專利名稱：一種49u/s石英晶片倒邊工藝的制作方法
技術領域：
本項發(fā)明涉及電子元件加工工藝領域，具體涉及一種49S石英晶片倒邊工藝。
背景技術：
現(xiàn)在49U/S小公差石英晶片的倒邊多采用干法倒邊，未使用研磨液，現(xiàn)有的技術對于解決某一種49U/S小公差合格率偏低，生產(chǎn)效率低下，無法滿足生產(chǎn)的需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是本實用新型的目的在于解決現(xiàn)在49U/S小公差晶片的倒邊多采用干法倒邊，不需要配制研磨液，現(xiàn)有的技術對于解決某一種49U/S小公差合格率偏低， 生產(chǎn)效率低下，無法滿足生產(chǎn)的需要。而提供一種全新的工藝進行49U/S石英晶片加工。本發(fā)明工藝為將49U/S石英晶片放入直徑80-90mm、長度350mm的直筒內(nèi)，將倒邊研磨液也放入直筒內(nèi)，再將直筒放在石英晶片倒邊機上，上轉速控制在90-100轉/分鐘，環(huán)境濕度 40% -45%、環(huán)境溫度25°C 士2°C，倒邊研磨液由碳化硅、水和防銹劑組成，其重量份配比為水1000 碳化硅(800 井)20-30 防銹劑 8-12。本發(fā)明的優(yōu)點是提高了 49U/S小公差晶片溫度特性的一致性，提高了生產(chǎn)效率， 可用于8MHz-10MHz小公差晶片的倒邊加工。
具體實施例方式1、本發(fā)明的工藝為將49U/S石英晶片放入直徑80-90mm、長度350mm的直筒內(nèi)，將倒邊研磨液也放入直筒內(nèi)，再將直筒放在石英晶片石英晶片倒邊機上，上轉速控制在90-100轉/分鐘，環(huán)境濕度40% -45%、環(huán)境溫度25°C 士2°C，倒邊研磨液由碳化硅、水和防銹劑組成，將水IOOOgJI 化硅25g、防銹劑IOg混合攪勻即成倒邊研磨液。石英晶片倒邊機水平安裝在恒溫(環(huán)境溫度25 °C 士 2)恒濕(環(huán)境濕度 40% -45% )的工作間，裝有倒邊液和晶片的直筒放在石英晶片倒邊機上按照設置的轉速和時間轉動，經(jīng)過約12小時間，對倒邊液進行更換，直到達到所需要的頻率，倒邊機上裝有定時器。
權利要求
1. 一種49U/S石英晶片倒邊工藝，其特征在于其工藝為將49U/S石英晶片放入直徑80-90mm、長度350mm的直筒內(nèi)，將倒邊研磨液也放入直筒內(nèi)，再將直筒放在石英晶片倒邊機上，上轉速控制在90-100轉/分鐘，環(huán)境濕度 40% -45%、環(huán)境溫度25°C 士2°C，倒邊研磨液由碳化硅、水和防銹劑組成，其重量份配比為水1000碳化硅20-30防銹劑8-12。
全文摘要
一種49U/S石英晶片倒邊工藝,其工藝為:將49U/S石英晶片放入直徑80-90mm、長度350mm的直筒內(nèi)，將倒邊研磨液也放入直筒內(nèi)，再將直筒放在石英晶片倒邊機上，上轉速控制在90-100轉/分鐘，砂號采用GC800#-1000#，環(huán)境濕度40％-45％、環(huán)境溫度25℃±2℃，倒邊研磨液由碳化硅、水和防銹劑組成，其重量份配比為水1000 碳化硅20-30 防銹劑8-12。本發(fā)明的優(yōu)點是提高了49U/S小公差晶片溫度特性的一致性，提高了生產(chǎn)效率，可用于8MHz-10MHz小公差晶片的倒邊加工。
文檔編號B24B9/06GK102335855SQ20111014652
公開日2012年2月1日 申請日期2011年6月2日 優(yōu)先權日2011年6月2日
發(fā)明者張 杰 申請人:湖北東光電子股份有限公司