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鍍膜設(shè)備的制作方法

文檔序號(hào):3420493閱讀:331來源:國知局
專利名稱:鍍膜設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種真空鍍膜設(shè)備,尤其涉及一種加熱穩(wěn)定的鍍膜設(shè)備。
技術(shù)背景隨著光學(xué)產(chǎn)品的發(fā)展,光學(xué)元件的應(yīng)用范圍越來越廣。相應(yīng)地,業(yè)界采用各種方法來制 造光學(xué)元件以適應(yīng)市場(chǎng)對(duì)不同規(guī)格光學(xué)元件的需求(請(qǐng)參閱"Fabrication of Diffractive Optical Lens for Beam splitting Using LIGA Process" , Mechatronics and Automation, Proceedings of the 2006 IEEE International Conference on, 卯.1242-1247, 2006.06)。通常來說,制造出的光學(xué)元件需經(jīng)過后續(xù)處理以獲得適于應(yīng)用 的良好性能。鍍膜工序?yàn)楹罄m(xù)處理中的重要步驟之一。鍍膜是指以物理或化學(xué)方法在光學(xué)元件表面鍍 上單層或多層薄膜,利用入射、反射及透射光線在薄膜界面產(chǎn)生的干涉作用實(shí)現(xiàn)聚焦、準(zhǔn)直 、濾光、反射及折射等效果?,F(xiàn)在普遍采用真空濺射鍍膜的方式在工件上產(chǎn)生薄膜,濺射鍍膜過程中,惰性氣體(通 常為氬氣)在高壓下輝光放電,產(chǎn)生氬離子,氬離子轟擊靶材表面,使靶材表面的原子獲得 能量并逸出表面,沉積在工件上形成薄膜。在濺射鍍膜中,有時(shí)采用紅外線燈管等紅外線加熱方式對(duì)工件進(jìn)行加熱,使得工件的溫 度發(fā)生變化從而使靶材原子容易沉積在表面。但是,由于氬離子、靶材原子等帶電粒子會(huì)落 在紅外線燈管上,對(duì)紅外線燈管造成干擾,使得加熱不穩(wěn)定。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此,有必要提供一種加熱穩(wěn)定的鍍膜設(shè)備。一種用于對(duì)工件進(jìn)行鍍膜的鍍膜設(shè)備,,其包括具有開口的第一腔體、設(shè)置在所述開口 處的擋板和紅外線加熱單元,所述紅外線加熱單元設(shè)置在所述第一腔體中,所述紅外線加熱 單元發(fā)出紅外線對(duì)所述工件加熱,所述擋板將所述紅外線加熱單元密封在所述第一腔體中, 所述紅外線通過所述擋板后對(duì)所述工件進(jìn)行加熱。進(jìn)一步地,,第一腔體的內(nèi)壁上設(shè)置有反射單元。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明實(shí)施例的鍍膜設(shè)備的紅外線通過擋板后對(duì)工件進(jìn)行加熱,從而 使得紅外線加熱單元不會(huì)受到其他物質(zhì)的干擾,進(jìn)而使得加熱穩(wěn)定。3另外,反射單元反射入射至第一腔體上的紅外線,紅外線被反射后穿過擋板,使得較多 的紅外線通過擋板對(duì)工件進(jìn)行加熱,從而使得加熱效率較高。


圖l是本發(fā)明實(shí)施例提供的鍍膜設(shè)備的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
如圖12所示,其為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種鍍膜設(shè)備IO。該鍍膜設(shè)備10包括腔體11、紅 外線加熱單元12、供氣單元13、真空單元14、陰極15和陽極16。
腔體l 1由金屬制成,其包括接地的第一腔體l 1 l和接地的第二腔體l 12。 紅外線加熱單元12設(shè)置在第一腔體111內(nèi)并與第一腔體l 11電絕緣,其可以為紅外線加熱 燈管、紅外線加熱板等。在本實(shí)施例中,第一腔體lll為具有開口的拱形,其內(nèi)壁設(shè)置有反 射單元122、開口處設(shè)置有一擋板121。反射單元122可以為通過濺鍍方法設(shè)置在第一腔體 lll內(nèi)的薄膜,薄膜的材料主要為氧化鈦和氧化硅。擋板121的材料為鋁酸鹽玻璃或者類金剛 石碳(Diamond Like-Carbon, DLC)。其中,鋁酸鹽玻璃具有良好的熱學(xué)、光學(xué)性質(zhì),紅外 線的透過率較好,其包括鈣鋁酸鹽玻璃、鍶鋁酸鹽玻璃、鋇鋁酸鹽玻璃、鎂鋁酸鹽玻璃或鈹 鋁酸鹽玻璃。
第二腔體112的一端具有開口,第一腔體111的開口與第二腔體112的開口相對(duì)形成腔體 11。第二腔體112的開口端設(shè)置有旋轉(zhuǎn)單元124和陽極16 (—般接地),陽極16用來固定被鍍 膜的工件20,旋轉(zhuǎn)單元124可以帶動(dòng)陽極16旋轉(zhuǎn)以使工件20旋轉(zhuǎn)。
紅外線加熱單元12發(fā)出的紅外線部分直接穿過擋板121照射至工件20上,工件20吸收紅 外線從而使得溫度升高;其它部分的紅外線被反射單元122反射后穿過擋板121。
陰極15位于第二腔體112的與工件20相對(duì)的一端,鍍膜材料的靶30設(shè)置在陰極15上。
供氣單元13和真空單元14均位于第二腔體112上,供氣單元13用來向第二腔體112內(nèi)輸送 惰性氣體,例如氬氣(Ar),真空單元14的功能是用來實(shí)現(xiàn)第二腔體112內(nèi)的真空環(huán)境。
工件20需要被鍍膜時(shí),將工件20固定在陽極16上,真空單元14對(duì)第二腔體112抽取真空 以達(dá)到鍍膜所需的真空度,通過供氣單元13輸入氬氣,在陰極15和陽極16之間加幾千伏電壓 ,兩極間即產(chǎn)生氬氣輝光放電。氬氣放電產(chǎn)生的氬離子在電場(chǎng)作用下飛向陰極15,與靶30表 面原子碰撞,耙原子受碰撞從耙30的表面在工件20表面沉積成膜。
本實(shí)施例的鍍膜設(shè)備10具有多個(gè)優(yōu)點(diǎn),首先,由于擋板121的存在,耙原子和氬離子不 會(huì)落入第一腔體lll內(nèi),從而使得紅外線加熱單元12不會(huì)受到靶原子和氬離子干擾,使得加熱穩(wěn)定。其次,由于第一腔體111內(nèi)設(shè)置有反射單元122,其可以將紅外線反射再次穿過擋板 121,從而使得加熱效率較高。再則,工件20可以在旋轉(zhuǎn)單元124的帶動(dòng)下旋轉(zhuǎn),使得工件 20各處的溫度均勻。
另外,本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以在本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化,當(dāng)然,這些依據(jù)本發(fā)明精神 所做的變化,都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種鍍膜設(shè)備,用于對(duì)工件進(jìn)行鍍膜,所述鍍膜設(shè)備包括具有開口的第一腔體和紅外線加熱單元,所述紅外線加熱單元設(shè)置在所述第一腔體中,所述紅外線加熱單元發(fā)出紅外線對(duì)所述工件加熱,其特征在于進(jìn)一步包括一個(gè)設(shè)置在所述開口處的擋板,所述擋板將所述紅外線加熱單元密封在所述第一腔體中,所述紅外線通過所述擋板后對(duì)所述工件進(jìn)行加熱。
2.如權(quán)利要求l所述的鍍膜設(shè)備,其特征在于所述擋板的材料為 鋁酸鹽玻璃。
3.如權(quán)利要求2所述的鍍膜設(shè)備,其特征在于所述鋁酸鹽玻璃包 括鈣鋁酸鹽玻璃、鍶鋁酸鹽玻璃、鋇鋁酸鹽玻璃、鎂鋁酸鹽玻璃或鈹鋁酸鹽玻璃。
4.如權(quán)利要求l所述的鍍膜設(shè)備,其特征在于所述擋板的材料為 類金剛石碳。
5.如權(quán)利要求2至4任一項(xiàng)所述的鍍膜設(shè)備,其特征在于所述第一 腔體的內(nèi)壁上設(shè)置有反射單元,所述紅外線加熱單元發(fā)出的紅外線被所述反射單元反射后通 過所述擋板。
6.如權(quán)利要求5所述的鍍膜設(shè)備,其特征在于進(jìn)一步包括一個(gè)第 二腔體,所述紅外線通過所述擋板入射至所述第二腔體。
7.如權(quán)利要求6所述的鍍膜設(shè)備,其特征在于所述第二腔體設(shè)置 有抽真空單元和供氣單元。
8.如權(quán)利要求6所述的鍍膜設(shè)備,其特征在于所述第二腔體靠近 所述第一腔體開口的一端設(shè)置有旋轉(zhuǎn)單元,所述旋轉(zhuǎn)單元用來旋轉(zhuǎn)所述工件。
9.如權(quán)利要求5所述的鍍膜設(shè)備,其特征在于所述第一腔體內(nèi)設(shè) 置有反射鏡片組。
全文摘要
本發(fā)明涉及真空濺射鍍膜設(shè)備,一種用于對(duì)工件進(jìn)行鍍膜的鍍膜設(shè)備,其包括具有開口的第一腔體、設(shè)置在所述開口處的擋板和紅外線加熱單元,所述紅外線加熱單元設(shè)置在所述第一腔體中,所述紅外線加熱單元發(fā)出紅外線對(duì)所述工件加熱,所述擋板將所述紅外線加熱單元密封在所述第一腔體中,所述紅外線通過所述擋板后對(duì)所述工件進(jìn)行加熱。紅外線通過紅外線穿透視窗后對(duì)工件進(jìn)行加熱,使得紅外線加熱單元不會(huì)受到其他物質(zhì)的干擾、加熱穩(wěn)定。
文檔編號(hào)C23C14/22GK101672934SQ20081030447
公開日2010年3月17日 申請(qǐng)日期2008年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月11日
發(fā)明者洪新欽 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
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