引用的高頻電力吸向晶片W，對該晶片W實(shí)施等離子體蝕刻處理。在對晶片W實(shí)施等離子體蝕刻處理期間，晶片W的被蝕刻層和等離子體反應(yīng)生成的反應(yīng)生成物在處理室15的內(nèi)部空間飄蕩，作為堆積物向處理室15的各部位附著。特別是，堆積物具有在溫度差大的兩個(gè)部件的縫隙中附著到低溫的部件的傾向，因此在內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a和外側(cè)聚焦環(huán)25b的縫隙中附著到內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a。由于內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a和外側(cè)聚焦環(huán)25b的縫隙狹窄或者呈迷宮式結(jié)構(gòu)，因此難以去除附著到內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的堆積物。在本實(shí)施方式中，與此對應(yīng)，在內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a和外側(cè)聚焦環(huán)25b的縫隙配置由石英構(gòu)成的部件。圖2是概略地表示圖I的基板處理裝置具有的聚焦環(huán)的結(jié)構(gòu)的放大截面圖，圖 2(A)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)，圖2(B)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)的第I變形例， 圖2 (C)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)的第2變形例，圖2 (D)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)的第3變形例，圖2 (E)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)的第4變形例，圖2 (F)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)的第5變形例。在圖2(A)中，聚焦環(huán)25具有由配置于內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a和外側(cè)聚焦環(huán)25b的縫隙 (以下稱為“第I縫隙”)的石英構(gòu)成的塊部件25c (石英部件)。當(dāng)在基板處理裝置10中對晶片W實(shí)施等離子體蝕刻處理時(shí)，當(dāng)?shù)入x子體、特別是自由基進(jìn)入第I縫隙與塊部件25C接觸時(shí)，與石英產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)從塊部件25c產(chǎn)生氧自由基。在第I縫隙中反應(yīng)生成物作為堆積物附著到內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a時(shí)，該氧自由基直接與附著的堆積物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，分解除去該堆積物。其結(jié)果是，能夠防止在溫度差大的第I縫隙中堆積物附著到內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a。只要在第I縫隙中產(chǎn)生氧自由基，就能夠防止堆積物附著到內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a，因此只要塊部件25c存在于第I縫隙即可，塊部件25c的形狀和大小并無限制。因此，塊部件25c 的截面形狀可以為向下凸出的截面形狀(圖2 (B))、向上凸出的截面形狀(圖2 (C))或者矩形的截面形狀(圖2(D))，但優(yōu)選塊部件25c的一部分暴露于處理室15的內(nèi)部空間。由此， 能夠促進(jìn)等離子體與塊部件25c的接觸，所以能夠可靠地從塊部件25c產(chǎn)生氧自由基。另外，若與進(jìn)入到第I空間的等離子體接觸，則塊部件25c也可以不直接暴露于處理室15的內(nèi)部空間(圖2(E))。而且，塊部件25c也可以介于內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的下表面和基座12的臺階之間(圖 2(F)) 0由此，能夠防止成為堆積物的根源的反應(yīng)生成物進(jìn)入內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的下表面和基座12的臺階之間，并且由于塊部件25c也在內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的下表面和基座12的臺階之間產(chǎn)生氧自由基，因此能夠在內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的下表面和基座12的臺階之間促進(jìn)基于氧自由基的堆積物的分解去除。而且，在該情況下，在基座12的臺階與塊部件25c之間、和塊部件25c與內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a之間分別配置有傳熱片34a、34b。塊部件25c由石英形成，因此當(dāng)與等離子體發(fā)生了化學(xué)反應(yīng)時(shí)，不僅產(chǎn)生氧自由基也產(chǎn)生硅自由基。硅自由基作為硅單體或者作為與氧氣結(jié)合后的氧化硅有可能附著到配置于處理室15的內(nèi)部空間的其他的構(gòu)成部件，因此優(yōu)選向處理室15的內(nèi)部空間導(dǎo)入氟化碳(CF)類的處理氣體。由于從氟化碳類的處理氣體生成的等離子體分解硅和碳化硅，所以能夠防止娃和碳化娃附著到其他的構(gòu)成部件。接著，對本發(fā)明的第2實(shí)施方式涉及的基板處理裝置進(jìn)行說明。本實(shí)施方式，由于其結(jié)構(gòu)、作用與上述的第I實(shí)施方式基本相同，所以對于重復(fù)的結(jié)構(gòu)、作用省略說明，以下針對不同的結(jié)構(gòu)、作用進(jìn)行說明。在圖I的基板處理裝置10中，為了使聚焦環(huán)25容易裝卸到基座12，在基座12的側(cè)面和內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的內(nèi)側(cè)面之間設(shè)置有規(guī)定的寬度的縫隙，但由于基座12被內(nèi)置的冷卻機(jī)構(gòu)直接冷卻，因此基座12的溫度變?yōu)檫h(yuǎn)低于內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的溫度。S卩，在基座12的側(cè)面和內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的內(nèi)側(cè)面的縫隙(以下稱為“第2縫隙”)溫度差變大。因此，在第 2縫隙中堆積物附著到基座12上。在本實(shí)施方式中，與此對應(yīng)，在第2縫隙配置有由石英形成的部件。圖3是概略地表示本發(fā)明實(shí)施方式涉及的基板處理裝置具有的聚焦環(huán)的結(jié)構(gòu)的放大截面圖，圖3(A)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)，圖3(B)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)的第I變形例，圖3(C)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)的第2變形例，圖3 (D)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)的第3變形例。在圖3(A)中，聚焦環(huán)25具有由配置于第2縫隙的石英形成的塊部件25d(石英部件)。當(dāng)在基板處理裝置10中對晶片W實(shí)施等離子體蝕刻處理時(shí)，當(dāng)?shù)入x子體、特別是自由基進(jìn)入第2縫隙與塊部件25d接觸時(shí)，從塊部件25d產(chǎn)生氧自由基。該氧自由基在第 2縫隙與堆積物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，分解除去該堆積物。其結(jié)果是，能夠防止在溫度差大的第2 縫隙中堆積物附著到基座12上。只要在第2縫隙中產(chǎn)生氧自由基，就能夠防止堆積物附著到基座12，因此塊部件 25d只要存在于第2縫隙即可，塊部件25d的形狀和大小并無限制。另外，塊部件25d也可以介于內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的下表面和基座12的臺階之間(圖3(B))。由此，能夠防止成為堆積物的根源的反應(yīng)生成物進(jìn)入內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的下表面和基座12的臺階之間，并且由于塊部件25d在內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的下表面和基座12的臺階之間也使氧自由基產(chǎn)生，因此能夠在內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的下表面和基座12的臺階之間促進(jìn)基于氧自由基的堆積物的分解去除。而且，在該情況下，在基座12的臺階與塊部件25d的下表面之間、和塊部件25d的上表面與內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a之間分別配置有傳熱片34a、34b。
而且，塊部件25d被延伸且該延伸的部分也可以配置于第I縫隙(圖3(B))。由此，同時(shí)能夠防止在第I縫隙和第2縫隙中堆積物附著到各部件。另外，聚焦環(huán)25不僅具有塊部件25d，也可以具有第I實(shí)施方式中的塊部件 25c(圖3(C))，進(jìn)而塊部件25d不僅可以介于內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的下表面和基座12的臺階之間，也可以介于外側(cè)聚焦環(huán)25b的下表面和側(cè)面保護(hù)部件26之間(圖3(D))。接著，對本發(fā)明的第3實(shí)施方式涉及的基板處理裝置進(jìn)行說明。本實(shí)施方式，由于其結(jié)構(gòu)、作用與上述的第I實(shí)施方式基本相同，所以對于重復(fù)的結(jié)構(gòu)、作用省略說明，以下針對不同的結(jié)構(gòu)、作用進(jìn)行說明。圖4是概略地表示本實(shí)施方式涉及的基板處理裝置具有的聚焦環(huán)的結(jié)構(gòu)的放大截面圖，圖4(A)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)，圖4(B)表示本實(shí)施方式涉及的聚焦環(huán)的第 I變形例。在圖4(A)中，基本處理裝置10具有在基座12的臺階中開口且與內(nèi)側(cè)聚焦環(huán) 25a的下表面相對的氣體供給口 35 (氣體供給裝置)。氣體供給口 35，當(dāng)在基板處理裝置10中執(zhí)行等離子體蝕刻處理或利用等離子體的洗凈處理、例如WLDC(Wafer Less Dry Cleaning)處理時(shí)，向內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的下表面供給規(guī)定的氣體例如氧氣。供給的氧氣(在圖中用箭頭表示)在基座12的臺階和內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的下表面之間流動(dòng)，被供給到第I縫隙和第2縫隙中的至少一個(gè)。在第I縫隙或第2縫隙流動(dòng)的氧氣，與進(jìn)入到第I縫隙或第2縫隙的等離子體接觸，產(chǎn)生氧自由基。該氧自由基在第I縫隙或第2縫隙中與堆積物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，分解除去該堆積物。其結(jié)果是，能夠防止在溫度差大的第I縫隙或第2縫隙中堆積物附著到基座12 和內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a。另外，由于在第I縫隙或第2縫隙流動(dòng)的氧氣，將成為進(jìn)入到第I縫隙或第2縫隙的堆積物的根源的反應(yīng)生成物向處理室15的內(nèi)部空間推出，所以能夠更可靠地防止在第I縫隙和第2縫隙的堆積物的附著。在上述的實(shí)施方式中，將氣體供給口 35設(shè)置于基座12的臺階中，但只要?dú)怏w供給口 35能將進(jìn)行供給的氣體供給到第I縫隙和第2縫隙，氣體供給口 35的配置位置并不限定于基座12的臺階。例如，氣體供給口 35也可以設(shè)置于基座12和側(cè)面保護(hù)部件26之間 (圖4(B))，也可以設(shè)置于側(cè)面保護(hù)部件26(未圖示)。另外，從氣體供給口 35供給的氣體并不限定于氧氣，也可以供給惰性氣體例如稀有氣體和氮?dú)鈿怏w、或者處理氣體。惰性氣體將進(jìn)入到第I縫隙和第2縫隙的反應(yīng)生成物推出，但不與進(jìn)入到第I縫隙和第2縫隙的等離子體發(fā)生反應(yīng)生成新的反應(yīng)生成物，所以能夠更可靠地防止在第I縫隙和第2縫隙中的堆積物的附著。另外，處理氣體也推出進(jìn)入到第I縫隙和第2縫隙的反應(yīng)生成物，但即使該處理氣體泄漏到處理室15的內(nèi)部空間，也不對等離子體的成分產(chǎn)生影響，因此能夠防止對晶片W實(shí)施與所期望的等離子體蝕刻處理不同的等離子體蝕刻處理。而且，在氣體供給口 35供給氧氣或處理氣體等的情況下，可能當(dāng)這些氣體向處理室15的內(nèi)部空間泄漏時(shí)對在該內(nèi)部空間的等離子體的密度和分布產(chǎn)生影響。在基板處理裝置10中，與此對應(yīng)，優(yōu)選減少從在噴淋頭27中與第I縫隙和第2縫隙相對的部分供給的氧氣或處理氣體的供給量。接著，對本發(fā)明的第4實(shí)施方式涉及的基板處理裝置進(jìn)行說明。
本實(shí)施方式，其結(jié)構(gòu)、作用與上述的第I實(shí)施方式基本相同，因此對于重復(fù)的結(jié)構(gòu)、作用省略說明，以下針對不同的結(jié)構(gòu)、作用進(jìn)行說明。圖5是概略地表示本實(shí)施方式涉及的基板處理裝置具有的聚焦環(huán)的結(jié)構(gòu)的放大截面圖。在圖5中，內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a具有在處理室15的內(nèi)部空間一側(cè)中暴露于該內(nèi)部空間且以覆蓋外側(cè)聚焦環(huán)25b的方式突出的薄板狀的凸緣部25e(突出部)。該凸緣部25e與外側(cè)聚焦環(huán)25b的相對面一起構(gòu)成第I縫隙。該凸緣部25e的厚度設(shè)定為I. 7mm以上且
2.Omm以下。當(dāng)在基板處理裝置10中執(zhí)行等離子體蝕刻處理或WLDC處理時(shí)，由于凸緣部25e 的厚度薄因此熱容小，所以接受來自等離子體的輻射熱后溫度與內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的其他部位相比上升。其結(jié)果是，能夠在第I縫隙中使內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a和外側(cè)聚焦環(huán)25b的溫度差變小，而且，能夠防止在第I縫隙中堆積物附著到內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a。另外，例如即使在第I縫隙中附著了堆積物，通過來自高溫的凸緣部25e和外側(cè)聚焦環(huán)25b的輻射熱也能夠分解除去附著的堆積物。在本實(shí)施方式中，由于凸緣部25e覆蓋外側(cè)聚焦環(huán)25b，因此第I縫隙呈迷宮式結(jié)構(gòu)。其結(jié)果是，成為堆積物的根源的反應(yīng)生成物難以進(jìn)入第I縫隙的基座12 —側(cè)，由此能夠可靠地防止在第I縫隙中附著堆積物。另外，凸緣部25e的厚度的最小值是I. 7mm,因此能夠防止該凸緣部25e的剛性極端降低，并能夠防止在內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的交換作業(yè)中凸緣部25e損壞。另外，凸緣部25e的厚度的上限是2. Omm,因此凸緣部25e的熱容變大，能夠防止即使受到等離子體的輻射熱溫度也不上升。以上，關(guān)于本發(fā)明，使用上述的各實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限定于上述各實(shí)施方式。而且，上述的各實(shí)施方式，不僅能夠適用于對半導(dǎo)體設(shè)備用的晶片W進(jìn)行等離子體蝕刻處理的等離子體處理裝置10，而且也能夠適用于使用等離子體對含有IXD(Liquid Crystal Display)的FPD(Flat Panel Display)等中使用的各種基板或光掩膜、CD基板、 印刷基板等進(jìn)行處理的等離子體處理裝置。以上，關(guān)于能夠防止在第I縫隙和第2縫隙中堆積物進(jìn)行附著的本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但在等離子體蝕刻處理中產(chǎn)生大量的反應(yīng)生成物的情況等，即使根據(jù)上述的各實(shí)施方式，也具有不能完全地防止在第I縫隙和第2縫隙中堆積物進(jìn)行附著的情況。以下，對于能夠除去在第I縫隙和第2縫隙中附著的堆積物的基板處理裝置的例子進(jìn)行說明。以下說明的各例能夠與上述的本發(fā)明的各實(shí)施方式一起使用。圖6是概略地表示能夠除去附著的堆積物的基板處理裝置具有的聚焦環(huán)附近的結(jié)構(gòu)的放大截面圖，圖6(A)表不第I例，圖6(B)表不第2例。在圖6(A)中，側(cè)面保護(hù)部件26具有由使激光透過的材料例如石英構(gòu)成且朝第I 縫隙向上方突出的突出部26a，在該突出部26a設(shè)置有與在第I縫隙中的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a 相對的相對面26b。另外，在與側(cè)面保護(hù)部件26相比圖中下方配置有激光照射裝置(未圖示)，該激光照射裝置朝向側(cè)面保護(hù)部件26照射例如波長I IOOnm以下的聚焦環(huán)加熱用的激光36。
照射到側(cè)面保護(hù)部件26的激光36在側(cè)面保護(hù)部件26的各內(nèi)表面重復(fù)反射，并且從側(cè)面保護(hù)部件26的上部被照射向外側(cè)聚焦環(huán)25b。由于外側(cè)聚焦環(huán)25b由硅或碳化硅構(gòu)成，因此外側(cè)聚焦環(huán)25b吸收波長IlOOnm以下的激光36并通過該吸收的激光36的能量被加熱。此時(shí)，突出面26a的相對面26b與第I縫隙中的內(nèi)存聚焦環(huán)25a相對，因此激光36 的一部分從相對面26b向內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a照射。該激光36的一部分被被附著于內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的堆積物吸收，而使該堆積物的溫度上升。由此，堆積物的分解除去被促進(jìn)，其結(jié)果是能夠除去在第I縫隙中附著于內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的堆積物。而且，當(dāng)被照射到內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的聚焦環(huán)加熱用的激光36的一部分的光量少， 堆積物的溫度未充分上升時(shí)，也可以向側(cè)面保護(hù)部件26照射與聚焦環(huán)加熱用的激光36不同的另外的激光，例如被堆積物有效地吸收的激光，可以將該另外的激光的一部分從相對面26b向內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a照射。由此，能夠充分且有效地使堆積物的溫度上升。另外，當(dāng)不能直接對第I縫隙照射激光時(shí)，例如第I縫隙呈迷宮式結(jié)構(gòu)的情況下， 如圖6 (B)所示，除側(cè)面保護(hù)部件26之外還以與第I縫隙相對的方式在基座12和側(cè)面保護(hù)部件26之間配置有例如由石英形成的激光導(dǎo)向部件37 (激光透過部件)，在與激光導(dǎo)向部件37相比更靠近圖中下方處配置有另外的激光照射裝置(未圖示)，該另外的激光照射裝置向激光導(dǎo)向部件37照射例如波長比IlOOnm大的激光38。被照射到激光導(dǎo)向部件37的激光38，透過激光導(dǎo)向部件37期間，在該激光導(dǎo)向部件37的各內(nèi)表面重復(fù)反射，并從激光導(dǎo)向部件37的上部向第I縫隙照射。在此，由于第I 縫隙呈迷宮式結(jié)構(gòu)，因此例如雖然內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的一部分和外側(cè)聚焦環(huán)25b的一部分存在于激光38的光路上，但硅或碳化硅也使波長大于IlOOnm的光透過，所以激光38透過內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的一部分和外側(cè)聚焦環(huán)25b到達(dá)第I縫隙，被第I縫隙中的堆積物吸收，使該堆積物的溫度上升。由此，能夠除去第I縫隙中的堆積物。另外，當(dāng)在第I縫隙和另外的激光照射裝置之間未配置吸收激光的部件和構(gòu)件時(shí)，另外的激光照射裝置不僅可以配置在激光導(dǎo)向部件37的下方，也可以配置于腔室11的側(cè)壁附近或腔室11的上方的蓋體的附近。在該情況下，優(yōu)選另外的激光照射裝置指向第I縫隙。圖7是概略地表示能夠除去附著的堆積物的基板處理裝置所具有的聚焦環(huán)附近的結(jié)構(gòu)的放大截面圖，圖7 (A)表示第3例，圖7 (B)表示第4例。在圖7(A)中，基板處理裝置10還具有從基座12的臺階自由伸出的推進(jìn)銷39。當(dāng)推進(jìn)銷39向上方伸出時(shí)，舉起內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a使其離開外側(cè)聚焦環(huán)25b。通常，堆積物與等離子體接觸時(shí)特別是與自由基發(fā)生化學(xué)反應(yīng)被分解除去。在此，由于被推進(jìn)銷39舉起的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a暴露于處理室15的內(nèi)部空間的等離子體，所以附著于內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的堆積物的基于等離子體的分解除去被促進(jìn)。其結(jié)果是，能夠除去在第I縫隙中附著于低溫的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的堆積物。另外，在圖7(B)中，基板處理裝置10還具有從側(cè)面保護(hù)部件26的上表面自由伸出的推進(jìn)銷40。當(dāng)推進(jìn)銷40向上方伸出時(shí)，舉起外側(cè)聚焦環(huán)25b并使其離開內(nèi)側(cè)聚焦環(huán) 25a。在本例中，由于外側(cè)聚焦環(huán)25b離開內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a，所以附著于內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的堆積物暴露于處理室15的內(nèi)部空間的等離子體。由此，附著于內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的堆積物的基于等離子體的分解除去被促進(jìn)，所以能夠除去在第I縫隙中附著于低溫的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的堆積物。上述的第3例和第4例中的堆積物除去，在基板處理裝置10中實(shí)施WLDC處理時(shí)被執(zhí)行。另外，在第3例和第4例中，由于作為使內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a和外側(cè)聚焦環(huán)25b移動(dòng)的裝置使用推動(dòng)銷，所以能夠防止基板處理裝置10的結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜。圖8是概略地表示能夠除去附著的堆積物的基板處理裝置所具有的聚焦環(huán)附近的結(jié)構(gòu)的放大截面圖，圖8 (A)表示第5例，圖8 (B)表示第6例，圖8 (C)表示第7例，圖8 (D) 表示第8例。在圖8(A)中，基板處理裝置10還具有配置于側(cè)面保護(hù)部件26的外側(cè)且外側(cè)聚焦環(huán)25b的下方的、由半導(dǎo)體或?qū)щ婓w例如硅形成的接地部件41。接地部件41的電位被維持為接地。在本例中，由于在外側(cè)聚焦環(huán)25b的附近配置有接地部件41，因此外側(cè)聚焦環(huán)25b 的電位也接近接地電位。另一方面，由于在基座12和內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a產(chǎn)生負(fù)的偏壓電位， 因此外側(cè)聚焦環(huán)25b的電位相對變高，容易引入電子。其結(jié)果是，能夠使與外側(cè)聚焦環(huán)25b 相對的鞘(sheath)的厚度變大，能夠使在處理室15的內(nèi)部空間中的等離子體從與外側(cè)聚焦環(huán)25b相對的位置向與內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a相對的位置靠近。由此，能夠提高與第I縫隙和第 2縫隙相對的等離子體的密度，并且能夠使進(jìn)入第I縫隙和第2縫隙的等離子體增加。其結(jié)果是，能夠促進(jìn)在第I縫隙和第2縫隙中的堆積物的基于等離子體的分解，能夠除去在第I 縫隙中附著于低溫的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的堆積物和在第2縫隙中附著于更低溫的基座12的堆積物。在圖8(B)中，基板處理裝置10還具有在側(cè)面保護(hù)部件26內(nèi)配置于外側(cè)聚焦環(huán) 25b的附近的接地電位的接地電極42。在本例中，由于在外側(cè)聚焦環(huán)25b的附近配置有接地電極42，因此外側(cè)聚焦環(huán)25b 的電位也接近接地電位。其結(jié)果是，能夠使處理室15的內(nèi)部空間中的等離子體從與外側(cè)聚焦環(huán)25b相對的位置向與內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a相對的位置靠近。由此，能夠提高與第I縫隙和第2縫隙相對的等離子體的密度，并且能夠除去在第I縫隙中附著于低溫的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a 的堆積物和在第2縫隙中附著于更低溫的基座12堆積物。在圖8(C)中，基板處理裝置10還具有在側(cè)面保護(hù)部件26內(nèi)配置于外側(cè)聚焦環(huán) 25b的附近的、施加正的直流電壓的正電位電極43。在本例中，由于在外側(cè)聚焦環(huán)25b的附近配置有正電位電極43，所以外側(cè)聚焦環(huán) 25b的電位也呈正電位。其結(jié)果是，能夠使處理室15的內(nèi)部空間中的等離子體從與外側(cè)聚焦環(huán)25b相對的位置向與內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a相對的位置靠近。由此，能夠提高與第I縫隙和第2縫隙相對的等離子體的密度，并且能夠除去在第I縫隙中附著于低溫的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a 的堆積物和在第2縫隙中附著于更低溫的基座12堆積物。在圖8(D)中，基板處理裝置10還具有在聚焦環(huán)25的下方配置于第I縫隙的附近的電磁鐵44。在本例中，電磁鐵44以第I縫隙為中心產(chǎn)生磁場，使處理室15的內(nèi)部空間中的等離子體從與外側(cè)聚焦環(huán)25b相對的位置向與內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a相對的位置靠近。由此，能夠提高與第I縫隙和第2縫隙相對的等離子體的密度，并且能夠除去在第I縫隙中附著于低溫的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)25a的堆積物和在第2縫隙中附著于更低溫的基座12堆積物。
權(quán)利要求
1.一種聚焦環(huán)，其包圍配置于基板處理裝置的處理室內(nèi)的基板的邊緣，該聚焦環(huán)的特征在于，包括與所述基板鄰接地配置且被冷卻的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)；包圍該內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)且不被冷卻的外側(cè)聚焦環(huán)；和配置于所述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和所述外側(cè)聚焦環(huán)的縫隙的石英部件。
2.如權(quán)利要求I所述的聚焦環(huán)，其特征在于所述石英部件暴露于所述處理室內(nèi)的產(chǎn)生等離子體的處理空間。
3.如權(quán)利要求I或2所述的聚焦環(huán)，其特征在于在所述處理室內(nèi)配置至少載置所述基板和所述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)的載置臺，所述石英部件介于所述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和所述載置臺之間。
4.一種基板處理裝置，其包括收容基板的處理室和包圍配置于所述處理室內(nèi)的基板的邊緣的聚焦環(huán)，該基板處理裝置的特征在于所述聚焦環(huán)包括與所述基板鄰接地配置且被冷卻的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)；包圍該內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)且不被冷卻的外側(cè)聚焦環(huán)；和配置于所述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和所述外側(cè)聚焦環(huán)的縫隙的石英部件。
5.一種基板處理裝置，其包括收容基板的處理室、包圍配置于所述處理室內(nèi)的基板的邊緣的聚焦環(huán)和載置所述基板和所述聚焦環(huán)的載置臺，該基板處理裝置的特征在于所述聚焦環(huán)包括與所述基板鄰接地配置且被冷卻的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)；和包圍該內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)且不被冷卻的外側(cè)聚焦環(huán)，所述載置臺被冷卻，成為比所述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)更低溫，在所述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和所述載置臺的縫隙配置有石英部件。
6.如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于所述石英部件介于所述載置臺中載置所述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)的載置面和所述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)之間。
7.如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于所述石英部件被延伸而配置于所述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)和所述外側(cè)聚焦環(huán)的縫隙。
8.一種基板處理裝置，其包括收容基板的處理室、包圍配置于所述處理室內(nèi)的基板的邊緣的聚焦環(huán)、載置所述基板和所述聚焦環(huán)的載置臺和對所述聚焦環(huán)與所述載置臺的縫隙供給氣體的氣體供給裝置，該基板處理裝置的特征在于所述聚焦環(huán)包括與所述基板鄰接地配置且被冷卻的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)；和包圍該內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)且不被冷卻的外側(cè)聚焦環(huán)，所述氣體供給裝置，對所述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)與所述外側(cè)聚焦環(huán)的縫隙、和所述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)與所述載置臺的縫隙中的至少一個(gè)供給氣體。
9.如權(quán)利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于所述氣體供給裝置供給的氣體是氧氣。
10.如權(quán)利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于所述氣體供給裝置供給的氣體是惰性氣體。
11.如權(quán)利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于所述氣體供給裝置供給的氣體是處理氣體。
12.—種聚焦環(huán)，其包圍配置于基板處理裝置的處理室內(nèi)的基板的邊緣，該聚焦環(huán)的特征在于，包括與所述基板鄰接地配置且被冷卻的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)；和包圍該內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)且不被冷卻的外側(cè)聚焦環(huán)，所述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)具有暴露于所述處理室內(nèi)的處理空間且以覆蓋所述外側(cè)聚焦環(huán)的一部分的方式突出的薄板狀的突出部。
13.如權(quán)利要求12所述的聚焦環(huán)，其特征在于所述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)具有的突出部的厚度是I. 7mm以上且2. Omm以下。
14.一種基板處理裝置，其包括收容基板的處理室和包圍配置于所述處理室內(nèi)的基板的邊緣的聚焦環(huán)，該基板處理裝置的特征在于所述聚焦環(huán)包括與所述基板鄰接地配置且被冷卻的內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)；和包圍該內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)且不被冷卻的外側(cè)聚焦環(huán)，所述內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)具有暴露于所述處理室內(nèi)的處理空間且以覆蓋所述外側(cè)聚焦環(huán)的一部分的方式突出的薄板狀的突出部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠防止在溫度差大的兩個(gè)部件的縫隙中堆積物附著到低溫的部件的聚焦環(huán)。聚焦環(huán)(25)包圍配置于基板處理裝置(10)的腔室(11)內(nèi)的晶片(W)的邊緣，內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)(25a)和外側(cè)聚焦環(huán)(25b)構(gòu)成聚焦環(huán)(25)，內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)(25a)與晶片(W)鄰接地配置且被冷卻，外側(cè)聚焦環(huán)(25b)包圍內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)(25a)且不被冷卻，塊部件(25c)配置于內(nèi)側(cè)聚焦環(huán)(25a)和外側(cè)聚焦環(huán)(25b)之間。
文檔編號H01J37/02GK102592936SQ201210003658
公開日2012年7月18日 申請日期2012年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月7日
發(fā)明者山涌純, 輿水地鹽 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社