本實(shí)用新型涉及晶片質(zhì)量檢測(cè)，尤其涉及一種晶片質(zhì)量檢測(cè)裝置。

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背景技術(shù)：
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隨著石英晶體行業(yè)的飛速發(fā)展，產(chǎn)品類型也越來越趨于小型化，目前對(duì)石英晶片的質(zhì)量檢測(cè)處于人工用肉眼進(jìn)行直接觀測(cè)或用放大鏡進(jìn)行觀測(cè)。由于存在主觀因素，每個(gè)人的檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)會(huì)有所不同。且隨著產(chǎn)品的小型化，人工肉眼觀測(cè)難度越來越大，因此人工檢測(cè)已經(jīng)不能滿足市場(chǎng)及工藝加工的要求。

專利號(hào)為CN201020120666.8的實(shí)用新型公開了一種晶片外觀檢測(cè)設(shè)備，它包括底板、安裝在底板上的供料組件、視覺檢測(cè)組件和收料組件以及一個(gè)上位機(jī)，供料組件包括供料相機(jī)、供料吸頭和散料盤；視覺檢測(cè)組件包括其上開有進(jìn)料孔的進(jìn)料板，進(jìn)料板設(shè)置在透明載盤頂面和供料吸頭之間，供料吸頭通過所述的第二水平驅(qū)動(dòng)裝置能夠?qū)?zhǔn)所述的進(jìn)料板的進(jìn)料孔設(shè)置，第一檢測(cè)相機(jī)和第三檢測(cè)相機(jī)設(shè)置在透明載盤的上方并且第二檢測(cè)相機(jī)設(shè)置在其下方。該裝置采用透明載盤實(shí)現(xiàn)不用對(duì)晶片的翻轉(zhuǎn)即可實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片的上下表面進(jìn)行檢測(cè)，減少了由于翻轉(zhuǎn)造成對(duì)晶片的損壞及污染，且采用統(tǒng)一模板檢測(cè)方式降低了由于人工檢測(cè)造成的標(biāo)準(zhǔn)不一致，提高了生產(chǎn)效率，保證了產(chǎn)品質(zhì)量。但是該裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，操作步驟多，生產(chǎn)效率較低。

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技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
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本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作步驟少，生產(chǎn)效率高的晶片質(zhì)量檢測(cè)裝置。

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是，一種晶片質(zhì)量檢測(cè)裝置，包括機(jī)架、上位機(jī)、相機(jī)、機(jī)器人、移動(dòng)光源、真空吸頭、真空源、用于承載晶片矩陣的工作臺(tái)和控制電路；工作臺(tái)和機(jī)器人安裝在機(jī)架的下部，機(jī)器人位于工作臺(tái)的一側(cè)；相機(jī)安裝在機(jī)架的上部，朝向工作臺(tái)；移動(dòng)光源安裝在機(jī)架的中部，位于工作臺(tái)的上方；真空吸頭固定在機(jī)器人的機(jī)械手上，朝向工作臺(tái)；控制電路包括控制器，控制器的輸入端接上位機(jī)的輸出端，移動(dòng)光源的控制端接控制器的控制信號(hào)輸出端；機(jī)器人分別與上位機(jī)及控制器通信連接，相機(jī)與上位機(jī)通信連接。

以上所述的晶片質(zhì)量檢測(cè)裝置，包括氣源和電磁閥，移動(dòng)光源包括氣缸和光源，氣缸水平地固定在機(jī)架上，位于工作臺(tái)的上方，光源固定在氣缸的滑塊上；氣缸接電磁閥的輸出端，電磁閥的輸入端接氣源，電磁閥的控制端接控制器的控制信號(hào)輸出端。

以上所述的晶片質(zhì)量檢測(cè)裝置，所述的工作臺(tái)包轉(zhuǎn)盤，轉(zhuǎn)盤驅(qū)動(dòng)裝置和復(fù)數(shù)個(gè)承載晶片矩陣的托盤，托盤沿轉(zhuǎn)盤的周向均布；轉(zhuǎn)盤驅(qū)動(dòng)裝置的控制端接控制器的控制信號(hào)輸出端。

以上所述的晶片質(zhì)量檢測(cè)裝置，包括缺陷芯片收集裝置，缺陷芯片收集裝置接在吸頭與真空源之間的管路中。

本實(shí)用新型的晶片質(zhì)量檢測(cè)裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作步驟少，做到一次對(duì)大量晶片的準(zhǔn)確識(shí)別剔取，生產(chǎn)效率高。

[附圖說明]

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例1晶片質(zhì)量檢測(cè)裝置攝像狀態(tài)的示意圖。

圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例1晶片質(zhì)量檢測(cè)裝置吸取缺陷晶片的示意圖。

圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例1晶片質(zhì)量檢測(cè)裝置的控制電路框圖。

圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例2晶片質(zhì)量檢測(cè)裝置吸取缺陷晶片的示意圖。

[具體實(shí)施方式]

本實(shí)用新型實(shí)施例1晶片質(zhì)量檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)和原理如圖1至圖3所示，包括機(jī)架1、上位機(jī)、相機(jī)2、機(jī)器人3、陷芯片收集裝置、移動(dòng)光源、真空吸頭5、真空閥、真空源、氣源、電磁閥、工作臺(tái)和控制電路。

機(jī)器人3采用YAMAHA YK400XR水平多關(guān)節(jié)機(jī)器人。

工作臺(tái)和機(jī)器人3安裝在機(jī)架1的下部，機(jī)器人3位于工作臺(tái)的一側(cè)。工作臺(tái)包轉(zhuǎn)盤6，轉(zhuǎn)盤驅(qū)動(dòng)裝置和4個(gè)承載晶片矩陣10的托盤7，4個(gè)托盤7沿轉(zhuǎn)盤6的周向均布。

相機(jī)2安裝在機(jī)架1的上部，朝向工作臺(tái)上的托盤7，相機(jī)2與上位機(jī)通信連接。

真空吸頭5固定在機(jī)器人3的機(jī)械手301上，朝向轉(zhuǎn)盤6。真空吸頭5通過管道501與真空閥連接，缺陷芯片收集裝置接在吸頭與真空閥之間的管路中。

控制電路包括PLC控制器，PLC控制器的輸入端接上位機(jī)的輸出端，移動(dòng)光源的控制端、轉(zhuǎn)盤驅(qū)動(dòng)裝置的控制端和真空閥的控制端分別接PLC控制器的控制信號(hào)輸出端。機(jī)器人與上位機(jī)及控制器分別通信連接。

移動(dòng)光源安裝在機(jī)架1的中部，位于工作臺(tái)的上方。

移動(dòng)光源包括氣缸8和光源9，氣缸8水平地固定在機(jī)架1上，位于工作臺(tái)的上方。光源9固定在氣缸的滑塊801上。氣缸8接電磁閥的輸出端，電磁閥的輸入端接壓縮空氣源，電磁閥的控制端接PLC控制器的控制信號(hào)輸出端。

光源9為紅色LED光源，光源9有許多紅色的LED燈珠布置在圓環(huán)的內(nèi)錐面上，內(nèi)錐面朝下，內(nèi)錐面的錐角可根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)不同的檢測(cè)環(huán)境、檢測(cè)物及檢測(cè)距離進(jìn)行調(diào)節(jié)，本實(shí)施例設(shè)定為30°。光源9的光錐是一個(gè)倒錐，倒錐的錐角為120°，光錐的聚焦點(diǎn)位于受檢晶片的上方。

因破損的晶片點(diǎn)本身呈現(xiàn)藍(lán)色，本實(shí)施例采用紅色光源照射，晶片的缺陷點(diǎn)相比白色光源或藍(lán)色光源照射效果更明顯，更能凸顯晶片缺陷點(diǎn)。

本實(shí)用新型以上實(shí)施例的工作過程包括以下步驟：

1)操作工將待檢晶片矩陣10放到轉(zhuǎn)盤6的托盤7上；PLC控制器將真空閥打開；

2)控制器控制轉(zhuǎn)盤6轉(zhuǎn)動(dòng)，將承載晶片矩陣10的托盤7轉(zhuǎn)動(dòng)到相機(jī)2的正下方；

3)控制器控制氣缸8將光源9平移到托盤的7正上方；

4)托盤7和光源9到位后，控制器通知機(jī)器人3，機(jī)器人3向上位機(jī)發(fā)送拍照取像的命令；

5)相機(jī)拍照取像后，上位機(jī)處理圖像，獲得缺陷晶片的坐標(biāo)數(shù)據(jù)，并將缺陷晶片的坐標(biāo)數(shù)據(jù)傳送給機(jī)器人3，機(jī)器人3通知PLC控制器，相機(jī)照相完畢；

6)控制器控制氣缸8將光源9平移，離開托盤7；

7)機(jī)器人3帶動(dòng)真空吸頭5，按缺陷晶片的坐標(biāo)將缺陷晶片逐個(gè)吸走；真空吸頭5直徑較大，真空吸頭5直接將缺陷晶片吸到缺陷芯片收集裝置中；

8)晶片矩陣10上的缺陷晶片全部吸走后，機(jī)器人3帶動(dòng)真空吸頭5離開托盤7的上方；通知控制器，缺陷晶片吸取工作完成；

9)重復(fù)步驟2)，開始下一工作循環(huán)。

本實(shí)用新型實(shí)施例2晶片質(zhì)量檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)和原理如圖4所示，與實(shí)用新型1不同的是，真空吸頭5直徑較小，機(jī)器人一側(cè)安裝了一根吸氣管11，在實(shí)施例1的步驟7中，實(shí)施例2的真空吸頭5將缺陷晶片吸住后，機(jī)器人3的機(jī)械手301帶動(dòng)真空吸頭5，將缺陷晶片帶到吸氣管11的入口處，真空吸頭5釋放缺陷晶片，吸氣管11將缺陷晶片吸走；然后機(jī)器人3的機(jī)械手301帶動(dòng)真空5吸頭返回，再吸取下一個(gè)缺陷芯片。

本實(shí)用新型以上實(shí)施例的晶片質(zhì)量檢測(cè)裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作步驟少，一次可以檢測(cè)許多晶片，自動(dòng)化流水作業(yè)，生產(chǎn)效率高。